一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)，主要由場(chǎng)效應(yīng)管MOS，非門(mén)IC1，非門(mén)IC3，非門(mén)IC4，輸入端與非門(mén)IC1的輸出端相連接的非門(mén)IC2，與非門(mén)IC2的輸出端相連接的濾波延遲電路，與非門(mén)IC1的輸入端相連接的一級(jí)濾波電路，與非門(mén)IC3的輸入端相連接二級(jí)濾波電路等組成，其特征在于，在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極與濾波延遲電路之間串接有光束激發(fā)式邏輯放大電路，而在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極與電阻R3的電路上則串接有邏輯保護(hù)射極耦合式放大電路。本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其制作和使用非常方便。同時(shí)，本發(fā)明完全采用邏輯電子元件來(lái)實(shí)現(xiàn)其邏輯控制功能，因此其能耗非常低，運(yùn)算速度快。
【專利說(shuō)明】一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種邏輯控制電路，具體是指一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，由于LED燈具有能耗低、使用壽命長(zhǎng)以及安全環(huán)保等特點(diǎn)，其已經(jīng)成為了人們生活照明的主流產(chǎn)品之一。由于LED燈不同于傳統(tǒng)的白熾燈，其需要由專用的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，因此市面上便出現(xiàn)了各式各樣的用于防止驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)免受內(nèi)部或外部不利因素干擾的保護(hù)系統(tǒng)。
[0003]邏輯控制電路是LED燈保護(hù)系統(tǒng)中的一個(gè)重要控制部分，其運(yùn)行速度的快慢和性能穩(wěn)定與否直接決定了 LED燈保護(hù)系統(tǒng)的使用范圍和性能好壞。但是，目前這些邏輯控制電路的結(jié)構(gòu)都較為復(fù)雜，不僅其能耗較高，而且其運(yùn)行速度較慢，不能很好的體現(xiàn)出邏輯控制的快速、低能耗的優(yōu)勢(shì)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于克服目前LED燈保護(hù)系統(tǒng)用的邏輯控制電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、能耗較高、運(yùn)行速度較慢的缺陷，提供一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)。
[0005]本發(fā)明的目的通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)，主要由場(chǎng)效應(yīng)管M0S，非門(mén)IC1，非門(mén)IC3，非門(mén)IC4，輸入端與非門(mén)ICl的輸出端相連接的非門(mén)IC2，與非門(mén)IC2的輸出端相連接的濾波延遲電路，與非門(mén)ICl的輸入端相連接的一級(jí)濾波電路，與非門(mén)IC3的輸入端相連接二級(jí)濾波電路，與非門(mén)IC4的輸出端相連接的異或門(mén)電路，一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接、另一端與非門(mén)ICl的輸出端相連接的電阻R3，一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接、另一端與異或門(mén)電路相連接的電阻R5，正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接、其負(fù)極與非門(mén)IC3的輸出端相連接的電容C3，以及一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、另一端接地的電阻R9組成。
