專利名稱：一種坩堝下降生長(zhǎng)晶體的方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶體生長(zhǎng)的方法，具體涉及連續(xù)供料坩堝下降生長(zhǎng)晶體的方法及其所用裝置。
坩堝下降法生長(zhǎng)晶體是從熔體中生長(zhǎng)晶體的一種方法，特別適于生長(zhǎng)大尺寸光學(xué)晶體。用這種方法生長(zhǎng)過(guò)很多晶體，如堿鹵化合物光學(xué)晶體LiF、MgF2、CaF2，閃爍晶體NaI(T1)、BaF2、CeF3，激光晶體Ni2+MgF2、V2+MgF2等，這在張克從等著的(晶體生長(zhǎng)科學(xué)與技術(shù))一書已作介紹，，又如YOKG YOKOGAWA HOKUSHIN ELEC生長(zhǎng)的Cd-Te合金(專利號(hào)J61106498)，NIDE NEC CORP生長(zhǎng)的固溶體單晶HG0.8Cd0.2Te(專利號(hào)J6l12686)，WEI XING UI等生長(zhǎng)的BaF2單晶[晶體生長(zhǎng)J.Crysta.growth 79(1986)，720-722)等都說(shuō)明坩堝下降法生長(zhǎng)晶體在晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域應(yīng)用相當(dāng)廣泛。但這種傳統(tǒng)的方法存在不足，眾所周知，出于應(yīng)用的需要，人們?cè)诰w中摻入各種雜質(zhì)離子(如Nd3+，Ti3+，Cr3+等)以得到性能不同的晶體，如Nd3+YVO4為激光晶體，而Ti3+Al2O3為可調(diào)諧激光晶體，CeBaTiO3為非線性光學(xué)晶體(這里Nd3，Ti3+，Ce為摻雜離子)。但在晶體中摻入的雜質(zhì)離子分凝系數(shù)往往不等于1，一般小于1，個(gè)別的大于1，這使得在結(jié)晶過(guò)程中由于雜質(zhì)的分凝作用而導(dǎo)致?lián)诫s質(zhì)離子在晶體中分布的不均勻，這種分凝過(guò)程在傳統(tǒng)的坩堝下降生長(zhǎng)晶體的過(guò)程中是很明顯的，如圖2.(a)所示，生長(zhǎng)晶體的過(guò)程是將盛滿原料堝置于熔點(diǎn)Tc上方，原料全部熔化后，開始向下移動(dòng)坩堝，當(dāng)坩堝下端通過(guò)Tc面往下，相應(yīng)部位的熔體的溫度將降到熔點(diǎn)以下而開始結(jié)晶，當(dāng)坩堝全部降到Tc面以下后，結(jié)晶完畢，長(zhǎng)出晶體。這種結(jié)晶過(guò)程中，因摻雜離子不斷在結(jié)晶界面排出，而使熔體中摻雜離子濃度CL不斷提高(分凝系數(shù)k＜1)，長(zhǎng)出晶體的摻雜離子濃度CL也不斷提高，導(dǎo)致?lián)诫s離子在晶體中分布不均勻，使晶體利用率低或無(wú)法使用。
本發(fā)明的目的就是克服以上缺點(diǎn)，提供一種連續(xù)供料坩堝下降生長(zhǎng)晶體的方法，來(lái)控制晶體的摻雜離子均勻分布，長(zhǎng)出光學(xué)性能良好的晶體。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種坩堝下降生長(zhǎng)晶體的方法，其特征在于將部分原料放入坩堝，在溫場(chǎng)內(nèi)熔化，下降坩堝，通過(guò)預(yù)定溫度使之結(jié)晶其特征在于同時(shí)從上方連續(xù)均勻補(bǔ)入原料，補(bǔ)入原料的摻雜離子濃度為Co與所結(jié)晶的晶體摻雜離子濃度Co相同(其中Co為晶體中的摻雜離子濃度，K為相應(yīng)的分凝系數(shù))，補(bǔ)入原料的量等于生長(zhǎng)晶體的量。
