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一種高散熱性能的表面貼裝功率器件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:10824985閱讀:537來源:國知局
一種高散熱性能的表面貼裝功率器件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型的高散熱性能的表面貼裝功率器件封裝結(jié)構(gòu),包括塑封體,塑封體內(nèi)設(shè)置有引腳且引腳伸出至塑封體外,所述引腳位于塑封體內(nèi)部分的上表面設(shè)置有散熱片。本實用新型在不改變表面貼裝功率器件外形的情況下,內(nèi)嵌散熱片,在保證兼容大多數(shù)類似封裝的情況下,提高了散熱效果,使得封裝的產(chǎn)品有更低的熱阻,較同外形尺寸的其它封裝形式的穩(wěn)態(tài)熱阻減少大約5%,瞬態(tài)熱阻減少大約50%,封裝的功率密度(W/mm2)裝提高大約12%,提高了器件的可靠性。
【專利說明】
一種高散熱性能的表面貼裝功率器件封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及一種高散熱性能的表面貼裝功率器件封裝結(jié)構(gòu),屬于半導(dǎo)體微電子技術(shù)領(lǐng)域,封裝外形主要適合于表面貼裝半導(dǎo)體功率器件的高功率密度封裝。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著移動資訊產(chǎn)品、家用電器產(chǎn)品以及綠色照明等領(lǐng)域的發(fā)展,為其配套的電子產(chǎn)品大量使用到了大功率二極管、整流橋、穩(wěn)壓管等重要元器件,并對這類器件產(chǎn)品的“輕、薄、小、密”提出了更高的要求;高功率密度的小型塑封結(jié)構(gòu),不僅代表了行業(yè)技術(shù)水平,對后級產(chǎn)品的小型化、更高的功率密度,高可靠性、高安全性等要求至關(guān)重要;目前半導(dǎo)體元器件中使用量最大的整流二極管產(chǎn)品,也朝著高功率密度方向發(fā)展,占用PCB板面積小、可靠性高等特點,在一些高端產(chǎn)品中得到廣泛的應(yīng)用。
[0003]表面貼裝功率封裝的元器件在走向小型化的基礎(chǔ)上,由于受到結(jié)構(gòu)限制,散熱問題卻越來越突出,其功率密度很難達(dá)到設(shè)計要求,常溫條件自然散熱環(huán)境下其耗散功率最大只有1-2W左右,瞬時功率也大受影響,因此需要一種自帶散熱片的表面貼裝二極管封裝結(jié)構(gòu),來解決小型化與功率的矛盾,而且不能影響外形尺寸。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型為了克服以上技術(shù)的不足,提供了一種高散熱性能的表面貼裝功率器件封裝結(jié)構(gòu),該封裝結(jié)構(gòu)能有效提高二極管等表面貼裝功率器件的散熱效果和功率密度。
[0005]本實用新型克服其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]—種高散熱性能的表面貼裝功率器件封裝結(jié)構(gòu),包括塑封體,塑封體內(nèi)設(shè)置有引腳且引腳伸出至塑封體外,所述引腳位于塑封體內(nèi)部分的上表面設(shè)置有散熱片。
[0007]根據(jù)本實用新型優(yōu)選的,所述引腳包括形狀均為折彎回包狀的左引腳和右引腳,左引腳和右引腳位于塑封體外兩端的部分相對稱,所述左引腳位于塑封體內(nèi)的部分設(shè)置于右引腳位于塑封體內(nèi)的部分的下方,散熱片設(shè)置于右引腳位于塑封體內(nèi)部分的上表面。
[0008]根據(jù)本實用新型優(yōu)選的,所述散熱片的大小不大于右引腳位于塑封體內(nèi)部分的大小。
[0009]根據(jù)本實用新型優(yōu)選的,所述散熱片為銅、鋁或氧化鋁,均為高導(dǎo)熱材料。
[0010]根據(jù)本實用新型優(yōu)選的,所述引腳材質(zhì)為銅,引腳厚度為0.14mm-0.35mm,其表面鍍有純錫,錫層厚度為0.005mm-0.03mm。
[0011 ]本實用新型的有益效果是:
[0012]1、本實用新型在不改變表面貼裝功率器件外形的情況下,內(nèi)嵌散熱片,在保證兼容大多數(shù)類似封裝的情況下,提高了散熱效果,使得封裝的產(chǎn)品有更低的熱阻,較同外形尺寸的其它封裝形式的穩(wěn)態(tài)熱阻減少大約5 %,瞬態(tài)熱阻減少大約5 O %,封裝的功率密度(W /mm2)裝提尚大約12%,提尚了器件的可靠性。
[0013]2、本實用新型的封裝體內(nèi)部采用三明治結(jié)構(gòu),內(nèi)嵌的散熱片與引腳采用釬焊或高導(dǎo)熱、耐高溫膠粘連,有極好的散熱效果,尤其是抗脈沖功率(或電流)沖擊能力大幅度提尚O
