專(zhuān)利名稱(chēng)：：Cpp型磁阻效應(yīng)元件和磁盤(pán)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及用于將磁記錄介質(zhì)等的磁場(chǎng)強(qiáng)度作為信號(hào)進(jìn)行讀取的磁阻效應(yīng)元件、具備該磁阻效應(yīng)元件的薄膜磁頭、以及包含該薄膜磁頭的磁頭懸架組件(headgimbalassembly)和磁盤(pán)裝置。
背景技術(shù)：
：近年來(lái)，伴隨著硬盤(pán)(HDD)的高記錄密度化，也要求薄膜磁頭的性能的提高。作為薄膜磁頭，廣泛使用的是復(fù)合型薄膜磁頭，其是層疊了具有只讀的》茲阻效應(yīng)元件(以下有時(shí)簡(jiǎn)寫(xiě)為MR(Magneto-resistive:磁阻)元件)的再生頭和具有只寫(xiě)的感應(yīng)式磁轉(zhuǎn)換元件的記錄頭的結(jié)構(gòu)?，F(xiàn)在，作為再生頭，廣泛使用所謂CIP(CurrentInplane,電流在平面內(nèi))結(jié)構(gòu)的磁阻效應(yīng)元件(CIP-GMR元件)，其使電流在稱(chēng)為自旋閥(spinvalve)GRM元件的元件膜面平行地流動(dòng)而工作。這種結(jié)構(gòu)的自旋閥GMR元件位于以軟磁性金屬膜形成的上下的屏蔽層之間，并且以被稱(chēng)為間隙層(gaplayer)的絕緣材料夾住的方式配置。比特方向(bitdirection)的存儲(chǔ)密度通過(guò)上下的屏蔽層的間隙(再生間隙間隙)來(lái)決定。伴隨著記錄密度的增大，對(duì)于再生頭的再生元件，窄屏蔽間隙化和窄磁道化的要求越來(lái)越強(qiáng)。通過(guò)再生元件的窄磁道化和伴隨其的元件高度的短小化，雖然元件的面積減少，但由于在現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)中放熱效率也伴隨面積減少而下降，所以從可靠性的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)有工作電流被限制的問(wèn)題。為了解決這樣的問(wèn)題，提出了CPP(CurrentPerpendiculartoPlane,電流垂直于平面)結(jié)構(gòu)的GMR元件(CPP-GMR元件)，其電串聯(lián)上下的屏蔽層(上部屏蔽層及下部屏蔽層)和磁阻效應(yīng)元件，不需要屏蔽之間的絕緣層，這是為了實(shí)現(xiàn)超過(guò)200Gbits/in2的記錄密度所必須的技術(shù)。這種CPP-GMR元件具有層疊結(jié)構(gòu)，該層疊結(jié)構(gòu)包含以從兩側(cè)夾住導(dǎo)電性的非磁性中間層的方式形成的第一鐵磁層(ferromagneticlayer)和第二鐵磁層。代表性的自旋閥型的CPP-GMR元件的層疊結(jié)構(gòu)是從基板側(cè)起依次層疊下部電極/反鐵磁層/第一鐵磁層/導(dǎo)電性的非磁性中間層/第二鐵磁層/上部電極的層疊結(jié)構(gòu)。作為鐵磁層之一的第一鐵磁層的磁化方向，在外部施加磁場(chǎng)為零時(shí)以與第二鐵磁層的磁化方向成為垂直的方式而固定。第一鐵磁層的磁化方向的固定是通過(guò)使反鐵磁層與其鄰接，利用反鐵磁層與第一鐵磁層的交換耦合而對(duì)第一鐵磁層賦予單方向各向異性能量(也稱(chēng)為"交換偏置"或"耦合磁場(chǎng)")而完成的。因此，第一鐵磁層也被稱(chēng)為磁化固定層。另一方面，第二鐵磁層也被稱(chēng)為自由層。進(jìn)而，通過(guò)使磁化固定層(第一鐵磁層)為鐵磁層/非磁性金屬層/鐵磁層的三層結(jié)構(gòu)(即所謂的"層疊亞鐵磁結(jié)構(gòu)"，或"SyntheticPinnd結(jié)構(gòu)，合成釘扎結(jié)構(gòu)")，對(duì)兩個(gè)鐵磁層之間施加強(qiáng)交換耦合(exchangecoupling),能夠使來(lái)自反鐵磁層的交換耦合力有效地增大，并且能夠減少?gòu)拇呕潭▽影l(fā)生的靜磁場(chǎng)對(duì)自由層造成的影響，"合成釘扎結(jié)構(gòu)"現(xiàn)在被廣泛使用。但是，為了對(duì)應(yīng)近年來(lái)的超高記錄密度化的要求，需要磁阻效應(yīng)元件的進(jìn)一步薄層化?；谶@樣的情況，例如在文獻(xiàn)l(IEEETRANSACTIONONMAGNETICS,VOL.43No.2,FEBRUARY,pp.645-650)和US7,019，371B和US7,035，062B1等中公開(kāi)的那樣、提出了一種以鐵磁層(FreeLayer,自由層)/非磁性中間層/鐵磁層(FreeLayer)的簡(jiǎn)單的三層層疊結(jié)構(gòu)作為基本結(jié)構(gòu)的嶄新的GRM元件結(jié)構(gòu)。在本申請(qǐng)中，為了方便將這種結(jié)構(gòu)稱(chēng)為DFL(DualFreeLayer,雙自由層)元件結(jié)構(gòu)。在DFL元件結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)鐵磁層(FreeLayer)的磁化以成為彼此反平行的方式交換耦合。而且，在與相當(dāng)于元件的介質(zhì)相向面的ABS相反的深部區(qū)域位置上配置磁鐵，利用該磁鐵發(fā)出的偏置磁場(chǎng)的作用，造成兩個(gè)磁性層(FreeLayer)的磁化是相對(duì)于磁道寬度方向傾斜約45。的初始狀態(tài)(initialstate)。當(dāng)在該初始磁化狀態(tài)下的元件檢測(cè)到來(lái)自介質(zhì)的信號(hào)磁場(chǎng)時(shí)，兩個(gè)磁性層的磁化方向就像剪刀剪紙時(shí)的動(dòng)作那樣變化，結(jié)果元件的電阻值變化。在將這樣的DFL元件結(jié)構(gòu)應(yīng)用于所謂的TMR元件或CPP-GMR元件的情況下，與現(xiàn)有的一般的自旋閥型CPP-GMR元件相比，能夠格外地縮窄作為上下屏蔽層的間隙的"readgaplength,讀間隙長(zhǎng)度"。具體地說(shuō)，不再需要一般的自旋閥型CPP-GMR元件所需要的上述反鐵磁層，進(jìn)而也不再需要上述"合成釘扎結(jié)構(gòu)"的鐵磁層。結(jié)果，能夠使以前被稱(chēng)為是極限的30nm的"讀間隙長(zhǎng)度"變?yōu)?0nm以下。為了形成現(xiàn)有技術(shù)中的DFL元件結(jié)構(gòu)，如上所述，需要兩個(gè)鐵磁層的磁化以彼此反平行的方式交換耦合。這樣的現(xiàn)有基本結(jié)構(gòu)的形成只要在兩個(gè)鐵磁層之間插入Au、Ag、Cu、Ir、Rh、Ru、Cr等貴金屬，使兩個(gè)鐵磁層發(fā)生交換耦合即能容易地實(shí)現(xiàn)。但是，在TMR元件中，為了得到隧道效應(yīng)必須在兩個(gè)鐵磁層之間插入氧化鋁(A10x)膜、或氧化鎂(MgO)膜等的絕緣膜，有可能發(fā)生在兩個(gè)鐵磁層之間不能得到強(qiáng)交換耦合的問(wèn)題。作為結(jié)果，使兩個(gè)鐵磁層的磁化反平行耦合是極其困難的。此外，例如作為CPP-GMR元件的高輸出化技術(shù)，公開(kāi)了一種在兩個(gè)鐵磁層之間部分地插入NOL(Nano-Oxide-Layer,納米氧化層)層的技術(shù)(例如，日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2004-165254號(hào)公報(bào)，日本專(zhuān)利第3625199號(hào)，日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2002-208744號(hào)公報(bào)等)。但是，該技術(shù)有使兩個(gè)鐵磁層的反鐵磁性的交換耦合變得極弱、或使其完全消失的問(wèn)題，不能原樣地應(yīng)用。此外，在US6,169,647B1中公開(kāi)了一種使用兩個(gè)反鐵磁材料層，使兩個(gè)鐵磁層的磁化分別朝向反平行狀態(tài)的技術(shù)(特別是參照?qǐng)D3)。但是，在該提出的結(jié)構(gòu)中，為了使能夠?qū)嵱玫淖饔眯Ч@現(xiàn)，每一個(gè)反鐵磁材料層需要5nm以上的厚度，這可以說(shuō)與減小"讀間隙長(zhǎng)度"的目的并不相符。進(jìn)而，存在需要使兩個(gè)反鐵磁材料層發(fā)生的交換耦合的朝向?yàn)楸舜讼喾吹仄叫?，而為了使其?shí)現(xiàn)的熱處理(退火)非常困難的問(wèn)題。進(jìn)而，當(dāng)元件尺寸窄小化時(shí)，構(gòu)成反鐵磁材料層的粒子的排列個(gè)數(shù)變少，所謂的釘扎功能產(chǎn)生不穩(wěn)定(換句話(huà)說(shuō)，釘扎功能不充分)，發(fā)生有可能成為特性變動(dòng)的原因的問(wèn)題。本發(fā)明基于這樣的實(shí)際情況而做成，其目的在于提供一種新的元件結(jié)構(gòu)，其不受插入兩個(gè)鐵磁層的中間膜的材質(zhì)、中間膜的特殊結(jié)構(gòu)的制約，能夠以簡(jiǎn)易的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)兩個(gè)鐵磁層的反平行的磁化狀態(tài)，為了對(duì)應(yīng)近年來(lái)的超高記錄密度化的要求，采用能夠縮窄"讀間隙長(zhǎng)度"(上下防護(hù)層的間隙)的結(jié)構(gòu)，能夠謀求線(xiàn)記錄密度的提高，并且能夠得到穩(wěn)定的磁阻效應(yīng)變化，可靠性?xún)?yōu)越。
