專利名稱：：電介質陶瓷組合物和電子部件的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及在電子部件的電介質層等中使用的電介質陶瓷組合物，進而詳細來說，涉及具有高介電常數，同時溫度特性較好、介電損耗低、且絕緣電阻和交流擊穿電壓高的電介質陶瓷組合物以及使用該電介質陶瓷組合物的電子部件。
背景技術：
：近年來，伴隨著急速進行的電子儀器的高性能化，電子電路的小型化、復雜化也在迅猛發(fā)展。因而電子部件也被要求進一步的小型化、高性能化。即，為了維持良好的溫度特性，同時即使對于小型化也可維持靜電容量，人們要求介電常數高的電介質陶瓷組合物和電子部件，進而為了在高電壓下使用，還要求交流擊穿電壓高的電介質陶瓷組合物和電子部件。作為介電常數高、進而交流擊穿電壓也高的電介質陶瓷組合物，例如在特開2006-096576號公報中得到公開。但是，在該現有例中，燒成溫度高達1400°C，另外在電極形成時使用濺射法等的薄膜形成法，因此制備成本變高。另一方面，在特開2003-104774號公報中同樣介紹了介電常數或交流擊穿電壓良好、且不使用薄膜形成法的例子，但在上述現有例中，作為添加物，將Mn換算成MnO時含有2重量％，因此在形成價格便宜的Cu電極時通過暴露在還原氛圍中，而使電介質被還原，有可靠性變差的擔心。
發(fā)明內容本發(fā)明是鑒于這種現狀而作出的發(fā)明，其目的在于提供電介質陶瓷組合物，其在較低的溫度下可進行電介質的燒結，進而具有高介電常數，同時溫度特性好、進而介電損耗低、絕緣電阻高，且交流擊穿電壓高。另外，本發(fā)明的目的還在于提供使用這種電介質陶瓷組合物得到的電子部件。本發(fā)明人們?yōu)榱诉_到上述目的進行了努力研究，結果發(fā)現通過使電介質陶瓷組合物的組成為特定的成分、并使它們的比例在規(guī)定范圍，可以實現上述目的，并完成本發(fā)明。g卩，對于解決上述課題的本發(fā)明的第l觀點的電介質陶瓷組合物，其具有用通式(Ba^-yCaxSryUTi^ZigOs表示的主成分，包含選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1種元素的化合物的第1副成分，和包含選自Si和Ag的至少1種元素的化合物的第2副成分，其特征在于，在上述通式中，0.02《x復3、0舉0.05、0.06《z復2，且0.995《m《1.015，相對于上述主成分100摩爾％，上述第1副成分以各金屬元素換算含有4摩爾％以下(但不含零)，相對于上述主成分100摩爾％，上述第2副成分以各金屬元素換算含有3摩爾％以下(但不含零)。對于解決上述課題的本發(fā)明的第2觀點的電介質陶瓷組合物，其具有用通式(Ba^-yCaxSryUTi^ZrJOs表示的主成分，包含選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1種元素的化合物的第1副成分，和包含選自Si和Ag的至少1種元素的化合物的第2副成分，其特征在于，在上述通式中，0.02《x復3、0舉0.05、0.06《z復2、且1.01《m《1.035，相對于上述主成分100摩爾％，上述第1副成分以各金屬元素換算含有4摩爾％以下(但不含零)，相對于上述主成分100摩爾％，上述第2副成分以各金屬元素換算含有3摩爾％以下(但不含零)。并且，在本發(fā)明中"化合物"主要是指氧化物，但也可以是與其它元素的化合物，或者與其它化合物的復合化合物。根據本發(fā)明，可以提供具有由上述電介質陶瓷組合物構成的電介質層的電子部件。本發(fā)明的電子部件沒有特別地限定，優(yōu)選列舉在開關電源電路中，以除去噪音為目的的作為Y電容器使用的電容器。根據本發(fā)明，可以得到電介質陶瓷組合物，其能夠在較低溫度下進行燒成，進而具有高介電常數，同時溫度特性好、進而介電損耗低、絕緣電阻高，且交流電壓高。另外，可以得到安全規(guī)格認定為中高壓的電容器，其具有高介電常數，同時溫度特性較好、進而介電損耗低、絕緣電阻高，且交流擊穿電壓高。