層厚度。
[0223]在阻擋層104上或上方，或者如果阻擋層104是可選的:在玻璃襯底102上或上方，可以施加根據(jù)不同的設(shè)計(jì)方案的玻璃層504。
[0224]玻璃層504的其他詳細(xì)說(shuō)明可以從說(shuō)明書和/或?qū)D4和圖5的描述中獲得。
[0225]在玻璃層504上或上方，可以設(shè)置發(fā)光器件100的電有源區(qū)域106。電有源區(qū)域106可以理解為發(fā)光器件100的其中有用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件100的電流流動(dòng)的區(qū)域。
[0226]在不同的實(shí)施例中，電有源區(qū)域106可以具有第一電極110、第二電極114和有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112，如其在下面更詳細(xì)闡述的那樣。
[0227]因此，在不同的實(shí)施例中，在玻璃層504上或上方可以施加有第一電極110(例如以第一電極層110的形式)。第一電極110(在下文中也稱為下部電極110)可以由導(dǎo)電材料形成或者是導(dǎo)電材料，例如由金屬或透明導(dǎo)電氧化物(transparent conductiveoxide, TCO)形成或由相同金屬的或不同金屬的和/或相同TCO的或不同TCO的多個(gè)層的層堆來(lái)形成。透明導(dǎo)電氧化物是透明導(dǎo)電材料，例如金屬氧化物，例如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦或銦錫氧化物(ITO)。除了二元金屬氧化物例如2110、31102或In2O3以外，三元金屬氧化物例如 AlZnO、Zn2SnO4N CdSn03、ZnSnO3> Mgln204、Galn03、Zn2In2O5HJc In 4Sn3012或不同的透明導(dǎo)電氧化物的混合物也屬于TCO族并且可以在不同的實(shí)施例中使用。此外，TCO并不一定符合化學(xué)計(jì)量的組分并且還可以是P型摻雜的或η型摻雜的。
[0228]在不同的實(shí)施例中，第一電極110可以具有金屬；例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Ca、Sm或L1、以及這些材料的化合物、組合或合金。
[0229]在不同的實(shí)施例中，可以由在TCO層上的金屬層的組合的層堆形成第一電極110，或者反之。一個(gè)示例是施加在銦錫氧化物層(ITO)上的銀層(ΙΤ0上的Ag)或ITO-Ag-1TO復(fù)層。
[0230]在不同的實(shí)施例中，替選于或附加于上述材料，第一電極110可以具有下述材料中的一種或多種:由金屬的納米線(例如由Ag構(gòu)成)和納米微粒構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；由碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)；石墨微粒和石墨層；由半導(dǎo)體納米線構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)。
[0231]此外，第一電極110可以具有導(dǎo)電聚合物或過(guò)渡金屬氧化物或?qū)щ娡该餮趸铩?br>[0232]在不同的實(shí)施例中，第一電極110和玻璃襯底102可以構(gòu)成為是半透明的或透明的。在第一電極110具有金屬或由其形成的情況下，第一電極110例如可以具有小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約18nm的層厚度。此外，第一電極110例如可以具有大于或等于大約1nm的層厚度、例如大于或等于大約15nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，第一電極110可以具有在大約1nm至大約25nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約1nm至大約18nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約15nm至大約18nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0233]此外，對(duì)于第一電極110具有透明導(dǎo)電氧化物(TCO)或由其形成的情況而言，第一電極110例如可以具有在大約50nm至大約500nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約75nm至大約250nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約10nm至大約150nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0234]此外，對(duì)于第一電極110例如由可與導(dǎo)電聚合物組合的金屬的納米線(如由Ag構(gòu)成)構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)形成、由可與導(dǎo)電聚合物組合的碳納米管構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)形成或者由石墨層和復(fù)合材料形成的情況而言，第一電極110例如可以具有在大約Inm至大約500nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約1nm至大約400nm范圍內(nèi)的層厚度、例如在大約40nm至大約250nm范圍內(nèi)的層厚度。
[0235]第一電極110可以構(gòu)成為陽(yáng)極、即構(gòu)成為注入空穴的電極，或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu)成為注入電子的電極。