[0006]同時(shí)，在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極與濾波延遲電路之間串接有光束激發(fā)式邏輯放大電路，而在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極與電阻R3的電路上則串接有邏輯保護(hù)射極耦合式放大電路；該光束激發(fā)式邏輯放大電路主要由功率放大器P1，與非門(mén)IC6，與非門(mén)IC7，與非門(mén)IC8，負(fù)極與功率放大器Pl的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D5后接地的極性電容C6，一端與極性電容C6的正極相連接、另一端經(jīng)二極管D6后接地的電阻R10，正極與電阻RlO和二極管D6的連接點(diǎn)相連接、負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接的極性電容C8，一端與與非門(mén)IC6的負(fù)極輸入端相連接、另一端與功率放大器Pl的正極輸入端相連接的電阻Rll，串接在功率放大器Pl的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R12, —端與與非門(mén)IC6的輸出端相連接、另一端與與非門(mén)IC8的負(fù)極輸入端相連接的電阻R13，正極與與非門(mén)IC7的輸出端相連接、負(fù)極與與非門(mén)IC8的負(fù)極輸入端相連接的電容C7，以及一端與極性電容C8的正極相連接、另一端與與非門(mén)IC7的負(fù)極輸入端相連接的電阻R14組成；所述與非門(mén)IC6的正極輸入端與功率放大器Pl的負(fù)極輸入端相連接，其輸出端與與非門(mén)IC7的正極輸入端相連接，與非門(mén)IC8的正極輸入端與功率放大器Pl的輸出端相連接；所述功率放大器Pl的正極輸入端則與濾波延遲電路相連接，與非門(mén)IC7的負(fù)極輸入端還與非門(mén)IC4的輸出端相連接。
[0007]所述邏輯保護(hù)射極耦合式放大電路主要由三極管Ql，三極管Q2，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器P2的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R16，串接在功率放大器P3的正極輸入端與輸出端之間的極性電容C11，串接在功率放大器P2的正極輸入端與三極管Ql的集電極之間的電阻R15，串接在三極管Ql的集電極與三極管Q2的基極之間的電阻R17，與電阻R17相并聯(lián)的電容C10，負(fù)極與功率放大器P2的正極輸入端相連接、正極經(jīng)電阻R18后與三極管Ql的發(fā)射極相連接的極性電容C9，串接在三極管Q2的基極與極性電容C9的正極之間的電阻R19，正極與三極管Q2的發(fā)射極相連接、負(fù)極順次經(jīng)穩(wěn)壓二極管D7和電阻R20后與功率放大器P2的輸出端相連接的電容C12，P極與功率放大器P3的輸出端相連接、N極經(jīng)電阻R22和電阻R21后與穩(wěn)壓二極管D7與電阻R20的連接點(diǎn)相連接的二極管D8，以及P極與電容C12的負(fù)極相連接、N極與二極管D8與電阻R22的連接點(diǎn)相連接的穩(wěn)壓二極管D9組成；所述三極管Ql的基極與極性電容C9的正極相連接，其發(fā)射極與三極管Q2的發(fā)射極相連接，其集電極與功率放大器P2的負(fù)極輸入端相連接；三極管Q2的集電極與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接，功率放大器P3的正極輸入端與功率放大器P2的輸出端相連接；所述極性電容C9的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接，而電阻R22與電阻R21的連接點(diǎn)則經(jīng)電阻R3后與非門(mén)ICl的輸出端相連接。
[0008]所述濾波延時(shí)電路由電阻R7、二極管D3、電解電容C5及電阻R8組成，所述電阻R8串接在電解電容C5的正極和負(fù)極之間，電阻R7的一端與非門(mén)IC2的輸出端相連接、其另一端經(jīng)二極管D3后與電解電容C5的正極相連接；所述功率放大器Pl的正極輸入端則與電解電容C5的正極相連接。
[0009]所述一級(jí)濾波電路由P極與非門(mén)ICl的輸入端相連接、N極經(jīng)電阻R2和電容Cl后與非門(mén)ICl的輸入端相連接的二極管D1，以及與二極管Dl相并聯(lián)的電阻Rl組成；所述電容Cl的負(fù)極接地。
[0010]所述異或門(mén)電路由異或門(mén)IC5，N極與異或門(mén)IC5的第一輸入端相連接、P極與二級(jí)濾波電路相連接的二極管D4，一端與二極管D4的P極相連接、另一端外接+12V電壓的電阻R6，以及正極與二極管D4的P極相連接、負(fù)極接地的電容C4組成；所述異或門(mén)IC5的第二輸入端與非門(mén)IC4的輸出端相連接，且非門(mén)IC4的輸出端還與與非門(mén)IC8的輸出端連接。
