性地施加控制柵偏壓211，耦合至源極線22以選擇性地施加源極線偏 壓205、耦合至字線25以選擇性地施加字線偏壓202,以及耦合至字線26以選擇性地施加 字線偏壓212。
[0022] 在圖5的實施例下，單元101和單元111都可以使用擦除柵31來擦除（如在現(xiàn)有 技術(shù)中）。然而，如果期望僅僅擦除單元101而不擦除單元111 (或更一般地，擦除單元101 所位于的行但不擦除單元111所位于的行），則當允許擦除單元101時各種配置可以用來抑 制擦除單元111。
[0023] 在第一配置中，Vee的偏壓被施加為控制柵偏壓211。用于Vee的一個可能范圍是 7-20V。此后，單元101可以使用下面在表2中包含的值來擦除，但是作為控制柵偏壓211 的Vee的施加將抑制擦除單元111。 表2 :
[0024] 在第二配置中，Vee的偏壓被施加為控制柵偏壓211，以及大約0至3V的偏壓作為 源極線偏壓205被施加至源極線22。這允許了較低的電壓用于擦除柵31 (Vee而不是大約 9V)。單元101可以使用下面在表3中包含的值來擦除，但是單元111的擦除將被抑制。 表3 :
[0025] 在第三配置中，大約3至~20V的偏壓被施加為控制柵偏壓211，大約-3至~-20V 的偏壓被施加為控制柵偏壓201，并且大約0V的偏壓作為源極線偏壓205被施加至源極線 22。單元101可以使用下面在表3中包含的值來擦除，但是單元111的擦除將被抑制。 表4 :
[0026] 在第四配置中，大約9V的偏壓被施加為控制柵偏壓211，以及大約-9V的偏壓被施 加為控制柵偏壓201，以及Vcc的偏壓被施加為字線偏壓212。用于Vcc的一種可能范圍是 0. 8至~5V。單元101可以使用下面在表5中包含的值來擦除，但是單元111的擦除將被 抑制。 表5 :
[0027] 表2-5描繪了用來執(zhí)行擦除、讀以及編程功能所要求的操作電壓。WL指的是字線 25或字線26, BL指的是位線23或位線24, SL指的是源極線22, CG指的是控制柵27或控 制柵28,以及EG指的是擦除柵31。"Sel. "指的是選擇狀態(tài)，以及"Unsel. "指的是未選擇 狀態(tài)。用于Vcc、Vpp和Vee的值的示例分別是0. 8至~5V、6至~20V和6至~20V。將 理解的是，以上描繪的配置僅僅是示例性的并且其它的配置是可能的，并且上述配置中的 兩個或更多的配置可以組合在一起。
[0028] 上述的四種配置基于相同的原則。單元是否被擦除取決于在浮柵和擦除柵之間 (例如，針對單元101的浮柵29和擦除柵31之間，以及針對單元111的浮柵30和擦除柵 31之間）的電勢。如果該電勢高于福勒-諾德海姆隧穿電壓，則擦除將發(fā)生。否則，擦除將 不發(fā)生。因此，通過施加在以上四種配置中描繪的偏壓，可能的是，在允許擦除相同的對中 的其它單元的同時，選擇性地針對未選擇的行提高FG電勢并抑制擦除一個單元。這可以用 來在允許擦除相同的扇區(qū)內(nèi)的另一行單元的同時抑制擦除扇區(qū)內(nèi)的一行單元。
[0029] 本文中對本發(fā)明的引用不意在限制任何權(quán)利要求或權(quán)利要求項的范圍，而相反僅 參考可以由權(quán)利要求中的一個或多個權(quán)利要求覆蓋的一個或多個特征。上述材料、處理和 數(shù)量示例僅僅是示例性的，而不應(yīng)當被視為限制權(quán)利要求。應(yīng)當注意的是，如本文中使用 的，術(shù)語"在……上方"和"在……上"都開放式地包括"直接在……上"（沒有放置在其間的 中間材料、元件或空間）以及"間接在...上"（有放置在其間的中間材料、元件或空間）。 同樣地，術(shù)語"鄰近"包括"直接鄰近"（沒有放置在其間的中間材料、元件或空間）和"間接 鄰近"（有放置在其間的中間材料、元件或空間）。例如，"在襯底上方"形成元件可以包括 直接地在該襯底上形成該元件，其中沒有在其間的中間材料/元件，以及間接地在該襯底 上形成該元件，其中有在其間的一個或多個中間材料/元件。
【主權(quán)項】
1. 一種閃存存儲器系統(tǒng)，包括： 扇區(qū)，包括第一行閃存存儲器單元和第二行閃存存儲器單元，其中所述第一行和所述 第二行共享擦除柵；以及 控制邏輯，用于在允許擦除所述第一行的同時抑制擦除所述第二行。2. 權(quán)利要求1所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述控制邏輯將偏壓施加至所述第二行的 控制柵。3. 權(quán)利要求2所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述控制邏輯將偏壓施加至所述第一行的 控制柵。4. 權(quán)利要求3所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述控制邏輯將偏壓施加至由所述第一行 和所述第二行共享的源極線。5. 權(quán)利要求3所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述控制邏輯將偏壓施加至所述第一行的 字線。6. 權(quán)利要求1所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一行和所述第二行共享襯底。7. 權(quán)利要求1所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和第二多行 閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。