一種寬幅聚酰亞胺膜帶的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于膜帶制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種寬幅聚酰亞胺膜帶。
【背景技術(shù)】
[0002]聚酰亞胺膜包括均苯型聚酰亞胺薄膜和聯(lián)苯型聚酰亞胺薄膜兩類。前者為美國杜邦公司產(chǎn)品，商品名Kapton，由均苯四甲酸二酐與二苯醚二胺制得。后者由日本宇部興產(chǎn)公司生產(chǎn)，商品名Upilex，由聯(lián)苯四甲酸二酐與二苯醚二胺(R型)或間苯二胺(S型)制得。薄膜制備方法為:聚酰胺酸溶液流延成膜、拉伸后，高溫酰亞胺化。薄膜呈黃色透明，相對密度1.39?1.45，有突出的耐高溫、耐輻射、耐化學(xué)腐蝕和電絕緣性能，可在250?280°C空氣中長期使用。玻璃化溫度分別為280°C (Upilex R)、385°C (Kapton)和500°C以上(Upilex S)。20°C時(shí)拉伸強(qiáng)度為200MPa，200°C時(shí)大于lOOMPa。特別適宜用作柔性印制電路板基材和各種耐高溫電機(jī)電器絕緣材料。完善聚酰亞胺薄膜關(guān)鍵性工藝技術(shù)隨著有關(guān)聚酰亞胺研究的不斷深入，我國自行生產(chǎn)聚酰亞胺薄膜技術(shù)也將逐漸完善，生產(chǎn)成本也會逐漸降低。我國研發(fā)的高性能聚酰亞胺薄膜成功實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化后，將會促使國內(nèi)高性能聚酰亞胺薄膜的價(jià)格下降，減少其應(yīng)用領(lǐng)域的成本，這對我國電子電器等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展十分有利。當(dāng)前急需積極開發(fā)專用樹脂的制備和穩(wěn)定的生產(chǎn)工藝技術(shù)，為聚酰亞胺薄膜產(chǎn)業(yè)化提供堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，同時(shí)填補(bǔ)我國在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的空白，打破國外對這一技術(shù)的壟斷，并能為國內(nèi)發(fā)展這類高新技術(shù)材料提供全套成熟的關(guān)鍵性技術(shù)，推動(dòng)我國行業(yè)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級，助力我國從生產(chǎn)大國向技術(shù)強(qiáng)國的轉(zhuǎn)變。目前實(shí)際應(yīng)用的寬幅聚酰亞胺膜帶均是多層薄膜擠壓成型，薄膜之間的膠粘劑容易溢出，影響美觀。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型提供及一種寬幅聚酰亞胺膜帶，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的膠粘劑溢出問題。
[0004]本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):本實(shí)用新型提供及一種寬幅聚酰亞胺膜帶，其特征在于:包括第一上層薄膜、第二上層薄膜，第一下層薄膜、第二下層薄膜，所述第一上層薄膜、第二上層薄膜，第一下層薄膜、第二下層薄膜等長，所述第一上層薄膜、第二上層薄膜之間設(shè)有上夾層薄膜，所述上夾層薄膜長度小于第一上層薄膜的長度，所述第一上層薄膜與上夾層薄膜之間設(shè)有第一上層粘膠劑，所述第二上層薄膜與上夾層薄膜之間設(shè)有第二上層粘膠劑，所述第一上層薄膜的下底面設(shè)