半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為能夠電寫入以及消除的讀取專用存儲(chǔ)器(EEPROM:Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory:電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)，已知有分裂柵型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。
[0003]例如，專利文獻(xiàn)I記載了包括以下的工序的分裂柵型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制造方法。以開(kāi)口的氮化硅膜為掩模對(duì)多晶硅膜進(jìn)行蝕刻后形成成為浮柵的錐狀部的第一工序。在氮化硅膜的開(kāi)口部的多晶硅膜上形成第一熱氧化膜的第二工序。在氮化硅膜的開(kāi)口部的側(cè)壁形成覆蓋多晶硅膜的錐狀部的第一 NSG膜的隔離物的第三工序。對(duì)第一 NSG膜的隔離物實(shí)施熱處理使其成為致密的膜的第四工序。在第一 NSG膜的隔離物的內(nèi)側(cè)形成第二 NSG膜的隔離物的第五工序。以填埋氮化硅膜的開(kāi)口部的方式形成多晶硅芯棒之后，在多晶硅芯棒上形成第二熱氧化膜的第六工序。僅除去氮化硅膜的第七工序。將第一 NSG膜的隔離物、第二 NSG膜的隔離物以及第二熱氧化膜作為掩模對(duì)多晶硅膜進(jìn)行蝕刻的第八工序。除去第一 NSG膜的隔離物的第九工序。
[0004]另一方面，在專利文獻(xiàn)2記載了包括以下的工序的分裂柵型的存儲(chǔ)單元的制造方法。在半導(dǎo)體基板上隔著絕緣膜形成浮柵的工序。在半導(dǎo)體基板的表面經(jīng)由上述絕緣膜形成與浮柵部分地重疊的源極區(qū)域的工序。在浮柵上形成隧道絕緣膜的工序。在浮柵上以及與浮柵鄰接的半導(dǎo)體基板上經(jīng)由隧道絕緣膜形成控制柵的工序。將控制柵作為掩模，在半導(dǎo)體基板中注入雜質(zhì)離子形成低濃度的漏極區(qū)域的工序。在控制柵的側(cè)壁形成第一隔離物膜的工序。將第一隔離物膜以及控制柵作為掩模，在半導(dǎo)體基板中注入雜質(zhì)離子形成高濃度的漏極區(qū)域的工序。
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2004 - 200181號(hào)公報(bào)
[0006]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2006 - 179736號(hào)公報(bào)
[0007]分裂柵型的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器為了針對(duì)浮柵自對(duì)準(zhǔn)地形成作為字線發(fā)揮作用的控制柵而使用由絕緣體構(gòu)成的隔離物。隔離物層疊在浮柵上，也使用于浮柵的圖案化?？刂茤磐ㄟ^(guò)在浮柵的圖案化后，以覆蓋浮柵以及隔離物的方式形成多晶硅等的柵極部件，并對(duì)其進(jìn)行蝕刻來(lái)形成。
[0008]在以往的制造方法中，柵極部件的成膜時(shí)的形狀受到隔離物的形狀的影響而成為外伸形狀(參照?qǐng)D9B)。有在具有外伸形狀的柵極部件的表面為了形成周邊電路而設(shè)有絕緣膜的情況，該絕緣膜沿柵極部件的外伸形狀形成。在柵極部件的蝕刻處理中，與柵極部件一起同時(shí)進(jìn)行絕緣膜的蝕刻。然而，存在由于柵極部件的外伸形狀而絕緣膜的蝕刻晚于柵極部件的蝕刻，在蝕刻處理的完成時(shí)刻絕緣膜呈突起狀殘存，而在控制柵的端部產(chǎn)生突起部的情況(參照?qǐng)D10B)。其后，即使想要為了減小控制柵的電阻，而通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)硅化物工序在控制柵的上表面形成硅化物層等金屬化合物層，由于在控制柵生成上述的突起狀的結(jié)構(gòu)物也阻礙金屬化合物層的形成，難以控制柵的低電阻化。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明是鑒于上述的點(diǎn)而完成的，目的在于消除柵極部件的成膜時(shí)的外伸形狀，抑制成為阻礙柵極上表面的金屬化合物層的形成的原因的突起狀的結(jié)構(gòu)物的產(chǎn)生。
[0010]本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括:在半導(dǎo)體基板上隔著柵極絕緣膜形成第一柵極部件的工序；在上述第一柵極部件上形成隔離物的工序；使上述隔離物的表面平坦化的工序；將上述隔離物作為掩模對(duì)上述第一柵極部件進(jìn)行局部蝕刻形成第一柵極的工序；以覆蓋上述第一柵極以及表面被平坦化的上述隔離物的方式形成第二柵極部件的工序；在上述第二柵極部件的表面形成第一絕緣膜的工序；以及通過(guò)蝕刻除去上述第一絕緣膜并使上述第二柵極部件后退形成第二柵極的工序。
[0011]本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置包括:半導(dǎo)體基板；第一柵極，其隔著柵極絕緣膜設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板上；隔離物，其設(shè)置在上述第一柵極上并且表面被平坦化；第二柵極，其在上述半導(dǎo)體基板上與上述第一柵極以及上述隔離物鄰接地設(shè)置；源極和漏極，它們?cè)O(shè)置在夾著上述第一柵極以及上述第二柵極的位置；源極布線，其與上述源極電連接；以及金屬化合物層，其分別設(shè)置在上述第二柵極的上表面、上述源極布線的上表面以及上述漏極的上表面。
[0012]根據(jù)本發(fā)明，能夠消除柵極部件的成膜時(shí)的外伸形狀，能夠抑制成為阻礙柵極上表面的金屬化合物層的形成的原因的突起狀的結(jié)構(gòu)物的產(chǎn)生。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0014]圖1B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0015]圖1C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0016]圖1D是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0017]圖2A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0018]圖2B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0019]圖2C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0020]圖2D是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0021]圖3A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0022]圖3B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0023]圖3C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0024]圖3D是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0025]圖4A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0026]圖4B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0027]圖4C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0028]圖5A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0029]圖5B是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0030]圖5C是表示本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0031]圖6A是表示比較例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0032]圖6B是表示比較例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0033]圖6C是表示比較例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0034]圖7A是表示比較例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0035]圖7B是表示比較例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0036]圖7C是表示比較例所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖。
[0037]圖8A是表示應(yīng)用了比較例所涉及的制造方法的情況下的多晶硅膜以及絕緣膜被蝕刻的樣子的剖視圖。
[0038]圖SB是表示應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的制造方法的情況下的多晶硅膜以及絕緣膜被蝕刻的樣子的剖視圖。
[0039]圖SC是表示多晶硅膜的臺(tái)階部的形狀成為錐狀的情況下的多晶硅膜以及絕緣膜被蝕刻的樣子的剖視圖。
[0040]圖9A是表示應(yīng)用了本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的制造方法的情況下的多晶硅膜的敷層形狀的SEM像。
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