具有雙ptc效應(yīng)的過電流保護(hù)元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，包括金屬電極和PTC芯材，PTC芯材為具有正溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層，由聚合物基體和導(dǎo)電填料混合而成。PTC芯材有至少兩層不同熔點的具有正溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層，一層為電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層，該層中聚合物基體占總體積分?jǐn)?shù)的20-70%，導(dǎo)電填料占總體積分?jǐn)?shù)的30-80%；另一層為電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層，該層聚合物基體占總體積分?jǐn)?shù)的20-70%，導(dǎo)電填料占總體積分?jǐn)?shù)的30-80%。所述的兩層采取串聯(lián)方式聯(lián)接；電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體熔點比電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體的熔點低。本發(fā)明有效保證電子線路安全。
【專利說明】具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及ー種具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件。
【背景技術(shù)】
[0002]由聚合物基體和導(dǎo)電填料共混得到的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料，其電阻與溫度通常具有非線性關(guān)系，其關(guān)系曲線通常稱為R-T曲線。隨著溫度的升高，聚合物基體的熱膨脹導(dǎo)致導(dǎo)電顆粒間間距増大，使得材料的體積電阻率増大，而當(dāng)外界溫度接近聚合物基體熔點時，此時基體熱膨脹最為顯著，導(dǎo)電顆粒間距被急劇拉大，因此，導(dǎo)電復(fù)合材料的體積電阻率會出現(xiàn)幾個數(shù)量級的増大，即出現(xiàn)PTC (電阻正溫度系數(shù))效應(yīng)。這類聚合物導(dǎo)電復(fù)合材料在電子線路保護(hù)元件、加熱器、傳感器等領(lǐng)域有諸多應(yīng)用。
[0003]對于電子線路保護(hù)元件，一般來說希望有盡可能低的室溫電阻和盡可能高的PTC強度。而對于こ烯-醋酸こ烯酯共聚物、こ烯-丁烯共聚物、こ烯-辛烯共聚物、低密度聚こ烯和線性低密度聚こ烯等相對低熔點聚合物，難以在很低的室溫電阻下獲得足夠高的PTC強度；制備成電子線路保護(hù)器件后，在保護(hù)過程中自身很容易出現(xiàn)燒片燒毀等現(xiàn)象。而高密度聚こ烯、聚丙烯和聚偏氟こ烯等相對高熔點聚合物，在很低的室溫電阻下其PTC強度也往往較高；但是將其制備成電子線路保護(hù)元件后，由于其R-T轉(zhuǎn)折溫度較高，很難在低溫時及時觸發(fā)保護(hù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明目的在于:提供ー種具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件。
[0005]為達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種技術(shù)方案為:ー種具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，包括金屬電極和PTC芯材，所述PTC芯材為具有正溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層，所述PTC芯材由聚合物基體和導(dǎo)電填料混合而成，所述PTC芯材包括至少兩層不同熔點的具有正溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層，一層為電阻-溫度關(guān)系曲線(R-T曲線)低轉(zhuǎn)折溫度薄層，另ー層為電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層，所述兩層不同熔點的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層采取串聯(lián)方式進(jìn)行聯(lián)接；所述R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體熔點比R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體的熔點低，其中，
所述電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體熔點比電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體的熔點低；
所述電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層中聚合物基體占總體積分?jǐn)?shù)的20-70%，導(dǎo)電填料占總體積分?jǐn)?shù)的30-80% ；
所述電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層聚合物基體占總體積分?jǐn)?shù)的20-70%，導(dǎo)電填料占總體積分?jǐn)?shù)的30-80%。
[0006]本發(fā)明工作原理是:當(dāng)電子線路中出現(xiàn)過電流故障時，首先觸發(fā)R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層動作，起到一級保護(hù)作用，在其保護(hù)程度不夠甚至失效時，R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層的熱效應(yīng)可以迅速觸發(fā)R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層動作，起到ニ級保護(hù)作用，以避免過電流保護(hù)元件發(fā)生燒片燒毀和在較低溫時不能及時觸發(fā)保護(hù)。
[0007]在上述方案基礎(chǔ)上，所述的電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層和電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層之間直接通過熱熔連接，或者，在所述的電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層和電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層之間設(shè)ー金屬薄層，ニ層不同熔點的所述電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層和電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層通過熱復(fù)合連接在該金屬薄層的正反兩面。