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)發(fā)明的CPP結(jié)構(gòu)的磁阻效應(yīng)元件，具有磁阻效應(yīng)部；以及以上下夾著該磁阻效應(yīng)部的方式配置形成的第一屏蔽層和第二屏蔽層，在該層疊方向上施加檢測(cè)電流(sensecurrent),其中，上述磁阻效應(yīng)部具有非磁性中間層；和以?shī)A著該非磁性中間層的方式層疊形成的第一鐵磁層和第二鐵磁層，上述第一屏蔽層和第二屏蔽層分別通過(guò)磁化方向控制單元被控制磁化方向，上述第一鐵磁層和第二鐵磁層分別受到上述第一屏蔽層和上述第二屏蔽層的磁場(chǎng)作用的影響，被施加作用形成反平行》茲化狀態(tài)，該反平行磁化狀態(tài)是彼此的^茲化方向成為相反方向的狀態(tài)。作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，構(gòu)成為上述第一鐵磁層和磁化方向被控制的上述第一屏蔽層，經(jīng)由第一交換耦合功能間隙層間接地磁耦合，上述第二鐵磁層和磁化方向被控制的上述第二屏蔽層，經(jīng)由第二交換耦合功能間隙層間接地磁耦合。作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，構(gòu)成為上述第一交換耦合功能間隙層從上述第一屏蔽層一側(cè)起依次包令交換耦合傳達(dá)層(exangecoupling,廣i、,vnit七jm±4"f,、,-rz六丄A+w入擬gl—哲一六iar入uansierlayerai口j1'廳、^^1拔、ka^x4穴^wt5—w口j^:^r,—人<穴"阿'口—功能間隙層從上述第二屏蔽層一側(cè)起依次包含交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、以及交換耦合調(diào)整層。作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，上述交換耦合傳達(dá)層由從Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的組中選4奪的至少一種材料構(gòu)成，上述間隙調(diào)整層由鐵磁材料構(gòu)成，上述交換耦合調(diào)整層由從Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的組中選擇的至少一種材料構(gòu)成。作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，對(duì)上述第一屏蔽層和第二屏蔽層的磁化方向進(jìn)行控制的磁化方向控制單元，以根據(jù)上述第一屏蔽層和第二屏蔽層的形狀各向異性功能，或來(lái)自反鐵磁材料的交換耦合功能的方式構(gòu)成。作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，上述第一屏蔽層和第二屏蔽層通過(guò)上述磁化方向控制單元被設(shè)為芋磁疇結(jié)構(gòu)(singledomainstructure)。作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，上迷第一交換耦合功能間隙層從上述第一屏蔽層一側(cè)起依次包含交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、以及交換耦合調(diào)整層，上述第二交換耦合功能間隙層從上述第二屏蔽層一側(cè)起依次包含交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、以及交換耦合調(diào)整層。作為本發(fā)明的優(yōu)選方式，上述非磁性中間層由使ZnO配置在中央的三層層疊膜構(gòu)成。本發(fā)明的薄膜磁頭構(gòu)成為，具有與記錄介質(zhì)相向的介質(zhì)相向面；以及為了檢測(cè)來(lái)自上述記錄介質(zhì)的信號(hào)磁場(chǎng)，配置在上述介質(zhì)相向面附近的第一發(fā)明所述的磁阻效應(yīng)元件。本發(fā)明的磁頭懸架組件構(gòu)成為，具備包含上述的薄膜磁頭、與記錄介質(zhì)相向地配置的滑塊；以及彈性地支撐上述滑塊的懸掛(suspension)。本發(fā)明的磁盤(pán)裝置構(gòu)成為，具備包含上述的薄膜磁頭、與記錄介質(zhì)相向地配置的滑塊；以及支撐上述滑塊并且決定相對(duì)于上述記錄介質(zhì)的位置的定位裝置。圖1是從本發(fā)明的實(shí)施方式中的磁阻效應(yīng)元件的ABS(AirBearingSurface，氣墊面)來(lái)看的立體圖。圖2是將包含圖1的磁阻效應(yīng)元件的傳感器區(qū)域的磁阻效應(yīng)部放大表示的模式圖。，圖3是相當(dāng)于圖2的附圖，是表示磁阻效應(yīng)部的結(jié)構(gòu)變形例的附圖。圖4是相當(dāng)于圖2的附圖，是表示磁阻效應(yīng)部的結(jié)構(gòu)變形例的附圖。圖5是相當(dāng)于圖2的附圖，是表示磁阻效應(yīng)部的結(jié)構(gòu)變形例的附圖。圖6是從本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的磁阻效應(yīng)元件的ABS(AirBearingSurface,氣墊面)來(lái)看的立體圖。圖7是將包含圖6的磁阻效應(yīng)元件的傳感器區(qū)域的磁阻效應(yīng)部放大表示的模式圖。圖8是作為交換耦合傳達(dá)層101、105,交換耦合調(diào)整層121、125的構(gòu)成材料，在使用Ru和Cu的情況下，表示Ru和Cu的厚度t[A(埃)]與交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度J[erg/cn^]的關(guān)系的圖表。圖9是表示Cu厚度t[A(埃)]和交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度J[erg/cn^]的關(guān)系的圖表。.圖10是表示磁阻效應(yīng)部的新結(jié)構(gòu)變形例的剖面圖。圖11是從本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的磁阻效應(yīng)元件的ABS(AirBearingSurface,氣墊面)來(lái)看的立體圖。圖12是從本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的磁阻效應(yīng)元件的ABS(AirBearingSurface,氣墊面)來(lái)看的立體圖。圖13是從本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的i茲阻效應(yīng)元件的ABS(AirBearingSurface,氣墊面)來(lái)看的立體圖。圖14A~圖14C是分別將能夠得到本發(fā)明的磁阻效應(yīng)元件的磁阻效應(yīng)變化的磁化的狀態(tài)變化，對(duì)應(yīng)于外部磁場(chǎng)進(jìn)行表示的模型圖。圖15A是表示與所謂氣墊面(ABS)平行的薄膜磁頭的剖面圖的圖，圖15B是表示與所謂氣墊面正交.的薄膜磁頭的剖面圖的圖。圖16是寫(xiě)入磁頭的磁極層附近的放大立體圖。圖17是表示氣墊面中的主磁極的前端部的形態(tài)的圖。圖18是表示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的磁頭懸架組件中包含的滑塊的立體圖。圖19是表示在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的磁頭懸架組件中包含的磁頭臂組件的立體圖。圖20是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的硬盤(pán)裝置的主要部分的說(shuō)明t2)。圖21是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的硬盤(pán)裝置的平面圖。具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)說(shuō)明用于實(shí)施本發(fā)明的最佳實(shí)施方式。本發(fā)明的磁阻效應(yīng)元件非常適用于薄膜磁頭的特別是再生磁頭。在以下的本發(fā)明的說(shuō)明中，分別將各附圖中表示的X軸方向的尺寸表示為"寬度"，將Y軸方向的尺寸表示為"長(zhǎng)度"，將Z軸方向的尺寸表示為"厚度"。此外，將接近Y軸方向的氣墊面(與記錄介質(zhì)相向的薄膜磁頭的面)一側(cè)表示為"前方"，將其相反側(cè)(深部區(qū)域一側(cè))表示為"后方"。此外，將元件的層疊膜層疊起來(lái)的方向稱(chēng)為"上方"或"上側(cè)"，將其相反方向稱(chēng)為"下方"或"下側(cè)"。圖1是從本發(fā)明的實(shí)施方式中的磁阻效應(yīng)元件的ABS(AirBearingSurface,氣墊面)來(lái)看的立體圖。ABS是相當(dāng)于元件與記錄介質(zhì)相向的面(以下也稱(chēng)為介質(zhì)相向面)。在本發(fā)明中的ABS包含能夠清楚地觀(guān)察元件的層疊結(jié)構(gòu)的位置處的剖面，例如，能夠考慮對(duì)應(yīng)于需要省略嚴(yán)格意義上位于的介質(zhì)相向面的DLC等的保護(hù)層(覆蓋著元件的保護(hù)層)。圖2是將包含圖1的磁阻效應(yīng)元件的傳感器區(qū)域的磁阻效應(yīng)部放大表示的模式圖。圖3~圖5分別是相當(dāng)于圖2的附圖，是表示磁阻效應(yīng)部的結(jié)構(gòu)變形例的附圖。^茲阻效應(yīng)元件的結(jié)構(gòu)的i兌明]本發(fā)明的磁阻效應(yīng)元件如圖1所示，具有磁阻效應(yīng)部8;以及將該i茲阻效應(yīng)部8以實(shí)質(zhì)地上下夾住的方式配置形成的第一屏蔽層3(有時(shí)也稱(chēng)為下部屏蔽層3)和第二屏蔽層5(有時(shí)也稱(chēng)為上部屏蔽層5)。而且，本發(fā)明的磁阻效應(yīng)元件是在磁阻效應(yīng)部8的層疊方向上施加檢測(cè)電流而成的CPP(CurrentPerpendiculartoPlane)結(jié)構(gòu)的》茲阻效應(yīng)元件。第一屏蔽層3和第二屏蔽層5分別通過(guò)磁化方向控制單元被控制磁化方向，在圖1所示的實(shí)施方式中，第一屏蔽層3從圖右側(cè)起朝向左側(cè)，磁化被固定在負(fù)寬度方向上(-X方向)。另一方面，第二屏蔽層5從圖左側(cè)起朝向右側(cè)，；茲化#:固定在正寬度方向上(+X方向)。