一種用于曝光的掩模臺的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種用于曝光工藝的掩模臺，所述掩模臺至少包括結(jié)構(gòu)：底座；設(shè)置于所述底座上且用來支撐定位光掩模X方向的第一定位件；設(shè)置于所述底座上且用來支撐定位光掩模Y方向的第二定位件；所述第一定位件為真空夾具，所述真空夾具設(shè)置于所述光掩模兩側(cè)的下表面；所述第二夾持件為設(shè)置在光掩模Y方向上兩側(cè)的若干對機(jī)械夾具。本實用新型通過在光掩模Y方向上設(shè)置若干對機(jī)械夾具對所述光掩模進(jìn)行限制，避免光掩模沿Y方向發(fā)生熱膨脹導(dǎo)致圖形疊加錯誤。
【專利說明】—種用于曝光的掩模臺
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備領(lǐng)域，特別是涉及一種用于曝光的掩模臺。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路制造中器件的尺寸越來越小，對于光刻工藝的要求也越來越高。目前，一般都是通過縮小曝光光源波長來達(dá)到曝出更小尺寸圖形的目的。然而，這種僅僅借由縮小曝光波長的方式，通常會出現(xiàn)光刻分辨率不足的問題。為了增加光刻分辨率，如今已發(fā)展出一種提高分辨率的技術(shù)一 “兩次曝光技術(shù)”，所謂“兩次曝光技術(shù)”是將需要進(jìn)行曝光的電路圖形分解成兩部分，首先曝光一部分電路圖形，然后將已曝光圖形移到鄰近地方，再對剩下的一部分電路圖形進(jìn)行曝光。采用這一技術(shù)能夠提高光刻分辨率。而當(dāng)前在“兩次曝光技術(shù)”中使用的是基于雙極照明的兩次曝光技術(shù)。同時，兩次曝光技術(shù)還應(yīng)先把布局電路圖形分解成X極(水平方向)和Y極(垂直方向)兩部分，并寫入光掩模板，形成X極掩模板電路圖形和Y極掩模板電路圖形；然后，在分別將通過X雙極孔徑的激光束對X極掩模板電路圖型進(jìn)行普光，將通過Y極孔徑的激光束對Y極掩模板電路圖形進(jìn)行曝光，曝光后圖形在晶圓上疊加從而得到實際的的電路圖。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，在進(jìn)行曝光時需要用到掩模臺100A，如圖1所示，該掩模臺100A包括:底座1A、設(shè)置于所述底座IA上的第一夾持件2A，所述夾持件2A為真空夾具，該真空夾具緊緊吸附于光掩模5A下表面兩側(cè)用于支撐固定所述光掩模5A。當(dāng)光照射到光掩模5A上一段時間后，光掩模板會發(fā)熱，繼而沿光掩模板的X方向和Y方向產(chǎn)生熱膨脹。由于現(xiàn)有技術(shù)中的掩模臺在X方向上有真空夾具的夾持，因此，光掩模板沿X方向的膨脹可以得到限制。但是，光掩模板在Y方向沒有任何限制的部件，若光掩模在Y方向發(fā)生熱膨脹，圖形將會產(chǎn)生桶形疊加(Overlap，0VL)錯誤。現(xiàn)有常用來克服疊加錯誤的方法是調(diào)整掃描透鏡的修正參數(shù)k9、kl5或kl8。但是,調(diào)整這些參數(shù)會引起鄰近效應(yīng)等問題。
[0004]因此，提供一種改進(jìn)的用于曝光工藝的掩模臺實屬必要。
實用新型內(nèi)容
[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實用新型的目的在于提供一種用于曝光工藝的掩模臺，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于光照光掩模發(fā)生Y方向上的熱膨脹而導(dǎo)致圖形疊加錯誤的問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種用于曝光工藝的掩模臺，所述用于曝光工藝的掩模臺至少包括:
[0007]底座；
[0008]設(shè)置于所述底座上且用來支撐定位光掩模X方向的第一定位件；
[0009]設(shè)置于所述底座上且用來支撐定位光掩模Y方向的若干對第二定位件。
[0010]作為本實用新型用于曝光工藝的掩模臺的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第一定位件為真空夾具，所述真空夾具設(shè)置于所述光掩模兩側(cè)的下表面。[0011]作為本實用新型用于曝光工藝的掩模臺的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第一定位件通過一固定件與所述底座固定連接。
