變頻器母排結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種變頻器母排結(jié)構(gòu)，其包括母排一、母排二、母排三、絕緣紙、電解電容及IGBT模塊；所述母排一與母排二及母排三上下平行設(shè)置，所述母排二與母排三位于同一水平面上；所述絕緣紙?jiān)O(shè)置在母排一與母排二及母排一與母排三之間；所述電解電容為一對(duì)以上，其中一個(gè)位于母排三上，另一個(gè)連接母排二及母排三；所述IGBT模塊設(shè)置在母排二上；所述母排一上設(shè)置有與電解電容及IGBT模塊配合的通孔；所述母排一、母排二及母排三均為導(dǎo)電材質(zhì)制成。優(yōu)點(diǎn)是：本實(shí)用新型的母排一、母排二及母排三采用導(dǎo)電材質(zhì)制成，而無(wú)需再用電線連接，這樣能有效降低電壓尖峰的產(chǎn)生，防止其對(duì)IGBT模塊造成損壞。
【專利說(shuō)明】變頻器母排結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于變頻器內(nèi)部部件【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種變頻器母排結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，電解電容與IGBT模塊為變頻器上的重要電器元件；現(xiàn)有的變頻器線路板上的電解電容及IGBT模塊都是通過(guò)走線結(jié)構(gòu)來(lái)進(jìn)行連接的，這種走線結(jié)構(gòu)會(huì)讓母線P端和N端產(chǎn)生電感，容易產(chǎn)生相當(dāng)大的電壓尖峰，電壓尖峰過(guò)大會(huì)對(duì)IGBT模塊造成損壞；還有就是這種走線結(jié)構(gòu)散熱性較差，容易對(duì)元件的工作造成影響；因此有必要予以改進(jìn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種變頻器母排結(jié)構(gòu)，它具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、在工作過(guò)程中不會(huì)產(chǎn)生過(guò)大的電壓尖峰讓模塊能穩(wěn)定的工作且散熱效果也較佳的特點(diǎn)。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:一種變頻器母排結(jié)構(gòu)，其包括母排一、母排二、母排三、絕緣紙、電解電容及IGBT模塊；所述母排一與母排二及母排三上下平行設(shè)置，所述母排二與母排三位于同一水平面上；所述絕緣紙?jiān)O(shè)置在母排一與母排二及母排一與母排三之間；所述電解電容為一對(duì)以上，其中一個(gè)位于母排三上，另一個(gè)連接母排二及母排三；所述IGBT模塊設(shè)置在母排二上；所述母排一上設(shè)置有與電解電容及IGBT模塊配合的通孔；所述母排一、母排二及母排三均為導(dǎo)電材質(zhì)制成。
[0005]所述制成母排一、母排二及母排三的導(dǎo)電材質(zhì)為銅。
[0006]所述絕緣紙為一體式結(jié)構(gòu)。
[0007]采用上述結(jié)構(gòu)后，本實(shí)用新型和現(xiàn)有技術(shù)相比所具有的優(yōu)點(diǎn)是:本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，母排一、母排二及母排三采用導(dǎo)電材質(zhì)制成，這樣在電解電容及IGBT設(shè)置好后即能進(jìn)行電傳遞，而無(wú)需再用電線連接，這樣能有效降低電壓尖峰的產(chǎn)生，防止其對(duì)IGBT模塊造成損壞；而且采用這種母排結(jié)構(gòu)相比原有的走線結(jié)構(gòu)其散熱效果更佳，提高工作穩(wěn)定性；絕緣紙能絕緣電解電容的正負(fù)極，防止短路現(xiàn)象的發(fā)生。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是本實(shí)用新型的平面結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0009]圖2是本實(shí)用新型的母排一的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0010]以下所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不因此而限定本實(shí)用新型的保護(hù)范圍，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。
[0011]實(shí)施例，見(jiàn)圖1和圖2所示:一種變頻器母排結(jié)構(gòu)，其包括母排一 10、母排二 20、母排三30、絕緣紙40、電解電容50及IGBT模塊60。母排一 10上設(shè)置有與電解電容50及IGBT模塊60配合的通孔11，便于安裝；母排一 10、母排二 20及母排三30均采用具有導(dǎo)電功能的銅材制成，當(dāng)然了，也可以采用其它具有導(dǎo)電性能的金屬材質(zhì)來(lái)制成，比如鋁，其同樣能達(dá)到相似的效果。母排一 10與母排二 20及母排三30上下平行設(shè)置，母排二 20與母排三30位于同一水平面上，這種結(jié)構(gòu)設(shè)置方便電氣元件的安裝。所述的電解電容50為一對(duì)以上，一般情況下采用兩對(duì)；每對(duì)中的其中一個(gè)位于母排三30上，另一個(gè)連接母排二 20及母排三30 ;而絕緣紙40設(shè)置在母排一 10與母排二 20及母排一 10與母排三30之間，且絕緣紙40為一體式結(jié)構(gòu)；所述的IGBT模塊60設(shè)置在母排二 20上；這種結(jié)構(gòu)設(shè)置能讓電解電容50及IGBT模塊60無(wú)需走線連接，不但有效降低電壓尖峰的產(chǎn)生，而且還具有良好的散熱效果，達(dá)到保護(hù)IGBT模塊60的效果；而絕緣紙40能絕緣電解電容50的正負(fù)極，防止短路現(xiàn)象的發(fā)生。
【權(quán)利要求】
1.一種變頻器母排結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括母排一(10)、母排二(20)、母排三(30)、絕緣紙(40)、電解電容(50)及IGBT模塊(60);所述母排一(10)與母排二(20)及母排三(30)上下平行設(shè)置，所述母排二(20)與母排三(30)位于同一水平面上；所述絕緣紙(40)設(shè)置在母排一(10)與母排二(20)及母排一(10)與母排三(30)之間；所述電解電容(50)為一對(duì)以上，其中一個(gè)位于母排三(30)上，另一個(gè)連接母排二(20)及母排三(30);所述IGBT模塊(60)設(shè)置在母排二(20)上；所述母排一(10)上設(shè)置有與電解電容(50)及IGBT模塊(60)配合的通孔(11);所述母排一(10)、母排二(20)及母排三(30)均為導(dǎo)電材質(zhì)制成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的變頻器母排結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述制成母排一(10)、母排二(20)及母排三(30)的導(dǎo)電材質(zhì)為銅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的變頻器母排結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述絕緣紙(40)為一體式結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H05K7/20GK204258647SQ201420732456
【公開(kāi)日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年11月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月27日
【發(fā)明者】彭華斌 申請(qǐng)人:浙江德弗電氣技術(shù)有限公司