[0236]第一電極110可以具有第一電接觸墊，第一電勢(shì)(由能量源(未不出)、例如由電流源或電壓源提供)可以施加到所述第一電接觸墊上。替選地，第一電勢(shì)可以施加到玻璃襯底102上或者是施加到玻璃襯底102上的，并且然后經(jīng)由此間接地施加到第一電極110上或者是施加到第一電極110上的。第一電勢(shì)例如可以是接地電勢(shì)或者是不同地預(yù)設(shè)的參考電勢(shì)。
[0237]此外，發(fā)光器件100的電有源區(qū)域106可以具有有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112，所述有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)是施加在第一電極110上或上方的或者構(gòu)成在第一電極110上或上方。
[0238]有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112可以具有一個(gè)或多個(gè)發(fā)射器層118、例如具有發(fā)熒光的和/或發(fā)磷光的發(fā)射器的發(fā)射器層，以及一個(gè)或多個(gè)空穴傳導(dǎo)層116 (也稱作空穴傳輸層120)。
[0239]在不同的實(shí)施例中，替選地或附加地，可以設(shè)有一個(gè)或多個(gè)電子傳導(dǎo)層116 (也稱作電子傳輸層116)。
[0240]可以在根據(jù)不同實(shí)施例的發(fā)光器件100中用于發(fā)射器層118的發(fā)射器材料的實(shí)例包括:有機(jī)的或有機(jī)金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基的衍生物(例如2-或2，5-取代的聚對(duì)苯乙炔);以及金屬絡(luò)合物，例如銥絡(luò)合物，如發(fā)藍(lán)色磷光的FIrPic (雙(3，5- 二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)-銥III)、發(fā)綠色磷光的Ir (ppy) 3 (三(2-苯基吡啶)銥III)、發(fā)紅色磷光的Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)(三[4，4’ - 二-叔-丁基-(2，2’)-聯(lián)吡啶]釕(III)絡(luò)合物)、以及發(fā)藍(lán)色熒光的DPAVBi (4，4-雙[4-(二-對(duì)-甲苯氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯)、發(fā)綠色熒光的TTPA (9，10-雙[隊(duì)^二-(對(duì)-甲苯基)-氨基]蒽)和發(fā)紅色熒光的DCM2(4- 二氰亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作為非聚合物發(fā)射器。這種非聚合物發(fā)射器例如可以借助于熱蒸鍍來(lái)沉積。此外，可以使用聚合物發(fā)射器，所述聚合物發(fā)射器尤其可以借助于濕法化學(xué)法、例如旋涂法(也稱作SpinCoating)來(lái)沉積。
[0241]發(fā)射器材料可以以適合的方式嵌在基質(zhì)材料中。
[0242]需要指出的是，在其他的實(shí)施例中同樣設(shè)有其他適合的發(fā)射器材料。
[0243]發(fā)光器件100的一個(gè)或多個(gè)發(fā)射器層118的發(fā)射器材料例如可以選擇為，使得發(fā)光器件100發(fā)射白光。一個(gè)或多個(gè)發(fā)射器層118可以具有多種發(fā)射不同顏色(例如藍(lán)色和黃色或者藍(lán)色、綠色和紅色)的發(fā)射器材料，替選地，一個(gè)或多個(gè)發(fā)射器層118也可以由多個(gè)子層構(gòu)成，如發(fā)藍(lán)色熒光的發(fā)射器層118或發(fā)藍(lán)色磷光的發(fā)射器層118、發(fā)綠色磷光的發(fā)射器層118和發(fā)紅色磷光的發(fā)射器層118。通過(guò)不同顏色的混合，可以得到具有白色色彩印象的光的發(fā)射。替選地，也可以設(shè)計(jì)為，在通過(guò)這些層產(chǎn)生的初級(jí)發(fā)射的光路中設(shè)置有轉(zhuǎn)換器材料，所述轉(zhuǎn)換器材料至少部分地吸收初級(jí)輻射并且發(fā)射其他波長(zhǎng)的次級(jí)輻射，使得從(還不是白色的)初級(jí)輻射通過(guò)將初級(jí)輻射和次級(jí)輻射組合得到白色色彩印象。
[0244]有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112通?？梢跃哂幸粋€(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層。一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層可以具有有機(jī)聚合物、有機(jī)低聚物、有機(jī)單體、非聚合物的有機(jī)小分子(“小分子(smallmolecules)")或這些材料的組合。例如，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112可以具有構(gòu)成為空穴傳輸層120的一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層，使得例如在OLED的情況下可以實(shí)現(xiàn)將空穴有效地注入到進(jìn)行電致發(fā)光的層或進(jìn)行電致發(fā)光的區(qū)域中。替選地，在不同的實(shí)施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112可以具有構(gòu)成為電子傳輸層116的一個(gè)或多個(gè)功能層，使得例如在OLED中可以實(shí)現(xiàn)將電子有效地注入到進(jìn)行電致發(fā)光的層或進(jìn)行電致發(fā)光的區(qū)域中。例如可以使用叔胺、咔唑衍生物、導(dǎo)電的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作為用于空穴傳輸層120的材料。在不同的實(shí)施例中，一個(gè)或多個(gè)電致發(fā)光層可以構(gòu)成為進(jìn)行電致發(fā)光的層。
