有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法與流程

隨著按照大型顯示裝置的最近趨勢對于占用小空間的平坦顯示元件的需求正在增長，有機發(fā)光顯示裝置被認為是這些平坦顯示裝置當中的下一代顯示裝置。這是因為有機發(fā)光顯示裝置通常不需要單獨的光源和用于將光源組裝到顯示面板的結構，并且包括以像素為單位自發(fā)地發(fā)光的有機發(fā)光二極管。

有機發(fā)光二極管通常包括陽極、陰極以及位于陽極和陰極之間的有機層。當成對的電子和空穴從受激態(tài)過渡到基態(tài)時，有機發(fā)光二極管發(fā)光，所述成對的電子和空穴被注入到電子注入電極(陰極)和空穴注入電極(陽極)之間的有機層中，然后在該有機層中被重新組合。

另外，能夠識別被人手或其它輸入單元接觸的觸摸點的觸摸面板近來被添加并且附接到顯示裝置的外表面。

觸摸面板被劃分成電阻式、電容式和紅外感測式。當前，電容式觸摸面板由于易于制造以及敏感性而對于小型顯示裝置有利。

在下文中，將參照附圖來描述附接有觸摸面板的常規(guī)有機發(fā)光顯示裝置。

圖1是例示了附接有觸摸面板的常規(guī)有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖。

如圖1中所示，常規(guī)有機發(fā)光顯示裝置包括依次堆疊的有機發(fā)光顯示面板10、觸摸面板20和覆蓋膜30。第一粘合層15和第二粘合層25被分別設置在發(fā)光顯示面板10和觸摸面板20之間以及觸摸面板20和覆蓋膜30之間。

在本文中，有機發(fā)光顯示面板10包括基板、按照矩陣形式布置在基板上的薄膜晶體管陣列、以及與薄膜晶體管陣列的相應薄膜晶體管連接的有機發(fā)光二極管。還設置有將有機發(fā)光二極管和偏光層密封的封裝基板。在這種情況下，第一粘合層15被設置在偏光層上。觸摸面板20包括設置在其觸摸基板上的多個觸摸電極，以檢測用戶的觸摸。

有機發(fā)光顯示面板10的基板、封裝基板、觸摸面板20的觸摸基板以及覆蓋膜30通常由諸如玻璃這樣的硬質材料形成。這些基板通常具有約0.5mm或更大的厚度，并且因此難以制造具有細長外形和期望柔性的附接有觸摸面板的有機發(fā)光顯示裝置。

技術實現要素：

因此，本發(fā)明涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其基本上消除了由于現有技術的局限性和缺點而導致的一個或更多個問題。

本發(fā)明的優(yōu)點在于提供一種具有細長形和柔性的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明另外的優(yōu)點、目的和特征將在下面的描述中部分地進行描述，并且對于閱讀下面內容的本領域普通技術人員而言部分地將變得顯而易見，或者可以通過本發(fā)明的實踐來得到了解。可以通過書面的說明書及其權利要求以及附圖中具體指出的結構來實現并獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。

為了實現這些目的和其它優(yōu)點并且根據本發(fā)明的目的，如本文中具體實現并廣泛描述的，提供了一種用來形成觸摸電極陣列的塑料或玻璃支承基板在形成該觸摸電極陣列之后被去除的有機發(fā)光顯示裝置。結果，當觸摸電極陣列被設置在有機發(fā)光面板上時，能夠使有機發(fā)光顯示裝置的整體厚度減小。另外，能夠將導致反射的外部光的可見性的材料去除，因此提高了期望圖像的可見性。

在本發(fā)明的一個方面中，一種有機發(fā)光顯示裝置包括：有機發(fā)光面板，該有機發(fā)光面板包括位于基底基板上的薄膜晶體管陣列、與所述薄膜晶體管陣列電連接的有機發(fā)光二極管陣列、以及覆蓋所述有機發(fā)光二極管陣列的封裝層；第一粘合層，該第一粘合層位于所述有機發(fā)光面板上；觸摸電極陣列，該觸摸電極陣列與所述第一粘合層相接觸；分隔層，該分隔層位于所述觸摸電極陣列上；以及覆蓋膜，該覆蓋膜位于所述分隔層上。

所述分隔層可以具有或更小的厚度。

所述分隔層可以包括硅材料或金屬氧化物層。

所述有機發(fā)光顯示裝置還可以包括與所述觸摸電極陣列相接觸的阻擋層以及與所述阻擋層相接觸的緩沖層，所述阻擋層和所述緩沖層位于所述觸摸電極陣列和所述分隔層之間。

所述阻擋層可以包括具有至的厚度的無機層，并且所述緩沖層可以包括具有1μm至8μm的厚度的有機層。

所述阻擋層可以包括氧化物層或氮化物層的單個層、氧化物層或氮化物層的多個層、或者氧化物層和氮化物層交替層壓的層。

所述緩沖層可以包括丙烯酸基團、環(huán)氧基團、聚酰亞胺基團和聚酰胺基團中的至少一個。

所述覆蓋膜可以包括圓形偏光板(polarizing plate)。

所述圓形偏光板可以與所述分隔層相接觸。

所述有機發(fā)光顯示裝置還可以包括第二粘合層，該第二粘合層位于所述分隔層和所述覆蓋膜之間。

所述分隔層和所述覆蓋膜可以分別與所述第二粘合層的下表面和上表面相接觸。

所述有機發(fā)光顯示裝置還可以包括圓形偏光板，該圓形偏光板位于所述第二粘合層和所述覆蓋膜之間。

所述觸摸電極陣列可以包括：多個第一觸摸電極和多個第二觸摸電極，所述多個第一觸摸電極和所述多個第二觸摸電極彼此交叉；保護層，該保護層覆蓋所述第一觸摸電極和所述第二觸摸電極；多個觸摸焊盤電極，所述多個觸摸焊盤電極在顯示區(qū)域(active region)的外部區(qū)域處與所述第一觸摸電極和所述第二觸摸電極對應；以及多條路由導線(routing wire)，所述多條路由導線在所述觸摸焊盤電極處向所述第一觸摸電極和所述第二觸摸電極傳送信號，其中，所述第一觸摸電極和所述第二觸摸電極、所述路由導線以及所述觸摸焊盤電極中的至少一個可以與所述阻擋層相接觸，并且所述保護層可以與所述第一粘合層相接觸。

