[0212] 光固化性組合物（a-5)的半衰減曝光量W與實(shí)施例1中相同的方式測量，是 1.12mJ/cm2(照度:0.12mW/cm2，曝光時間：9.3秒）。即，證實(shí)了在0.12mW/cm 2的照度和11.0秒 的曝光時間的條件下聚合轉(zhuǎn)化率達(dá)到了50% W上。此外，該值小于后述的比較例1的光固化 性組合物(b-1)的值。即，發(fā)現(xiàn)了光固化性組合物(a-5)即使當(dāng)曝光時間短于光固化性組合 物(b-1)的曝光時間時也充分地固化。
[0213] 在包括使用光固化性組合物(a-5)的納米壓印方法中，預(yù)期沒有諸如圖案傾斜等 缺陷，并且W與實(shí)施例1和2中相同的方式得到高的對準(zhǔn)精度。
[0214] [實(shí)施例6]
[0215] (1)光固化性組合物(a-6)的制備
[0216] 將下述的組分(A)、組分(B)和添加組分(C)共混。將所得混合物使用由超高分子量 聚乙締制成的孔徑為0.2WI1的過濾器過濾從而制備光固化性組合物(a-6)。
[0217] (1-1)組分(A):總計(jì)100重量份
[0218] <A-2〉丙締酸節(jié)醋（由Osaka Organic 化emical Industiy Ltd.制造，商品名：V# 160): 50重量份
[0219] <A-於由下式(5)表示的間苯二亞甲基二丙締酸醋:50重量份
[0220]
[0221 ] (1-2)組分(B):總計(jì)3.5重量份
[0222] <B-2〉Lucirin TP0(由BASF制造）：3重量份
[0223] <8-3〉4,4'-雙（二乙基氨基）二苯甲酬（由1'〇1<^〇〇16111；[。曰11]1山131:巧〔〇.,1^1(1.制 造）：0.5重量份
[0224] (1-3)除了組分(A)和組分(B)外的添加組分(C):總計(jì)0.8重量份
[0225] <C-3>聚氧乙締硬脂基酸EMULGEN 320P(由Kao Co巧oration制造）：0.8重量份
[0226] (2)通過衰減全反射紅外光譜法評價(jià)聚合轉(zhuǎn)化率
[0227] 光固化性組合物（a-6)的半衰減曝光量W與實(shí)施例1中相同的方式測量，是 0.79mJ/cm2(照度:0.12mW/cm2，曝光時間：6.6秒）。即，證實(shí)了在0.12mW/cm 2的照度和11.0秒 的曝光時間的條件下聚合轉(zhuǎn)化率達(dá)到了50% W上。此外，該值小于后述的比較例1的光固化 性組合物(b-1)的值。即，發(fā)現(xiàn)了光固化性組合物(a-6)即使當(dāng)曝光時間短于光固化性組合 物(b-1)的曝光時間時也充分地固化。
[0228] 在包括使用光固化性組合物(a-6)的納米壓印方法中，預(yù)期沒有諸如圖案傾斜等 缺陷，并且W與實(shí)施例1和2中相同的方式得到高的對準(zhǔn)精度。
[0229] [比較例1]
[0230] (1)光固化性組合物[b-U的制備
[0231] 除了在實(shí)施例1中，組分(B)改變?yōu)?重量份的<8-4〉1巧曰抓的651(由BASF制造 ）W 夕h光固化性組合物(b-1)通過與實(shí)施例1的方法相同的方法來制備。
[0232] (2)通過衰減全反射紅外光譜法評價(jià)光聚合速度
[0233] 光固化性組合物(b-1)的半衰減曝光量W與實(shí)施例1中相同的方式測量，是6.3mJ/ cm2 (照度:0.12mW/cm2，曝光時間：52.5秒）。即，證實(shí)了在0.12mW/cm=^照度和11.0秒的曝光 時間的條件下聚合轉(zhuǎn)化率是小于50%。此外，半衰減曝光量的值大于上述實(shí)施例1的光固化 性組合物(a-1)和上述實(shí)施例2的光固化性組合物(a-2)的值。即，發(fā)現(xiàn)了光固化性組合物 (b-1)需要比光固化性組合物(a-1)和(a-2)的每一個都大的曝光量W便充分地固化。
[0234] (3)納米壓印圖案的觀察
[0235] 光固化性組合物(b-1)的納米壓印圖案W與實(shí)施例1中相同的方式形成，并且用電 子顯微鏡觀察，發(fā)現(xiàn)約50% W上的圖案具有諸如傾斜等缺陷。
[0236] 此外，研究對于光固化性組合物(b-1)形成滿意的圖案而沒有如圖案傾斜等缺陷 所需要的最小的曝光量，發(fā)現(xiàn)是190mJ/cm2W上。可預(yù)見的是在該曝光量的情況下，殘留在 下一輪中的熱應(yīng)變是2.9nmW上，并且對準(zhǔn)精度低于實(shí)施例1和2中的每一個。
[0237] [比較例2]
[023引（1)光固化性組合物[b-2 ]的制備
[0239] 除了在實(shí)施例1中，組分(B)改變?yōu)?重量份的<8-2〉山(3^111 TP0(由BASF制造 ）W 夕h光固化性組合物(b-2)通過與實(shí)施例1的方法相同的方法來制備。