[0008]在上述方案基礎(chǔ)上，所述R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層中的聚合物基體是こ烯-醋酸こ烯酯共聚物、こ烯-丁烯共聚物、こ烯-辛烯共聚物、低密度聚こ烯、線性低密度聚こ烯、高密度聚こ烯、聚丙烯和聚偏氟こ烯中的任意ー種或幾種。
[0009]所述R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層中的導(dǎo)電填料是炭黑、碳纖維、金屬粉末和金屬纖維中的任意ー種或幾種。
[0010]在上述方案基礎(chǔ)上，所述R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層中的聚合物基體是こ烯-醋酸こ烯酯共聚物、こ烯-丁烯共聚物、こ烯-辛烯共聚物、低密度聚こ烯、線性低密度聚こ烯、高密度聚こ烯、聚丙烯和聚偏氟こ烯中的任意一種或幾種的組合。
[0011]所述R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層中的導(dǎo)電填料是炭黑、碳纖維、金屬粉末和金屬纖維中的任意ー種或幾種。
[0012]在上述方案基礎(chǔ)上，所述PTC芯材與金屬電極采用熱熔方法進(jìn)行連接。
[0013]本發(fā)明的具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件的功能，當(dāng)電子線路中出現(xiàn)過電流故障吋，首先觸發(fā)R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層動作，起到一級保護(hù)作用，在其保護(hù)程度不夠甚至失效吋，R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層的熱效應(yīng)可以迅速觸發(fā)R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層動作，起到ニ級保護(hù)作用，從而有效的保證電子線路安全。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是本發(fā)明實施例1和2的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2本發(fā)明實施例1的過電流保護(hù)元件的電阻-溫度曲線圖；
圖3是本發(fā)明實施例3結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]附圖中標(biāo)號說明，其中:
實施例1、2中
11——R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層；
21——R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層；
31、32——上下金屬電極；
實施例3中
12——R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層；
22——R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層；
33、34——上下金屬電極；
4-金屬薄層。
【具體實施方式】
[0016]下面請參閱附圖，對本發(fā)明進(jìn)ー步說明。[0017]ー種具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，包括金屬電極和PTC芯材，所述PTC芯材為具有正溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層，所述PTC芯材由聚合物基體和導(dǎo)電填料混合而成，其特征在于:所述PTC芯材包括至少兩層不同熔點的具有正溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層，一層為電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層，另ー層為電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層，所述兩層不同熔點的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層采取串聯(lián)方式進(jìn)行聯(lián)接；其中，
所述電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體熔點比電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體的熔點低；
所述電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層中聚合物基體占總體積分?jǐn)?shù)的20-70%，導(dǎo)電填料占總體積分?jǐn)?shù)的30-80% ；
所述電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層聚合物基體占總體積分?jǐn)?shù)的20-70%，導(dǎo)電填料占總體積分?jǐn)?shù)的30-80%。
[0018]實施例1
圖1是本實施例結(jié)構(gòu)示意圖和圖2本發(fā)明實施例1的過電流保護(hù)元件的電阻-溫度曲線圖所示:
ー種具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，包括金屬電極和PTC芯材，所述PTC芯材為具有正溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層，所述PTC芯材由聚合物基體和導(dǎo)電填料混合而成，包括兩層具有正溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層，其中ー層為R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層11，另ー層為R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層21 ;所述兩層聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層采取串聯(lián)方式進(jìn)行聯(lián)接。
[0019]參見表一，本實施例中，所述R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層11中聚合物基體采用こ烯-辛烯共聚物，其熔點為99°C，占R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層11總體積分?jǐn)?shù)的40%，導(dǎo)電填料為炭黒，占R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層11總體積分?jǐn)?shù)的60%。
[0020]所述R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層21聚合物基體采用高密度聚こ烯，其熔點為134°C，占R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層21總體積分?jǐn)?shù)的60%，導(dǎo)電填料為炭黒，占R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層21總體積分?jǐn)?shù)的40%。