所述有機發(fā)光顯示裝置還可以包括遮光層，該遮光層位于所述阻擋層和所述觸摸電極陣列內的所述保護層之間，并且所述遮光層包括堆疊的濾光層和黑底層。

根據本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟：設置有機發(fā)光面板，該有機發(fā)光面板包括位于第一基底基板上的薄膜晶體管陣列、與所述薄膜晶體管陣列電連接的有機發(fā)光二極管陣列、以及覆蓋所述有機發(fā)光二極管陣列的封裝層；在第二基底基板上形成分隔層和觸摸電極陣列；在彼此面對的所述封裝層和所述觸摸電極陣列之間附接第一粘合層；使所述分隔層暴露以去除所述第二基底基板；以及通過第二粘合層將覆蓋膜附接到所暴露的分隔層。

去除所述第二基底基板的步驟可以包括以下步驟：照射激光。

可選地，可以添加以下步驟：將所述分隔層去除到特定厚度。

在部分地去除所述分隔層之后，剩余的分隔層可以具有100或更小的厚度。

另外，在形成所述分隔層之后并且在形成所述觸摸電極陣列之前，可以添加以下步驟：在所述分隔層上形成緩沖層和阻擋層。

所述第二基底基板可以包括塑料基板或玻璃基板、或者多個塑料基板的堆疊結構。

根據本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟：設置有機發(fā)光面板，該有機發(fā)光面板包括位于基底基板上的薄膜晶體管陣列、與所述薄膜晶體管陣列電連接的有機發(fā)光二極管陣列、以及覆蓋所述有機發(fā)光二極管陣列的封裝層；在玻璃基板上依次形成分隔層、緩沖層、阻擋層和觸摸電極陣列；在彼此面對的所述封裝層和所述觸摸電極陣列之間附接第一粘合層；去除所述玻璃基板和所述分隔層；以及通過第二粘合層將覆蓋膜附接到所暴露的緩沖層。

附圖說明

附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解，被并入到本申請中并構成本申請的一部分，附圖例示了本發(fā)明的實施方式，并且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是例示附接有觸摸面板的常規(guī)有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖；

圖2是例示被采用作為柔性顯示器的有機發(fā)光顯示裝置的示例的截面視圖；

圖3是例示入射在圖2的有機發(fā)光顯示裝置上的外部光的光學路徑的視圖；

圖4是示出取決于圖2的第二柔性基板的材料的類型和厚度的雙折射的變化的圖；

圖5是例示根據本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖；

圖6是例示入射在圖5的有機發(fā)光顯示裝置上的外部光的光學路徑的視圖；

圖7A、圖7B、圖7C和圖7D是例示根據本發(fā)明的第一實施方式的將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除的方法的截面視圖；

圖8A和圖8B是例示根據本發(fā)明的第二實施方式的將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除的方法的截面視圖；

圖9A、圖9B和圖9C是例示根據本發(fā)明的第三實施方式的將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除的方法的截面視圖；

圖10示出了在通過圖9A、圖9B和圖9C的方法將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除之后使用測量設備來獲取圖9C的上表面的圖片；

圖11是在通過圖9A、圖9B和圖9C的方法將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除之后在圖9C的上表面處測量激光能量密度與硅的比率的圖；

圖12是例示根據本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖；

圖13是具體例示根據本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖；

圖14是例示根據本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖；

圖15是具體例示根據本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖；

圖16是根據本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的SEM；

圖17是例示根據本發(fā)明的第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖；

圖18示出了如從上面、側面和正面觀看的、當上部材料被保持和去除時的有機發(fā)光顯示裝置的圖片；以及

圖19是例示當上部材料被保持和去除時相對于波長變化的反射率變化。

具體實施方式

現狀將詳細地描述本發(fā)明的實施方式，在附圖中例示出了本發(fā)明的實施方式的示例。在任何可能的地方，相同的附圖標記將在所有圖中被用來指代相同或相似的部件。將要注意的是，如果確定已知的技術可能誤導本發(fā)明的實施方式，則將省略已知的技術的詳細描述?？梢钥紤]規(guī)格制備的便利來選擇下面的描述中使用的組件的名稱。因此，組件的名稱可以與實際產品中使用的組件的名稱不同。

圖2是例示作為柔性顯示器的有機發(fā)光顯示裝置的示例的截面視圖。圖3是例示入射在圖2的有機發(fā)光顯示裝置上的外部光的光學路徑的視圖。

參照圖2，根據實施方式的有機發(fā)光顯示裝置包括：第一塑料基底基板41和第二塑料基底基板52，利用該第一塑料基底基板41和第二塑料基底基板52來替換包括圖1的附接的觸摸面板在內的有機發(fā)光顯示器的基板和觸摸面板；以及圓形偏光板60，利用該圓形偏光板60來替換圖1的覆蓋膜。

在這種情況下，設置在下側的有機發(fā)光顯示面板40包括從下面依次堆疊的第一塑料基底基板41、薄膜晶體管陣列42、有機發(fā)光二極管陣列43和封裝層44。面對有機發(fā)光顯示面板40的觸摸面板包括第二塑料基底基板52、設置在第二塑料基底基板52上的觸摸電極陣列51。

另外，第一粘合層45被設置在有機發(fā)光顯示面板40和觸摸面板50之間。第二粘合層55被設置在觸摸面板50和圓形偏光板60之間。

在這種情況下，在有機發(fā)光顯示面板40中省去偏光板。圓形偏光板60被設置在最外側，以在保護裝置的表面的同時減少或阻止外部光的反射。

與根據相關技術的有機發(fā)光顯示裝置相比，用塑料基板41和52以及具有25μm或更小的厚度的圓形偏光板60來替換厚玻璃材料，因此，能夠減小整個裝置的厚度并且能夠增大裝置的柔性。