有第一上凹槽，所述上夾層薄膜的上表面設(shè)有第一下凹槽，所述第一下凹槽與第一上凹槽位置相對，所述上夾層薄膜的下底面設(shè)有第二上凹槽，所述第二上層薄膜的上表面設(shè)有第二下凹槽，所述第二下凹槽與第二上凹槽位置相對，所述第一下層薄膜、第二下層薄膜之間設(shè)有下夾層薄膜，所述下夾層薄膜長度小于第一下層薄膜的長度，所述第一下層薄膜與下夾層薄膜之間設(shè)有第一下層粘膠劑，所述下夾層薄膜與第二下層薄膜之間設(shè)有第二下層粘膠劑，所述第一下層薄膜的下底面設(shè)有第三上凹槽，所述下夾層薄膜的上表面設(shè)有第三下凹槽，所述第三下凹槽與第三上凹槽位置相對，所述下夾層薄膜的下底面設(shè)有第四上凹槽，所述第二下層薄膜的上表面設(shè)有第四下凹槽，所述第四下凹槽與第四上凹槽位置相對，所述第二上層薄膜的下底面設(shè)有限位凸塊，所述第一下層薄膜的上表面設(shè)有與限位凸塊相配合的限位凹槽。
[0005]所述第一上凹槽、第二上凹槽、第三上凹槽、第四上凹槽為半球形。
[0006]所述第一下凹槽、第二下凹槽、第三下凹槽、第四下凹槽為半球形。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果為:本技術(shù)方案通過在中間薄膜之間設(shè)有限位凸塊與限位凹槽，可以連接相鄰的薄膜，而不要膠粘劑，避免了膠粘劑的外溢，在上、下層薄膜內(nèi)的夾層設(shè)置的長度比相鄰的短，可以存放外溢的部分膠體，而不影響膜帶的整體美觀，另外在膠粘劑相鄰的膜帶層設(shè)置凹槽，也可以存放一些膠體，減少外溢的膠體，實(shí)施效果非常理想。
【附圖說明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]圖中:1-第一上層薄膜，2-上夾層薄膜，3-第二上層薄膜，4-第一下層薄膜，5-下夾層薄膜，6-第二下層薄膜，7-第一上層粘膠劑，8-第二上層粘膠劑，9-第一下層粘膠劑，10-第二下層粘膠劑，11-第一上凹槽，12-第一下凹槽，13-第二上凹槽，14-第二下凹槽，15-第三上凹槽，16-第三下凹槽，17-第四上凹槽，18-第四下凹槽，19-限位凸塊，20-限位凹槽。
【具體實(shí)施方式】
[0010]以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述:
[0011]本實(shí)施例包括第一上層薄膜1、第二上層薄膜3，第一下層薄膜4、第二下層薄膜6，第一上層薄膜1、第二上層薄膜3，第一下層薄膜4、第二下層薄膜6等長，第一上層薄膜1、第二上層薄膜3之間設(shè)有上夾層薄膜2，上夾層薄膜2長度小于第一上層薄膜I的長度，第一上層薄膜I與上夾層薄膜2之間設(shè)有第一上層粘膠劑7，第二上層薄膜3與上夾層薄膜2之間設(shè)有第二上層粘膠劑8，第一上層薄膜I的下底面設(shè)有第一上凹槽11，上夾層薄膜2的上表面設(shè)有第一下凹槽12，第一下凹槽12與第一上凹槽11位置相對，上夾層薄膜2的下底面設(shè)有第二上凹槽13，第二上層薄膜3的上表面設(shè)有第二下凹槽14，第二下凹槽14與第二上凹槽13位置相對，第一下層薄膜4、第二下層薄膜6之間設(shè)有下夾層薄膜5，下夾層薄膜5長度小于第一下層薄膜4的長度，第一下層薄膜4與下夾層薄膜5之間設(shè)有第一下層粘膠劑9，下夾層薄膜5與第二下層薄膜6之間設(shè)有第二下層粘膠劑10，第一下層薄膜4的下底面設(shè)有第三上凹槽15，下夾層薄膜5的上表面設(shè)有第三下凹槽16，第三下凹槽16與第三上凹槽15位置相對，下夾層薄膜5的下底面設(shè)有第四上凹槽17，第二下層薄膜6的上表面設(shè)有第四下凹槽18，第四下凹槽18與第四上凹槽17位置相對，第二上層薄膜3的下底面設(shè)有限位凸塊19，第一下層薄膜4的上表面設(shè)有與限位凸塊19相配合的限位凹槽20。