[0245]在不同的實(shí)施例中，空穴傳輸層120可以施加例如沉積在第一電極110上或上方，并且發(fā)射器層118可以施加例如沉積在空穴傳輸層120上或上方。在不同的實(shí)施例中，電子傳輸層116可以施加例如沉積在發(fā)射器層118上或上方。
[0246]在不同的實(shí)施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112(即例如空穴傳輸層120和發(fā)射器層118和電子傳輸層116的厚度的總和)具有最大為大約1.5 μπι的層厚度、例如最大為大約
1.2 μπι的層厚度、例如最大為大約Iym的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112例如可以具有多個(gè)直接相疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)的堆，其中每個(gè)OLED例如可以具有最大為大約1.5 ym的層厚度、例如最大為大約1.2 μπι的層厚度、例如最大為大約I μπι的層厚度、例如最大為大約800nm的層厚度、例如最大為大約500nm的層厚度、例如最大為大約400nm的層厚度、例如最大為大約300nm的層厚度。在不同的實(shí)施例中，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112例如可以具有兩個(gè)、三個(gè)或四個(gè)直接彼此相疊設(shè)置的OLED的堆，在此情況下，有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)112例如可以具有最大為大約3 μπι的層厚度。
[0247]發(fā)光器件100可選地通?？梢跃哂辛硗獾挠袡C(jī)功能層，所述另外的有機(jī)功能層例如設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)發(fā)射器層118上或上方或者設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)電子傳輸層116上或上方，其用于進(jìn)一步改進(jìn)發(fā)光器件100的功能性并由此進(jìn)一步改進(jìn)效率。
[0248]在有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)110上或上方或者必要時(shí)在一個(gè)或多個(gè)另外的有機(jī)功能層結(jié)構(gòu)上或上方可以施加有第二電極114 (例如以第二電極層114的形式)。
[0249]在不同的實(shí)施例中，第二電極114可以具有與第一電極110相同的材料或者由其形成，其中在不同的實(shí)施例中金屬是特別適合的。
[0250]在不同的實(shí)施例中，第二電極114(例如對(duì)于金屬的第二電極114的情況而言)例如可以具有例如小于或等于大約50nm的層厚度、例如小于或等于大約45nm的層厚度、例如小于或等于大約40nm的層厚度、例如小于或等于大約35nm的層厚度、例如小于或等于大約30nm的層厚度、例如小于或等于大約25nm的層厚度、例如小于或等于大約20nm的層厚度、例如小于或等于大約15nm的層厚度、例如小于或等于大約1nm的層厚度。
[0251 ] 第二電極114通?？梢砸耘c第一電極110相似的或不同的方式構(gòu)成或者是這樣構(gòu)成的。第二電極114在不同的實(shí)施例中可以由材料中的一種或多種并且以相應(yīng)的層厚度構(gòu)成或者是這樣構(gòu)成的，如在上面結(jié)合第一電極110所描述的那樣。在不同的實(shí)施例中，第一電極110和第二電極114這兩者都透明地或半透明地構(gòu)成。因此，在圖1中示出的發(fā)光器件100可以構(gòu)建成頂部和底部發(fā)射器(換言之作為透明的發(fā)光器件100)。
[0252]第二電極114可以構(gòu)成為陽(yáng)極、即構(gòu)成為注入空穴的電極，或者構(gòu)成為陰極、即構(gòu)成為注入電子的電極。
[0253]第二電極114可以具有第二電端子，由能量源提供的第二電勢(shì)(所述第二電勢(shì)與第一電勢(shì)不同)可以施加到所述第二電端子上。第二電勢(shì)例如可以具有一定數(shù)值，使得與第一電勢(shì)的差具有在大約1.5V至大約20V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約2.5V至大約15V范圍內(nèi)的數(shù)值、例如在大約3V至大約12V范圍內(nèi)的數(shù)值。
[0254]在第二電極114上或上方并進(jìn)而在電有源區(qū)域106上或上方可選地還可以形成或形成有封裝件108，例如阻擋薄層/薄層封裝件108的形式的封裝件。
[0255]“阻擋薄層”108或“阻擋薄膜”108在本申請(qǐng)的范圍內(nèi)例如可以理解成下述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)，所述層或?qū)咏Y(jié)構(gòu)適合于形成對(duì)化學(xué)雜質(zhì)或大氣物質(zhì)、尤其對(duì)水(濕氣)和氧的阻擋。換言之:阻擋薄層108構(gòu)成為，使得其不可以或至多極其少部分被損壞OLED的物質(zhì)例如水、氧或溶劑穿過(guò)。