以下，基于附圖中所示的實施方案說明本發(fā)明。圖l(A)是本發(fā)明一實施方案的陶瓷電容器的主視圖，圖l(B)是本發(fā)明一實施方案的陶瓷電容器的側面截面圖。具體實施例方式陶瓷電容器2如圖l(A)、圖1(B)所示，本實施方案的陶瓷電容器2形成具有電介質層10、在其對向表面上形成的一對端子電極12，14、和分別在該端子電極12，14上連接的管腳56，8這樣的構成，它們被保護樹脂4覆蓋。陶瓷電容器2的形狀可以根據目的或用途適當決定，優(yōu)選是電介質層10形成圓板形狀的圓板型的電容器。另外，其尺寸可以根據目的或用途適當決定，通常直徑為520mm左右，優(yōu)選515mm左右。電介質層10在本發(fā)明的第l觀點中，電介質層IO含有本發(fā)明第l觀點的電介質陶瓷組合物。本發(fā)明的第1觀點的電介質陶瓷組合物是具有用通式(BLyCa,yUTi^Zr》03表示的主成分，包含選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1種元素的化合物的第1副成分，和包含選自Si和Ag的至少1種元素的化合物的第2副成分的電介質陶瓷組合物。在上述第l觀點的通式中，0.995《m《1.015，優(yōu)選0.997《m《1.007。在本發(fā)明的第2觀點中，電介質層10含有本發(fā)明的第2觀點的電介質陶瓷組合物。本發(fā)明的第2觀點的電介質陶瓷組合物是具有用通式(Bai—x—yCa,yUTiLzZrz)03表示的主成分，包含選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1種元素的化合物的第1副成分，和包含選自Si和Ag的至少1種元素的化合物的第2副成分的電介質陶瓷組合物。并且，在本發(fā)明的第2觀點的電介質陶瓷組合物的主成分中，雜質以氧化物換算含有103000ppm。雜質可以列舉例如Nb、P、Fe、Al或者Si的化合物(例如氧化物)。在上述第2觀點的通式中，1.010《m《1.035，優(yōu)選1.011《m《1.026。在上述第1觀點和第2觀點的通式中，x表示Ca的比例，0.02^c幼.3，優(yōu)選0.05^c幼.2。Ca的含有在提高燒結性和交流擊穿電壓方面具有效果，但其含量如果過于少，則燒結性有變差的傾向，如果含量過于多，則有相對介電常數降低的傾向。在上述第1觀點和第2觀點的通式中，y表示Sr的比例，0《y幼.05，優(yōu)選0《y《0.03。Sr的含有在提高相對介電常數方面具有效果，但如果含量過于多，則高溫側的容量溫度特性有變差的傾向。在上述第1觀點和第2觀點的通式中，z表示Zr的比例，0.06?！?.2，優(yōu)選0.06。幼.15。Zr的含有在提高低溫側的容量溫度特性和交流擊穿電壓方面具有效果，但如果含量過于少，則低溫側的容量溫度特性有變差的傾向，如果過于多，則高溫側的容量溫度特性有變差的傾向。通過含有上述第l副成分，具有改善相對介電常數、低溫側的容量溫度特性和交流擊穿電壓的效果。在上述第l副成分中，特別優(yōu)選Y、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho，進而優(yōu)選Y、Tb、Dy的化合物。上述第1副成分的含量相對于上述主成分100摩爾％，對于每種金屬元素為4摩爾％以下(但不含零)，優(yōu)選13.5摩爾％。當上述第l副成分的含量過于多時，燒結性有變差的傾向，當過于少時，低溫側的容量溫度特性有變差的傾向。6另外，本發(fā)明的電介質陶瓷組合物的第l副成分優(yōu)選包含選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的2種元素的化合物，進而優(yōu)選Y的化合物和La的化合物。