專利名稱:一種基帶信號處理芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及靜電防護領(lǐng)域,特別是涉及一種用于靜電防護的基帶信號處理芯片。
背景技術(shù):
目前,手機已經(jīng)普遍應(yīng)用于生活、工作等領(lǐng)域。手機的安全也越來越受重視,如手機的ESD(Electro-Matic discharge,靜電釋放)防護越來越受重視,在高電平的ESD沖擊時,時常造成手機內(nèi)部電路或芯片受到損壞?,F(xiàn)有技術(shù)主要是在基帶信號處理芯片的基本輸入輸出接口處增加橡皮塞保護接口,使得基帶信號處理芯片內(nèi)的處理單元免受ESD直接沖擊。或者在基本輸入輸出接口的電路中并聯(lián)TVS管CTransient Voltage Suppresser,瞬態(tài)電壓抑制器)來保護基帶信號處理芯片內(nèi)的處理單元。但是,上述兩種做法都有一定缺陷由于產(chǎn)品外觀和結(jié)構(gòu)限制的原因,結(jié)構(gòu)增加橡皮塞的方法無法在每款產(chǎn)品中實際應(yīng)用。另外,考慮到TVS成本比較高,采用TVS保護信號線的方法不適合在中低端手機產(chǎn)品中大規(guī)模應(yīng)用。因此,需要提供一種基帶信號處理芯片,以解決現(xiàn)有技術(shù)中在進行手機的ESD防護時存在的對產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)要求較高或成本較高的缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種基帶信號處理芯片,能夠以簡單的結(jié)構(gòu)和較低的成本實現(xiàn)ESD防護功能。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是提供一種基帶信號處理芯片,該基帶信號處理芯片設(shè)置有基本輸入輸出接口以及與基本輸入輸出接口連接的處理單元,該基帶信號處理芯片還包括靜電保護電阻,該靜電保護電阻的一端與基本輸入輸出接口連接,另一端與處理單元連接,以串聯(lián)于基本輸入輸出接口與處理單元之間。其中,基帶信號處理芯片還包括恒定電壓源和上拉電阻,該上拉電阻的一端與恒定電壓源連接,上拉電阻的另一端與處理單元連接。其中,靜電保護電阻的電阻值設(shè)定為小于上拉電阻的電阻值的20%。其中,基帶信號處理芯片還包括下拉電阻,該下拉電阻的一端接地,下拉電阻的另一端與處理單元連接。其中,靜電保護電阻的電阻值設(shè)定為小于下拉電阻的電阻值的20%。其中,處理單元為中斷處理單元。其中,處理單元為GPIO總線處理單元。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是提供一種手機,該手機包括上述基帶信號處理芯片。本發(fā)明的有益效果是區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本發(fā)明的基帶信號處理芯片通過設(shè)置一靜電保護電阻,該靜電保護電阻的一端與基帶信號處理芯片的基本輸入輸出接口連接,另一端與基帶信號處理芯片的處理單元連接,對ESD的能量進行衰減,實現(xiàn)對處理單元的保護。因此,本發(fā)明能夠以簡單的結(jié)構(gòu)以及較低的成本實現(xiàn)ESD防護功能。
圖1是本發(fā)明實施例的基帶信號處理芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是本發(fā)明實施例的ESD防護原理圖;圖3是本發(fā)明實施例的ESD放電的曲線圖;圖4是本發(fā)明實施例的基本輸入輸出接口連接上拉電阻時的原理圖;圖5是本發(fā)明實施例的基本輸入輸出接口連接下拉電阻時的原理圖。
具體實施例方式請參閱圖1,本發(fā)明實施例的基帶信號處理芯片的結(jié)構(gòu)100包括基本輸入輸出接口 101、靜電保護電阻102以及處理單元103。其中,基本輸入輸出接口 101包括輸出接口和輸入接口,是處理芯片與其他設(shè)備之間數(shù)據(jù)傳輸?shù)闹匾ǖ溃钊菀资蹺SD (Electro-Matic discharge,靜電釋放)的沖擊。如圖1可知,靜電保護電阻102串聯(lián)連接在輸入輸出接口 101和處理單元103之間,即靜電保護電阻102的一端與基本輸入輸出接口 101連接,另一端與處理單元103連接。靜電保護電阻102利用其阻抗作用可減弱從基本輸入輸出接口 101傳來的ESD能量對需要受保護的處理單元103的沖擊,進而起到提高ESD性能的作用。靜電保護電阻102的電阻值需要限制在一定的范圍內(nèi),在限定的范圍內(nèi)電阻值越大,ESD防護的效果就越好。在本發(fā)明中,靜電保護電阻102的取值設(shè)定為小于基帶信號處理芯片中的上拉電阻或下拉電阻的電阻值的20%。處理單元103是手機內(nèi)部需要受ESD防護的單元,其連接著靜電保護電阻102,因靜電保護電阻102減弱了從基本輸入輸出接口 101傳來的ESD的能量,所以處理單元103 受到的ESD沖擊大大的減弱了。