一種高壓熔斷器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種高壓熔斷器,包括圓筒狀絕緣管形式的熔管(3),熔管(3)的兩端分別裝有第一導(dǎo)電端蓋(1)和第二導(dǎo)電端蓋(2),在熔管(3)的內(nèi)腔中設(shè)置有兩端分別與第一導(dǎo)電端蓋(1)和第二導(dǎo)電端蓋(2)連接的熔體(4),熔體(4)與熔管內(nèi)壁之間的孔隙處填充有滅弧材料(5);熔管(3)外表面設(shè)置有兩端分別與第一導(dǎo)電端蓋(1)和第二導(dǎo)電端蓋(2)連接的電阻膜(6)。本發(fā)明提供了一種適用于全屏蔽安裝場(chǎng)合,不需要增加空間距離就能避免局部放電現(xiàn)象,減小高壓電氣設(shè)備體積的高壓熔斷器。
【專利說明】一種高壓熔斷器
[0001]
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種高壓熔斷器,主要用于6kV以上,35kV以下輸配電系統(tǒng)中全屏蔽連接電纜及高壓電器的限流及短路保護(hù),特別適用于全屏蔽式高壓電力互感器的限流及短路保護(hù)。
【背景技術(shù)】
[0003]高壓熔斷器是高壓線路中最簡單和常用的保護(hù)設(shè)備,它用來保護(hù)電氣設(shè)備免受過載和短路電流的損害。其結(jié)構(gòu)一般包括熔管、金屬端帽、熔體等部分,熔管中填充石英砂等滅弧材料。現(xiàn)代高壓配電系統(tǒng)大量使用全屏蔽電纜附件和全屏蔽高壓電器,通過固體絕緣和接地屏蔽技術(shù),大大減小了高壓電氣設(shè)備的體積,縮小了安裝空間,因此對(duì)高壓熔斷器也提出了安裝于全屏蔽環(huán)境的要求。但現(xiàn)有的高壓熔斷器由于滅弧材料一石英砂中存在大量空氣氣隙,其自身及與熔管的內(nèi)壁之間形成了大量的空氣界面,當(dāng)外屏蔽層接近熔管外壁時(shí),其高壓電場(chǎng)作用將導(dǎo)致局部放電現(xiàn)象的發(fā)生,這將對(duì)絕緣材料造成損害,最終導(dǎo)致絕緣材料被擊穿,形成事故。
[0004]目前已有的解決方案是增加屏蔽層與熔體之間的距離,通過增加空間距離來降低電場(chǎng)強(qiáng)度,消除局部放電發(fā)生的條件,但這種方法顯著地增加了設(shè)備的體積和重量,與高壓電氣設(shè)備小型化趨勢(shì)相互矛盾。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,提供一種適用于全屏蔽安裝場(chǎng)合,不需要增加空間距離就能避免局部放電現(xiàn)象,減小高壓電氣設(shè)備體積的高壓熔斷器
本發(fā)明的技術(shù)方案是:
一種高壓熔斷器,包括圓筒狀絕緣管形式的熔管,熔管的兩端分別裝有第一導(dǎo)電端蓋和第二導(dǎo)電端蓋,在熔管的內(nèi)腔中設(shè)置有兩端分別與第一導(dǎo)電端蓋和第二導(dǎo)電端蓋連接的熔體,熔體與熔管內(nèi)壁之間的孔隙處填充有滅弧材料,其特征在于:熔管外表面設(shè)置有兩端分別與第一導(dǎo)電端蓋和第二導(dǎo)電端蓋連接的電阻膜。
[0006]優(yōu)選地,熔管的外表面被電阻膜完全覆蓋,并且所述的電阻膜的電阻值在10ΜΩ至IOGQ之間。
[0007]優(yōu)選地,所述的電阻膜固定在熔管的外壁上。
[0008]優(yōu)選地,還包括位于第一導(dǎo)電端蓋、第二導(dǎo)電端蓋和電阻膜的外部的導(dǎo)電屏蔽層;導(dǎo)電屏蔽層與第一導(dǎo)電端蓋、第二導(dǎo)電端蓋和熔管之間設(shè)置有絕緣材料。
[0009]本發(fā)明的積極效果在于:
第一、當(dāng)熔體沒有熔斷時(shí),兩個(gè)導(dǎo)電端蓋和熔體都處于高電位且為等電位,連接于兩個(gè)導(dǎo)電端蓋之間的電阻膜也與導(dǎo)電端蓋等電位,則熔體與熔管內(nèi)壁之間沒有電位差,不存在發(fā)生局部放電的條件,消除了局部放電現(xiàn)象的發(fā)生,同時(shí)電阻膜、導(dǎo)電端蓋與外部屏蔽層之間充滿絕緣介質(zhì),也消除了熔斷器與外部屏蔽層之間發(fā)生局部放電的條件。
[0010]第二、當(dāng)熔體熔斷時(shí),一個(gè)導(dǎo)電端蓋處于高電位,另一個(gè)處于低電位,電阻膜上沿軸向各點(diǎn)的電壓從高到低平滑降低,使得高電位端到低電位端平滑過渡,沒有電場(chǎng)突變點(diǎn),消除了由于熔體熔斷改變電場(chǎng)分布而發(fā)生局部放電的條件。