it口rH^17o曰士.tM".ULr+riVHi11，"'、/、七丄」齊dtr^:.l"Arb1、^1"然ij^:x人/義—口po^r々J:tl葉u,^v、/入r乂、入,^^叫「wzs'i工了i，層140的方式層疊形成的第一鐵磁層130和第二鐵磁層150。第一鐵磁層130、非磁性中間層140和第二鐵磁層150的層疊體是傳感器區(qū)域，該層疊體的總厚度是10-20nm左右。其中，第一鐵磁層130和第二鐵磁層150分別響應(yīng)外部磁場(chǎng)而磁化方向變化，作為所謂的自由層發(fā)揮功能。本發(fā)明的特征部分(發(fā)明的重要部分)是上述第一鐵磁層和第二鐵磁層分別受到上述第一屏蔽層和上述第二屏蔽層的磁場(chǎng)作用的影響，被施加作用形成反平行磁化狀態(tài)，該反平行磁化狀態(tài)是彼此的；茲化方向成為相反方向的狀態(tài)。再有，這里使用"受到形成反平行磁化狀態(tài)的作用"的描述，是因?yàn)榭紤]到實(shí)際使用的元件中，通過(guò)施加偏執(zhí)磁場(chǎng)，第一鐵磁層和第二鐵磁層的磁化方向謀求實(shí)質(zhì)的正交化。為了實(shí)現(xiàn)上述本發(fā)明的作用，在第一屏蔽層3和第一鐵磁層130之間，插入有第一交換耦合功能間隙層300，在第二屏蔽層5和第二鐵磁層150之間，插入有第二交換耦合功能間隙層500。也就是說(shuō)，第一鐵磁層130和磁化方向被控制的上述第一屏蔽層3，經(jīng)由第一交換耦合功能間隙層300間接地磁耦合。此外，第二鐵磁層150和磁化方向被控制的上述第二屏蔽層5,經(jīng)由第二交換耦合功能間隙層500間接地磁耦合。下面，對(duì)這些本發(fā)明的各結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。(第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的說(shuō)明)本發(fā)明的第一屏蔽層3和第二屏蔽層5分別具有(1)對(duì)來(lái)自外部磁場(chǎng)的磁性屏蔽功能，(2)作為電極的功能，以及(3)為了使第一鐵磁層130和第二鐵磁層150的彼此的磁化方向成為相反方向的反平刊1茲化狀態(tài)形成而施加i茲場(chǎng)作用的功能，上述(1)和(2)的功能已是公知的功能。此外，(2)的功能并不總是需要，通過(guò)采用另外附加新的電極層的方式就能夠?qū)?yīng)。在本發(fā)明中應(yīng)該特別強(qiáng)調(diào)的是(3)的功能。為了實(shí)施上述(3)的功能，如上述那樣的第一屏蔽層3和第二屏蔽層5分別通過(guò);茲化方向控制單元纟皮控制石茲化方向。在圖l所示的實(shí)施方式中，第一屏蔽層3從圖右側(cè)起朝向左側(cè)，磁化被固定在負(fù)寬度方向上(-X方向)。另一方面，第二屏蔽層5從圖左側(cè)起朝向右側(cè)，磁化一皮固定在正寬度方向上(+X方向)。換句話(huà)說(shuō)，第一屏蔽層3和第二屏蔽層5分別構(gòu)成為通過(guò)磁化方向控制單元被單磁疇化。再有，第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的磁化方向分別朝向與附圖中的狀態(tài)是相互相反的方向也可。作為磁化方向控制單元，可以舉出，(1)利用使第一屏蔽層和第二屏蔽層的形狀作為規(guī)定形狀和尺寸而構(gòu)成的形狀各向異性的方法，或(2)對(duì)第一屏蔽層和第二屏蔽層分別接合/組合反鐵磁材料，謀求利用反鐵磁材料的磁化的固定的方法等。也就是說(shuō)，第一屏蔽層3和第二屏蔽層5分別構(gòu)成為通過(guò)所謂形狀各向異性、或來(lái)自反鐵磁材料的交換耦合被單磁疇化。作為磁化方向控制單元，特別優(yōu)選上述(l)的利用形狀各向異性謀求單磁疇化。而且，如圖1所示那樣，第一屏蔽層3的磁化方向35和第二屏蔽層5的磁化方向51以成為彼此反平行的方式被設(shè)定，從;茲化的穩(wěn)定性的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)是優(yōu)選的。為了利用形狀各向異性謀求第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的單磁疇化，第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的縱向方向(X方向)的寬度例如是30iam左右，深度區(qū)域(Y方向)例如是3nm左右。此外，為了謀求單磁疇化，長(zhǎng)寬比(X/Y比)優(yōu)選是10以上。作為構(gòu)成第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的材料，能夠舉例示出NiFe(坡莫合金)、CoZrTa、硅鋁鐵粉(sendust)、NiFeCo、CoZrNb等。厚度(Z方向)是例如20nm~3|um左右。(磁阻效應(yīng)部8的說(shuō)明)如圖l所示，在第一屏蔽層3和第二屏蔽層5之間插入有磁阻效應(yīng)部8。而且，在；茲阻效應(yīng)部8的兩側(cè)面上分別配置有非磁性層4,該非磁性層4是為了規(guī)定用于讀取的磁道寬度，由氧化鋁(八12〇3)等構(gòu)成。如圖l所示，磁阻效應(yīng)部8構(gòu)成為具有傳感器區(qū)域，包括位于層疊膜的大致中央的第一鐵磁層130、非磁性中間層140、以及第二鐵磁層150;以及第一交換耦合功能間隙層300和第二交換耦合功能間隙層500,分別插入該傳感器區(qū)域和第一屏蔽層3及第二屏蔽層5之間。在傳感器區(qū)域和第一屏蔽層3之間，以及傳感器區(qū)域和第二屏蔽層5之間，需要對(duì)應(yīng)于記錄密度的規(guī)定的間隙(gap)。這是為了確實(shí)地僅將作為信號(hào)的外部磁場(chǎng)捕獲到傳感器區(qū)域。當(dāng)使間隙擴(kuò)大到需要以上時(shí)，發(fā)生除了信號(hào)磁場(chǎng)，鄰接的其他信號(hào)磁場(chǎng)也被傳感器區(qū)域捕獲的問(wèn)題。此外，當(dāng)間隙(gap)沒(méi)有達(dá)到需要的距離，變得太小時(shí)，信號(hào)磁場(chǎng)被吸入包圍傳感器區(qū)域的屏蔽層3、5,發(fā)生不能進(jìn)入傳感器區(qū)域的問(wèn)題。第一交換耦合功能間隙層300和第二交換耦合功能間隙層500具備這樣的間隙功能是當(dāng)然的，在本發(fā)明中，為了使本發(fā)明的主要部分功能(特征功能)顯現(xiàn)，第一交換耦合功能間隙層300和第二交換耦合功能間隙層500還由以下說(shuō)明的奉疊綿構(gòu)構(gòu)成。第一交換耦合功能間隙層300的說(shuō)明第一交換耦合功能間隙層300構(gòu)成為從第一屏蔽層3—側(cè)起，具有交換耦合傳達(dá)層101、間隙調(diào)整層lll、交換耦合調(diào)整層121。間隙調(diào)整層111由鐵磁材料構(gòu)成，即所謂的鐵磁層。交換耦合傳達(dá)層101由從Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的組中選擇的至少一種材料構(gòu)成。根據(jù)從其中選定的材質(zhì)和厚度的分別設(shè)定，以能夠調(diào)整第一屏蔽層3的磁化35和間隙調(diào)整層111的磁化llla的磁耦合的強(qiáng)度的方式發(fā)生作用。此外，根據(jù)選定的材質(zhì)和厚度的分別設(shè)定，與第一屏蔽層3的磁化35磁耦合的間隙調(diào)整層111的磁化llla的方向也被確定。也就是說(shuō)，確定是成為磁化朝向彼此相反的方向而磁誄禺合的反4失》茲井禺合(antiferromagneticallycoupling),或是成為^H匕朝向《皮此相同方向而》茲耦合的4失磁耦合(ferromagneticallycoupling)。交換耦合調(diào)整層121由從Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的組中選擇的至少一種材料構(gòu)成。根據(jù)從其中選定的材質(zhì)和厚度的分別設(shè)定，以能夠調(diào)整間隙調(diào)整層111的磁化llla和第一鐵磁層130的磁化135的磁耦合的強(qiáng)度的方式發(fā)生作用。此外，根據(jù)選定的材質(zhì)和厚度的分別設(shè)定，與間隙調(diào)整層111的磁化llla磁耦合的第一鐵磁層130的磁化135的方向也被確定。也就是說(shuō)，確定是成為反鐵磁耦合，或是成為鐵磁耦合。在本發(fā)明中，需要使第一鐵磁層130作為所謂的對(duì)外部磁場(chǎng)感度良好地響應(yīng)的自由層發(fā)揮功能。因此，第一鐵磁層130以下述方式設(shè)定，即，以第一屏蔽層3的磁化35和間隙調(diào)整層111的磁化llla的磁耦合的強(qiáng)度變大的方式設(shè)定，以間隙調(diào)整層111的磁化llla和第一鐵磁層130的磁化135的磁耦合的強(qiáng)度變得比較小的方式設(shè)定。第一交換耦合功能間隙層300的厚度設(shè)定為1.5~6.0nm左右。第二交換耦合功能間隙層500的說(shuō)明第二交換耦合功能間隙層500構(gòu)成為從第二屏蔽層5—側(cè)起，具有交換耦合傳達(dá)層105、間隙調(diào)整層115、交換耦合調(diào)整層125。間隙調(diào)整層115由鐵磁材料構(gòu)成，即所謂的鐵磁層。交換耦合傳達(dá)層105由從Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的組中選擇的至少一種材料構(gòu)成。根據(jù)從其中選定的材質(zhì)和厚度的分別設(shè)定，以能夠調(diào)整第二屏蔽層5的磁化51和間隙調(diào)整層115的磁化115b的磁耦合的強(qiáng)度的方式發(fā)生作用。此外，根據(jù)選定的材質(zhì)和厚度的分別設(shè)定，與第二屏蔽層5的磁化51磁耦合的間隙調(diào)整層115的磁化U5b的方向也,皮確定。也就是說(shuō)，確定是成為反4失^茲耦合p茲化朝向彼此相反的方向而磁耦合)，或是成為鐵磁耦合(磁化朝向彼此相同方向而磁耦合)。交換耦合調(diào)整層125由從Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的組中選擇的至少一種材料構(gòu)成。