一種醫(yī)療急救電梯的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提出了一種醫(yī)療急救電梯，包括曳引系統(tǒng)和廂體，還包括：設(shè)置在所述廂體左右側(cè)壁外表面的第一電磁繞組；設(shè)置在電梯井左右墻壁上的第二電磁繞組；控制器，輸出第一控制信號到所述曳引機(jī)，輸出第二控制信號到第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器和第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器，第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出端連接到第一MOSFET晶體管的門極，第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端連接到第二MOSFET晶體管的門極，第一MOSFET晶體管的源極連接到第一電壓源，第二MOSFET晶體管的源極連接到第二電壓源，第一MOSFET晶體管的漏極連接到所述第一電磁繞組，第二MOSFET晶體管的漏極連接到所述第二電磁繞組。
【專利說明】一種醫(yī)療急救電梯
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及機(jī)械領(lǐng)域，特別涉及一種醫(yī)療急救電梯。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，電梯已經(jīng)普及到辦公樓和住宅樓，在人們的日常和生活中起到越來越重要的作用。電梯靠曳引系統(tǒng)輸出與傳遞動(dòng)力，現(xiàn)有的曳引系統(tǒng)主要由曳引機(jī)、曳引鋼絲繩，導(dǎo)向輪，反繩輪組成。因此，現(xiàn)有的曳引系統(tǒng)靠鋼絲繩的牽引力控制廂體的升降、加速和減速，啟動(dòng)和?？窟^程中會(huì)有明顯的失重感，甚至造成乘客的眩暈，對于高血壓或有其他疾病的乘客會(huì)有明顯的身體不適。
[0003]而對于醫(yī)院中的醫(yī)療急救電梯，乘客中患者居多，甚至有通過手術(shù)推車運(yùn)送的重癥患者，這些乘客對于電梯的穩(wěn)定性要求更高，如果失重感強(qiáng)烈，會(huì)造成嚴(yán)重的后果。
[0004]雖然很多研發(fā)團(tuán)隊(duì)對曳引機(jī)及其控制電路進(jìn)行了很多創(chuàng)新和改進(jìn)，啟動(dòng)和?？窟^程也更加均勻平緩，但是無法從根本上克服曳引系統(tǒng)所固有的缺點(diǎn)，因此，如何提供一種平穩(wěn)舒適的醫(yī)療急救電梯，是目前亟待解決的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型提出一種醫(yī)療急救電梯，解決了現(xiàn)有技術(shù)中電梯啟動(dòng)和停靠過程中有失重感的問題。
[0006]本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0007]一種醫(yī)療急救電梯，包括曳引機(jī)和廂體，還包括:
[0008]設(shè)置在所述廂體左右側(cè)壁外表面的第一電磁繞組，所述第一電磁繞組的骨架為長方形，第一電磁繞組的繞線整體成長方形；
[0009]設(shè)置在電梯井左右墻壁上的第二電磁繞組，所述第二電磁繞組的骨架為長方形，第二電磁繞組的繞線整體成長方形；
[0010]控制器，輸出第一控制信號到所述曳引機(jī)，輸出第二控制信號到第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器和第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器，第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出端連接到第一 MOSFET晶體管的門極，第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端連接到第二 MOSFET晶體管的門極，第一 MOSFET晶體管的源極連接到第一電壓源，第二MOSFET晶體管的源極連接到第二電壓源，第一MOSFET晶體管的漏極連接到所述第一電磁繞組，第二 MOSFET晶體管的漏極連接到所述第二電磁繞組。
[0011]可選地，所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器和第一 MOSFET晶體管的門極之間還連接有第一功率放大器，所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器和第二 MOSFET晶體管的門極之間還連接有第二功率放大器。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0013]本實(shí)用新型的醫(yī)療急救電梯通過電磁繞組之間的磁阻產(chǎn)生阻力，對電梯的廂體產(chǎn)生制動(dòng)力，輔助曳引機(jī)的啟動(dòng)和?？窟^程，使廂體的啟動(dòng)和?？扛悠椒€(wěn)?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為本實(shí)用新型一種醫(yī)療急救電梯的控制框圖；