另外，當薄膜晶體管陣列42和觸摸電極陣列52形成在薄的第一塑料基板41和薄的第二塑料基板52上時，能夠使第一塑料基板41和第二塑料基板52滾動。為此，諸如玻璃基板的支承基板被設置在第一塑料基板41的下側和第二塑料基板52的下側中的每一個上，以支承第一塑料基板41和第二塑料基板52。在完成陣列處理以及將有機發(fā)光顯示面板40附接到觸摸面板50的接合處理之后，可以將支承基板去除。

圖2的有機發(fā)光顯示裝置在柔性方面具有優(yōu)點，但是可以具有響應于外部光的反射元件，現在將詳細地描述該反射元件。

參照圖3，在外部光沿著特定軸入射在圓形偏光板60上之后，圓形偏振光然后穿過第二粘合層55、觸摸面板50、第一粘合層45和有機發(fā)光顯示面板40。在本文中，圓形偏振光的光學路徑由于在觸摸面板50的第二塑料基板52處的雙折射而改變。在這種情況下，在圓形偏振光在有機發(fā)光顯示面板40中從有機發(fā)光二極管陣列43的反射電極反射之后，經反射的光穿過第一粘合層45、觸摸面板50和第二粘合層55到達圓形偏光板60。在本文中，經反射的光包括與圓形偏光板60的特定軸交叉的成分以及通過第二塑料基板52的雙折射而發(fā)生扭曲的成分，這可能導致光泄露。

在下文中，考慮到圖3的原理，將根據采用的材料和厚度來測量并討論第二柔性基板52的雙折射的變化。

圖4是示出取決于圖2的第二柔性基板52的材料的類型和厚度的雙折射的變化的圖。

如在圖4中進行測試的，第二塑料基板52是透明的聚酰胺基團薄膜。第二塑料基板52具有彼此不同的材料A、材料B、材料C和材料D。然而，圖4示出了無論所采用的材料A、材料B、材料C和材料D如何，隨著第二塑料基板52的厚度增加，其雙折射增加。另外，經反射的光的可見性與第二柔性基板52的雙折射的量成比例地增加。

當第二塑料基板52具有約5μm至20μm的厚度時，雙折射的量Rth對于第二塑料基板52的全部材料(即，A至D)而言大于40nm。在這種情況下，雖然設置了用于雙折射的圓形偏光板60，但是也不容易減少或阻止由于第二塑料基板52的雙折射而導致的外部光的反射，該第二塑料基板52用于有機發(fā)光顯示裝置的細長輪廓設計。

為了減少或阻止由第二塑料基板52的雙折射而導致的反射光的可見性，還可以設置諸如C+板的光學補償膜以對第二塑料基板52的雙折射進行補償。然而，由于光學補償膜通常具有150μm或更大的厚度，因此可能在柔性方面存在缺點。

在下文中，將描述根據實施方式的有機發(fā)光顯示裝置，該有機發(fā)光顯示裝置不包括用于細長和柔性的光學補償膜。然而，本發(fā)明不限于此，并且根據本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示裝置可以包括光學補償膜。

圖5是例示根據本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖。圖6是例示入射在圖5的有機發(fā)光顯示裝置上的外部光的光學路徑的視圖。

參照圖5和圖6，有機發(fā)光顯示裝置包括：有機發(fā)光面板1000，該有機發(fā)光面板1000包括設置在第一塑料基底基板100上的薄膜晶體管陣列110；有機發(fā)光二極管陣列120，該有機發(fā)光二極管陣列120與薄膜晶體管陣列110電連接；以及封裝層130，該封裝層130覆蓋有機發(fā)光二極管陣列120；第一粘合層140，該第一粘合層140被設置在有機發(fā)光面板1000上；觸摸電極陣列150，該觸摸電極陣列150與第一粘合層140相接觸；分隔層225，該分隔層225被設置在觸摸電極陣列150上；以及覆蓋膜160，該覆蓋膜160被設置在分隔層225上。

分隔層225具有或更小的厚度。在將第二塑料基底基板210(參見圖7A)去除之后，分隔層225被暴露。即，在使用沉積處理和構圖處理來制造觸摸電極陣列150期間，第二塑料基底基板210被保持在分隔層225的底側處。然后，在將觸摸電極陣列150接合到有機發(fā)光面板1000之后，去除第二塑料基底基板210。結果，能夠減少或阻止由于第二塑料基底基板210的雙折射而導致的外部光的可見性。

分隔層225的表面可以是不平坦的。分隔層225根據其所包含的元件可以具有不均勻的表面。另選地，分隔層225的一部分可以在觸摸電極陣列150的上表面處被去除，并且分隔層225的另一部分可以保持在觸摸電極陣列150的上表面處。

在本文中，分隔層225可以由諸如非晶硅的單個元件、或者諸如氮化硅(SiN_x)和/或氧化硅(SiO_x)的硅基團化合物形成。分隔層225可以是由Al₂O₃、MO_x和/或TiO₂形成的金屬氧化物層。

此外，當設置在觸摸電極陣列150的上側處的第二塑料基底基板210在將有機發(fā)光面板1000和觸摸電極陣列150接合之后被去除時，分隔層225用來保護觸摸電極陣列150。當去除第二塑料基底基板210時，可以將與第二塑料基底基板210相鄰的分隔層225的一部分去除。設置分隔層225以減少或阻止金屬觸摸電極在觸摸電極陣列150被直接暴露時的諸如腐蝕或氧化的損害。