根據(jù)從其中選定的材質(zhì)和厚度的分別設(shè)定，以能夠調(diào)整間隙調(diào)整層115的磁化115b和第二鐵磁層150的磁化151的磁耦合的強(qiáng)度的方式發(fā)生作用。此外，根據(jù)選定的材質(zhì)和厚度的分別設(shè)定，與間隙調(diào)整募115的磁化115b磁耦合的第二鐵磁層150的磁化151的方向也被確定。也就是說(shuō)，確定是成為反鐵磁耦合，或是成為鐵》茲耦合。在本發(fā)明中，需要使第二鐵磁層150作為所謂的對(duì)外部磁場(chǎng)感度良好地響應(yīng)的自由層發(fā)揮功能。因此，第二鐵磁層150以下述方式設(shè)定，即，以第二屏蔽層5的磁化51和間隙調(diào)整層115的磁化115b的磁耦合的強(qiáng)度變大的方式設(shè)定，以間隙調(diào)整層115的磁化115b和第二鐵磁層150的磁化151的磁耦合的強(qiáng)度變得比較小的方式設(shè)定。第二交換耦合功能間隙層500的厚度設(shè)定為1.5~6.0nm左右。關(guān)于磁耦合的強(qiáng)度(交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度)的調(diào)整的說(shuō)明關(guān)于磁耦合的強(qiáng)度(交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度)的調(diào)整，參照?qǐng)D8及圖9進(jìn)4亍如下i兌明。圖8是作為交換耦合梧達(dá)層101、105,交換耦合調(diào)整層121、125的構(gòu)成材料，在使用Ru和Cu的情況下，表示Ru和Cu的厚度t[A(埃)]與交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度J[erg/cm"的關(guān)系的圖表。再有，在該圖表中，夾持Ru或Cu并被交換耦合的磁性材料使用Co9oFe,o合金。圖9是表示Cu厚度t[A(埃)]和交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度J[erg/cm4的關(guān)系的圖表，基本上與圖8記載的關(guān)于Cu的圖表是實(shí)質(zhì)上相同的，是特別將在縱軸所示的交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度J[erg/cm"的刻度間隔擴(kuò)大，容易理解地表示縱軸的變動(dòng)的圖表。在該圖8及圖9的圖表中，在交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度J[erg/cm"的值變?yōu)檎?+)的情況下，發(fā)生所謂的鐵磁耦合(磁化朝向彼此相同的方向的磁耦合)。與此相反，在交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度J[erg/cm"的值變?yōu)樨?fù)(-)的情況下，發(fā)生反鐵磁耦合(磁化朝向彼此相反的方向的磁耦合)。交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度J[erg/cm"的絕對(duì)值lJl表示耦合強(qiáng)度的絕對(duì)量本身。關(guān)于交換耦合傳達(dá)層101、105的設(shè)定，優(yōu)選以交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度J[erg/cm2]的絕對(duì)值lJ|超過(guò)0.2[erg/cm2]的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)(1J|〉0,2[erg/cm2])。當(dāng)交換耦合磁場(chǎng)的強(qiáng)度J[erg/cm2]的絕對(duì)值lJ|變成0.2[erg/cm2]以下時(shí)，間隙調(diào)整層lll、115的磁化llla、115b受到來(lái)自介質(zhì)的磁場(chǎng)的影響而變動(dòng)，發(fā)生具有作為屏蔽的功能的問(wèn)題。從這樣的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)，在本發(fā)明中，從圖8和圖9所示的圖表可知，(1)在對(duì)交換耦合傳達(dá)層101、105使用Cu的情況下，優(yōu)選Cu的厚度設(shè)定為610A的范圍，(2)在對(duì)交換耦合傳達(dá)層101、105使用Ru的情況下，優(yōu)選Ru的厚度設(shè)定為49A的范圍和1620A的范圍。另一方面，關(guān)于交換耦合調(diào)整層121、125的設(shè)定，優(yōu)選以交換耦合的強(qiáng)度J[erg/cm2]的絕對(duì)值lJ|成為超過(guò)0.02[erg/cm2]、不足0.6[erg/cm2]的方式進(jìn)行設(shè)計(jì)(0.02[erg/cm2]1J|<0.6[erg/cm2])。當(dāng)交換耦合的強(qiáng)度J[erg/cn^]的絕對(duì)值lJ|變成0.02[erg/cm2]以下時(shí)，作為自由層發(fā)揮功能的第一及第二鐵磁層130、150的磁化狀態(tài)多磁疇化，產(chǎn)生巴克豪森噪聲發(fā)生的問(wèn)題。另一方面，當(dāng)交換耦合的強(qiáng)度J[erg/cm"的絕對(duì)值lJ|變成0.6[erg/cm"以上時(shí)，作為自由層發(fā)揮功能的第一及第二鐵磁層130、i50的磁化不能對(duì)來(lái)自介質(zhì)的信號(hào)磁場(chǎng)自由地響應(yīng)，發(fā)生導(dǎo)致低感度的問(wèn)題。從這樣的觀(guān)點(diǎn)出發(fā)，在本發(fā)明中根據(jù)圖8和圖9所示的圖表可知，(1)在交換耦合調(diào)整層121、125使用Cu的情況下，Cu的厚度設(shè)定為1316A的范圍，(2)在交換耦合調(diào)整層121、125使用Ru的情況下，Ru的厚度設(shè)定為9.520A的范圍。再有，作為交換耦合傳達(dá)層101、105,交換耦合調(diào)整層121、125的構(gòu)成材料，在使用Rh、Ir、Cr、Ag、Au、Pt、Pd的情況下，也能與Ru和Cu進(jìn)行同樣的設(shè)定。第一鐵磁層130、非磁性中間層140、以及由第二鐵磁層150構(gòu)成的傳感器區(qū)域的說(shuō)明如上述那樣，第一鐵磁層130、非磁性中間層140、以及第二鐵磁層150的層疊體形成傳感器區(qū)域，該層疊體的總厚度為1020nm左右。其中第一鐵磁層130和第二鐵磁層150受到從外部施加的磁場(chǎng)影響，作為各層的磁化方向變化的所謂自由層而發(fā)揮功能。作為構(gòu)成第一鐵磁層130和第二鐵磁層150的材料能夠舉例示出NiFe、CoFe、CoFeB、CoFeNi、Co2MnSi、Co2MnGe、FeOx(Fe的氧化物)等。各層的厚度分別為0.58nm左右。非磁性中間層140是為了使MR效果顯現(xiàn)的必須的膜，能夠舉例示出Cu、Au、Ag、Zn、Ga、TiOx、ZnO、InO、SnO、GaN、ITO(IndiumTinOxide,氧化銦錫)、A1203、MgO等。優(yōu)選非磁性中間層140是兩層以上的層疊膜。作為優(yōu)選的具體例能夠舉出Cu/ZnO/Cu的三層層疊膜。以Zn置換Cu的Cu/ZnO/Zn的三層層疊膜也是謀求輸出提高的優(yōu)選方式。非磁性中間層140的厚度是0.5~5nm左右。p茲阻效應(yīng)元件的變形例的i兌明]圖3~圖5分別是相當(dāng)于圖2的附圖，是表示磁阻效應(yīng)元件8的結(jié)構(gòu)變形例的附圖。在表示任何變形例的附圖中，作為自由層發(fā)揮功能的第一鐵磁層130和第二鐵磁層150分別受到來(lái)自第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的磁場(chǎng)作用的影響，被施加作用形成反平行磁化狀態(tài)，該反平行磁化狀態(tài)是彼此的磁化方向成為相反方向的狀態(tài)，這一點(diǎn)是相同的。不同的是改變交換耦合傳達(dá)層IOI、105和交換耦合調(diào)整層121、125的材質(zhì)和膜厚規(guī)格，利用反鐵磁耦合，還是利用鐵磁耦合。圖6是從本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的磁阻效應(yīng)元件ABS(AirBearingSurface)來(lái)看的立體圖。圖7是將包含圖6中的磁阻效應(yīng)元件的傳感器區(qū)域的磁阻效應(yīng)部放大表示的模式圖。在圖6所示的實(shí)施方式中，第一屏蔽層3從圖右側(cè)起朝向左側(cè)，磁化被固定在負(fù)寬度方向上(-X方向)。同樣地，第二屏蔽層5也從圖右側(cè)起朝向左側(cè)，磁化被固定在負(fù)寬度方向上(-X方向)。在該變形例的實(shí)施方式中，也是作為自由層發(fā)揮功能的第一鐵磁層130和第二鐵磁層150分別受到來(lái)自第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的磁場(chǎng)作用的影響，被施加作用形成反平行磁化狀態(tài)，該反平行磁化狀態(tài)是彼此的磁化方向成為相反方向的狀態(tài)。交換耦合傳達(dá)層101、105和交換耦合調(diào)整層121、125通過(guò)選定它們的材質(zhì)和膜厚規(guī)格，能夠利用反鐵磁耦合或4失磁耦合。也可以使圖3~圖5所示的》茲阻效應(yīng)部8的結(jié)構(gòu)變形例應(yīng)用于圖7。在圖10中表示》茲阻效應(yīng)部8的新的結(jié)構(gòu)變形例。與上述的i茲阻效應(yīng)部8的結(jié)構(gòu)不同的點(diǎn)是，第一交換耦合功能間隙層300的結(jié)構(gòu)，和第二交換耦合功能間隙層500的結(jié)構(gòu)。