技術(shù)特征：
1.一種SCB集成Al/MxOy納米含能復(fù)合薄膜的電爆換能元，其特征在于，由下向上依次包括Si基底(1)、SiO2絕緣層(2)、N型重?fù)诫s多晶硅橋(3)、金屬焊盤(4)、Al/MxOy氧化物納米復(fù)合薄膜(5)，所述Si基底(1)的上表面有SiO2絕緣層(2)，SiO2絕緣層(2)上表面沉積生長(zhǎng)一層N型重?fù)诫s多晶硅層，N型重?fù)诫s多晶硅層的中間部分刻蝕形成N型重?fù)诫s多晶硅橋(3)，N型重?fù)诫s多晶硅橋(3)兩側(cè)的N型重?fù)诫s多晶硅層上表面均設(shè)置金屬焊盤(4)，N型重?fù)诫s多晶硅橋(3)的橋區(qū)上方覆蓋Al/MxOy氧化物納米復(fù)合薄膜(5)，所述Al/MxOy氧化物納米復(fù)合薄膜(5)的底層為MxOy薄膜，MxOy薄膜和Al薄膜由下至上交替分布，且MxOy薄膜和Al薄膜的厚度均為納米級(jí)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SCB集成Al/MxOy納米含能復(fù)合薄膜的電爆換能元，其特征在于，所述N型重?fù)诫s多晶硅橋(3)橋區(qū)的形狀為正方形、長(zhǎng)方形或V字形。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SCB集成Al/MxOy納米含能復(fù)合薄膜的電爆換能元，其特征在于，所述金屬焊盤(4)的材料為Au、Al、Pt、Ti或Cu。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SCB集成Al/MxOy納米含能復(fù)合薄膜的電爆換能元，其特征在于，所述Al/MxOy氧化物納米復(fù)合薄膜(5)中Al/MxOy為Al/CuO、Al/MoO3或Al/Fe2O3。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SCB集成Al/MxOy納米含能復(fù)合薄膜的電爆換能元，其特征在于，所述Al/CuO納米復(fù)合薄膜的調(diào)制周期是80nm，其中Al薄膜的厚度是26nm，CuO薄膜的厚度是54nm；Al/MoO3納米復(fù)合薄膜的調(diào)制周期是75nm，其中Al薄膜的厚度是30nm，MoO3薄膜的厚度是45nm；Al/Fe2O3納米復(fù)合薄膜的調(diào)制周期是75nm，其中Al薄膜的厚度是30nm，F(xiàn)e2O3薄膜的厚度是45nm。