在作為第l副成分選擇的、選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的2種元素中，如果將離子半徑小的元素以元素換算的含量記作A摩爾、并將離子半徑大的元素以元素換算的含量記作B摩爾，B/A的值優(yōu)選為0.27，更優(yōu)選0.24。當B/A的值小時，ACVB的值變小，當B/A的值大時，介電常數降低。通過含有上述第2副成分，具有提高高溫側的容量溫度特性和燒結性的效果。在上述第2副成分中，特別優(yōu)選Si的化合物。上述第2副成分的含量相對于上述主成分100摩爾％，對于每種金屬元素為3摩爾％以下(但不含零)，優(yōu)選0.32摩爾％。當上述第2副成分的含量過于多時，有相對介電常數變差的傾向，當過于少時，有燒結性變差的傾向。本發(fā)明的電介質陶瓷組合物優(yōu)選進而含有選自Fe、Co、Ni、Cu和Zn的至少l種元素的化合物作為第3副成分。在上述第3副成分中，特別優(yōu)選Fe、Ni、Cu，進而優(yōu)選Fe、Cu的化合物。通過含有第3副成分，具有提高低溫側的容量溫度特性的效果。另外，含有上述第3副成分還具有提高燒結性的效果。上述第3副成分的含量相對于上述主成分100摩爾％，對于每種金屬元素為0.6摩爾％以下，優(yōu)選0.3摩爾％以下。當上述第3副成分的含量過于多時，有高溫側的容量溫度特性變差的傾向。本發(fā)明的電介質陶瓷組合物優(yōu)選進而含有選自Nb、Ta、W、Ga、Ge和Hf的至少l種元素的化合物作為第4副成分。在上述第4副成分中，特別優(yōu)選Nb、Ta、W，進而優(yōu)選Nb、W的化合物。通過含有第4副成分，具有提高相對介電常數和低溫側的容量溫度特性的效果。上述第4副成分的含量相對于上述主成分，以各金屬元素換算為0.01摩爾以上、1摩爾％以下。即使以比上述量多的量添加，特性的提高也少，因此從增加原料價格的觀點考慮，不是優(yōu)選的。并且，本發(fā)明的電介質陶瓷組合物基本上不含有鉛。"基本上不含有鉛"是指不含有超過不能說是雜質水平的量的鉛的意思，如果是雜質水平的量(例如，電介質陶瓷組合物中的含量為100ppm以下)，也可以含有。如果在上述電介質陶瓷組合物中含有超過不能說是雜質水平的量的鉛，則從保護環(huán)境的角度考慮不是優(yōu)選的。電介質層10的厚度沒有特別地限定，可以根據用途等適當決定，優(yōu)選為0.32mm。通過使電介質層10的厚度在該范圍內，可以優(yōu)選用于中高壓用途。端子電極12，14端子電極12，14由導電材料構成。在端子電極12，14中使用的導電材料可以列舉例如Cu、Cu合金、Ag、Ag合金、In-Ga合金等。陶瓷電容器的制備方法其次，對于本實施方案的陶瓷電容器的制備方法進行說明。首先，制備在燒成后將形成如圖1所示的電介質層10的電介質陶瓷組合物粉末。首先，準備主成分的原料和各副成分的原料。主成分的原料可以列舉Ba、Sr、Ca、Ti、Zr的各氧化物和/或通過燒成形成氧化物的原料，或它們的復合氧化物等，例如可以使用BaCC^、SrC03、CaC03、Ti02、ZrC^等。其他還可以使用例如氫氧化物等、在燒成后形成氧化物或鈦化合物的各種化合物。此時，可以適當改變含量，以使金屬元素的元素數相配。另外，主成分的原料可以通過固相法制備，也可以通過水熱合成法或草酸鹽法等的液相法來制備，從制備成本的角度考慮，優(yōu)選通過固相法制備。各副成分的原料沒有特別地限定，可以從上述各副成分的氧化物或復合氧化物、或者通過燒成形成這些氧化物或復合氧化物的各種化合物、例如碳酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、有機金屬化合物等中適當選擇使用。其次，將主成分和副成分的原料以形成上述規(guī)定組成的方式配合，并使用球磨機等進行濕式混合。然后將所得混合物進行造粒、成型，通過將得到的成型物在空氣氛圍中進行煅燒，可以得到煅燒粉。接著，將得到的煅燒粉進行粗粉碎，進而進行濕式粉碎，制成電介質陶瓷組合物粉末。作為煅燒條件，例如煅燒溫度優(yōu)選為1000130(TC，煅燒時間優(yōu)選為0.54小時。