[0016]圖2為圖1中第一電磁繞組和第二電磁繞組的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0018]如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型的一種醫(yī)療急救電梯，包括曳引機(jī)40和廂體，還包括:設(shè)置在所述廂體左右側(cè)壁外表面的第一電磁繞組10，所述第一電磁繞組的骨架為長方形，第一電磁繞組的繞線整體成長方形；設(shè)置在電梯井左右墻壁上的第二電磁繞組20，所述第二電磁繞組的骨架為長方形，第二電磁繞組的繞線整體成長方形；控制器30，輸出第一控制信號到所述曳引機(jī)40，輸出第二控制信號到第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器11和第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器21，第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出端連接到第一 MOSFET晶體管12的門極，第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端連接到第二 MOSFET晶體管22的門極，第一 MOSFET晶體管的源極連接到第一電壓源13，第二 MOSFET晶體管的源極連接到第二電壓源23，第一 MOSFET晶體管的漏極連接到所述第一電磁繞組10，第二 MOSFET晶體管的漏極連接到所述第二電磁繞組20。
[0019]本實(shí)用新型的醫(yī)療急救電梯使用過程中，通過調(diào)節(jié)第一電磁繞組10和第二電磁繞組20中流過電流的大小，改變第一電磁繞組和第二電磁繞組之間的磁阻,進(jìn)而改變第一電磁繞組和第二電磁繞組之間的電磁阻力?？刂破鬏敵龅牡谝豢刂菩盘柨刂埔芬龣C(jī)實(shí)現(xiàn)廂體牽引速度的粗調(diào)，控制器輸出第二控制信號通過對第一電磁繞組和第二電磁繞組中電流的調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)對廂體牽引速度的精調(diào)，使廂體的啟動(dòng)和停靠更加平穩(wěn)，乘客的體驗(yàn)更加舒適。
[0020]優(yōu)選地，所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器11和第一MOSFET晶體管12的門極之間還連接有第一功率放大器，所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器21和第二 MOSFET晶體管22的門極之間還連接有第二功率放大器，通過第一功率放大器和第二功率放大器的放大作用，使得第一 MOSFET晶體管12和第二 MOSFET晶體管22的輸出特性維持在飽和區(qū)，通過門極電壓的改變實(shí)現(xiàn)輸出阻抗的調(diào)節(jié)，進(jìn)而調(diào)節(jié)第一電磁繞組10和第二電磁繞組20中流過的電流大小。
[0021]上述控制器30可以選用現(xiàn)有的單片機(jī)、DSP處理器等控制器，僅起到數(shù)字信號輸出的功能，第二控制信號僅為預(yù)設(shè)的數(shù)值，并沒有對現(xiàn)有的電梯控制程序進(jìn)行改。
[0022]本實(shí)用新型的醫(yī)療急救電梯通過電磁繞組之間的磁阻產(chǎn)生阻力，對電梯的廂體產(chǎn)生制動(dòng)力，輔助曳引機(jī)的啟動(dòng)和?？窟^程，使廂體的啟動(dòng)和?？扛痈煞€(wěn)。
[0023]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種醫(yī)療急救電梯，包括曳引機(jī)和廂體，其特征在于，還包括: 設(shè)置在所述廂體左右側(cè)壁外表面的第一電磁繞組，所述第一電磁繞組的骨架為長方形，第一電磁繞組的繞線整體成長方形； 設(shè)置在電梯井左右墻壁上的第二電磁繞組，所述第二電磁繞組的骨架為長方形，第二電磁繞組的繞線整體成長方形； 控制器，輸出第一控制信號到所述曳引機(jī)，輸出第二控制信號到第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器和第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器，第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器的輸出端連接到第一 MOSFET晶體管的門極，第二模數(shù)轉(zhuǎn)換器的輸出端連接到第二 MOSFET晶體管的門極，第一 MOSFET晶體管的源極連接到第一電壓源，第二MOSFET晶體管的源極連接到第二電壓源，第一MOSFET晶體管的漏極連接到所述第一電磁繞組，第二 MOSFET晶體管的漏極連接到所述第二電磁繞組。
2.如權(quán)利要求1所述的醫(yī)療急救電梯，其特征在于，所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器和第一MOSFET晶體管的門極之間還連接有第一功率放大器，所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器和第二 MOSFET晶體管的門極之間還連接有第二功率放大器。
【文檔編號】B66B11/04GK203820254SQ201420126713
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月13日
【發(fā)明者】劉艷玲 申請人:劉艷玲