即，在圖10中，構(gòu)成為第一交換耦合功說(shuō)能間隙層300從第一屏蔽層3—側(cè)起依次包含交換耦合傳達(dá)層IOI、間隙調(diào)整層lll、交換耦合傳達(dá)層102、間隙調(diào)整層112、以及交換耦合調(diào)整層121,另一方面，第二交換耦合功能間隙層500從第二屏蔽層5—側(cè)起依次包含交換耦合傳達(dá)層105、間隙調(diào)整層115、交換耦合傳達(dá)層106、間隙調(diào)整層116、以及交換耦合調(diào)整層125。在本實(shí)施方式中，記載為交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、以及交換耦合調(diào)整層的層的各結(jié)構(gòu)也與在上述圖1~圖7等所示的交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、以及交換耦合調(diào)整層的結(jié)構(gòu)相同。在圖IO所示的實(shí)施方式中，(1)使間隙調(diào)整層111和間隙調(diào)整層1。的兩個(gè)鐵磁層的磁化量Mst—致，并且使彼此強(qiáng)反鐵磁耦合，而且，(2)使間隙調(diào)整層115和間隙調(diào)整層116的兩個(gè)鐵磁層的磁化量Mst—致，并且使彼此強(qiáng)反鐵磁耦合，由此，能夠使對(duì)外部磁場(chǎng)的響應(yīng)為零，實(shí)現(xiàn)特別優(yōu)選的實(shí)施例。此外，即使交換耦合傳達(dá)層的耦合強(qiáng)度比較弱，也能夠確實(shí)地使其具有作為間隙層的功能。^士ansniac:^二za厶上jarfr乂>丄六iip入田擊4:g乂杰md-，aa夢(mèng)/v,l么■tT々j，件口"、wv-s/f"JT，'l卜>7人^^^i^'口—W口JOET/z^!、乂tjxvu"v不^'i—干值(3"Peak)使用也可。圖ll是從本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的；茲阻效應(yīng)元件的ABS(AirBearingSurface)來(lái)看的立體圖。在圖ll的實(shí)施方式中，通過(guò)在位于上部的第二屏蔽層5的中央部形成凹部，在其中埋設(shè)磁阻效應(yīng)部8,從而磁阻效應(yīng)部8的兩側(cè)面也被》茲屏蔽，能夠?qū)崿F(xiàn)所謂的側(cè)面屏蔽構(gòu)造。由此，能夠縮窄再生實(shí)效磁道寬度。圖12是從本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的磁阻效應(yīng)元件的ABS(AirBearingSurface)來(lái)看的立體圖。在圖12的實(shí)施方式中，通過(guò)在位于下部的第一屏蔽層3的中央部形成凹部，在其中埋詔J茲阻效應(yīng)部8,/人而f茲阻效應(yīng)部8的兩側(cè)面也祐」磁屏蔽，能夠?qū)崿F(xiàn)所謂的側(cè)面屏蔽構(gòu)造。由此，能夠縮窄再生實(shí)效磁道寬度。圖13是從本發(fā)明的其他實(shí)施方式中的磁阻效應(yīng)元件的ABS(AirBearingSurface)來(lái)看的立體圖。在圖13的實(shí)施方式中，對(duì)第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的形狀進(jìn)一步研究，使第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的配置正交，謀求第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的磁化方向的正交化，謀求第一鐵磁層130和第二鐵磁層150的磁化狀態(tài)的正交化。由此，不需要對(duì)第一鐵磁層130和第二鐵磁層150的最初的反平行的磁化方向，施加偏置磁場(chǎng)謀求第一鐵磁層130和第二鐵磁層150的磁化狀態(tài)的正交化的初始偏置設(shè)定，。也就是說(shuō)不需要用于正交化的偏置施加單元。[磁阻效應(yīng)元件的外部磁場(chǎng)的檢測(cè)工作的說(shuō)明]一邊參照?qǐng)D14A~圖14C一邊對(duì)本發(fā)明的；茲阻效應(yīng)元件的外部》茲場(chǎng)的檢測(cè)工作進(jìn)行說(shuō)明。在使磁化方向正交化的偏置磁場(chǎng)被施加前，第一鐵,茲層130和第二鐵磁層150分別受到第一屏蔽層3和第二屏蔽層5的磁場(chǎng)作用的影響，成為彼此的i茲化方向變?yōu)橄喾捶较虻姆雌娇?》茲化狀態(tài)。通常，通過(guò)從設(shè)置在第一鐵磁層130和第二鐵磁層150的后方(深部區(qū)域側(cè)Y方向)的硬磁鐵等的偏置磁場(chǎng)施加單元(未圖示)發(fā)出的偏置磁場(chǎng)，對(duì)第一鐵磁層130和第二鐵磁層150施加偏置磁場(chǎng)，謀求第一鐵磁層130的磁化135和第二鐵磁層150的磁化151的實(shí)質(zhì)的正交化，達(dá)到圖14A所示的狀態(tài)。該狀態(tài)是作為i"茲阻效應(yīng)元件(^茲阻效應(yīng)部8)的初始狀態(tài)(initialstate)。如圖14B所示，當(dāng)檢測(cè)到從ABS流入元件一側(cè)的方向的外部磁場(chǎng)Dl時(shí)，第一鐵磁層130的磁化135和第二鐵磁層150的磁化151傾向于變?yōu)槌蛳嗤较?，元件的電阻變小。另一方面，如圖14C所示，當(dāng)檢測(cè)到從ABS離開(kāi)方向的外部磁場(chǎng)D2時(shí)，第一鐵磁層130的磁化135和第二鐵磁層150的磁化151雙方傾向于變?yōu)槌蛳喾捶较颍碾娮枳兇?。通過(guò)測(cè)定這樣的相對(duì)于外部磁場(chǎng)的一系列的電阻變化，能夠檢測(cè)出外部磁場(chǎng)。接著，舉例表示本發(fā)明的薄膜磁頭的一個(gè)優(yōu)選例子，一邊參照?qǐng)D15A、圖15B、圖16和圖17，一邊說(shuō)明其整體結(jié)構(gòu)。圖15A表示的是與所謂的氣墊面(ABS)平行的薄膜磁頭的剖面圖，圖15B表示的是與氣墊面正交的薄膜磁頭的剖面圖。所謂的氣墊面(ABS)相當(dāng)于薄膜磁頭與磁記錄介質(zhì)相向的面(以下,也稱(chēng)為介質(zhì)相向面)。另外，圖16表示的是進(jìn)行垂直磁記錄的磁極層附近的放大立體圖，圖17表示的是氣墊面上主磁極的前端部的形態(tài)。圖15A和圖15B所示的薄膜磁頭為了對(duì)在介質(zhì)行進(jìn)方向M上移動(dòng)的例如硬盤(pán)等記錄介質(zhì)實(shí)施磁處理，安裝在例如硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器等磁記錄裝置中使用。'例如，圖中舉例表示的薄膜磁頭是一種可以進(jìn)行記錄處理和再生處理這兩種磁處理的所謂的復(fù)合型頭，其構(gòu)造如圖15所示，具有如下結(jié)構(gòu)，即在例如由AlTiC(Al203/TiC)等陶瓷材料構(gòu)成的基板1上按下述順序?qū)盈B例如通過(guò)氧化鋁(A1203;以下簡(jiǎn)稱(chēng)為"氧化鋁")等非磁性絕緣材料料構(gòu)成的絕緣層2;對(duì)利用/f茲阻(MR:Magneto-Resistive)效應(yīng)記錄的磁信息進(jìn)行再生處理的再生頭部100A;例如由氧化鋁等非磁性絕緣材料料構(gòu)成的分離層9;用于執(zhí)行垂直記錄方式的記錄處理的屏蔽型記錄頭部100B;例如由氧化鋁等非磁性絕緣材料料構(gòu)成的外涂層24。在圖示例子中，再生頭部100A具有將下部讀取屏蔽層3、磁阻效應(yīng)部8、以及屏蔽層5(在該例子中是上部讀取屏蔽層30的一部分)按照該順序?qū)盈B的層疊結(jié)構(gòu)。再有，雖然在圖中沒(méi)有明示，但下部讀取屏蔽層3(第一屏蔽層3)和屏蔽層5(第二屏蔽層5)需要以顯現(xiàn)上述的本發(fā)明的作用效果的方式而構(gòu)成。磁阻效應(yīng)部8的后端面上形成有屏蔽間隙膜4。在圖15A和圖15B所示的形態(tài)中，下部讀取屏蔽層3和上部讀取屏蔽層30都具備使磁阻效應(yīng)部從周?chē)判苑蛛x的功能，以從氣墊面70向后方延伸的方式形成。在本實(shí)施方式的情況下，上部讀取屏蔽層30在厚度方向上隔著非磁性層6被分割為兩個(gè)屏蔽層5、7。即，其具有從靠近屏蔽間隙膜4的一側(cè)依次層疊上部第一讀取屏蔽層5、非磁性層6、上部第二屏蔽層7的結(jié)構(gòu)。上部第一讀取屏蔽層5例如由坡莫合金等磁性材料構(gòu)成，其厚度例如設(shè)定為1.5)Lim左右。上部第二讀取屏蔽層7也同樣例如由坡莫合金等磁性材料構(gòu)成，其厚度例如設(shè)定為1.1pm左右。非f茲性層6例如由釕(Ru)或氧化鋁等非磁性材料構(gòu)成，其厚度例如設(shè)定為0.2pm左右。再有，上部讀取屏蔽層30并不一定要像本實(shí)施方式這樣具有層疊結(jié)構(gòu)，也可以是下部讀取屏蔽層3這樣的單層構(gòu)造。屏蔽間隙膜4例如由氧化鋁等非磁性材料構(gòu)成。記錄頭部IOOB例如是具有依次層疊,通過(guò)絕緣層ll、12、13周?chē)宦褡《O(shè)置的第一級(jí)薄膜線(xiàn)圏10;非磁性層14;通過(guò)絕緣層16周?chē)痪植康芈褡《O(shè)置的主磁極層40;間隙層17;通過(guò)構(gòu)成磁連結(jié)用開(kāi)口部(后間隙50BG)的絕緣層50被埋住設(shè)置的第二級(jí)薄膜線(xiàn)圏22;以及寫(xiě)屏蔽層60而成的層疊結(jié)構(gòu)。再有，在圖16中，主要摘錄展示了記錄頭部100B中的主要部分(薄膜線(xiàn)圏10、22、主磁極層40、寫(xiě)屏蔽層60)。薄膜線(xiàn)圈10主要用于產(chǎn)生泄漏抑制用磁通，用于抑制薄膜線(xiàn)圈22中產(chǎn)生的記錄用磁通的泄漏。該薄膜線(xiàn)圏10例如由銅等高導(dǎo)電性材料構(gòu)成，其厚度例如設(shè)定為2.0inm左右。特別地，例如圖15和圖16所示，薄膜線(xiàn)圏10具有以后間隙50BG為中心巻繞的螺旋狀構(gòu)造，在薄膜線(xiàn)圈10中，例如以與在薄膜線(xiàn)圏22中的電流流動(dòng)的方向相反的方向上使電流流動(dòng)的方式進(jìn)行操作。