[0011]因此,本發(fā)明所涉及的一種高壓熔斷器,在不增加空間距離的情況下有效解決了局部放電問題。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明高壓熔斷器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]實(shí)施例一
如圖1所示,本實(shí)施例是一種用于IOkV電壓等級(jí)的高壓熔斷器,包括第一導(dǎo)電端蓋1、第二導(dǎo)電端蓋2、熔管3、熔體4、滅弧材料5、電阻膜6。熔管3為一圓筒狀陶瓷管,兩端分別裝有第一導(dǎo)電端蓋I和第二導(dǎo)電端蓋2,熔體4設(shè)置在熔管3的內(nèi)腔中,熔體4的兩端分別與第一導(dǎo)電端蓋I和第二導(dǎo)電端蓋2連接,熔體與熔管內(nèi)壁之間的孔隙處填充滅弧材料5,滅弧材料5為石英砂。
[0014]熔管3外表面全部覆蓋電阻膜6,電阻膜6兩端分別與第一導(dǎo)電端蓋I和第二導(dǎo)電端蓋2連接。電阻膜6完全覆蓋第一導(dǎo)電端蓋I和第二導(dǎo)電端蓋2之間的熔管3的外表面,電阻膜是通過高壓玻璃釉電阻器制作工藝燒結(jié)在熔管的外壁上,并且第一導(dǎo)電端蓋I和第二導(dǎo)電端蓋2之間電阻膜6的阻值為500ΜΩ。
[0015]第一導(dǎo)電端蓋I和第二導(dǎo)電端蓋2用金屬材料制成。
[0016]熔體4包括熔絲固定架9和螺旋狀繞在熔絲固定架9上的細(xì)金屬絲,固定架9設(shè)置在熔管3的中軸位置。
[0017]本實(shí)施例中,導(dǎo)電屏蔽層7及絕緣材料8及導(dǎo)體10來自安裝設(shè)備,不包括在高壓熔斷器之內(nèi),其與高壓熔斷器的第一導(dǎo)電端蓋1、第二導(dǎo)電端蓋2、熔管3緊密連接。
[0018]實(shí)施例二
本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同,區(qū)別是:在第一導(dǎo)電端蓋1、第二導(dǎo)電端蓋2、熔管3的外部還設(shè)置有導(dǎo)電屏蔽層7,導(dǎo)電屏蔽層7與第一導(dǎo)電端蓋1、第二導(dǎo)電端蓋2和電阻膜6之間設(shè)置有絕緣材料8。本實(shí)施例所述的高壓熔斷器可用于安裝壞境不提供導(dǎo)電屏蔽層和絕緣材料的場(chǎng)合,在安裝時(shí)高壓熔斷器的導(dǎo)電屏蔽層7和絕緣材料8要與相連接的其他電氣設(shè)備的導(dǎo)電屏蔽層和絕緣材料分別緊密連接。
[0019]實(shí)施例三
本實(shí)施例中電阻膜6以蛇形或螺旋形圖案部分覆蓋方式固定在熔管3外表面。其他部分同實(shí)施例一或?qū)嵤├?br>
【權(quán)利要求】
1.一種高壓熔斷器,包括圓筒狀絕緣管形式的熔管(3),熔管(3)的兩端分別裝有第一導(dǎo)電端蓋(I)和第二導(dǎo)電端蓋(2),在熔管(3)的內(nèi)腔中設(shè)置有兩端分別與第一導(dǎo)電端蓋(1)和第二導(dǎo)電端蓋(2)連接的熔體(4),熔體(4)與熔管內(nèi)壁之間的孔隙處填充有滅弧材料(5),其特征在于:熔管(3)外表面設(shè)置有兩端分別與第一導(dǎo)電端蓋(I)和第二導(dǎo)電端蓋(2)連接的電阻膜(6)。
2.如權(quán)利要求1所述的高壓熔斷器,其特征在于:熔管(3)的外表面被電阻膜(6)完全覆蓋,并且所述的電阻膜(6)的電阻值在10ΜΩ至IOGQ之間。
3.如權(quán)利要求1所述的高壓熔斷器,其特征在于:所述的電阻膜(6)固定在熔管(3)的外壁上。
4.如權(quán)利要求1或2或3所述的高壓熔斷器,其特征在于:還包括位于第一導(dǎo)電端蓋(I)、第二導(dǎo)電端蓋(2)和電阻膜(6)的外部的導(dǎo)電屏蔽層(7);導(dǎo)電屏蔽層(7)與第一導(dǎo)電端蓋(I)、第二導(dǎo)電端蓋(2)和熔管(3)之間設(shè)置有絕緣材料(8)。
【文檔編號(hào)】H01H85/165GK103489728SQ201310501871
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月23日
【發(fā)明者】鄧文棟 申請(qǐng)人:煙臺(tái)東方威思頓電氣有限公司