[0012]作為本實用新型用于曝光工藝的掩模臺的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述第二定位件為機(jī)械夾具。
[0013]作為本實用新型用于曝光工藝的掩模臺的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，在所述Y方向上設(shè)置有3~8對第二定位件。
[0014]作為本實用新型用于曝光工藝的掩模臺的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，每一對所述第二定位件單獨(dú)調(diào)節(jié)施加在光掩模Y方向上的壓力。
[0015]作為本實用新型用于曝光工藝的掩模臺的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，每一對第二定位件施加在光掩模Y方向上的壓力為F，0 < F < 5000帕斯卡。
[0016]作為本實用新型用于曝光工藝的掩模臺的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，靠近光掩模中心的第二定位件所施加的壓力大于靠近光掩模兩側(cè)的第二定位件所述施加的壓力。
[0017]作為本實用新型用于曝光工藝的掩模臺的一種優(yōu)化的結(jié)構(gòu)，所述光掩模下表面的圖案區(qū)域覆蓋有用于保護(hù)光膜圖案的薄膜。
[0018]如上所述，本實用新型的用于曝光工藝的掩模臺，包括結(jié)構(gòu):底座；設(shè)置于所述底座上且用來支撐定位光掩模X方向的第一定位件；設(shè)置于所述底座上且用來支撐定位光掩模Y方向的第二 定位件；所述第一定位件為真空夾具，所述真空夾具設(shè)置于所述光掩模兩側(cè)的下表面；所述第二夾持件為設(shè)置在光掩模Y方向上兩側(cè)的若干對機(jī)械夾具。本實用新型通過在光掩模Y方向上設(shè)置若干對機(jī)械夾具對所述光掩模進(jìn)行限制，避免光掩模沿Y方向發(fā)生熱膨脹導(dǎo)致圖形疊加錯誤。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中用于曝光工藝的掩模臺的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]圖2為本實用新型的用于曝光工藝的掩模臺的剖面示意圖。
[0021]圖3為本實用新型的用于曝光工藝的掩模臺的立體示意圖。
[0022]元件標(biāo)號說明
[0023]100, 100A掩模臺
[0024]I底座
[0025]2，2A第一定位件
[0026]3第二定位件
[0027]4固定件
[0028]5, 5A光掩模
[0029]6薄膜
【具體實施方式】
[0030]以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0031]請參閱圖2至圖3。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實用新型可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實用新型可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實用新型可實施的范疇。
[0032]如圖2和3所示，本實用新型提供一種用于曝光工藝的掩模臺100，所述用于曝光工藝的掩模臺100至少包括:底座1、第一定位件2和若干對第二定位件3。
[0033]所述第一夾持件2設(shè)置于所述底座I上，用于支撐和定位所述光掩模5的X方向。優(yōu)選地，所述第一夾持件I為真空夾具，該真空夾具設(shè)置于所述光掩模5兩側(cè)的下表面。真空夾具是利用真空吸附力來固定目標(biāo)工件，尤其適用于薄膜類工件，可以避免工件變形和表面壓痕，更好地滿足裝配要求。進(jìn)一步地，所述第一定位件2通過一固定件4與所述底座I固定連接。當(dāng)光掩模5受到光照射發(fā)生X方向上的熱膨脹時，該第一夾持件2可以對該方向上的光掩模5進(jìn)行物理限制。