并且，也可以將主成分的原料和副成分的原料分別煅燒后，進行混合來制成電介質陶瓷組合物粉末，也可以不煅燒副成分的原料，而使其與主成分的原料混合，來制成電介質陶瓷組合物粉末。如上所述，通過利用固相法來制備電介質陶瓷組合物粉末，可以實現期望的特性，同時能夠謀求制備成本的降低。其次，將得到的電介質陶瓷組合物粉末使用粘合劑等進行造粒，將所得造粒物成型為具有規(guī)定尺寸的圓板狀，由此制成生片成型體。然后通過將所得生片成型體進行燒成來得到電介質陶瓷組合物的燒結體。并且，燒成的條件沒有特別地限定，保持溫度優(yōu)選為12001400°C，更優(yōu)選12501350°C，優(yōu)選燒成氛圍為在空氣中燒成。在所得電介質陶瓷組合物的燒結體的主表面上印刷端子電極，根據需要進行燒結，由此形成端子電極12，14。然后在端子電極12，14上通過釬焊焊接等接合管腳6，8，最后用保護樹脂4覆蓋元件主體，由此得到如圖1(A)、圖1(B)所示的單板型陶瓷電容器。這樣制備的本發(fā)明的陶瓷電容器通過管腳6，8安裝在印刷基板上等，在各種電子儀器等中使用。以上對于本發(fā)明的實施方案進行了說明，但本發(fā)明不受這種實施方案的任何限定，在不脫離本發(fā)明宗旨的范圍內，當然能夠以各種不同的方式進行實施。例如，在上述實施方案中，本發(fā)明的電子部件可以列舉電介質層為單層的單板型陶瓷電容器，但本發(fā)明的電子部件不限定于單板型陶瓷電容器，也可以是通過使用了含有上述電介質陶瓷組合物的電介質糊狀物和電極糊狀物的普通印刷法或片材法()一卜法)進行制備的疊層型陶瓷電容器。實施例進而詳細地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些實施例。實施例1首先，分別準備BaC03、SrC03、CaC03、Ti02和Zr02作為主成分原料。將準備的這些原料分別稱量以形成表l、3和5所示的組成(摩爾％)，通過使用水作為溶劑的球磨機進行濕式混合。并且，表l、3和5所示的各副成分的含量以各金屬元素換算為表中所述。其次，將所得混合物干燥后，添加5重量％的水進行造粒、成型。然后將所得成型物在空氣中、1150°C、2小時的條件下進行煅燒。用研磨機(6^力>^機)將煅燒后的粉體粗粉碎并通過篩網(乂'7*-"》)后，進而進行濕式粉碎。通過將其干燥，可以得到具有表1、3和5所示的各組成(樣品編號172的各組成)的電介質陶瓷組合物粉末。接著，相對于所得電介質陶瓷組合物粉末100重量％，添加聚乙烯醇水溶液10重量％，接著進行造粒，并通過篩網后，將得到的造粒粉在3t/cm2的壓力下進行成型，由此得到直徑為12mm、厚度約為1.2mm的圓板狀的生片成型體。接著，通過將得到的生片成型體在空氣中、13001350°C、2小時的條件下進行燒成，可以得到圓板狀的燒結體。然后在得到的燒結體的主表面上涂布Ag電極，進而在空氣中、65(TC下進行20分鐘的燒結處理，由此得到如圖l所示的圓板狀的陶瓷電容器的樣品(樣品編號172)。所得電容器樣品的電介質層10的厚度約為lmm。然后對于得到的各電容器樣品，通過以下方法分別評價相對介電常數、介電損耗、絕緣電阻、容量溫度特性、和交流擊穿電壓。評價結果示于表2、4和6。相對介電常數e相對介電常數e由靜電容量算出(沒有單位)，所述靜電容量如下述那樣測定，即，對于電容器樣品，在2(TC的標準溫度下，通過數字LCR計(YHP社制4274A)在頻率數為lkHz，輸入信號水平(測定電壓)為l.OVrms的條件下進行測定。相對介電常數越高，越是優(yōu)選的，在本實施例中，相對介電常數為8000以上為良好。介電損耗(tan5)介電損耗(tanS)如下述那樣測定，g卩，對于電容器樣品，在2(TC的標準溫度下，通過數字LCR計(YHP社制4274A)在頻率數為lkHz，輸入信號水平(測定電壓)為l.OVrms的條件下進行測定。介電損耗越低越是優(yōu)選的，在本實施例中，介電損耗為3%以下為良好。絕緣電阻(IR)絕緣電阻(IR)如下述那樣測定，S卩，對于電容器樣品，使用絕緣電阻計(7K">于^卜社制R8340A)在20。