再有，在圖15和圖16中表示的是薄膜線(xiàn)圈10的巻繞次數(shù)(巻數(shù))為五巻的情況，但這只是示例，巻繞次數(shù)可以適當(dāng)改變。薄膜線(xiàn)圖10的巻數(shù)優(yōu)選是與薄膜線(xiàn)圏22的巻數(shù)一致，例如優(yōu)選設(shè)定為2-7巻的范圍。也可以是螺旋線(xiàn)圏。絕緣層11、12、13以使薄膜線(xiàn)圏IO從周?chē)姎馐椒蛛x的方式形成。絕緣層11以埋入薄膜線(xiàn)圏10的各繞組之間的方式形成，并以覆蓋該薄膜線(xiàn)圏IO的周?chē)姆绞叫纬伞Ｔ摻^緣層11例如通過(guò)在加熱時(shí)表現(xiàn)出流動(dòng)性的光抗蝕劑(感光性樹(shù)脂)等非磁性絕緣材料料構(gòu)成。厚度例如為2.0jim左右。在本實(shí)施方式中，如圖11所示，絕緣層11以?xún)H覆蓋薄膜線(xiàn)圏10的側(cè)方，不覆蓋其上方的方式形成。絕緣層12以覆蓋絕緣層11的周?chē)姆绞叫纬桑摻^緣層12例如由氧化鋁等非磁性材料構(gòu)成。其厚度例如設(shè)定為2.0nm左右。絕緣層13以覆蓋薄膜線(xiàn)圏10并分別覆蓋絕緣層11、12的方式配設(shè)。該絕緣層13例如由氧化鋁等非磁性材料構(gòu)成。其厚度例如設(shè)定為0.2)tim左右。非磁性材料14例如由氧化鋁等非磁性絕緣材料料或釕等非磁性導(dǎo)電材料形成。其厚度例如設(shè)定為l.O]am左右。主磁極層40的主要是以對(duì)在薄膜線(xiàn)圏22中發(fā)生的磁記錄用磁通進(jìn)行收容，通過(guò)將該；茲通向記錄介質(zhì)釋放，從而進(jìn)行記錄處理的方式發(fā)揮作用。更具體地，其基于記錄用磁通產(chǎn)生使記錄介質(zhì)在與其表面正交的方向上磁化的磁場(chǎng)(垂直磁場(chǎng))，從而實(shí)現(xiàn)垂直記錄方式的記錄處理。這樣的主磁極層40配設(shè)在薄膜線(xiàn)圏的引導(dǎo)側(cè)(leadingside),從氣墊面70向后方延伸，更具體地，延伸到后間隙50BG。這里所說(shuō)的"引導(dǎo)側(cè)"，在將朝著圖15所示的介質(zhì)行進(jìn)方向M移動(dòng)的記錄介質(zhì)的移動(dòng)狀態(tài)視為一個(gè)流的情況下，指的是該流的流入側(cè)(與介質(zhì)行進(jìn)方向M相反的一側(cè))，這里是厚度方向(Z軸方向)上的上游側(cè)。相應(yīng)地，流的流出側(cè)(介質(zhì)行進(jìn)方向M—側(cè))稱(chēng)為"拖尾側(cè)(trailingside)",這里是厚度方向上的下游側(cè)。如圖15所示，本發(fā)明的實(shí)施方式中的主磁極層40具有由主磁極15和磁極本體層19按該順序?qū)盈B從而相互連結(jié)的結(jié)構(gòu)。即，其具有在引導(dǎo)側(cè)配設(shè)主磁極15、在拖尾側(cè)配設(shè)磁極本體層19的層疊結(jié)構(gòu)(兩層結(jié)構(gòu))。-TAJ"1r'A、丄i又二厶；A丄厶W、:S么厶&>Vi^'t上A匕;7"A4t7工^p^;，乂TF77，千—力人工文"V-==7y、AH"然^》p-刀-乂^干^vS匕。層15在引導(dǎo)側(cè)從氣墊面70向后方延伸，更具體地，延伸到后間隙50BG。其厚度設(shè)定例如為0.25pm左右。這樣的主磁極15例如由具有比構(gòu)成磁極本體層19的磁性材料更高飽和磁通密度的磁性材料構(gòu)成，具體而言，是由鐵類(lèi)合金等構(gòu)成的。作為所使用的鐵類(lèi)合金例如可以舉出富含鐵(Fe)的鐵鎳合金(FeNi)、鐵鈷合金(FeCo)或鐵鈷鎳合金(FeCoNi)等。此外，上述"連結(jié)"并不單是物理接觸式連結(jié)，而是在物理接觸式連結(jié)的基礎(chǔ)上可磁導(dǎo)通的連結(jié)。主磁極15例如圖16所示那樣整體形成為羽毛球拍型的平面形狀而構(gòu)成。即，主磁極15例如從氣墊面70起順序地包含著以下部分而構(gòu)成從該氣墊面70起向后方延伸、具有固定寬度Wl的用于規(guī)定記錄介質(zhì)的記錄磁道寬度的前端部15A;連結(jié)著該前端部15A的后方、具有比寬度Wl更大的寬度W4(W4〉W1)的后端部15B。該主磁極15的寬度從前端部15A(寬度Wl)起向后端部15B(寬度W4)開(kāi)始擴(kuò)展的位置是作為決定薄膜頭的記錄性能的重要因素之一的"張開(kāi)點(diǎn)(flarepoint)FP"。此外，主磁極15也可以通過(guò)僅從其底部(基板一側(cè))與磁極本體層19接觸，/人而實(shí)現(xiàn)/磁連結(jié)。前端部15A主要是使薄膜線(xiàn)圏22中發(fā)生的記錄用磁通向記錄介質(zhì)實(shí)質(zhì)性釋放出來(lái)的部分，如圖16所示，其具有暴露在氣墊面70上的暴露面15M。該暴露面15M如圖17所示，例如具有通過(guò)位于拖尾側(cè)的上端沿(一側(cè)的端沿)E1、位于引導(dǎo)側(cè)的下端沿(另一側(cè)的端沿)E2、以及兩個(gè)側(cè)端沿S1、S2所限定的平面形狀。具體而言，暴露面15M例如具有從拖尾側(cè)起朝向引導(dǎo)側(cè)寬度逐漸變窄的梯形形狀(W1>W3)。前端部15A的拖尾沿Tl是主,茲極層40中的實(shí)質(zhì)的記錄位置。圖16所示的后端部15B是收容在磁極本體層19中所收容的磁通、并供給到前端部15A的部分。該后端部15B的寬度是例如在后方固定(寬度W4)、在前方則隨著趨近前端部15A而逐漸地從寬度W4變窄為寬度Wl。磁極本體層19作為收容主要的磁通的部分而發(fā)揮功能。該磁極本體層19例如從比氣墊面70更靠后的位置Pl(第一位置)向后方延伸。更具體地，在后間隙50BG中延伸到主磁極15的后方，其厚度例如設(shè)定為0.45pm左右。特別地，磁極本體層19例如由具有比構(gòu)成主磁極15的磁性材料的飽和磁通密度更低的磁性材料構(gòu)成。作為優(yōu)選的具體例子可以舉例示出鐵鈷鎳合金。磁極本體層19例如如圖16所示那樣，具有寬度為W4的矩形的平面形狀。特別地，磁極本體層19例如圖15所示那樣，與絕緣層50中的后述的輔助絕緣層20以及寫(xiě)屏蔽層60中后述的TH規(guī)定層18—起被平坦化。即，磁極本體層19中的拖尾側(cè)的端面與輔助絕緣層20中的拖尾側(cè)的端面以及TH限定層18中的拖尾側(cè)的端面一起構(gòu)成了平坦面HM。絕緣層16使主磁極15從周?chē)姎馐椒蛛x。該絕緣層16例如由氧化鋁等非磁性絕緣材料料構(gòu)成，其厚度例如設(shè)定為0.25pm左右。間隙層17以構(gòu)成用于使主磁極層40與寫(xiě)屏蔽層60磁性分離的間隙的方式形成。間隙層17形成為，例如，如圖15所示那樣除了磁極本體層19的配設(shè)區(qū)域，在與主磁極15鄰接的同時(shí)，從氣墊面70向后方延伸。特別地，間隙層17例如由氧化鋁等非磁性絕緣材料料或釕等非磁性導(dǎo)電材料構(gòu)成，其厚度設(shè)定為0.030.1pm左右。絕緣層50對(duì)決定薄膜磁頭的記錄特性的重要因子之一的喉道高度(throatheight)TH進(jìn)行規(guī)定，并以通過(guò)覆蓋薄膜線(xiàn)圈22而從周?chē)姎馐椒蛛x的方式構(gòu)成。如圖15所示，纟色緣層50形成為將以實(shí)質(zhì)地^見(jiàn)定了喉道高度TH的方式而形成的輔助絕緣層20(第一絕緣層部分)、和以實(shí)質(zhì)地覆蓋薄膜線(xiàn)圏22的方式而形成的主絕緣層21(第二絕緣層部分)按照該順序?qū)盈B的結(jié)構(gòu)。即，其具有在引導(dǎo)側(cè)配設(shè)輔助絕緣層20、在拖尾側(cè)配設(shè)主絕緣層21的層疊結(jié)構(gòu)(兩層結(jié)構(gòu))。如圖15所示，輔助絕緣層20在與間隙層17鄰接的同時(shí)，從比氣墊面70更靠后的位置、即氣墊面70與位置Pl之間的位置P2(第二位置)延伸到后方位置Pl。此外，輔助絕緣層20形成為，其在位置Pl與磁極本體層19鄰接，并且在位置P2與寫(xiě)屏蔽層60(后述的TH規(guī)定層18)鄰接。特別地，在本實(shí)施方式中，輔助絕緣層20與磁極本體層19和TH規(guī)定層18—起構(gòu)成了平坦面HM。上述"位置P2"相當(dāng)于絕緣層50的最前端位置(最靠近氣墊面70的位置)。即，其是用于規(guī)定喉道高度TH的"喉道高度零位置TP"。該喉:^"古ttt々i打.工，aka/;::洽古帝'；罷td々iVtAA肅；亡曰^々夂々務(wù)a冋乂夂in尺—u叫/u一v'i穴^el岡/又^^、'i工丄i—!，gV四。畔,">^卩。^個(gè)層20例如由氧化鋁等非磁性絕緣材料料構(gòu)成。此外，在圖15和圖16所示的實(shí)施方式中展示的是喉道高度零位置TP與張開(kāi)點(diǎn)FP—致的情形。如圖15所示，主絕緣層21—邊與輔助絕緣層20中的平坦面HM鄰接，一邊從位置Pl和位置P2之間的位置P3(第三位置)向后方延伸。更具體地，其以不阻塞后間隙50BG的方式延伸，主絕緣層21比輔助絕緣層20更靠后。例如圖15所示。該主絕緣層21包含主絕緣層部分21A和主絕緣層部分21B而構(gòu)成，主絕緣層部分21A在輔助絕緣層20中的平坦面HM上作為薄膜線(xiàn)圏22的基底而配設(shè)，主絕緣層部分21B以覆蓋著薄膜線(xiàn)圏22及其周?chē)闹鹘^緣層部分21A的方式而配設(shè)。主絕緣層部分21A例如由氧化鋁等非磁性絕緣材料料構(gòu)成，其厚度例如i殳定為0.2pm左右。主絕緣層部分21B例如由在被加熱時(shí)表現(xiàn)出流動(dòng)性的光抗蝕劑或旋涂式玻璃(Spinonglass,SOG)等非磁性絕緣材料料構(gòu)成。該主絕緣層部分21B的端沿附近部分以向該端沿下陷的方式構(gòu)成帶圓形的斜面。薄膜線(xiàn)圈22是為了產(chǎn)生記錄用磁通而形成的。對(duì)薄膜線(xiàn)圏22例如以在與所述薄膜線(xiàn)圏10中的電流方向相反的方向上4吏電流流動(dòng)的方式進(jìn)行操作。寫(xiě)屏蔽層60通過(guò)捕獲從主磁極層40釋放出來(lái)的記錄用磁通的擴(kuò)散成分，從而以抑制該磁通的擴(kuò)散的方式發(fā)揮作用。