[0240] (2)通過衰減全反射紅外光譜法評價(jià)光聚合速度
[0241] 光固化性組合物（b-2)的半衰減曝光量W與實(shí)施例1中相同的方式測量，是 1.33mJ/cm2(照度:0.12mW/cm2，曝光時間：11.1 秒）。即，證實(shí)了在0.12mW/cm2的照度和 11.0 秒的曝光時間的條件下聚合轉(zhuǎn)化率是小于50%。此外，半衰減曝光量的值大于上述實(shí)施例1 的光固化性組合物(a-1)和上述實(shí)施例2的光固化性組合物(a-2)的值。即，發(fā)現(xiàn)光固化性組 合物(b-2)需要比光固化性組合物(a-1)和(a-2)的每一個都大的曝光量W便充分地固化。
[0242] (3)納米壓印圖案的觀察
[0243] 光固化性組合物(b-2)的納米壓印圖案W與實(shí)施例1中相同的方式形成，并且用電 子顯微鏡觀察，發(fā)現(xiàn)約50% W上的圖案具有諸如傾斜等缺陷。
[0244] 此外，研究對于光固化性組合物(b-2)形成滿意的圖案而沒有如圖案傾斜等缺陷 所需要的最小的曝光量，發(fā)現(xiàn)是60mJ/cm2W上。可預(yù)見的是在該曝光量的情況下，殘留在下 一輪中的熱應(yīng)變是2.9nmW上，并且對準(zhǔn)精度低于實(shí)施例1和2中的每一個。
[0245] 如上所述，本發(fā)明的膜的生產(chǎn)方法能夠生產(chǎn)具有高對準(zhǔn)精度且具有較少的圖案傾 斜缺陷的膜。此外，本發(fā)明的膜的生產(chǎn)方法能夠用于生產(chǎn)光學(xué)組件、電路板、和電子組件等。
[0246] 雖然已參考示例性的實(shí)施方案描述了本發(fā)明，但將理解本發(fā)明不局限于所公開的 示例性的實(shí)施方案。權(quán)利要求的范圍應(yīng)符合最寬泛的解釋，W涵蓋所有此類變型W及等同 的結(jié)構(gòu)和功能。
[0247] 本申請要求2013年9月18日提交的日本專利申請No. 2013-192965和2014年2月26 日提交的日本專利申請No. 2014-035124的權(quán)益，在此將其W其整體異參考的方式引入本 文。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種膜的生產(chǎn)方法，其包括： 將光固化性組合物配置在基板上的配置步驟； 使所述光固化性組合物和模具彼此接觸的模具接觸步驟； 用光照射所述光固化性組合物從而形成固化產(chǎn)物的光照射步驟;和 使所述固化產(chǎn)物和所述模具彼此脫離的脫模步驟， 其中所述方法進(jìn)一步包括在所述光照射步驟之前將所述模具與所述基板彼此對準(zhǔn)的 對準(zhǔn)步驟， 其特征在于，所述光固化性組合物至少包含作為組分A的聚合性化合物和作為組分B的 光聚合引發(fā)劑，并且 其中當(dāng)所述聚合性化合物在〇. 12mW/cm2的照度和11.0秒的曝光時間的條件下曝光時， 所述聚合性化合物具有50%以上的聚合轉(zhuǎn)化率。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜的生產(chǎn)方法，其在所述模具接觸步驟與所述光照射步驟之 間包括所述對準(zhǔn)步驟。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜的生產(chǎn)方法，其中在所述光照射步驟中，所述光固化性 組合物的曝光量是30mJ/cm2以下。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜的生產(chǎn)方法，其中當(dāng)將所述配置步驟、所述模具接觸步驟、 所述對準(zhǔn)步驟、所述光照射步驟和所述脫模步驟定義為一輪時，從在一輪中的脫模步驟到 下一輪中的對準(zhǔn)步驟所需的時間是1.2秒以下。5. 根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的膜的生產(chǎn)方法，其中所述光固化性組合物包含作為 所述組分A的（甲基)丙烯酸系化合物。6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的膜的生產(chǎn)方法，其中所述光固化性組合物中包含的 所述組分A包括90wt %以上的（甲基)丙烯酸系化合物。7. 根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的膜的生產(chǎn)方法，其中所述組分A包括至少任意的丙烯 酸異冰片酯、丙烯酸芐酯、新戊二醇二丙烯酸酯、1，6_己二醇二丙烯酸酯、二羥甲基三環(huán)癸 烷二丙烯酸酯、苯基乙二醇二丙烯酸酯、間苯二亞甲基二丙烯酸酯和丙烯酸2-萘基甲酯。