C下測定外加60秒的DC100V之后的絕緣電阻IR。絕緣電阻越高越是優(yōu)選的，在本實施例中，絕緣電阻為1X1(^MQ以上為良好。容暈溫度特性對于電容器樣品，在-2585t:的溫度范圍測定靜電容量，算出相對于2(TC時靜電容量的-251:和85t:的靜電容量的變化率(單位％)。在本實施例中，容量變化率在+20%-55%的范圍(JIS規(guī)格的E特性)為良好。交流擊穿電壓(ACVB)9[OO98]交流擊穿電壓(ACVB)如下述那樣測定，g卩，對于電容器的樣品，在電容器的兩端以100V/s的速度緩慢施加交流電壓，測定100mA的漏電流流動時的電壓作為交流擊穿電壓。交流擊穿電壓越高越是優(yōu)選的，在本實施例中，交流擊穿電壓為4.0kV/mm以上為良好。實施例2與實施例1同樣來得到各電容器樣品，分別評價相對介電常數、介電損耗、絕緣電阻、容量溫度特性、和交流擊穿電壓。各樣品的組成和評價結果示于表710。并且，對于實施例1的樣品1"的組成(表i、3和5)，假設沒有雜質、即純度為100%這樣來表述各組成。相對于此，實施例2的樣品ls80s、82s88s的組成(表7和9)是考慮在主成分中含有的純度而形成的數值。本實施例中使用的電介質陶瓷組合物的各主成分的純度約為"％。雜質主要為Nb的化合物。表l紅.]第l副成分第2副成分第3副成分1-x-vx卜zzm含^(mo伐:'n("由，0,12001謂0."l扁Y03/22-Si02UCuO※200，u,幼0-111膽u0-，30-9G國0.010-89o，u1000Y03/22Si02，■，CliOo,，40,720.27auiO.的o'"1哪Y03/2SM1.1CljOtu※50.67。,M0.0，0.890,"I.O加Y03/22SiO1,，CuOo.，0.840，0[J50加0,"1,,Y03/22Si021-1GuO0.1※？0.810".0做0.890.11〗咖2Si021.，GuOo.，(U2aoi095l細Y03/:1.1CuOo.，9,CM20-010.820.1Bl細額/22Si021.1CuOO.l,00.370120.010,78?！?〗0002Si021.1C"O(M※1，0-370.120.010,89a"C卯JY03/22"0JJ20.870,120.010.890,995Y03"2Si02CuOo.，130.120.010.89au1.005Y03/22Si02，。1CuOcuH額0.120.01O,的0."1細Y03/22S〗021.1CuOo.，i50.870.12o川O.的0,"1,015Y03/2Si02GtiOo.t※16as0-10,010,S80."[咖Y03/22S咖1—1CuO0.1糸，70.120.010卵0.1，1扁Y03/2Si02CiiO(U180.87o川0.89cni1.000Y03/20.4Si02CuO0,1CU2O力l0,890,"1扁Y03/2Si02CkiOo.，鄉(xiāng)0.87(M2o,cn0-890,"Y03/2Si02CljOG.，210,870.12aoi0.89an^.固Y03/2Si021.，CiiOC90-870"om0.890.11咖2Si02，,lCuO0,0523as70.12aoi,a"賴o2Si02uCuO0,&240.120.01089a."1.000Y03/22Si021'1cuo1as10表2樣品<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>表4<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表8<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>表中的"*"表示權利要求l的比較例。表中的表示權利要求3的比較例。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>滿足容量變化率+20%-55%。