本發(fā)明的另一個(gè)目的提供一種裝置，其中包括爐體，爐體內(nèi)的加熱器件，保溫器件，坩堝，坩堝升降裝置，溫度控制裝置，以及坩堝上方的補(bǔ)料裝置(盛料容器篩網(wǎng)，振動(dòng)器，稱重器)。
本發(fā)明晶體生長(zhǎng)過(guò)程如圖.2(b)所示坩堝在生長(zhǎng)前置于熔點(diǎn)Tc上方，但坩堝中只放入少量的原料以形成一層合適的熔層，當(dāng)坩堝下降到熔Tc面以下開始結(jié)晶，在生長(zhǎng)過(guò)程中隨坩堝內(nèi)的熔體逐漸結(jié)晶，根據(jù)晶體生長(zhǎng)速度而同步均勻地補(bǔ)入新的原料，即根據(jù)結(jié)晶多少熔體同時(shí)又補(bǔ)充同量的原料。這種過(guò)程雖然在結(jié)晶時(shí)同樣有摻雜離子因分凝而進(jìn)入熔層，當(dāng)補(bǔ)入原料的雜質(zhì)含量等于晶體中的雜質(zhì)含量時(shí)，結(jié)晶界面排出的雜質(zhì)將恰好補(bǔ)充上原料中雜量含量的不足[與此時(shí)熔層中雜質(zhì)含量相比]，這樣，補(bǔ)充原料的含量為Co，晶體中的摻雜離子含量也將始終等于Co，也就是說(shuō)只要晶體和所供的原料的成份和量相等，熔體中的雜質(zhì)含量就會(huì)保持不變，長(zhǎng)出的晶體雜質(zhì)含量也就不再改變，從而長(zhǎng)出光學(xué)均勻性好的品體。
本發(fā)明坩堝下降生長(zhǎng)晶體按以下步驟進(jìn)行1)將純度能滿足生長(zhǎng)晶體學(xué)要求的原料在120℃以上烘干去水。
2)將烘干后的原料按摻雜離子濃度Co相應(yīng)化學(xué)配比配成最初的原料后，將它們?cè)谘欣徶醒谢熘辽侔胄r(shí)。
3)取一定量的原料放入坩堝中(簡(jiǎn)稱為原料1)，以形成一層適合生長(zhǎng)的最薄熔層，其余為供料器中補(bǔ)充原料(簡(jiǎn)稱為原料2)。
4)將原料2在低于熔點(diǎn)100℃以下的溫度下焙燒10小時(shí)以上，然后用篩網(wǎng)過(guò)篩，得到顆粒均勻的補(bǔ)充料(2)。
5)將放有原料1的坩堝在生長(zhǎng)前置于生長(zhǎng)爐中，坩堝在爐中的位置為使坩堝底部處在爐中溫度梯度最大處并是熔點(diǎn)Tc上方。將補(bǔ)充原料(2)放入下料器中。
6)將溫度升至熔點(diǎn)過(guò)熱30-70℃溫度后，恒溫3小時(shí)以上，使原料(1)得到充分的熔化。
7)以每小時(shí)0.5-1℃的速度降溫到高于熔點(diǎn)5-10℃的溫度，坩堝以每小時(shí)1-50毫米開始速度下降。
8)當(dāng)坩堝下降到熔點(diǎn)Tc以下，結(jié)晶開始，同時(shí)，隨坩堝內(nèi)的熔體逐漸結(jié)晶，按晶體生長(zhǎng)速度同步均勻地補(bǔ)入新的原料，即根據(jù)結(jié)晶多少熔體同時(shí)又補(bǔ)充同量的原料。具體做法為按照坩堝體積，晶體密度和坩堝的下降速度算出每小時(shí)的下料量，再按電子秤的稱量值來(lái)控制錘子的敲打速度，使下料量與生長(zhǎng)量相同，從而，達(dá)到下料量和生長(zhǎng)量同步。
9)坩堝不斷下降，晶體逐漸長(zhǎng)大到所需大小后，以每小時(shí)20-100℃速度降至室溫，生長(zhǎng)完畢。
原料要求對(duì)原料的純度要求是只要能生長(zhǎng)晶體就行，裝入坩堝的原料只須按所需成份配制而不用預(yù)處理，放入的量視坩堝大小而定，只要能保證在原料溶化后生成一層適合生的最薄溶層，但供料器中的原料必須預(yù)處理，即按比例配成的補(bǔ)充原料需在低于溶點(diǎn)200℃焙燒15小時(shí)，敲碎后分別用篩網(wǎng)將過(guò)細(xì)和過(guò)粗的原料篩去，得到顆粒均勻的補(bǔ)充料，以達(dá)到均勻供料的目的。