8. 根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的膜的生產(chǎn)方法，其中所述光固化性組合物包含作為 所述組分B的芳族酮衍生物和氧化膦衍生物的之一。9. 根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的膜的生產(chǎn)方法，其中所述光固化性組合物包含作為 所述組分B的2-芐基-2-二甲基氨基-1-(4-嗎啉代苯基)-1-丁酮。10. 根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的膜的生產(chǎn)方法，其中所述光固化性組合物包含作為 所述組分B的2，4，6-三甲基苯甲?；交趸?。11. 根據(jù)權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的膜的生產(chǎn)方法，其中所述光固化性組合物包含作為 所述組分B的N，N，N'，N'_四乙基_4,4'_二氨基二苯甲酮。12. 根據(jù)權(quán)利要求1-11任一項(xiàng)所述的膜的生產(chǎn)方法，其中所述模具接觸步驟在包含冷 凝性氣體的氣體的氣氛中進(jìn)行。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的膜的生產(chǎn)方法，其中所述冷凝性氣體包括1，1，1，3，3-五氟 丙烷。14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的膜的生產(chǎn)方法，其中所述包含冷凝性氣體的氣體包括1，1， 1，3，3-五氟丙烷和氦的混合氣體。15. -種光學(xué)組件的生產(chǎn)方法，其特征在于，其包括通過根據(jù)權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述 的膜的生產(chǎn)方法得到具有預(yù)定圖案形狀的膜。16. -種光學(xué)組件的生產(chǎn)方法，其特征在于，其包括： 通過根據(jù)權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的膜的生產(chǎn)方法得到具有預(yù)定圖案形狀的膜的膜 形成步驟;和 通過使用所述膜的圖案形狀作為掩模對基板進(jìn)行蝕刻和離子注入之一的基板加工步 驟。17. -種電路板的生產(chǎn)方法，其特征在于，其包括： 通過根據(jù)權(quán)利要求1-14任一項(xiàng)所述的膜的生產(chǎn)方法得到具有預(yù)定圖案形狀的膜的膜 形成步驟； 通過使用所述膜的圖案形狀作為掩模對基板進(jìn)行蝕刻和離子注入之一的基板加工步 驟;和 在所述基板上形成電子構(gòu)件的步驟。18. -種電子組件的生產(chǎn)方法，其特征在于，其包括： 通過根據(jù)權(quán)利要求17所述的電路板的生產(chǎn)方法得到電路板;和 將所述電路板和用于控制所述電路板的控制機(jī)構(gòu)彼此連接。19. 一種光固化性組合物，其特征在于，其至少包括： 作為組分A的聚合性化合物;和 作為組分B的光聚合引發(fā)劑， 其中當(dāng)所述聚合性化合物在〇. 12mW/cm2的照度和11.0秒的曝光時間的條件下曝光時， 所述聚合性化合物具有50%以上的聚合轉(zhuǎn)化率。20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的光固化性組合物，其用于光納米壓印。
【專利摘要】一種膜的生產(chǎn)方法，其包括：將光固化性組合物配置在基板上的配置步驟；使所述光固化性組合物和模具彼此接觸的模具接觸步驟；用光照射所述光固化性組合物從而形成固化產(chǎn)物的光照射步驟；和使所述固化產(chǎn)物和所述模具彼此脫離的脫模步驟，其中所述方法進(jìn)一步包括在所述光照射步驟之前將所述模具與所述基板彼此對準(zhǔn)的對準(zhǔn)步驟，其中所述光固化性組合物至少包含作為組分(A)的聚合性化合物和作為組分(B)的光聚合引發(fā)劑，并且其中當(dāng)所述聚合性化合物在0.12mW/cm2的照度和11.0秒的曝光時間的條件下曝光時，所述聚合性化合物具有50％以上的聚合轉(zhuǎn)化率。
【IPC分類】B81C1/00, H01L21/027, B29C59/02, G03F7/20
【公開號】CN105659358
【申請?zhí)枴?br>【發(fā)明人】伊藤俊樹, 本間猛, 米澤詩織, 川崎陽司
【申請人】佳能株式會社
【公開日】2016年6月8日
【申請日】2014年9月5日