[0011]所述二級(jí)濾波電路由N極與非門(mén)IC3的輸入端相連接、P極與二極管D4的P極相連接的二極管D2，與二極管D2相并聯(lián)的電阻R4，以及正極與非門(mén)IC3的輸入端相連接、負(fù)極接地的電容C2組成。
[0012]本發(fā)明較現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)及有益效果:
(I)本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，其制作和使用非常方便。
[0013](2)本發(fā)明完全采用邏輯電子元件來(lái)實(shí)現(xiàn)其邏輯控制功能，因此其能耗非常低，運(yùn)算速度快。
[0014](3)本發(fā)明采用源極跟隨器來(lái)作為控制開(kāi)關(guān)，因此其性能更加穩(wěn)定，其動(dòng)態(tài)范圍更好。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1為本發(fā)明的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2為本發(fā)明的邏輯保護(hù)射極耦合式放大電路結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例
[0018]如圖1所示，本發(fā)明主要由場(chǎng)效應(yīng)管M0S、非門(mén)IC1、非門(mén)IC3、非門(mén)IC4、濾波延遲電路、一級(jí)濾波電路、二級(jí)濾波電路、異或門(mén)電路、電阻R3、電阻R5、電阻R9、電容C3、光束激發(fā)式邏輯放大電路以及邏輯保護(hù)射極耦合式放大電路組成。
[0019]連接時(shí)，非門(mén)IC2的輸入端要與非門(mén)ICl的輸出端相連接，即非門(mén)ICl和非門(mén)IC2相串接。所述的濾波延時(shí)電路由電阻R7、二極管D3、電解電容C5及電阻R8組成，其中，電阻R8串接在電解電容C5的正極和負(fù)極之間，而電阻R7的一端與非門(mén)IC2的輸出端相連接，其另一端經(jīng)二極管D3后與電解電容C5的正極相連接。
[0020]所述的一級(jí)濾波電路要與非門(mén)ICl的輸入端相連接，二級(jí)濾波電路則與非門(mén)IC3的輸入端相連接，異或門(mén)電路與非門(mén)IC4的輸出端相連接。
[0021]電阻R3的一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接，其另一端經(jīng)邏輯保護(hù)射極耦合式放大電路后與非門(mén)ICl的輸出端相連接；電阻R5的一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接，其另一端與異或門(mén)電路相連接；電容C3的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接，其負(fù)極與非門(mén)IC3的輸出端相連接；電阻R9的一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接，另一端接地。
[0022]所述一級(jí)濾波電路由二極管D1、電阻R1、電阻R2及電容Cl組成，其中，二極管Dl的P極與非門(mén)ICl的輸入端相連接，其N(xiāo)極經(jīng)電阻R2和電容Cl后與非門(mén)ICl的輸入端相連接。電阻Rl則與二極管Dl相并聯(lián)，而電容Cl的負(fù)極接地。
[0023]所述異或門(mén)電路由異或門(mén)IC5，二極管D4、電阻R6和電容C4組成，連接時(shí)，二極管D4的N極與異或門(mén)IC5的第一輸入端相連接，其P極與二級(jí)濾波電路相連接；電阻R6為分壓電阻，其一端與二極管D4的P極相連接，其另一端外接+12V電壓；電容C4的正極與二極管D4的P極相連接，其負(fù)極接地。同時(shí)，異或門(mén)IC5的第二輸入端要與非門(mén)IC4的輸出端相連接。
[0024]所述二級(jí)濾波電路由二極管D2、電阻R4及電容C2組成，其中，二極管D2的N極與非門(mén)IC3的輸入端相連接，其P極與二極管D4的P極相連接；電阻R4與二極管D2相并聯(lián)，電容C2的正極與非門(mén)IC3的輸入端相連接，其負(fù)極接地。