[0034]所述第二定位件3設(shè)置于所述底座I上，用于支撐和定位所述光掩模5的Y方向。優(yōu)選地，所述第二夾持件3可以是機(jī)械夾具。進(jìn)一步地，根據(jù)光掩模5的尺寸，在光掩模5Y方向上設(shè)置3?8對第二定位件3。作為示例，本實施例中，設(shè)置5對第二定位件3在所述光掩模5的Y方向上，且每一對第二定位件5在Y方向上一一對應(yīng)。更進(jìn)一步地，每一對第二定位件5可以單獨(dú)調(diào)節(jié)施加在光掩模5Y方向上的壓力。由于光掩模5在受到光照時，其中心發(fā)熱程度要比兩側(cè)的發(fā)熱程度高，中心Y方向上的熱膨脹要比兩側(cè)嚴(yán)重，因此，為了使光掩模5Y方向不同的熱膨脹程度得到有效遏制,一般,靠近光掩模5中心的第二定位件3所施加的壓力要大于靠近光掩模5兩側(cè)的第二定位件3的壓力，即，從中心往兩側(cè)，第二定位件3施加的壓力逐漸減小。每一對第二定位件3施加在光掩模5Y方向上的壓力設(shè)置為F，0 < F < 5000帕斯卡。在一實施例中，一對第二定位件3施加在光掩模5Y方向上的壓力為1629帕斯卡，可以抑制Y方向上3nm的應(yīng)變。
[0035]需要說明的是，在所述光掩模5的下表面還覆蓋有薄膜6 (pellicle)，該薄膜用于保護(hù)光掩模5的圖案區(qū)。
[0036]綜上所述，本實用新型提供一種用于曝光工藝的掩模臺，所述掩模臺至少包括結(jié)構(gòu):底座；設(shè)置于所述底座上且用來支撐定位光掩模X方向的第一定位件；設(shè)置于所述底座上且用來支撐定位光掩模Y方向的第二定位件；所述第一定位件為真空夾具，所述真空夾具設(shè)置于所述光掩模兩側(cè)的下表面；所述第二夾持件為設(shè)置在光掩模Y方向上兩側(cè)的若干對機(jī)械夾具。本實用新型通過在光掩模Y方向上設(shè)置若干對機(jī)械夾具對所述光掩模進(jìn)行限制，避免光掩模沿Y方向發(fā)生熱膨脹導(dǎo)致圖形疊加錯誤。
[0037]所以，本實用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0038]上述實施例僅例示性說明本實用新型的原理及其功效，而非用于限制本實用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實用新型的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本實用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種用于曝光的掩模臺，其特征在于，所述用于曝光的掩模臺至少包括: 底座； 設(shè)置于所述底座上且用來支撐定位光掩模X方向的第一定位件； 設(shè)置于所述底座上且用來支撐定位光掩模Y方向的若干對第二定位件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于曝光的掩模臺，其特征在于:所述第一定位件為真空夾具，所述真空夾具設(shè)置于所述光掩模兩側(cè)的下表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于曝光的掩模臺，其特征在于:所述第一定位件通過一固定件與所述底座固定連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于曝光的掩模臺，其特征在于:所述第二定位件為機(jī)械夾具。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于曝光的掩模臺，其特征在于:在所述Y方向上設(shè)置有3?8對第二定位件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于曝光的掩模臺，其特征在于:每一對所述第二定位件單獨(dú)調(diào)節(jié)施加在光掩模Y方向上的壓力。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于曝光的掩模臺，其特征在于:每一對第二定位件施加在光掩模Y方向上的壓力為F，0 <F< 5000帕斯卡。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于曝光的掩模臺，其特征在于:靠近所述光掩模中心的第二定位件所施加的壓力大于靠近光掩模兩側(cè)的第二定位件所述施加的壓力。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于曝光的掩模臺，其特征在于:所述光掩模下表面的圖案區(qū)域覆蓋有用于保護(hù)光膜圖案的薄膜。
【文檔編號】G03F7/20GK203825364SQ201420227106
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年5月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月6日
【發(fā)明者】李高榮, 劉洋 申請人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司