[0012]第一上凹槽11、第二上凹槽13、第三上凹槽15、第四上凹槽17為半球形。
[0013]第一下凹槽12、第二下凹槽14、第三下凹槽16、第四下凹槽18為半球形。
[0014]利用本實(shí)用新型所述的技術(shù)方案，或本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型技術(shù)方案的啟發(fā)下，設(shè)計(jì)出類似的技術(shù)方案，而達(dá)到上述技術(shù)效果的，均是落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種寬幅聚酰亞胺膜帶，其特征在于:包括第一上層薄膜、第二上層薄膜，第一下層薄膜、第二下層薄膜，所述第一上層薄膜、第二上層薄膜，第一下層薄膜、第二下層薄膜等長，所述第一上層薄膜、第二上層薄膜之間設(shè)有上夾層薄膜，所述上夾層薄膜長度小于第一上層薄膜的長度，所述第一上層薄膜與上夾層薄膜之間設(shè)有第一上層粘膠劑，所述第二上層薄膜與上夾層薄膜之間設(shè)有第二上層粘膠劑，所述第一上層薄膜的下底面設(shè)有第一上凹槽，所述上夾層薄膜的上表面設(shè)有第一下凹槽，所述第一下凹槽與第一上凹槽位置相對，所述上夾層薄膜的下底面設(shè)有第二上凹槽，所述第二上層薄膜的上表面設(shè)有第二下凹槽，所述第二下凹槽與第二上凹槽位置相對，所述第一下層薄膜、第二下層薄膜之間設(shè)有下夾層薄膜，所述下夾層薄膜長度小于第一下層薄膜的長度，所述第一下層薄膜與下夾層薄膜之間設(shè)有第一下層粘膠劑，所述下夾層薄膜與第二下層薄膜之間設(shè)有第二下層粘膠劑，所述第一下層薄膜的下底面設(shè)有第三上凹槽，所述下夾層薄膜的上表面設(shè)有第三下凹槽，所述第三下凹槽與第三上凹槽位置相對，所述下夾層薄膜的下底面設(shè)有第四上凹槽，所述第二下層薄膜的上表面設(shè)有第四下凹槽，所述第四下凹槽與第四上凹槽位置相對，所述第二上層薄膜的下底面設(shè)有限位凸塊，所述第一下層薄膜的上表面設(shè)有與限位凸塊相配合的限位凹槽。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬幅聚酰亞胺膜帶，其特征在于:所述第一上凹槽、第二上凹槽、第三上凹槽、第四上凹槽為半球形。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬幅聚酰亞胺膜帶，其特征在于:所述第一下凹槽、第二下凹槽、第三下凹槽、第四下凹槽為半球形。
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于膜帶制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種寬幅聚酰亞胺膜帶，包括第一上層薄膜、第二上層薄膜，第一下層薄膜、第二下層薄膜，所述第一上層薄膜、第二上層薄膜之間設(shè)有上夾層薄膜，所述上夾層薄膜長度小于第一上層薄膜的長度，所述第一上層薄膜與上夾層薄膜之間設(shè)有第一上層粘膠劑，所述第二上層薄膜與上夾層薄膜之間設(shè)有第二上層粘膠劑，所述第一上層薄膜的下底面設(shè)有第一上凹槽，所述上夾層薄膜的上表面設(shè)有第一下凹槽，所述第一下凹槽與第一上凹槽位置相對，所述上夾層薄膜的下底面設(shè)有第二上凹槽，所述第二上層薄膜的上表面設(shè)有第二下凹槽，所述第二下凹槽與第二上凹槽位置相對。
【IPC分類】B32B7/12, B32B3/30, B32B27/28
【公開號】CN204820489
【申請?zhí)枴緾N201520512107
【發(fā)明人】于娜娜
【申請人】天津市龍德絕緣材料有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請日】2015年7月15日