可以通過激光釋放處理來去除第二塑料基底基板210。同時，硅基團材料或金屬氧化物，即與第二塑料基底基板210相鄰的分隔層225的元件被部分地去除。

另外，封裝層130可以是由交替層壓的無機層和有機層構成的面密封或阻擋堆疊結構，以便覆蓋有機發(fā)光二極管陣列120。

覆蓋膜160可以基本上包括圓形偏光板。覆蓋膜160可以是圓形偏光板本身。在這種情況下，覆蓋膜可以被直接涂覆在分隔層225的暴露的表面上，或者可以通過附接方式添加有單獨的圓形偏光板薄膜。在前者的情況下，在分隔層225的表面上形成相位延遲層和線性偏光層，以形成覆蓋膜160。在后者的情況下，形成覆蓋膜160包括：制備具有薄膜型的圓形偏光板；以及在使圓形偏光板的保護表面暴露的同時將圓形偏光板的粘合表面直接層壓在分隔層225上。此外，在覆蓋膜160是單個圓形偏光板的情況下，圓形偏光板用來保護有機發(fā)光顯示裝置免受外部沖擊。覆蓋膜160具有10μm至80μm的厚度，這可以足以使有機發(fā)光顯示裝置撓曲，從設置在下面的有機發(fā)光二極管陣列120發(fā)出光并且減少或阻止外部光的反射。

另選地，覆蓋膜160可以具有包括圓形偏光板和覆蓋膜的雙層結構。在這種情況下，覆蓋膜被設置在與觀看的表面對應的外部處。覆蓋膜有利地由軟透明膜形成，而不是由諸如玻璃這樣的硬質材料形成。例如，覆蓋膜可以由從包括聚乙二醇基團樹脂、聚丙烯基團樹脂、聚乙烯對苯二甲酸酯基團樹脂、聚乙烯醇基團樹脂、尼龍基團樹脂、聚丙烯腈基團樹脂和聚甲基丙烯酸基團樹脂的基團中選擇的一種形成。在這種情況下，覆蓋膜被設置在有機發(fā)光顯示裝置的表面上，以保護裝置免受外部沖擊。設置在覆蓋膜下面的圓形偏光板光學地用來減少或阻止外部光的可見性。

如圖6中所例示的，當覆蓋膜160包括圓形偏光板時，未經偏振的外部光穿過圓形偏光板160以關于透射軸進行右旋圓偏振，并且入射到觸摸電極陣列150、粘合層140、封裝層130和有機發(fā)光二極管陣列120上。入射光被有機發(fā)光二極管陣列120中包括的反射電極反射，以進行左旋圓偏振。在這種情況下，反射光因此被引導沿著與圓形偏光板的透射軸交叉的吸收軸，這樣，反射光由于其不穿過圓形偏光板160而被減少或阻止。

因此，根據本發(fā)明的實施方式的如圖5中所例示的有機發(fā)光顯示裝置能夠減少或阻止外部光的可見性。在這種結構中，觸摸電極陣列150和覆蓋膜160之間的與觸摸電極陣列150接觸的分隔層225具有或更小的厚度，因此減少或阻止透射軸的移動。在外部光入射到有機發(fā)光顯示裝置中的圓形偏光板160上之后，當入射光在反射之前或反射之后穿過塑料薄膜時，可以發(fā)生透射軸的移動。另外，當光被有機發(fā)光二極管陣列120的反射電極反射時，反射光可以被圓形偏光板160的吸收軸阻擋。

在下文中，將描述根據本發(fā)明的實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其中采用諸如第二塑料基底基板和/或第二玻璃基板的上基底基板的去除工序。

圖7A、圖7B、圖7C和圖7D是例示根據本發(fā)明的第一實施方式的將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除的方法的截面視圖。

如圖5A中所例示的，一種根據本發(fā)明的實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括以下步驟：形成有機發(fā)光面板1000，該有機發(fā)光面板1000包括設置在第一塑料基底基板100上的薄膜晶體管陣列110、與薄膜晶體管陣列110連接的有機發(fā)光二極管陣列120以及覆蓋有機發(fā)光二極管陣列120的封裝層130。在該處理中，當第一塑料基底基板100具有足以承受諸如濺射的沖擊和諸如結晶化的高溫處理的工序容差時，能夠在其上直接形成薄膜晶體管陣列110。如果不能，則第一玻璃基板250被設置在第一塑料基底基板100的下面，如圖7A中所例示的，能夠形成薄膜晶體管陣列110和有機發(fā)光二極管陣列120，然后可以形成封裝層130以覆蓋有機發(fā)光二極管陣列120的上表面和其周邊。

接下來，如圖7A中所例示的，要形成有觸摸電極陣列150的表面可以是第二塑料基底基板210。然而，在形成觸摸電極陣列150之前，設置分隔層225以在將第二塑料基底基板210去除期間保護觸摸電極陣列150。分隔層225是具有或更小的厚度的無機層。分隔層225可以由硅基團材料形成，或者可以是金屬氧化物層。當分隔層225的厚度大于0.01μm時，可以通過在將稍后將描述的圖7D的第二塑料基底基板210去除期間調整激光釋放中的激光能量密度來將分隔層225的一部分去除。此外，還可以在第二塑料基底基板210的下面設置第二玻璃基板200，這樣，第二塑料基底基板210可以在使用濺射工序來形成第一觸摸電極和第二觸摸電極的期間被充分支承。

繼續(xù)地，封裝層130和觸摸電極陣列150被定位為彼此面對，第一粘合層140(參見圖5)被插入在封裝層130和觸摸電極陣列150之間，并且封裝層130和觸摸電極陣列150彼此接合。

另外，第一玻璃基板250和第二玻璃基板200中的每一個具有0.5mm或更大的厚度。這使裝置的厚度增大，因此使裝置的柔性減小。這樣，將第一玻璃基板250和第二玻璃基板200去除。首先，將第二玻璃基板200去除，然后將第一玻璃基板250去除。稍后將對其進行描述。

如圖7B和圖7C中所例示的，第二玻璃基板200通過如圖7C中所例示的照射激光來首先被釋放并去除。

接下來，如圖7D中所例示的，暴露的第二塑料基底基板210被去除直到作為邊界的分隔層225。第二塑料基底基板210是薄且透明的，因此，可以通過使其角部升起來使分隔層225剝落。