該寫(xiě)屏蔽層60配設(shè)在主磁極層40和薄膜線(xiàn)圏22的拖尾側(cè)，通過(guò)從氣墊面70向后方延伸，從而在其靠近氣墊面70的一側(cè)，利用間隙膜17與磁極層20隔開(kāi)，并在遠(yuǎn)的一側(cè)通過(guò)后間隙50BG與^茲性層40連結(jié)。本實(shí)施方式中的寫(xiě)屏蔽層60包含彼此獨(dú)立的TH規(guī)定層18(第一磁屏蔽層部分)和磁軛層(yokelayer)23(第二磁屏蔽層部分)，具有該TH規(guī)定層18和磁軛層23彼此連結(jié)的構(gòu)造。此外，寫(xiě)屏蔽層60并不限于圖示說(shuō)明的連結(jié)構(gòu)造，也可以是一體化物。TH規(guī)定層18作為主要的磁通捕獲口發(fā)揮功能，其捕獲從磁極直接發(fā)出的i茲通中的多余的i茲通。例如，如圖15所示，該TH-見(jiàn)定層18—邊與間隙層17鄰接，一邊從比氣墊面70延伸到后方位置、具體是比位置Pl更靠前的位置P2,在該位置P2與絕緣層50中的輔助絕緣層20TH規(guī)定層18例如由坡莫合金或鐵類(lèi)合金等具有高飽和磁通密度的磁性材料構(gòu)成，如圖16所示，其形成為具有比主磁極層40的寬度W4更大的寬度W5(W5〉W4)的矩形平面形狀。特別地，例如如上述所示，TH規(guī)定層18與磁極本體層19和輔助絕緣層20—起構(gòu)成了平坦面HM。即，TH規(guī)定層18中的捧尾側(cè)的端面與磁極本體層19中的拖尾側(cè)的端面和輔助絕緣層20中的拖尾側(cè)的端面雙方一起構(gòu)成了平坦面HM。如上所述，TH身見(jiàn)定層18在位置P2與輔助絕緣層20鄰接，因此該TH規(guī)定層18通過(guò)規(guī)定了絕緣層50的最前端位置(喉道高度零位置TP),由此實(shí)質(zhì)上承擔(dān)著規(guī)定喉道高度TH的任務(wù)。磁軛層23以作為從TH規(guī)定層18捕獲的磁通的通道發(fā)揮功能的方式構(gòu)成。進(jìn)而，也構(gòu)成為作為磁通從介質(zhì)的襯里層(lininglayer)返回的旁軛(returnyoke)而發(fā)揮功能。例如，如圖15所示，磁軛層23—邊壓著TH規(guī)定層18,—邊從氣墊面70經(jīng)由絕緣層50上至少延伸到后間隙50BG。即，磁軛層23在前方通過(guò)壓著TH規(guī)定層18而^皮連結(jié)，同時(shí)，在后方則通過(guò)經(jīng)由后間隙50BG與主;茲極層40鄰接而被連結(jié)。在本實(shí)施例中，磁軛層23例如一邊在后間隙50BG中與主磁極層40連結(jié)，一邊延伸到該后間隙50BG的后方。這種磁軛層23例如由與構(gòu)成TH規(guī)定層18的磁性材料相同的磁性材料構(gòu)成，并且，如圖16所示，具有寬7復(fù)為—W5的矩形平面形狀。在上述薄膜磁頭中，例如如圖15所示，為了確保記錄性能，優(yōu)選是對(duì)基于特定結(jié)構(gòu)要素而規(guī)定的固定尺寸進(jìn)行優(yōu)化。具體而言，相對(duì)于氣墊面70的輔助磁極19的退后距離、即氣墊面70與位置Pl之間的距離Ll優(yōu)選是設(shè)定為0.8~7.1pm。另外，相對(duì)于氣墊面70的主絕緣層21的退后距離、即氣墊面70與位置P3之間的距離L3大于TH規(guī)定層18的長(zhǎng)度，即大于氣墊面70與位置P2之間的距離L2(L3〉L2)。基于這種距離L3大于距離L2的構(gòu)造關(guān)系，在寫(xiě)屏蔽層60中，磁軛層23中與TH規(guī)定層18鄰接的部分的長(zhǎng)度(即距離L3)大于TH規(guī)定層18的長(zhǎng)度(即距離L2)。亦即，在寫(xiě)屏蔽層60中，當(dāng)磁通經(jīng)由TH規(guī)定層18被磁軛層23捕捉時(shí)，該磁通在寫(xiě)屏蔽層60內(nèi)流通的磁路階段性地?cái)U(kuò)展。再有，上述薄膜磁頭的整體結(jié)構(gòu)并不限于所記載的構(gòu)造，而是可以做出各種更改。^rij.鈸n試、、l^凸/杰m^a,、/rb乂在ai、i田a:"a乂J^主aarV:n貧4士一、A嚇i/虧/"j尺^(guò)zx力工義'i、乂Tj*v、v又^工-Ai^a"、jyv'i、iwy/7/j穴，人/1、、以光蝕刻處理為代表的構(gòu)圖技術(shù)、以及以干法蝕刻或濕法蝕刻為代表的蝕刻技術(shù)等的現(xiàn)有的薄膜工藝，依次形成各要素后加以層疊而制造出來(lái)。接著，說(shuō)明安裝有上述薄膜磁頭而使用的磁頭懸架組件(headgimbalassembly)和硬盤(pán)裝置的一個(gè)例子。首先，參照?qǐng)D18說(shuō)明磁頭懸架組件中包含的滑塊210。在硬盤(pán)裝置中，滑塊210以與作為被旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的圓盤(pán)狀記錄介質(zhì)的硬盤(pán)相向的方式而配置。該滑塊210具備主要由基板和外涂層構(gòu)成的基體211?；w211大致形成為六面體形狀。基體211的六個(gè)面中的一個(gè)面與硬盤(pán)相向。這一個(gè)面上形成了介質(zhì)相向面30。當(dāng)硬盤(pán)在圖18中的z方向上旋轉(zhuǎn)時(shí)，穿過(guò)硬盤(pán)和滑塊210之間的空氣流導(dǎo)致在圖18中的y方向的下方對(duì)滑塊210產(chǎn)生升力?；瑝K210通過(guò)該升力從硬盤(pán)表面上漂浮起來(lái)。此外，圖18中的x方向是硬盤(pán)的磁軌橫斷方向。在滑塊210的空氣流出一側(cè)的端部(圖18中左下方的端部)附近形成有本實(shí)施方式的薄膜磁頭。接著，參照?qǐng)D19說(shuō)明本實(shí)施方式的磁頭懸架組件220。磁頭懸架組件220具備滑塊210和彈性支撐著該滑塊210的懸掛(suspension)221。懸掛221例如具有由不銹鋼形成的板簧狀負(fù)載桿(loadbeam)222;設(shè)置在該負(fù)載桿222的一個(gè)端部并與滑塊210接合、向滑塊210提供適當(dāng)?shù)淖杂啥鹊膿锨?flexure)223;以及設(shè)置在負(fù)載桿222的另一個(gè)端部的基座(BasePlate)224?；?24安裝在用于使滑塊210在硬盤(pán)262的磁軌橫斷方向x上移動(dòng)的致動(dòng)器(actuator)的臂部230上。致動(dòng)器具有臂部230和用于驅(qū)動(dòng)該臂部230的音圏電機(jī)。在撓曲件223中安裝著滑塊210的部位設(shè)置有常平架(gimbal)部，用于使滑塊210保持一定的姿勢(shì)。磁頭懸架組件220安裝在致動(dòng)器的臂部230上。在一個(gè)臂部230上安裝磁頭懸架組件220后，就稱(chēng)之為i茲頭臂組件(headarmassembly)。另外，將磁頭懸架組件220安裝到具有多個(gè)臂部的支架(carriage)的各圖19表示出磁頭臂組件的一個(gè)例子。該磁頭臂組件中，臂部230的一個(gè)端部上安裝著磁頭懸架組件220。在臂部230的另一個(gè)端部上安裝著成為音圏電機(jī)的一部分的線(xiàn)圏231。臂部230的中間部位上設(shè)置有安裝在用于支撐著臂部230自由轉(zhuǎn)動(dòng)的軸234上的軸承部233。接著，參照?qǐng)D20和圖21說(shuō)明磁頭懸臂組件的一個(gè)例子和本實(shí)施方式的硬盤(pán)裝置。圖20是表示硬盤(pán)裝置的主要部分的說(shuō)明圖，圖21是硬盤(pán)裝置的平面圖。磁頭懸臂組件250包括具有多個(gè)臂部252的支架251。多個(gè)臂部252上安裝著多個(gè)磁頭懸架組件220，它們?cè)诖怪狈较蛏吓帕?，彼此之間留有間隔。在支架251中與臂部252相反的一側(cè)上安裝著成為音圏電機(jī)的一部分的線(xiàn)圈253。磁頭懸臂組件250嵌入在硬盤(pán)裝置中。硬盤(pán)裝置具有多片安裝在主軸電極(spindlemotor)261上的硬盤(pán)262。對(duì)每個(gè)硬盤(pán)262，以?shī)A著硬盤(pán)262相向的方式配置著兩個(gè)滑塊210。另外，音圏電機(jī)具有在夾著磁頭懸臂組件250的線(xiàn)圏253相向的位置上配置的永久磁鐵263。除去滑塊210的磁頭懸臂組件250和致動(dòng)器對(duì)應(yīng)于本發(fā)明中的定位裝置，支撐滑塊210并且對(duì)硬盤(pán)262進(jìn)行定位。本實(shí)施方式的硬盤(pán)裝置中，利用致動(dòng)器使滑塊210在硬盤(pán)262的磁軌橫斷方向上移動(dòng)，確定滑塊210相對(duì)于硬盤(pán)262的位置。滑塊210中包含的薄膜磁頭通過(guò)記錄頭在硬盤(pán)262上記錄信息，并通過(guò)再生頭再生硬盤(pán)262中記錄的信息。本實(shí)施方式的磁頭懸.架組件和硬盤(pán)裝置與上述本實(shí)施方式中的薄膜磁頭起相同的效果。另外，在實(shí)施方式中對(duì)在基體一側(cè)形成再生頭部、在其上層疊垂直記錄頭部的結(jié)構(gòu)的薄膜磁頭進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以將該層疊順序反轉(zhuǎn)。另外，在作為再生專(zhuān)用的薄膜磁頭使用的情況下，也可以采用僅具備再生頭部的結(jié)構(gòu)。具體實(shí)驗(yàn)例的說(shuō)明下面，表示與本發(fā)明的磁阻效應(yīng)元件有關(guān)的具體實(shí)驗(yàn)例，進(jìn)一步詳W口F14"C1F1湖見(jiàn)H/g4、義h力°(實(shí)驗(yàn)例1)制作包括圖1和圖2所示的結(jié)構(gòu)的磁阻效應(yīng)元件的實(shí)驗(yàn)用樣品(實(shí)施例1樣品)。即，如下述表1所示，在寬度30jam(X軸方向的尺寸)、長(zhǎng)度3pm(Y軸方向的尺寸)、厚度100nm(Z軸方向的尺寸)的NiFe構(gòu)成的第一屏蔽層3上，形成表1所示的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成的磁阻效應(yīng)部8,在該磁阻效應(yīng)部8上，形成寬度30jum(X軸方向的尺寸)、長(zhǎng)度3jum(Y軸方向的尺寸)、厚度100nm(Z軸方向的尺寸)的NiFe構(gòu)成的第二屏蔽層5。