坩堝材料的選擇隨生長(zhǎng)的晶體原料而定，可用Al2O3，貴金屬，耐溶材料，玻璃等，必須滿足幾個(gè)條件在使用工作溫度下要有足夠的強(qiáng)度(如1000-1500℃以內(nèi)用鉑堝)；坩堝材料和所生長(zhǎng)的晶體材料高溫下不反應(yīng)；坩堝和熔體盡量沒有浸潤(rùn)和粘附。生長(zhǎng)時(shí)坩堝底部可以加籽晶，也可自發(fā)成核，自發(fā)成核用底部為園錐形的，坩堝可做作成各種大小和形狀，可根據(jù)對(duì)晶體的品種，大小和形狀需要來(lái)選擇相應(yīng)的坩堝。
溫場(chǎng)和坩堝下降速度有一定的變化范圍，晶體不同，晶體材料的熱導(dǎo)和分凝系數(shù)等特性不同，決定了它們的生長(zhǎng)速度也不同，于是，根據(jù)生長(zhǎng)不同的晶體來(lái)改變坩堝的下降速度和溫場(chǎng)。當(dāng)生長(zhǎng)速度要求快時(shí)，溫場(chǎng)的梯度相應(yīng)也要增大，一般而言，它們的范圍在ρT＝2-50℃/毫米，S＝0.01-50毫米/天。生長(zhǎng)爐中的加熱體可根據(jù)材料的品種及生長(zhǎng)溫度來(lái)決定采用不同的發(fā)熱體，電阻絲，硅碳棒，硅鉬棒，石墨等。
本發(fā)明的裝置是這樣組成的它主要由加熱爐，坩堝，坩堝升降支撐，下料器，稱重器件和控制系統(tǒng)幾部分組成。置于加熱爐中的坩堝通過(guò)坩堝升降支撐來(lái)定位和上升或下降，下料器置于加熱爐上方和稱重器件一并放置在下料器的橫向支撐上，橫向支撐固定在加熱爐體上方的下料器支撐鏍桿上，并通過(guò)調(diào)節(jié)橫向支撐在它上面的位置使下料器上升或下降，下料器的篩網(wǎng)與震動(dòng)桿垂直連接，當(dāng)置于震動(dòng)桿上方的料錘敲打震動(dòng)桿時(shí)，下料器中的原料經(jīng)篩網(wǎng)通過(guò)下端的漏斗下料?？刂葡到y(tǒng)中的下降器是由可調(diào)電源直接控制，下料器錘子的敲打速度由電子秤信號(hào)反饋到可調(diào)電源來(lái)控制，溫度是由熱電偶取的信號(hào)輸入到溫度控制器(例如818)來(lái)控制。
發(fā)明效果摻雜離子在新方法生長(zhǎng)的晶體中分布是均勻的，從而，提高了晶體的光學(xué)質(zhì)量。例如用本發(fā)明生長(zhǎng)的LiNbO3晶體與傳統(tǒng)方法生長(zhǎng)的LiNbO3晶體相比，其透過(guò)率提高了7.5％，吸收邊也向短波方向擴(kuò)展了45納米。
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)的說(shuō)明

圖1連續(xù)加續(xù)加料坩堝下降晶體生長(zhǎng)裝置中1.加熱爐 2.加熱體 3.坩堝 4.保溫蓋5.隔板6.下料器支撐 7.下料器 8.補(bǔ)充原料 9.篩網(wǎng) 10.料錘11.振動(dòng)桿 l2.漏斗13.稱重器件圖2(a).傳統(tǒng)坩堝下降法晶體生長(zhǎng)圖2(b)連續(xù)供料坩堝下降晶體生長(zhǎng)其中a，b，c堝位置。S晶體 L熔體 CL熔體中摻雜離子濃度CS晶體中摻雜離子濃度圖3LiNbO3樣品折射率曲線圖中A.傳統(tǒng)方法圖中B.連續(xù)供料坩堝下降方法實(shí)施例1利用本發(fā)明的裝置和方法來(lái)制備LiNbO3晶體LiNbO3晶體是一種有重要應(yīng)用價(jià)值的非線性光學(xué)晶體材料，但這種晶體的同成份熔化點(diǎn)偏離1∶1的化學(xué)計(jì)量比點(diǎn)，如果按照Li2O及Nb2O5比例為1∶1配制原料，長(zhǎng)成的并不是化學(xué)計(jì)量比(1∶1)的晶體，在這種情況下，比同成份熔化點(diǎn)的成份多出的Li2O就成為高溫熔體中所多余的摻雜離子，所以用傳統(tǒng)的提拉法或坩堝下降法生長(zhǎng)的晶體的成份都按48.6摩爾％Li2O配料，得到的晶體成份是Li0.945NbO2.973，而不是化學(xué)計(jì)量比的LiNbO3晶體。