由此可知，含有Sr具有提高相對介電常數的效果，當含量過于多時，高溫側的容量溫度特性有變差的傾向。樣品編號1、810對于樣品編號l、810，除了作為Zr的比率的z值以外，其它組成相等。樣品編號l和9在本發(fā)明的范圍內，z值較大的樣品編號9與樣品編號l相比，低溫側的容量溫度特性表現為良好的數值，交流擊穿電壓也高。另一方面，對于z值比本發(fā)明范圍小的樣品編號8，低溫側的容量溫度特性不滿足容量變化率+20%-55%，對于z值比本發(fā)明范圍大的樣品編號IO，高溫側的容量溫度特性不滿足容量變化率+20%-55%。由此可知，含有Zr具有提高低溫側的容量溫度特性的效果，當含量過于少時，有低溫側的容量溫度特性變差的傾向，當過于多時，有高溫側的容量溫度特性變差的傾向。樣品編號1和1116對于樣品編號1和1116，x、y、z的值和第l副成分、第2副成分的量相等，僅表示(Bai-x-yCaxSry)與(Ti^ZrJC^的比例m的值不同。在樣品編號1和1116中，對于m值在本發(fā)明范圍內含有的樣品編號1和1215，滿足相對介電常數為8000以上、介電損耗為3%以下、-251:851:范圍下的容量變化率為+20%-55%、交流擊穿電壓為4.0kV/mm以上的范圍。樣品編號1和1720對于樣品編號1和1720，除了第l副成分的含量以外，其它組成相等。樣品編號l、18和19在本發(fā)明的范圍內，第l副成分的含量越多，相對介電常數和交流擊穿電壓越高。另一方面，對于第1副成分的含量比本發(fā)明范圍多的樣品編號20，形成燒結不足，對于第1副成分的含量少的樣品編號17，不滿足在低溫側的容量變化率+20%-55%。由此可知，含有第1副成分具有提高相對介電常數、交流擊穿電壓和低溫側的容量溫度特性的效果，當含量過于多時，有燒結性變差的傾向。樣品編號1和2531對于樣品編號1和2531，除了第2副成分的含量以外，其它組成相等。樣品編號1和2630在本發(fā)明的范圍內，第2副成分的含量越多，高溫側的容量溫度特性表現越良好的數值。另一方面，對于第2副成分的含量比本發(fā)明范圍多的樣品編號31，相對介電常數不滿足8000以上，對于第2副成分的含量比本發(fā)明范圍小的樣品編號25，形成燒結不足。由此可知，含有第2副成分具有提高高溫側的容量溫度特性和燒結性的效果，當含量過于多時，有相對介電常數降低的傾向，當過于少時，有燒結性變差的傾向。樣品編號1和2531與樣品編號3236樣品編號1和2531與樣品編號3236在第2副成分為Si02或者Ag20這方面有所不同。對于絕緣電阻、高溫側的容量溫度特性，&02表現比較良好的數值，對于介電損耗、低溫側的容量溫度特性、交流擊穿電壓，AfeO表現比較良好的數值。樣品編號1和2124對于樣品編號1和2124，除了第3副成分的含量以外，其它組成相等。樣品編號1、22和23與完全不含有第3副成分的樣品編號21相比，低溫側的容量溫度特性表現良好的數值。另一方面，對于第3副成分的含量比本發(fā)明范圍多的樣品編號24，高溫側的容量溫度特性不滿足容量變化率+20%-55%。由此可知，第3副成分具有提高低溫側的容量溫度特性的效果，當含量過于多時，高溫側的容量溫度特性有變差的傾向。樣品編號1與樣品編號5572對于樣品編號1與樣品編號5572，在樣品編號5572含有第4副成分而樣品編號1不含有這一方面有所不同。當將樣品編號1和樣品編號5572進行比較時，樣品編號5572有相對介電常數高的傾向，另外對于低溫側的容量溫度特性表現良好的數值。由此可知，含有第4副成分具有提高低溫側的容量溫度特性的效果。由表16可知，當電介質陶瓷組合物的組成在本發(fā)明的范圍內時，相對介電常數為8000以上，介電損耗為3%以下，-251:851:范圍下的容量變化率為+20%-55%，交流擊穿電壓為4.0kV/mm以上。g卩，可以確認，通過使作為主成分的電介質氧化物的組成在本發(fā)明的范圍內，可以良好地保持相對介電常數和容量溫度特性，同時降低介電損耗，提高絕緣電阻和交流擊穿電壓。