在將第二玻璃基板200和第二塑料基底基板210去除之后，使用激光來將設置在其下面的第一玻璃基板250去除，盡管未示出。

另外，被去除的第二塑料基底基板210的元件可以包括高分子化合物。所述元件可以包含從由下列項構成的組中選擇的至少一種：聚酯、包含聚酯的共聚物、聚酰亞胺、包含聚酰亞胺的共聚物、烯烴基團共聚物、聚丙烯酸、包含聚丙烯酸的共聚物、聚苯乙烯、包含聚苯乙烯的共聚物、戊聚糖鈉、包含戊聚糖鈉的共聚物、聚碳酸酯、包含聚碳酸酯的共聚物、聚酰胺酸、包含聚酰胺酸的共聚物、聚胺、包含聚胺的共聚物、聚乙烯醇、聚丙烯胺。被去除的第二塑料基底基板210可以具有約20μm至100μm的厚度。

圖8A和圖8B是例示根據本發(fā)明的第二實施方式的將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除的方法的截面視圖。

在第二實施方式中，如圖8A中所例示的第二塑料基底基板210被激光直接照射。如圖8B中所例示的，可以通過使第二塑料基底基板210從分隔層225升起來使該第二塑料基底基板210剝落。

在去除第二塑料基底基板210之后，因為分隔層225非常薄且透明，所以可以通過裸眼看到觸摸電極陣列150。

圖9A、圖9B和圖9C是例示根據本發(fā)明的第三實施方式的將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除的方法的截面視圖。

在第三實施方式中，如圖9A中所例示的，將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除的方法包括以下步驟：在無需第二塑料基底基板210的情況下依次形成被直接設置在第二玻璃基板200上的犧牲層220、緩沖層170和阻擋層165；以及形成觸摸電極陣列150。因為不使用第二塑料基底基板210，所以可以進一步設置緩沖層170和阻擋層165以保護觸摸電極陣列150。

將詳細地描述去除工序。犧牲層220是由非晶硅、硅介電層或金屬氧化物層形成的。緩沖層170是具有1μm至8μm的厚度的有機層。緩沖層165是具有至的厚度的無機層。在這種情況下，當形成觸摸電極陣列150時，形成觸摸電極陣列150的電極中的至少一個以與阻擋層165直接接觸。

另外，在保持這種結構的狀態(tài)下，第一玻璃基板250可以被接合到具有上述結構的有機發(fā)光顯示裝置1000。

在這種情況下，如圖9B中所例示的，利用激光來照射第二玻璃基板200。如圖9C中所例示的，將第二玻璃基板200和犧牲層220的部分220a去除。在去除工序期間，如圖9C中所例示的，犧牲層220的一部分可以保留在分隔層225處。如上所述，分隔層225的厚度可以是或更小。

另外，由于分隔層225非常薄，因此分隔層225可以不具有平坦表面。分隔層225的一個區(qū)域可以被去除以使緩沖層170暴露，并且另一個區(qū)域可以保留以具有薄的厚度。

另外，在圖9C的處理中，分隔層225可以被完全去除。在這種情況下，在分隔層225的去除期間，緩沖層170的一部分可以被去除和暴露。在該處理中，緩沖層170用來防止諸如激光的照射這樣的物理沖擊。

在第三實施方式中，由于觸摸電極陣列150上的產生雙折射的塑料基底基板被省去，因此可以獲得與在第一實施方式和第二實施方式中將第二塑料基底基板去除相同的效果。

此外，在將如上所述的第一實施方式、第二實施方式和第三實施方式的上基底基板去除之后，可以使用激光來去除設置在下面的第一玻璃基板250。第一玻璃基板250的去除工序與第二玻璃基板或第二塑料基底基板的去除工序相似。

另外，在通過將第二塑料基底基板210和/或第二玻璃基板200去除而使分隔層225暴露之后，第二粘合層320(參見圖10)可以被設置在暴露的分隔層225上，并且覆蓋膜160可以被附接到分隔層225。

在下文中，將通過圖片的成分分析來描述根據本發(fā)明的實施方式的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法的有效性，在將在有機發(fā)光顯示裝置中用作觸摸電極陣列的支承基板或形成基板的第二玻璃基板或第二塑料基底基板去除之后，該方法獲取(capture)暴露的上表面。

圖10示出了在通過圖9A、圖9B和圖9C的方法將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除之后使用測量設備來獲取圖9C的上表面的圖片。圖11是在通過圖9A、圖9B和圖9C的方法將有機發(fā)光顯示裝置的上基底基板去除之后在圖9C的上表面處測量激光能量密度與Si的比率的圖。

具體地，圖10是使用飛行時間二次離子質譜(ToF-SIMS)來將第二塑料基底基板210和/或第二玻璃基板200去除之后分隔層225的暴露的上表面的成分的圖像圖片。

在圖10中，當每個激光能量密度為220mJ/cm和180mJ/cm時，對厚度為的分隔層進行兩次測試。220mJ/cm的激光能量密度的結果被稱作#1和#2，并且180mJ/cm的激光能量密度的結果被稱作#3和#4。另外，圖10示出了所測量的元素的組成。隨著圖像圖片的亮度增加，元素的量增加。換句話說，隨著圖像圖片的顏色逐漸接近黑色，元素的量變得更小。

在本文中，在去除上基底基板期間，當分隔層非常薄時，緩沖層通過被部分去除的分隔層而暴露。H、CH和O是所暴露的緩沖層的元素。

另外，諸如Si這樣的單個元素或者諸如SiH這樣的接合到氫的硅化合物是分隔層的元素。

在#1至#4的條件下，Si或SiH(即，分隔層的元素)與H、CH或O(即，緩沖層的元素)相比約為0.01％至0.2％(169/967,379)。要注意的是，剩余的分隔層的元素的量非常小。因此，這不對有機發(fā)光顯示裝置中的其它裝置產生光學或有關電的影響。