8. 權(quán)利要求2所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和所述第二 多行閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。9. 權(quán)利要求3所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和所述第二 多行閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。10. 權(quán)利要求4所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和所述第 二多行閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。11. 權(quán)利要求5所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和所述第 二多行閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。12. 權(quán)利要求6所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和所述第 二多行閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。13. -種擦除閃存存儲器系統(tǒng)扇區(qū)的部分的方法，所述扇區(qū)包括第一行閃存存儲器單 元和第二行閃存存儲器單元，其中所述第一行和第二行共享擦除柵，包括： 將一個或多個偏壓施加至所述第二行；以及 將信號施加至所述擦除柵以在不擦除所述第二行的同時擦除所述第一行。14. 權(quán)利要求13所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述控制邏輯將偏壓施加至所述第二行 的控制柵。15. 權(quán)利要求14所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述控制邏輯將偏壓施加至所述第一行 的控制柵。16. 權(quán)利要求15所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述控制邏輯將偏壓施加至由所述第一 行和所述第二行共享的源極線。17. 權(quán)利要求15所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述控制邏輯將偏壓施加至所述第一行 的字線。18. 權(quán)利要求13所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一行和所述第二行共享襯底。19. 權(quán)利要求13所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中第一多行閃存存儲器單元和第二多行閃 存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。20. 權(quán)利要求14所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和所述第 二多行閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。21. 權(quán)利要求15所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和所述第 二多行閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。22. 權(quán)利要求16所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和所述第 二多行閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。23. 權(quán)利要求17所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和所述第 二多行閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。24. 權(quán)利要求18所述的閃存存儲器系統(tǒng)，其中所述第一多行閃存存儲器單元和所述第 二多行閃存存儲器單元均包括分裂柵閃存存儲器單元。
【專利摘要】抑制擦除分裂柵閃存存儲器單元扇區(qū)的部分的系統(tǒng)和方法。公開了一種在允許扇區(qū)的剩余部分被擦除的同時抑制擦除分裂柵閃存存儲器單元扇區(qū)的部分的系統(tǒng)和方法。該抑制由控制邏輯控制，所述控制邏輯將一個或多個偏壓施加至其擦除將被抑制的扇區(qū)的部分。
【IPC分類】G11C16/02, G11C16/06
【公開號】CN105609131
【申請?zhí)枴緾N201410447574
【發(fā)明人】J·金, N·杜, Y·特卡徹夫, 余啟文, 錢曉州, 白寧
【申請人】硅存儲技術(shù)公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2014年7月22日
【公告號】US20160027517