[0025]所述的光束激發(fā)式邏輯放大電路則主要由功率放大器P1，與非門(mén)IC6，與非門(mén)IC7，與非門(mén)IC8，負(fù)極與功率放大器Pl的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D5后接地的極性電容C6，一端與極性電容C6的正極相連接、另一端經(jīng)二極管D6后接地的電阻R10，正極與電阻RlO和二極管D6的連接點(diǎn)相連接、負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接的極性電容C8,—端與與非門(mén)IC6的負(fù)極輸入端相連接、另一端與功率放大器Pl的正極輸入端相連接的電阻Rll，串接在功率放大器Pl的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R12，一端與與非門(mén)IC6的輸出端相連接、另一端與與非門(mén)IC8的負(fù)極輸入端相連接的電阻R13，正極與與非門(mén)IC7的輸出端相連接、負(fù)極與與非門(mén)IC8的負(fù)極輸入端相連接的電容C7，以及一端與極性電容C8的正極相連接、另一端與與非門(mén)IC7的負(fù)極輸入端相連接的電阻R14組成。
[0026]同時(shí)，與非門(mén)IC6的正極輸入端與功率放大器Pl的負(fù)極輸入端相連接，其輸出端與與非門(mén)IC7的正極輸入端相連接，與非門(mén)IC8的正極輸入端與功率放大器Pl的輸出端相連接。
[0027]所述功率放大器Pl的正極輸入端與電解電容C5的正極相連接，與非門(mén)IC7的負(fù)極輸入端與非門(mén)IC4的輸出端相連接，而極性電容CS的負(fù)極則與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接。
[0028]所述的邏輯保護(hù)射極耦合式放大電路的結(jié)構(gòu)如圖2所示，其主要由三極管Q1，三極管Q2，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器P2的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R16，串接在功率放大器P3的正極輸入端與輸出端之間的極性電容Cll，串接在功率放大器P2的正極輸入端與三極管Ql的集電極之間的電阻R15，串接在三極管Ql的集電極與三極管Q2的基極之間的電阻R17，與電阻R17相并聯(lián)的電容C10，負(fù)極與功率放大器P2的正極輸入端相連接、正極經(jīng)電阻R18后與三極管Ql的發(fā)射極相連接的極性電容C9，串接在三極管Q2的基極與極性電容C9的正極之間的電阻R19，正極與三極管Q2的發(fā)射極相連接、負(fù)極順次經(jīng)穩(wěn)壓二極管D7和電阻R20后與功率放大器P2的輸出端相連接的電容C12，P極與功率放大器P3的輸出端相連接、N極經(jīng)電阻R22和電阻R21后與穩(wěn)壓二極管D7與電阻R20的連接點(diǎn)相連接的二極管D8，以及P極與電容C12的負(fù)極相連接、N極與二極管D8與電阻R22的連接點(diǎn)相連接的穩(wěn)壓二極管D9組成。
[0029]同時(shí)，所述三極管Ql的基極與極性電容C9的正極相連接，其發(fā)射極與三極管Q2的發(fā)射極相連接，其集電極與功率放大器P2的負(fù)極輸入端相連接；三極管Q2的集電極與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接，功率放大器P3的正極輸入端與功率放大器P2的輸出端相連接。
[0030]連接時(shí)，所述極性電容C9的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接，而電阻R22與電阻R21的連接點(diǎn)則經(jīng)電阻R3后與非門(mén)ICl的輸出端相連接。
[0031]本發(fā)明中一共形成有4個(gè)輸出端，用于與外部的其他LED電路相連接。其中，第一個(gè)輸出端CTl由二極管Dl的N極引出形成，第二個(gè)輸出端由二極管D2的P極引出形成，第三個(gè)輸出端由非門(mén)IC4的輸出端和與非門(mén)IC8的輸出端共同引出形成，第四個(gè)輸出端則由異或門(mén)IC5的輸出端引出形成。