圖11例示了在厚度為的分隔層的情況下以及在厚度為的分隔層的情況下C-H(緩沖層的主要元素)與Si(分隔層的主要元素)之間的組成。在的厚度的情況下，分隔層包含0.1％的Si。在的厚度的情況下，分隔層包含1％的Si。要注意的是，Si的剩余量與分隔層的厚度成比例。

根據本發(fā)明的實施方式的分隔層是用于將觸摸電極陣列的上基底基板去除的插入層。換句話說，分隔層不是裝置中的光學層或電氣層。因此，分隔層的厚度有利地為或更小，以不對裝置中的其它功能層產生影響。

另外，當分隔層由硅形成或者是金屬氧化物層時，分隔層可以具有半導電特性或導電特性。另選地，分隔層可以被完全去除，以驅動敏感觸摸電極陣列。在這種情況下，雖然分隔層被去除，也不應當使觸摸電極陣列暴露。為此，如圖9A中所例示的，阻擋層165和緩沖層170被設置在觸摸電極陣列150上，以保護觸摸電極陣列150免受由于分隔層的去除而導致的外部物理應力。

在下文中，將描述有機發(fā)光顯示裝置的各種實施方式。在下面的各種實施方式中，可以對包括圖5的結構作為基本結構的有機發(fā)光顯示裝置進行修改。

圖12是例示根據本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖。圖13是具體例示根據本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖。

如圖12中所例示的，根據本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置包括：有機發(fā)光面板1000，該有機發(fā)光面板1000包括設置在第一塑料基底基板100上的薄膜晶體管陣列110；有機發(fā)光二極管陣列120，該有機發(fā)光二極管陣列120與薄膜晶體管陣列110電連接；以及封裝層130，該封裝層130覆蓋有機發(fā)光二極管陣列120；第一粘合層140，該第一粘合層140被設置在有機發(fā)光面板1000上；觸摸電極陣列150，該觸摸電極陣列150與第一粘合層140相接觸；阻擋層165、緩沖層170和分隔層225，該阻擋層165、緩沖層170和分隔層225依次被設置在觸摸電極陣列上150；以及覆蓋膜160，該覆蓋膜160被設置在分隔層225上。

在本文中，在將有機發(fā)光面板1000和觸摸電極陣列150接合之前，在第二玻璃基板200(參見圖7A)或第二塑料基底基板210上從上面開始依次形成分隔層225、緩沖層170和阻擋層165。在將第二玻璃基板200和第二塑料基底基板210去除之后，在分隔層225被暴露的狀態(tài)下，覆蓋膜160通過第二粘合層160被附接到分隔層225。在這種情況下，第二粘合層160被設置在分隔層225和覆蓋膜160之間，使得分隔層225和覆蓋膜160分別與第二粘合層320的上表面和下表面相接觸。

與圖5的基本結構的不同之處在于添加了緩沖層170和阻擋層165，以保護觸摸電極陣列150。

緩沖層165是具有至的厚度的無機層。緩沖層是具有1μm至8μm的厚度的有機層。用作抵抗諸如激光這樣的物理應力的緩沖器的有機緩沖層與分隔層225相鄰。此外，阻擋層165與觸摸電極陣列150直接接觸。阻擋層165用來減少或防止觸摸電極、路由導線或觸摸焊盤電極在第二塑料基底基板或第二玻璃基板的去除工序期間直接暴露。阻擋層165可以由與構成觸摸電極陣列的絕緣層相同的材料形成。

詳細地，緩沖層170可以包括由丙烯酸基團、環(huán)氧基團、聚酰亞胺基團和聚酰胺基團中的至少一個形成的有機層。阻擋層165可以包括諸如氧化物層或氮化物層的單個層、或者氧化物層或氮化物層的多個層、或者氧化物層和氮化物層交替層壓的層。緩沖層170和阻擋層165是透明的，并且具有5％或更小的反射率。結果，緩沖層170和阻擋層165可以沒有損失地引導從有機發(fā)光二極管陣列120發(fā)出的光。由于緩沖層170具有從1μm到8μm的范圍內的厚度，因此當引入外部光時可能不存在雙折射。即使存在雙折射，也可以將雙折射的量保持在不可見的水平。

另外，根據第一實施方式，覆蓋膜160是圓形偏光板本身。當未經偏振的外部光沿著圓形偏光板的特定透射軸入射時，光進行左旋圓偏振或右旋圓偏振。于是，當光在有機發(fā)光二極管陣列120的反射電極元件的第一電極121(圖13)處進行反射時，光進行右旋圓偏振或左旋圓偏振，以在相反的方向上向圓形偏光板前進。在本文中，反射光被吸收軸阻擋，以減少或阻止外部光的反射。

詳細地，下面將描述根據圖13中的本發(fā)明的第一實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的內部構成。

如圖13中所例示的，還可以在第一塑料基底基板100上設置包括多個無機層的TFT緩沖層105。當在第一塑料基底基板100上直接形成布線或有源層時，TFT緩沖層105使得布線或有源層的表面能夠均勻。

顯示區(qū)域中的薄膜晶體管陣列110、有機發(fā)光二極管陣列120和觸摸電極陣列150被設置在與周邊區(qū)域中的薄膜晶體管陣列110、有機發(fā)光二極管陣列120和觸摸電極陣列150相同的水平處。另外，按照平面視角，多個像素在顯示區(qū)域中被布置成矩陣。每個薄膜晶體管陣列110包括彼此交叉的選通線和數據線。在這種情況下，每個像素被設置在每個交叉點處，并且包括至少一個薄膜晶體管(TFT)。有機發(fā)光二極管陣列120包括有機發(fā)光二極管(OLED)。觸摸電極陣列150包括彼此交叉的第一觸摸電極151和第二觸摸電極152。第一觸摸電極151和第二觸摸電極152的交叉點可以與每個像素對應。另選地，第一觸摸電極151和第二觸摸電極152的布置可以與像素的布置無關。