[0021]由上可知，在本實施例中，所述R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層11所采用的聚合物基體熔點比R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層21所采用的聚合物基體的熔點低。
[0022]在上述方案基礎(chǔ)上，所述的R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層11和R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層21之間直接通過熱熔連接。
[0023]在上述方案基礎(chǔ)上，所述的R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層11和R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層21之間直接通過熱熔連接。
[0024]本實施例中，具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件的制備過程如下:
密煉機溫度190°C，轉(zhuǎn)速30轉(zhuǎn)/min，先加入こ烯-辛烯共聚物密煉3min，加入1/2重量的導(dǎo)電填料，密煉5min，再加完另外1/2重量的導(dǎo)電填料，繼續(xù)密煉5min，出料，將所得物料通過開練機薄通拉片，制得厚度為0.12-0.16mm的R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層。相同方法，密煉機溫度190°C，轉(zhuǎn)速30轉(zhuǎn)/min，先加入高密度聚こ烯密煉3min，加入1/2重量的導(dǎo)電填料，密煉5min，再加完另外1/2重量的導(dǎo)電填料，繼續(xù)密煉5min，出料，將所得物料通過開練機薄通拉片，制得厚度為0.12-0.16mm的R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層。[0025]如圖1所示，將R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度層11薄層與R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層21疊合構(gòu)成PTC芯材,上下表面覆蓋金屬箔作為上下金屬電極31、32，該PTC芯材與上下金屬電極31、32疊合后，采用真空壓機熱壓成型，真空壓機溫度190°C，預(yù)熱5min，熱壓壓力lOMPa，熱壓時間8min，冷壓壓カlOMPa，冷壓時間lOmin，采用模具沖壓成3.6 X IOmm的單個元件。
[0026]測試本實施例的RT曲線，如圖2所示，在90°C左右出現(xiàn)ー個轉(zhuǎn)折，隨著溫度的升高，在120°C左右又出現(xiàn)另ー個轉(zhuǎn)折，過電流保護(hù)元件變?yōu)榻^緣體，電路處于斷開狀態(tài)，以達(dá)到保護(hù)電路元件的目的。Rtl OnQ ) 11.2 ;耐壓2小時后現(xiàn)象和耐流100次后現(xiàn)象均不燒不裂。詳見表一。[0027]實施例2
本實施例中，具有雙PTC效應(yīng)的過流保護(hù)元件的組成和制備步驟與實施例1基本相同，故與圖1結(jié)構(gòu)示意圖相同，不同之處在于:將制備R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層的聚合物基體換成了低密度聚乙烯，其熔點為116°C，同時對配方的體積百比分進(jìn)行調(diào)整，請參見表一:所述R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層11中，聚合物基體采用熔點為116°C低密度聚乙烯，占R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層11總體積分?jǐn)?shù)的45% ;導(dǎo)電填料為炭黒，占R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層總體積分?jǐn)?shù)的55%。
[0028]所述R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層21中，聚合物基體采用熔點為134°C的高密度聚こ烯，占R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層總體積分?jǐn)?shù)的50% ;導(dǎo)電填料為炭黒，占R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層總體積分?jǐn)?shù)的50%。
[0029]由上可知，在本實施例中，所述R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體熔點比R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體的熔點低。ル13.6!!^ ;耐壓2小時后現(xiàn)象和耐流100次后現(xiàn)象均不燒不裂。詳見表一。
[0030]實施例3
具有雙PTC效應(yīng)的過流保護(hù)元件的組成和制備步驟與實施例1和2基本相同，如圖3結(jié)構(gòu)示意圖所示，與實施例1和2相比較，仍是采用二層，即:R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層12和R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層22，R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層12和R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層22之間通過金屬薄層4熱壓連接。
[0031]R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層12中，聚合物基體為熔點為134°C的高密度聚乙烯，占R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層總體積分?jǐn)?shù)的55% ;導(dǎo)電填料為炭黒，占R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層總體積分?jǐn)?shù)的45%。
[0032]R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層22中，聚合物基體為熔點為177°C的聚偏氟乙烯，占R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層總體積分?jǐn)?shù)的45% ;導(dǎo)電填料為炭黒，占R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層總體積分?jǐn)?shù)的55%。
[0033]請參見表一。
