技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種SCB集成Al/MxOy納米含能復(fù)合薄膜的電爆換能元，由下向上依次包括Si基底、SiO2絕緣層、N型重?fù)诫s多晶硅橋、金屬焊盤、Al/MxOy氧化物納米復(fù)合薄膜，Si基底的上表面有SiO2絕緣層，SiO2絕緣層上表面沉積生長一層N型重?fù)诫s多晶硅層，N型重?fù)诫s多晶硅層的中間部分刻蝕形成N型重?fù)诫s多晶硅橋，N型重?fù)诫s多晶硅橋兩側(cè)的N型重?fù)诫s多晶硅層上表面均設(shè)置金屬焊盤，N型重?fù)诫s多晶硅橋的橋區(qū)上方覆蓋Al/MxOy氧化物納米復(fù)合薄膜，所述Al/MxOy氧化物納米復(fù)合薄膜的底層為MxOy薄膜，MxOy薄膜和Al薄膜由下至上交替分布，且MxOy薄膜和Al薄膜的厚度均為納米級。本發(fā)明提高了電爆換能元的安全性和點火能力，電爆換能元的MEMS制作工藝提高了與火工品其他部件的集成度。

技術(shù)研發(fā)人員：沈瑞琪;劉增軍;朱朋;葉迎華;吳立志;胡艷
受保護(hù)的技術(shù)使用者：南京理工大學(xué)
文檔號碼：201510151601
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.01
技術(shù)公布日：2017.01.18