此外，焊盤部被設置在薄膜晶體管陣列110的周邊區(qū)域中。觸摸電極陣列150包括與薄膜晶體管陣列110的焊盤部部分地連接的觸摸焊盤部。在本文中，由于薄膜晶體管陣列110的焊盤部與觸摸焊盤部連接，因此在觸摸電極陣列150側可以不需要單獨的柔性印刷電路(FPC)連接以從薄膜晶體管陣列110接收觸摸控制信號。結果，可以使制造過程簡化并且可以使FPC連接最小化。

薄膜晶體管陣列110中的薄膜晶體管(TFT)包括位于TFT緩沖層105上的有源層111、在形成TFT緩沖層105上的同時覆蓋有源層111的柵極介電層112、與有源層111交疊的柵電極113、形成在柵電極113和柵極介電層112上的夾層電介質114、以及分別穿過夾層電介質114和柵極介電層112以與有源層112的兩端連接的源極115和漏極116。在本文中，柵電極113可以被設置在與選通線相同的水平處。源極115和漏極116可以被設置在與數據線相同的水平處。

針對選通線和數據線的焊盤電極以及使有機發(fā)光二極管陣列的第二電極接地或者向其施加均勻電壓的第二電極焊盤電極被設置在薄膜晶體管陣列的周邊區(qū)域中。此外，如所例示的，還可以設置與觸摸焊盤電極陣列150的上表面的觸摸焊盤電極155連接的觸摸輔助電極117。

有機發(fā)光二極管(OLED)包括與漏極116連接的第一電極、形成在限定發(fā)光區(qū)域的岸122a中的有機發(fā)光層123以及覆蓋有機發(fā)光層123的第二電極124。

可選地，可以在岸122a上設置具有與岸122a的寬度對應的特定厚度的間隔件112b。當形成有機發(fā)光層123時，使用具有開口的金屬掩模來將有機材料設置在第一塑料基底基板100處。在這種情況下，金屬掩模下垂使得岸122a倒塌或者發(fā)光區(qū)域對內部發(fā)光區(qū)域產生影響。為此，間隔件112b被規(guī)則地設置在岸122a上。另外，第一電極是反射電極并且第二電極124是透明電極。外部光在穿過有機發(fā)光二極管(OLED)之后在第一電極121處進行反射。然后，反射光行進穿過透明的第二電極124。

另外，封裝層130形成在有機發(fā)光二極管陣列120上，以覆蓋有機發(fā)光二極管(OLED)的上面和側面。

觸摸電極陣列150包括在顯示區(qū)域中彼此交叉的第一觸摸電極151和第二觸摸電極152、覆蓋第一觸摸電極151和第二觸摸電極152的保護層156、在周邊區(qū)域中與第一觸摸電極151和第二觸摸電極152對應的多個觸摸焊盤電極155、以及將信號從觸摸焊盤電極155傳送到第一觸摸電極151和第二觸摸電極152的路由導線154。

在所例示的實施方式中，第一觸摸電極151和第二觸摸電極152、路由導線154以及觸摸焊盤電極155分別包括設置在上側的金屬網圖案151a、152a、154a和155a以及設置在下側的透明電極151b、152b、154b和155b。第一觸摸電極151和第二觸摸電極152、路由導線154以及觸摸焊盤電極155中的每一個具有雙層電極結構，因此實現穩(wěn)定電場和低電阻。然而，本發(fā)明不限于包括金屬網圖案的這種電極結構。根據本發(fā)明的實施方式的有機發(fā)光顯示裝置可以包括單層電極結構。

此外，由于第一觸摸電極151和第二觸摸電極152被設置在相同的水平處以減少或阻止第一觸摸電極151和第二觸摸電極152之間的短路，第一觸摸電極通過穿過保護層140中的接觸孔設置的橋接圖案151c彼此連接。結果，第一觸摸電極151與第二觸摸電極152電隔離。

如圖13中所例示的，第一觸摸電極151和第二觸摸電極152、路由導線154以及觸摸焊盤電極155都與阻擋層165相接觸。保護層156可以與用于將封裝層130和觸摸電極陣列150接合的第一粘合層140相接觸。

阻擋層165與有機緩沖層170相接觸。緩沖層170與由硅材料或金屬氧化物層形成的分隔層225相接觸。用作圓形偏光板的覆蓋膜160被附接到分隔層225。第二粘合層320可以被設置在覆蓋膜160與分隔層225之間，或者可以被省去。在第二粘合層320被省去的情況下，圓形偏光板包括與分隔層225的表面對應的粘合表面。

另外，在周邊區(qū)域中，設置了包括導電珠的密封材料272。導電珠被設置在與觸摸輔助焊盤電極117對應的部分處，以垂直地連接在觸摸焊盤電極154和觸摸輔助焊盤電極117之間。

另外，第一塑料基底基板100可以由高分子化合物形成。第一塑料基底基板100可以包含從包括以下項的組中選擇的至少一種：聚酯、包含聚酯的共聚物、聚酰亞胺、包含聚酰亞胺的共聚物、烯烴基團共聚物、聚丙烯酸、包含聚丙烯酸的共聚物、聚苯乙烯、包含聚苯乙烯的共聚物、戊聚糖鈉、包含戊聚糖鈉的共聚物、聚碳酸酯、包含聚碳酸酯的共聚物、聚酰胺酸、包含聚酰胺酸的共聚物、聚胺、包含聚胺的共聚物、聚乙烯醇、以及聚丙烯胺。第一塑料基底基板具有與第二塑料基底基板210相比相對較高的抗熱性能。第一塑料基底基板100可以具有5μm至100μm的厚度。

另外，還可以在第一塑料基底基板100的下面設置背部覆蓋膜190以保護第一塑料基底基板100。背部覆蓋膜190比塑料基底基板100厚，并且具有比塑料基底基板100高的硬度。

圖14是例示根據本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖。圖15是具體例示根據本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖。圖16是根據本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的SEM。