在本發(fā)明中，按50摩爾％Li2O和50摩爾％Nb2O5化學(xué)計(jì)量比配料，在生長(zhǎng)中，伴隨著LiNbO3的結(jié)晶生長(zhǎng)，同步的補(bǔ)入同樣多的成份為1∶1的LiNbO3原料，保持熔體中的Li濃度不變，從而確保長(zhǎng)成的晶體成份保持不變，始終是需要的1∶1的LiNbO3。具體生長(zhǎng)過(guò)程為純度為99.99％的原料LiCO3和Nb2O5在120℃烘干去水，按50摩爾％Li2O和50摩爾％Nb2O5比例配成原料300g(簡(jiǎn)稱為原料2)。將它們?cè)谘欣徶蟹謩e研混1小時(shí)。將30克原料(1)放入下降的坩堝中，剩余原料2在1100℃焙燒15小時(shí)，然后用篩網(wǎng)將過(guò)細(xì)和過(guò)粗的原料篩去，得到顆粒均勻的補(bǔ)充料(2)，將均勻的補(bǔ)充原料(2)放入供料器中。盛有原料(1)的坩堝放置在爐中，使坩堝底部處在溫度梯度最大處，溫度升至熔點(diǎn)1200℃并過(guò)熱50℃到1250℃，恒溫15小時(shí)，使原料(1)得到充分的熔化后，以每小時(shí)1℃的速度降溫到1205℃，坩堝以每小時(shí)1毫米開始下降，生長(zhǎng)開始。按照坩堝直經(jīng)Φ45毫米，晶體密度為3.63克/厘米3和坩堝的下降速度為每小時(shí)1毫米，可算出每小時(shí)的下料量為7.1275克，再按電子秤的稱量值來(lái)決定敲打速度，使下料器的下料量也為7.1275克，保證下料量和生長(zhǎng)量同步，坩堝的不斷下降晶體逐漸長(zhǎng)大，達(dá)到所需大小后，以每小時(shí)50℃降至室溫，生長(zhǎng)完畢，得到了LiNbO3晶體。用本發(fā)明的方法和裝置生長(zhǎng)的LiNbO3晶體在誘導(dǎo)耦合等離子-原子發(fā)射光譜儀上作了化學(xué)分析，結(jié)果表明它是化學(xué)計(jì)量比單晶。同時(shí)，將傳統(tǒng)方法生長(zhǎng)同成份熔化點(diǎn)的Li0.945NbO2.973晶體與新方法生長(zhǎng)的成份為化學(xué)計(jì)量比1∶1的LiNbO3晶體作成厚度相同的樣品(d＝1毫米)，在瑞典Varian公司生產(chǎn)的Cary 2390吸收光鐠儀上作了透過(guò)率的測(cè)量，測(cè)試結(jié)果如圖3所示化學(xué)計(jì)量比的LiNbO3晶體與傳統(tǒng)方法生長(zhǎng)的晶體相比，其透過(guò)率提高了7.5％，吸收邊也向短波方向擴(kuò)展了45納米。實(shí)施例2利用本發(fā)明的方法在本發(fā)明的裝置上生長(zhǎng)La3+BaF2晶體將純度為99.99％的原料BaF2和La2O3在150℃烘干去水，烘干后的原料按La3+摻雜濃度Co＝1摩爾％相應(yīng)分子式的配成最初的原料，將它們?cè)谘欣徶醒谢?小時(shí)，40克為坩堝中原料(簡(jiǎn)稱為原料1)，其余為供料器中補(bǔ)充原料(簡(jiǎn)稱為原料2)。原料2在1100℃焙燒15小時(shí)，然后分別用不同篩網(wǎng)將過(guò)細(xì)和過(guò)粗的原料篩去，得到顆粒均勻的補(bǔ)充料(2)。將40克原料(1)放入下降的坩堝中，將均勻的補(bǔ)充原料(2)放入供料器中。盛有原料(1)的坩堝放置在爐中，使坩堝底部處在溫度梯度最大處，溫度升至熔點(diǎn)1280℃并過(guò)熱50℃到1330℃，恒溫15h，使原料(1)得到充分的熔化后，以每小時(shí)1℃的速度降溫到1285℃，坩堝以每小時(shí)1毫米開始下降，生長(zhǎng)開始。