相對于此，當電介質陶瓷組合物的組成在本發(fā)明的范圍外時，可以確認相對介電常數、容量溫度特性、介電損耗、絕緣電阻和交流擊穿電壓的至少l者變差。樣品編號64s和74s80s對于樣品編號64s和74s80s，除了在第1副成分中含有的稀土類元素中離子半徑較大的元素的含量(B)以外，其它組成相等。樣品編號74s與含有Y元素化合物(A)、但完全不含有La元素化合物(B)的樣品編號64s相比，交流擊穿電壓表現良好的數值，通過第1副成分含有2種元素，可以確認具有提高交流擊穿電壓的效果。另外，可以確認當La元素化合物(B)的含量相對于Y元素化合物(A)的比例(B/A)為0.27、更優(yōu)選為0.24時，相對介電常數與交流擊穿電壓的平衡是良好的。20權利要求電介質陶瓷組合物，其具有用通式(Ba1-x-yCaxSry)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分，包含選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1種元素的化合物的第1副成分，和包含選自Si和Ag的至少1種元素的化合物的第2副成分，其特征在于，在上述通式中，0.02≤x≤0.3、0≤y≤0.05、0.06≤z≤0.2，且0.995≤m≤1.015，相對于上述主成分100摩爾％，上述第1副成分以各金屬元素換算含有4摩爾％以下(但不含零)，相對于上述主成分100摩爾％，上述第2副成分以各金屬元素換算含有3摩爾％以下(但不合零)。2.電介質陶瓷組合物，其具有用通式(BLyCaxSryUTi^Zig03表示的主成分，包含選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu禾口Y的至少1種元素的化合物的第1副成分，和包含選自Si和Ag的至少1種元素的化合物的第2副成分，其特征在于，在上述通式中，0.02《x《0.3、0gy復05、0.06《z《0.2、且1.010《m《1.035，相對于上述主成分100摩爾％，上述第1副成分以各金屬元素換算含有4摩爾％以下(但不含零)，相對于上述主成分100摩爾％，上述第2副成分以各金屬元素換算含有3摩爾％以下(但不含零)。3.如權利要求1或2所述的電介質陶瓷組合物，其特征在于，上述第l副成分包含選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的2種元素的化合物。4.如權利要求1或2所述的電介質陶瓷組合物，其特征在于，上述電介質陶瓷組合物含有第3副成分，該第3副成分包含選自Fe、Co、Ni、Cu和Zn的至少1種元素的化合物，該第3副成分相對于上述主成分100摩爾％，以各金屬元素換算含有0.6摩爾％以下。5.如權利要求2所述的電介質陶瓷組合物，其中，上述雜質包含Nb、P、Fe、Al或者Si的化合物。6.如權利要求1或2所述的電介質陶瓷組合物，其特征在于，上述電介質陶瓷組合物還含有第4副成分，該第4副成分包含選自Nb、Ta、W、Ga、Ge和Hf的至少1種的化合物，該第4副成分相對于上述主成分100摩爾％，以各金屬元素換算含有0.01摩爾％以上且1摩爾％以下。7.電子部件，其使用了如權利要求1或2所述的電介質陶瓷組合物。全文摘要本發(fā)明涉及電介質陶瓷組合物和電子部件。本發(fā)明的電介質陶瓷組合物具有用通式(Ba1-x-yCaxSry)m(Ti1-zZrz)O3表示的主成分；包含選自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y的至少1種元素的化合物的第1副成分；和包含選自Si和Ag的至少1種元素的化合物的第2副成分。文檔編號H01G4/12GK101691298SQ200910006620公開日2010年4月7日申請日期2009年2月5日優(yōu)先權日2008年2月5日發(fā)明者佐佐木則夫,梅田裕二,阿部賢申請人:Tdk株式會社