如圖14和圖15中所例示的，根據本發(fā)明的第二實施方式的有機發(fā)光顯示裝置包括外部遮光圖案159，該外部遮光圖案159包括設置在觸摸電極陣列150側處的濾色器層159a和黑底層159b，而不是與第一實施方式相比設置在最外側處的圓形偏光板。結果，能夠減少或阻止外部光的可見性。在這種情況下，外部遮光圖案159被設置在整個顯示區(qū)域以及周邊區(qū)域的除了觸摸焊盤部以外的部分處。設置覆蓋膜230以保護裝置的外表面。覆蓋膜230可以是透明保護膜。在本文中，濾色器層159a可以根據有機發(fā)光二極管陣列120的有機發(fā)光層的期望顏色包括紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器。

另外，在本發(fā)明的第二實施方式中，路由導線154和焊盤電極155與阻擋層165相接觸。外部遮光圖案159被插入在第一觸摸電極151和第二觸摸電極152與阻擋層165之間。外部遮光圖案159的這種沉積僅僅是示例。第一觸摸電極151和第二觸摸電極152可以與阻擋層165相接觸，并且外部遮光圖案159可以被設置得遠離阻擋層165。與第一觸摸電極151和第二觸摸電極152的沉積相似地，外部遮光圖案159的濾色器層159a和黑底層159b可以按照插入的方式被分別設置在不同的層處。

圖15中的與圖13中使用的相同的參考標記的元件具有相同功能。因此，將省去其重復描述。

圖16示出了根據本發(fā)明的第二實施方式在將有機發(fā)光顯示裝置中的上基底基板去除之后的暴露的分隔層225。真實分隔層225具有觸摸電極陣列150的緩沖層170或濾色器層159a一樣薄的1/50至1/20的厚度。上基底基板被去除直到用作邊界的分隔層225，因此保護觸摸電極陣列150。

在第二實施方式中，上基底基板被去除，以減少或阻止由上基底基板導致的雙折射。結果，外部光的可見性減小，并且可以提高光學特性。由于裝置的總厚度由于上基底基板的去除而減少了例如20μm至100μm，因此有機發(fā)光顯示裝置能夠具有更細長的輪廓。

圖17是例示根據本發(fā)明的第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的截面視圖。

如圖17中所例示的，如在第一實施方式中描述的有機發(fā)光面板1000、第一粘合層140和觸摸電極陣列150被用于根據本發(fā)明的第三實施方式的有機發(fā)光顯示裝置。阻擋層165、緩沖層170和分隔層225被依次設置在觸摸電極陣列150上，并且圓形偏光板1600和覆蓋膜230被依次設置在分隔層225上。

如上所述，圓形偏光板1600具有減少或阻止外部光的可見性的功能?？梢酝ㄟ^附接薄膜或者通過依次涂覆相位延遲層和線性偏光板來形成圓形偏光板1600。

覆蓋膜230是柔性透明膜并且具有保護裝置的表面免受外部影響的功能。例如，覆蓋膜230可以從包括聚乙烯基團樹脂、聚丙烯基團樹脂、聚乙烯對苯二甲酸酯基團樹脂、聚乙烯醇基團樹脂、尼龍基團樹脂、聚丙烯腈基團樹脂和聚甲基丙烯酸基團樹脂在內的組中選擇。

圖18示出了如從上面、側面和正面觀看的具有上基底基板或不具有上基底基板的有機發(fā)光顯示裝置的圖片。

如圖18中所例示的，當保持用作觸摸電極陣列的形成表面的第二塑料基底基板時，在黑色狀態(tài)下可以看見反射光。當第二塑料基底基板或第二玻璃基板根據本發(fā)明的實施方式被去除時，能夠減少或阻止觀察者能夠看到的外部光的反射。

圖19是例示當上部材料被保持和去除時相對于波長變化的反射率變化。

如圖19中所示，在400nm至700nm(即，可見光的波長)之間，取決于上基底基板是否被去除，存在反射率的差異。具體地，在紅色波長中，反射率差異大。當保持上基底基板時，反射率在特定波長處高。結果，外部光的反射可以由觀察者看見。根據本發(fā)明的實施方式，由于上基底基板的去除，反射率為可見光的整個波長中的4％或更小，這樣，觀察者辨識很少外部光的反射或者辨識不出外部光的反射。

如從上述的描述中顯而易見的，根據本發(fā)明的實施方式存在如下優(yōu)點。

首先，有機發(fā)光顯示裝置包括圓形偏光板。當未經偏振的外部光沿著圓形偏光板的特定透射軸入射時，光進行左旋圓偏振或右旋圓偏振。然后，光在相反的方向上被反射進行右旋圓偏振或左旋圓偏振。在本文中，反射光被圓形偏光板的吸收軸阻擋，以減少或阻止外部光的反射。設置在下面的有機發(fā)光面板的塑料基底基板和設置在上部的觸摸面板被設置為具有裝置的柔性。當形成薄膜晶體管陣列/有機發(fā)光二極管陣列和觸摸電極陣列時，可以沿著光學路徑在上塑料基底基板處出現雙折射。結果，經反射的外部光由于其扭曲的光學路徑而可以不完全被圓形偏光板的吸收軸阻擋。根據本發(fā)明的實施方式，上塑料基底基板被去除以使薄的分隔層和覆蓋膜暴露，或者圓形偏光板被直接附接到分隔層。即，可以減少或阻止由裝置中的上塑料和/或玻璃基底基板導致的不期望的雙折射和反射，并且由于反射的外部光的可見性降低而可以提高亮度。

其次，厚的上塑料基底基板從有機發(fā)光二極管陣列被去除，因此能夠改進柔性顯示裝置的柔性和細長。

能夠在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下對本發(fā)明做出各種修改和變型，這對于本領域技術人員來說將是顯而易見的。因此，本發(fā)明旨在本發(fā)明的涵蓋落入所附的權利要求及其等同物的范圍內的修改和變型。

本專利申請要求于2015年9月7日提交的韓國專利申請No.10-2015-0126133的權益，該韓國專利申請通過引用方式被并入到本文中，如同完全在本文中闡述一樣。

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