[0014]3、本實用新型的封裝適用于大功率二極管芯片、穩(wěn)壓管芯片、整流二極管、肖特基芯片和VS等產(chǎn)品,能滿足后級產(chǎn)品的小型化高功率密度封裝。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實用新型的主視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為本實用新型的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3為本實用新型的俯視結(jié)構(gòu)不意圖。
[0018]圖中,1、塑封體,2、引腳,21、左引腳,22、右引腳,3、散熱片。
【具體實施方式】
[0019]為了便于本領(lǐng)域人員更好的理解本實用新型,下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說明,下述僅是示例性的不限定本實用新型的保護(hù)范圍。
[0020]如圖1-3所示,本實用新型的高散熱性能的表面貼裝功率器件封裝結(jié)構(gòu),包括塑封體I,其長度為4.5mm-8.6mm、寬度為3.5mm_6.5mm、厚度為2.0mm-3.5mm;塑封體內(nèi)設(shè)置有引腳2且引腳伸出至塑封體外,引腳2既能導(dǎo)電還能實現(xiàn)散熱,其材質(zhì)為銅,引腳厚度為0.14mm-0.35mm,其表面鍍有純錫,錫層厚度為0.005mm-0.03mm,所述引腳2包括形狀均為折彎回包狀的左引腳21和右引腳22,左引腳和右引腳位于塑封體外兩端的部分相對稱,所述左引腳21位于塑封體內(nèi)的部分設(shè)置于右引腳22位于塑封體內(nèi)的部分的下方,右引腳22位于塑封體內(nèi)部分的上表面設(shè)置有散熱片3,散熱片3為高熱材料,包括銅、鋁或氧化鋁,散熱片3的大小相等或略小于右引腳22位于塑封體內(nèi)部分的大小,散熱片3與引腳2之間采用釬焊或高導(dǎo)熱、耐高溫膠粘連,有極好的散熱效果,尤其是抗脈沖功率(或電流)沖擊能力大幅度提高。另外,功率器件內(nèi)部采用三明治結(jié)構(gòu),上下焊盤采用一類冶金鍵合方法焊接,使得熱流回路更短,且可雙向進(jìn)行散熱。
[0021]采用銅散熱片時,可直接采用高溫錫焊膏焊接,且可以與芯片焊接同步進(jìn)行,傳熱效果好,生產(chǎn)效率高;采用鋁散熱片時,先進(jìn)行表面氧化和冷覆銅技術(shù),然后采用高溫錫膏與引腳焊接;采用氧化鋁陶瓷散熱片時,先預(yù)制表面金屬化,采用鈀銀漿料高溫?zé)?,然后采用高溫錫膏與引腳焊接??芍?,本實用新型內(nèi)嵌散熱片,并不是簡單的將散熱片嵌入到塑封體內(nèi),而是要根據(jù)器件的結(jié)構(gòu)和散熱片材質(zhì)的不同采取不同的處理方式和不同的焊接方法。
[0022]本實用新型的高散熱性能的表面貼裝功率器件封裝結(jié)構(gòu),在保證兼容大多數(shù)類似封裝的情況下,提高了散熱效果,使得封裝的產(chǎn)品有更低的熱阻,較同外形尺寸的其它封裝形式的穩(wěn)態(tài)熱阻減少大約5%,瞬態(tài)熱阻減少大約50%,封裝的功率密度(W/mm2)裝提高大約12%,提高了器件的可靠性。
[0023]以上僅描述了本實用新型的基本原理和優(yōu)選實施方式,本領(lǐng)域人員可以根據(jù)上述描述作出許多變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)應(yīng)該屬于本實用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種高散熱性能的表面貼裝功率器件封裝結(jié)構(gòu),包括塑封體(1),塑封體內(nèi)設(shè)置有引腳(2)且引腳伸出至塑封體外,其特征在于:所述引腳(2)位于塑封體內(nèi)部分的上表面設(shè)置有散熱片(3)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述引腳(2)包括形狀均為折彎回包狀的左引腳(21)和右引腳(22),左引腳和右引腳位于塑封體外兩端的部分相對稱,所述左引腳(21)位于塑封體內(nèi)的部分設(shè)置于右引腳(22)位于塑封體內(nèi)的部分的下方,散熱片(3)設(shè)置于右引腳(22)位于塑封體內(nèi)部分的上表面。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述散熱片(3)的大小不大于右引腳(22 )位于塑封體內(nèi)部分的大小。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述散熱片(3)為銅、鋁或氧化鋁。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述引腳(2)材質(zhì)為銅,引腳厚度為.0.14mm-0.35mm,其表面鏈有純錫,錫層厚度為0.005mm-0.03mm。
【文檔編號】H01L23/498GK205508811SQ201620067357
【公開日】2016年8月24日
【申請日】2016年1月25日
【發(fā)明人】孔凡偉, 段花山, 賀先忠
【申請人】山東晶導(dǎo)微電子有限公司
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