[0034]在本實施例中，所述R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體熔點比R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體的熔點低。
[0035]與實施例1相比，雖然實施例1中的R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層21聚合物基體為高密度聚乙烯，而本實施例中的R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層12為高密度聚乙烯，本發(fā)明依然可以適用，即只要在本發(fā)明所列舉的聚合物基體材料中進(jìn)行選擇或混合，滿足R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體熔點比R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體的熔點低這ー要求即可達(dá)到本發(fā)明目的。
[0036]制造方法在上述基礎(chǔ)上，自下而上依序疊合:下金屬電極34、R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層22、金屬薄層4、R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層12和上金屬電極33，采用真空熱壓機成型。
[0037]或者，所述的R-T曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層12和R-T曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層22分別熱復(fù)合在同一金屬薄層4的正反兩面進(jìn)行連接。之后，在R-T低轉(zhuǎn)折溫度薄層12上通過熱熔與上金屬電極33進(jìn)行連接；在R-T高轉(zhuǎn)折溫度薄層22上通過熱熔與下金屬電極34進(jìn)行連接，結(jié)構(gòu)如圖3所示。Rc1:14.7 ι?Ω ;耐壓2小時后現(xiàn)象和耐流100次后現(xiàn)象:均不燒不裂。詳見表一O
[0038]表一為3個實施例的配方和過流保護(hù)元件的電氣性能。
【權(quán)利要求】
1.一種具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，包括金屬電極和PTC芯材，所述PTC芯材為具有正溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層，所述PTC芯材由聚合物基體和導(dǎo)電填料混合而成，其特征在于:所述PTC芯材包括至少兩層不同熔點的具有正溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層，一層為電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層，另一層為電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層，所述兩層不同熔點的聚合物基導(dǎo)電復(fù)合材料薄層采取串聯(lián)方式進(jìn)行聯(lián)接；其中， 所述電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體熔點比電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層所采用的聚合物基體的熔點低； 所述電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層中聚合物基體占總體積分?jǐn)?shù)的20-70%，導(dǎo)電填料占總體積分?jǐn)?shù)的30-80% ； 所述電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層聚合物基體占總體積分?jǐn)?shù)的20-70%，導(dǎo)電填料占總體積分?jǐn)?shù)的30-80%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，其特征在于:所述的電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層和電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層之間直接通過熱熔連接，或者，在所述的電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層和電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層之間設(shè)一金屬薄層，二層不同熔點的所述電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層和電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層通過熱復(fù)合連接在該金屬薄層的正反兩面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，其特征在于:所述電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層中的聚合物基體是乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-辛烯共聚物、低密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯和聚偏氟乙烯中的任意一種或幾種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，其特征在于:所述電阻-溫度關(guān)系曲線低轉(zhuǎn)折溫度薄層中的導(dǎo)電填料是炭黑、碳纖維、金屬粉末和金屬纖維中的任意一種或幾種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，其特征在于:所述電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層中的聚合物基體是乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-辛烯共聚物、低密度聚乙烯、線性低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯和聚偏氟乙烯中的任意一種或幾種的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，其特征在于:所述電阻-溫度關(guān)系曲線高轉(zhuǎn)折溫度薄層中的導(dǎo)電填料是炭黑、碳纖維、金屬粉末和金屬纖維中的任意一種或幾種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有雙PTC效應(yīng)的過電流保護(hù)元件，其特征在于:所述PTC芯材與金屬電極采用熱熔方法進(jìn)行連接。
【文檔編號】H01C7/13GK103531318SQ201310502041
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月23日
【發(fā)明者】曹清華, 孫天舉, 劉正平 申請人:上海長園維安電子線路保護(hù)有限公司