技術編號：8019420
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。技術領域本發(fā)明涉及晶體生長的方法，具體涉及連續(xù)供料坩堝下降生長晶體的方法及其所用裝置。坩堝下降法生長晶體是從熔體中生長晶體的一種方法，特別適于生長大尺寸光學晶體。用這種方法生長過很多晶體，如堿鹵化合物光學晶體LiF、MgF2、CaF2，閃爍晶體NaI(T1)、BaF2、CeF3，激光晶體Ni2+MgF2、V2+MgF2等，這在張克從等著的(晶體生長科學與技術)一書已作介紹，，又如YOKG YOKOGAWA HOKUSHIN ELEC生長的Cd-Te合金(專利號J61106498)，NIDE NEC CORP生長的固...
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