按照坩堝直經(jīng)Φ45毫米，晶體密度為4.84克/厘米3和坩堝的下降速度為每小時(shí)1毫米，可算出每小時(shí)的下料量為9.5033克，再按電子秤的稱量值來(lái)決定敲打速度，使下料器的下料量也為9.5033克，以保證下料量和生長(zhǎng)量同步，隨著坩堝的不斷下降晶體逐漸長(zhǎng)大，達(dá)到所需大小后，以每小時(shí)50℃降至室溫，生長(zhǎng)完畢，所得即為雜質(zhì)離子分布均勻的La3+BaF2晶體。實(shí)施例3生長(zhǎng)Nd3+LiNbO3晶體。除摻Nd3+濃度為0.5外，其余生長(zhǎng)參數(shù)和步驟如實(shí)施例1，得到了雜質(zhì)離子分布均勻的Nd3+LiNbO3晶體。實(shí)施例4生長(zhǎng)FeLiNbO3晶體。除摻Fe濃度為0.05外，其余生長(zhǎng)參數(shù)和步驟如實(shí)施例1，得到了雜質(zhì)離子分布均勻的晶體。實(shí)施例5生長(zhǎng)MgLiNbO3晶體除摻Mg濃度為0.03外，其余生長(zhǎng)參數(shù)和步驟如實(shí)施例1，得到了雜質(zhì)離子分布均勻的晶體。實(shí)施例6生長(zhǎng)CeMnLiNbO3晶體除摻Ce濃度為0.07和Mn的濃度為0.7外，其余生長(zhǎng)參數(shù)和步驟如實(shí)施例1，得到了雜質(zhì)離子分布均勻的晶體。實(shí)施例7生長(zhǎng)CeEnLiNbO3晶體除摻Ce濃度為0.1和En的濃度為0.1外，其余生長(zhǎng)參數(shù)和步驟如實(shí)施例1，得到了雜質(zhì)離子分布均勻的晶體。實(shí)施例8生長(zhǎng)CeFeLiNbO3晶體除摻Ce濃度為0.01和En的濃度為0.05外，其余生長(zhǎng)參數(shù)和步驟如實(shí)施例1，得到了雜質(zhì)離子分布均勻的晶體。實(shí)施例9生長(zhǎng)ZnNd3+LiNbO3晶體除摻Zn濃度為6和Nd的濃度為0.2外，其余生長(zhǎng)參數(shù)和步驟如實(shí)施例1，得到了雜質(zhì)離子分布均勻的晶體。實(shí)施例10Ti3+Al2O3晶體的生長(zhǎng)生長(zhǎng)參數(shù)為Ti3+摻雜濃度Co＝0.3摩爾％，原料1＝30克，熔點(diǎn)2050℃，晶體密度為3.98克/厘米3，生長(zhǎng)步驟如實(shí)施例1，得到了雜質(zhì)離子分布均勻的晶體。實(shí)施例11Cr3+ZnWO4晶體的生長(zhǎng)生長(zhǎng)參數(shù)為Cr3+摻雜濃度Co＝1摩爾％，原料1＝50克，熔點(diǎn)1240℃，晶體密度為7.87克/厘米3，生長(zhǎng)步驟如實(shí)施例1，得到了雜質(zhì)離子分布均勻的晶體實(shí)施例12Ga3+Bi12SiO20晶體的生長(zhǎng)生長(zhǎng)參數(shù)為Ga3+摻雜濃度Co＝1摩爾％，原料1＝50克，熔點(diǎn)950℃，晶體密度為7.63克/厘米3，生長(zhǎng)步驟如實(shí)施例1，得到了雜質(zhì)離子分布均勻的晶體。結(jié)束語(yǔ)本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可作更多的改進(jìn)(如坩堝和下料器不動(dòng)，只改變生長(zhǎng)爐的溫度梯度)。
權(quán)利要求