其中,處理單元103是中斷處理單元或GPIO總線處理單元。圖2是本發(fā)明實施例的ESD防護原理圖。如圖2所示,高壓產(chǎn)生電路201的一端連接電阻202,另一端接地,高壓產(chǎn)生電路201能夠產(chǎn)生很高的電壓。電阻202的一端連接高壓產(chǎn)生電路201,另一端連接充電開關(guān)203。充電開關(guān)203是雙向開關(guān),有三個連接端口, 一個是用于選擇性連接電阻202的端口,另一個是用于選擇性連接電阻205的端口,而第三端則固定連接電容204。當(dāng)充電開關(guān)203連接電阻202時,電容進行充電,當(dāng)充電開關(guān)203 連接電阻205而放電開關(guān)206同時連接基本輸入輸出接口 207時,電容放電。電容204的一端連接充電開關(guān)203,另一端接地。電阻205的一端連接充電開關(guān)203,另一端連接放電開關(guān)206。放電開關(guān)206的一端連接電阻205,另一端則連接基帶信號處理芯片中的基本輸入輸出接口 207,如前所述,當(dāng)充電開關(guān)203連接電阻205,同時放電開關(guān)206連接基本輸入輸出接口 207時,電容204放電,此時基本輸入輸出接口 207就會受到ESD的沖擊。因此, 在一靜電保護電阻208串聯(lián)連接在基本輸入輸出接口 207和處理單元209之間時,可衰減從基本輸入輸出電路207傳來的ESD能量,進而達到保護處理單元209的作用。
其中,高壓產(chǎn)生電路201,電阻202、205,充電開關(guān)203,放電開關(guān)206,電容204組成當(dāng)前ESD標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2規(guī)定的靜電放電模型結(jié)構(gòu)。其放電電流的情況結(jié)合圖3進行說明,圖3是ESD放電電流曲線圖,如圖3所示,在0. 7ns Ins時電流急速增大,ESD放電的能量大都集中在0. 7ns Ins的放電時間段?;趫D3的放電曲線圖得到下表的基本輸入輸出接口 207處的放電電流參數(shù)
權(quán)利要求
1.一種基帶信號處理芯片,所述基帶信號處理芯片設(shè)置有基本輸入輸出接口以及與所述基本輸入輸出接口連接的處理單元,其特征在于,所述基帶信號處理芯片進一步包括靜電保護電阻,所述靜電保護電阻的一端與所述基本輸入輸出接口連接,另一端與所述處理單元連接,以串聯(lián)于所述基本輸入輸出接口與所述處理單元之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基帶信號處理芯片,其特征在于,所述基帶信號處理芯片進一步包括恒定電壓源和上拉電阻,所述上拉電阻的一端與所述恒定電壓源連接,所述上拉電阻的另一端與所述處理單元連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基帶信號處理芯片,其特征在于,所述靜電保護電阻的電阻值設(shè)定為小于所述上拉電阻的電阻值的20%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基帶信號處理芯片,其特征在于,所述基帶信號處理芯片進一步包括下拉電阻,所述下拉電阻的一端接地,所述下拉電阻的另一端與所述處理單元連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基帶信號處理芯片,其特征在于,所述靜電保護電阻的電阻值設(shè)定為小于所述下拉電阻的電阻值的20%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基帶信號處理芯片,其特征在于,所述處理單元為中斷處理單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基帶信號處理芯片,其特征在于,所述處理單元為GPIO總線處理單元。
8.—種手機,其特征在于,所述手機包括權(quán)利要求1至9任一項所述的基帶信號處理芯片。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基帶信號處理芯片,該基帶信號處理芯片設(shè)置有基本輸入輸出接口以及與基本輸入輸出接口連接的處理單元,該基帶信號處理芯片還包括靜電保護電阻,該靜電保護電阻的一端與基本輸入輸出接口連接,另一端與處理單元連接。通過上述方式,本發(fā)明的基帶信號處理芯片通過設(shè)置一靜電保護電阻,該靜電保護電阻的一端與基本輸入輸出接口連接,另一端與處理單元連接。該靜電保護電阻能夠?qū)o電釋放的能量進行衰減,實現(xiàn)對處理單元的保護。因此,本發(fā)明能夠以簡單的結(jié)構(gòu)以及較低的成本實現(xiàn)靜電防護功能。
文檔編號H02H9/04GK102545192SQ201110410928
公開日2012年7月4日 申請日期2011年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月9日
發(fā)明者王亞輝 申請人:惠州Tcl移動通信有限公司