[0256]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層108可以構(gòu)成為單獨(dú)的層(換言之，構(gòu)成為單層)。根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層108可以具有多個(gè)彼此相疊構(gòu)成的子層。換言之:根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層108可以構(gòu)成為層堆(Stack)。阻擋薄層108或阻擋薄層108的一個(gè)或多個(gè)子層例如可以借助于適合的沉積方法來(lái)形成，例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案借助于原子層沉積方法(Atomic Layer Deposit1n (ALD))來(lái)形成，例如為等離子體增強(qiáng)的原子層沉積方法(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposit1n (PEALD))或無(wú)等離子體的原子層沉積方法(Plasma-less Atomic Layer Deposit1n (PLALD))，或根據(jù)另一個(gè)設(shè)計(jì)方案借助于化學(xué)氣相沉積方法(Chemical Vapor Deposit1n (CVD))來(lái)形成，例如為等離子體增強(qiáng)的氣相沉積方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposit1n (PECVD))或無(wú)等離子體的氣相沉積方法(Plasma-less Chemical Vapor Deposit1n (PLCVD))，或者替選地借助于另外適合的沉積方法來(lái)形成。
[0257]通過(guò)應(yīng)用原子層沉積方法(ALD)可以沉積極其薄的層。尤其地，可以沉積層厚度在原子層范圍內(nèi)的層。
[0258]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，在具有多個(gè)子層的阻擋薄層108中，可以借助于原子層沉積方法形成全部子層。僅具有ALD層的層序列也可以稱作為“納米疊層(Nanolaminat) ”。
[0259]根據(jù)一個(gè)替選的設(shè)計(jì)方案，在具有多個(gè)子層的阻擋薄層108中，可以借助于不同于原子層沉積方法的沉積方法來(lái)沉積阻擋層108的一個(gè)或多個(gè)子層，例如借助于氣相沉積方法來(lái)沉積。
[0260]阻擋層108根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案可以具有大約0.1nm ( 一個(gè)原子層)至大約100nm的層厚度，例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約1nm至大約10nm的層厚度、例如根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案為大約40nm的層厚度。
[0261]根據(jù)阻擋薄層108具有多個(gè)子層的設(shè)計(jì)方案，全部子層可以具有相同的層厚度。根據(jù)另一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層108的各個(gè)子層可以具有不同的層厚度。換言之:子層中的至少一個(gè)子層可以具有不同于子層中的一個(gè)或多個(gè)其他子層的層厚度。
[0262]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層108或阻擋薄層108的各個(gè)子層可以構(gòu)成為半透明的或透明的層。換言之:阻擋薄層108(或阻擋薄層108的各個(gè)子層)可以由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料混合物)構(gòu)成。
[0263]根據(jù)一個(gè)設(shè)計(jì)方案，阻擋薄層108或(在具有多個(gè)子層的層堆的情況下)阻擋薄層108的子層中的一個(gè)或多個(gè)子層具有下述材料中的一種或由下述材料中的一種構(gòu)成:氧化鋁、氧化鋅、氧化錯(cuò)、氧化鈦、氧化給、氧化鉭、氧化鑭、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁摻雜的氧化鋅、以及它們的混合物和合金。在不同的實(shí)施例中，阻擋薄層108或(在具有多個(gè)子層的層堆的情況下)阻擋薄層108的子層中的一個(gè)或多個(gè)子層具有一種或多種高折射率的材料，換言之具有一種或多種具有高折射率的材料，例如具有至少為2的折射率的材料。
[0264]在一個(gè)設(shè)計(jì)方案中，例如由玻璃構(gòu)成的覆蓋件126例如可以借助于通過(guò)玻璃焊料的玻璃料連接(英語(yǔ)為，glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding)施加到有機(jī)光電子器件100的具有阻擋薄層108的幾何的邊緣區(qū)域中。
[0265]在不同的實(shí)施例中，可以在阻擋薄層108上或上方設(shè)有粘接劑和/或保護(hù)漆124，借助于所述粘接劑和/或保護(hù)漆例如將覆蓋件126 (例如玻璃覆蓋件126)固定例如粘貼在阻擋薄層108上。在不同的實(shí)施例中，由粘接劑和/或保護(hù)漆124構(gòu)成的光學(xué)半透明層可以具有大于I μπι的層厚度，例如數(shù)微米的層厚度。在不同的實(shí)施例中，粘接劑可以具有層壓粘接劑或是層壓粘接劑