1.一種坩堝下降生長(zhǎng)晶體的方法，其特征在于將部分原料放入坩堝，在溫場(chǎng)內(nèi)熔化，下降坩堝，通過(guò)預(yù)定溫度使之結(jié)晶，其特征在于同時(shí)從上方連續(xù)均勻補(bǔ)入原料，補(bǔ)入原料的摻雜離子濃度為Co與所結(jié)晶的晶體摻雜離子濃度Co相同(其中Co為晶體中的摻雜離子濃度，K為相應(yīng)的分凝系數(shù))，補(bǔ)入原料的量等于生長(zhǎng)晶體的量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的坩堝下降生長(zhǎng)晶體的方法，單晶生長(zhǎng)包括以下步驟1)將純度能滿足生長(zhǎng)晶體學(xué)要求的原料在120℃以上烘干去水；2)將烘干后的原料按摻雜離子濃度Co相應(yīng)化學(xué)配比配成最初的原料后，將它們?cè)谘欣徶醒谢熘辽侔胄r(shí)；3)取一定量的原料放入坩堝中(簡(jiǎn)稱為原料1)，以形成一層適合生長(zhǎng)的最薄熔層，其余為供料器中補(bǔ)充原料(簡(jiǎn)稱為原料2)；4)將原料2在低于熔點(diǎn)100℃以下的溫度下焙燒10小時(shí)以上，然后用篩網(wǎng)過(guò)篩，得到顆粒均勻的補(bǔ)充料(2)；5)將放有原料1的坩堝在生長(zhǎng)前置于生長(zhǎng)爐中，坩堝在爐中的位置為使坩堝底部處在爐中溫度梯度最大處并是熔點(diǎn)Tc上方；將補(bǔ)充原料(2)放入下料器中；6)將溫度升至熔點(diǎn)過(guò)熱30-70℃溫度后，恒溫3小時(shí)以上，使原料(1)得到充分的熔化；7)以每小時(shí)0.5-2℃的速度降溫到高于熔點(diǎn)5-10℃的溫度，坩堝以每小時(shí)0.1-50毫米開始速度下降；8)當(dāng)坩堝下降到熔點(diǎn)Tc以下，結(jié)晶開始，同時(shí)，隨坩堝內(nèi)的熔體逐漸結(jié)晶，按晶體生長(zhǎng)速度同步均勻地補(bǔ)入新的原料，即根據(jù)結(jié)晶多少熔體同時(shí)又補(bǔ)充同量的原料。具體做法為按照坩堝體積，晶體密度和坩堝的下降速度算出每小時(shí)的下料量，再按電子秤的稱量值來(lái)控制錘子的敲打速度，使下料量與生長(zhǎng)量相同，從而，達(dá)到下料量和生長(zhǎng)量同步；和9)坩堝不斷下降，晶體逐漸長(zhǎng)大到所需大小后，以每小時(shí)20-100℃速度降至室溫，生長(zhǎng)完畢；
3.按權(quán)利要求2所述的坩堝下降生長(zhǎng)晶體的方法，其中原料是LiNbO3，升溫至1250℃，坩堝以每小時(shí)1毫米速度下降；
4.一種權(quán)利要求1所述的坩堝下降生長(zhǎng)晶體的專用設(shè)備，其中置于加熱爐中的坩堝通過(guò)坩堝升降支撐來(lái)定位和上升或下降，下料器置于加熱爐上方和稱重器件一并放置在下料器的橫向支撐上，橫向支撐固定在加熱爐體上方的下料器支撐鏍桿上，并通過(guò)調(diào)節(jié)橫向支撐在它上面的位置使下料器上升或下降，下料器的篩網(wǎng)與震動(dòng)桿垂直連接，當(dāng)置于震動(dòng)桿上方的料錘敲打震動(dòng)桿時(shí)，下料器中的原料經(jīng)篩網(wǎng)通過(guò)下端的漏斗下料，控制系統(tǒng)中的下降器是由可調(diào)電源直接控制，下料器錘子的敲打速度由電子秤信號(hào)反饋到可調(diào)電源來(lái)控制，溫度是由熱電偶取的信號(hào)輸入到溫度控制器來(lái)控制。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種連續(xù)供料坩堝下降生長(zhǎng)晶體的方法及裝置,方法包括將部分原料放入坩堝,在溫場(chǎng)內(nèi)熔化,下降坩堝,通過(guò)預(yù)定溫度使之結(jié)晶,同時(shí)從上方連續(xù)均勻地補(bǔ)入原料,其特征在于補(bǔ)入原料的摻雜離子濃度為C
文檔編號(hào)C30B15/00GK1254034SQ9812472
公開日2000年5月24日 申請(qǐng)日期1998年11月12日 優(yōu)先權(quán)日1998年11月12日
發(fā)明者嚴(yán)秀莉, 吳星 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院物理研究所