磁阻效應(yīng)部8的兩側(cè)通過(guò)氧化鋁而絕緣。第一屏蔽層3和第二屏蔽層5分別利用上述尺寸導(dǎo)致的形狀各向異性，形成單磁疇結(jié)構(gòu)，彼此的層3、5的磁化方向，以圖1和圖2所示的方式反向平4亍。在表1所示的結(jié)構(gòu)中，如圖2所示那樣，第一屏蔽層3的磁化35與間隙調(diào)整層111的磁化llla反鐵磁耦合，間隙調(diào)整層111的磁化llla與第一鐵磁層130的磁化135反鐵磁耦合。使用這樣形成的實(shí)施例1樣品的石茲阻效應(yīng)，才全測(cè)出來(lái)自相當(dāng)于-400Oe~400Oe的介質(zhì)的信號(hào)磁場(chǎng)，可以確認(rèn)得到能夠?qū)嵱没拇抛枳兓?。?<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>(實(shí)驗(yàn)例2)在上述實(shí)驗(yàn)例1的實(shí)驗(yàn)例1樣品中，將構(gòu)成傳感器區(qū)域的非磁性中間層140的材料從Cu(厚度0.5nm)/ZnO(厚度1.8nm)/Cu(厚度0.5nm)的三層層疊體變?yōu)镸gO(厚度0.8nm)。除此之外，與上述實(shí)施例1同樣地制作磁阻效應(yīng)元件的實(shí)驗(yàn)用樣品(實(shí)施例2樣品)。利用這樣形成的實(shí)施例2樣品的^f茲阻效應(yīng)，^r測(cè)出來(lái)自相當(dāng)于-400Oe~400Oe的介質(zhì)的信號(hào)磁場(chǎng)，可以確認(rèn)得到能夠?qū)嵱没摹菲澴枳兓?實(shí)驗(yàn)例3)在上述實(shí)驗(yàn)例1的實(shí)施例1樣品中，使第一交換耦合間隙層300和第二交換耦合間隙層500的層疊結(jié)構(gòu)改變?yōu)橄率霰?所示的方式，制作Kl1A6fr;AA忠士士AAZ茲R日j^"/fitAActUl5t呈旦ZA^fe必l24主且、在表2所示的結(jié)構(gòu)中，像圖10所示那樣，第一屏蔽層3的磁化35與間隙調(diào)整層111的磁化llla反鐵磁耦合，間隙調(diào)整層111的磁化llla與間隙調(diào)整層112的磁化112b反鐵磁耦合，間隙調(diào)整層112的磁化112b與第一鐵磁層130的磁化135反鐵磁耦合。同樣地，第二屏蔽層5的磁化51與間隙調(diào)整層115的磁化115b反鐵磁耦合，間隙調(diào)整層115的磁化115b與間隙調(diào)整層116的磁化116a反鐵磁耦合，間隙調(diào)整層116的磁化116a與第二鐵磁層150的磁化151反鐵磁耦合。在該實(shí)施例3樣品中，(l)間隙調(diào)整層111和間隙調(diào)整層112的兩個(gè)鐵磁層的磁化量Mst是相同的，并且使其彼此強(qiáng)反鐵磁耦合，同樣地，(2)間隙調(diào)整層115和間隙調(diào)整層116的兩個(gè)鐵磁層的磁化量Mst是相同的，并且使其彼此強(qiáng)反鐵磁耦合。使用這樣形成的實(shí)施例3樣品的磁阻效應(yīng)，檢測(cè)出來(lái)自相當(dāng)于-400Oe~400Oe的介質(zhì)的信號(hào)磁場(chǎng)，可以確認(rèn)得到能夠?qū)嵱没拇抛枳兓１?29<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>膜的特殊結(jié)構(gòu)的制約，能夠以簡(jiǎn)易的構(gòu)造實(shí)現(xiàn)兩個(gè)鐵磁層(FreeLayer)的反平行的磁化狀態(tài)，為了對(duì)應(yīng)于近年來(lái)的超高記錄密度化的要求，采用能夠縮窄"讀間隙長(zhǎng)度，，(上下防護(hù)層的間隙)的結(jié)構(gòu)，能夠謀求線(xiàn)記錄密度的提高。進(jìn)而，能夠得到穩(wěn)定的磁阻效應(yīng)變化，謀求可靠性的進(jìn)一步提高。作為本發(fā)明的產(chǎn)業(yè)利用可能性，本發(fā)明能夠在具備用于將磁記錄介質(zhì)等的磁場(chǎng)強(qiáng)度作為信號(hào)進(jìn)行讀取的磁阻效應(yīng)元件的磁盤(pán)裝置的產(chǎn)業(yè)中利用。權(quán)利要求1.一種電流垂直于平面的結(jié)構(gòu)的磁阻效應(yīng)元件，具有磁阻效應(yīng)部；以及以上下地夾著該磁阻效應(yīng)部的方式配置形成的第一屏蔽層和第二屏蔽層，在該層疊方向上施加檢測(cè)電流，其特征在于，上述磁阻效應(yīng)部具有非磁性中間層；和以?shī)A著該非磁性中間層的方式層疊形成的第一鐵磁層和第二鐵磁層，上述第一屏蔽層和第二屏蔽層分別通過(guò)磁化方向控制單元被控制磁化方向，上述第一鐵磁層和第二鐵磁層分別受到上述第一屏蔽層和上述第二屏蔽層的磁場(chǎng)作用的影響，被施加作用形成反平行磁化狀態(tài)，該反平行磁化狀態(tài)是彼此的磁化方向成為相反方向的狀態(tài)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件，其中，上述第一鐵磁層和磁化方向被控制的上述第一屏蔽層，經(jīng)由第一交換耦合功能間隙層間接地磁耦合，上述第二鐵磁層和磁化方向被控制的上述第二屏蔽層，經(jīng)由第二交換耦合功能間隙層間接地磁耦合。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁阻效應(yīng)元件，其中，上述第一交換耦合功能間隙層從上述第一屏蔽層一側(cè)起，依次包含交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、以及交換耦合調(diào)整層，上述第二交換耦合功能間隙層從上述第二屏蔽層一側(cè)起，依次包含交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、以及交換耦合調(diào)整層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁阻效應(yīng)元件，其中，上述交換耦合傳達(dá)層由從Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的組中選才奪的至少一種材料構(gòu)成，上述間隙調(diào)整層由鐵磁材料構(gòu)成，上述交換耦合調(diào)整層由從Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的組中選擇的至少一種材料構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件，其中，對(duì)上述第一屏蔽層和第二屏蔽層的磁化方向進(jìn)行控制的磁化方向控制單元，以根據(jù)上述第一屏蔽層和第二屏蔽層的形狀各向異性功能，或來(lái)自反鐵磁材料的交換耦合功能的方式定義。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁阻效應(yīng)元件，其中，上述第一屏蔽層和第二屏蔽層通過(guò)上述磁化方向控制單元被作為單磁疇結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁阻效應(yīng)元件，其中，上述第一交換耦合功能間隙層從上述第一屏蔽層一側(cè)起，依次包含交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、以及交換耦合調(diào)整層，上述第二交換耦合功能間隙層從上述第二屏蔽層一側(cè)起，依次包含交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、交換耦合傳達(dá)層、間隙調(diào)整層、以及交換耦合調(diào)整層。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件，其中，上述非磁性中間層由使ZnO配置在中央的三層層疊膜構(gòu)成。9.一種薄膜磁頭，其特征在于，具有與記錄介質(zhì)相向的介質(zhì)相向面；以及用于檢測(cè)來(lái)自上述記錄介質(zhì)的信號(hào)磁場(chǎng)并配置在上述介質(zhì)相向面附近的權(quán)利要求1所述的磁阻效應(yīng)元件。10.—種磁頭懸架組件，其特征在于，具備包含權(quán)利要求9所述的薄膜磁頭、以與記錄介質(zhì)相向的方式配置的滑塊；以及彈性地支撐上述滑塊的懸掛。11.一種磁盤(pán)裝置，其特征在于，具備包含權(quán)利要求9所述的薄膜磁頭、以與記錄介質(zhì)相向的方式配置的滑塊；以及支撐上述滑塊并且決定相對(duì)于上述記錄介質(zhì)的位置的定位裝置。全文摘要本發(fā)明涉及CPP型磁阻效應(yīng)元件和磁盤(pán)裝置。本發(fā)明的CPP結(jié)構(gòu)的磁阻效應(yīng)元件，具有磁阻效應(yīng)部；以及以上下地夾著該磁阻效應(yīng)部的方式配置形成的第一屏蔽層和第二屏蔽層，在該層疊方向上施加檢測(cè)電流，構(gòu)成為磁阻效應(yīng)部具有非磁性中間層；和以?shī)A著該非磁性中間層的方式層疊形成的第一鐵磁層和第二鐵磁層，第一屏蔽層和第二屏蔽層分別通過(guò)磁化方向控制單元被控制磁化方向，第一鐵磁層和第二鐵磁層分別受到第一屏蔽層和第二屏蔽層的磁場(chǎng)作用的影響，被施加作用形成反平行磁化狀態(tài)，該反平行磁化狀態(tài)是彼此的磁化方向成為相反方向的狀態(tài)。能夠以簡(jiǎn)易的構(gòu)造實(shí)現(xiàn)兩個(gè)鐵磁層的反平行的磁化狀態(tài)，并能夠謀求線(xiàn)記錄密度的提高。進(jìn)而，能夠謀求可靠性的進(jìn)一步提高。文檔編號(hào)H01L43/08GK101447550SQ20081018238公開(kāi)日2009年6月3日申請(qǐng)日期2008年11月28日優(yōu)先權(quán)日2007年11月28日發(fā)明者原晉治,土屋芳弘,宮內(nèi)大助,島澤幸司,町田貴彥申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社