[0032]如上所述，便可以很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)，主要由場(chǎng)效應(yīng)管MOS，非門(mén)IC1，非門(mén)IC3，非門(mén)IC4，輸入端與非門(mén)ICl的輸出端相連接的非門(mén)IC2，與非門(mén)IC2的輸出端相連接的濾波延遲電路，與非門(mén)ICl的輸入端相連接的一級(jí)濾波電路，與非門(mén)IC3的輸入端相連接二級(jí)濾波電路，與非門(mén)IC4的輸出端相連接的異或門(mén)電路，一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接、另一端與非門(mén)ICl的輸出端相連接的電阻R3，一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接、另一端與異或門(mén)電路相連接的電阻R5，正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接、其負(fù)極與非門(mén)IC3的輸出端相連接的電容C3，以及一端與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的漏極相連接、另一端接地的電阻R9組成，其特征在于，在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極與濾波延遲電路之間串接有光束激發(fā)式邏輯放大電路，而在場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極與電阻R3的電路上則串接有邏輯保護(hù)射極耦合式放大電路；該光束激發(fā)式邏輯放大電路主要由功率放大器P1，與非門(mén)IC6，與非門(mén)IC7，與非門(mén)IC8，負(fù)極與功率放大器Pl的正極輸入端相連接、正極經(jīng)光二極管D5后接地的極性電容C6，一端與極性電容C6的正極相連接、另一端經(jīng)二極管D6后接地的電阻R10，正極與電阻RlO和二極管D6的連接點(diǎn)相連接、負(fù)極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的源極相連接的極性電容C8,—端與與非門(mén)IC6的負(fù)極輸入端相連接、另一端與功率放大器Pl的正極輸入端相連接的電阻Rll，串接在功率放大器Pl的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R12，一端與與非門(mén)IC6的輸出端相連接、另一端與與非門(mén)IC8的負(fù)極輸入端相連接的電阻R13，正極與與非門(mén)IC7的輸出端相連接、負(fù)極與與非門(mén)IC8的負(fù)極輸入端相連接的電容C7，以及一端與極性電容CS的正極相連接、另一端與與非門(mén)IC7的負(fù)極輸入端相連接的電阻R14組成；所述與非門(mén)IC6的正極輸入端與功率放大器Pl的負(fù)極輸入端相連接，其輸出端與與非門(mén)IC7的正極輸入端相連接，與非門(mén)IC8的正極輸入端與功率放大器Pl的輸出端相連接；所述功率放大器Pl的正極輸入端則與濾波延遲電路相連接，與非門(mén)IC7的負(fù)極輸入端還與非門(mén)IC4的輸出端相連接； 所述邏輯保護(hù)射極耦合式放大電路主要由三極管Q1，三極管Q2，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器P2的負(fù)極輸入端與輸出端之間的電阻R16，串接在功率放大器P3的正極輸入端與輸出端之間的極性電容C11，串接在功率放大器P2的正極輸入端與三極管Ql的集電極之間的電阻R15，串接在三極管Ql的集電極與三極管Q2的基極之間的電阻R17，與電阻R17相并聯(lián)的電容C10，負(fù)極與功率放大器P2的正極輸入端相連接、正極經(jīng)電阻R18后與三極管Ql的發(fā)射極相連接的極性電容C9，串接在三極管Q2的基極與極性電容C9的正極之間的電阻R19，正極與三極管Q2的發(fā)射極相連接、負(fù)極順次經(jīng)穩(wěn)壓二極管D7和電阻R20后與功率放大器P2的輸出端相連接的電容C12，P極與功率放大器P3的輸出端相連接、N極經(jīng)電阻R22和電阻R21后與穩(wěn)壓二極管D7與電阻R20的連接點(diǎn)相連接的二極管D8，以及P極與電容C12的負(fù)極相連接、N極與二極管D8與電阻R22的連接點(diǎn)相連接的穩(wěn)壓二極管D9組成；所述三極管Ql的基極與極性電容C9的正極相連接，其發(fā)射極與三極管Q2的發(fā)射極相連接，其集電極與功率放大器P2的負(fù)極輸入端相連接；三極管Q2的集電極與功率放大器P3的負(fù)極輸入端相連接，功率放大器P3的正極輸入端與功率放大器P2的輸出端相連接；所述極性電容C9的正極與場(chǎng)效應(yīng)管MOS的柵極相連接，而電阻R22與電阻R21的連接點(diǎn)則經(jīng)電阻R3后與非門(mén)ICl的輸出端相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述濾波延時(shí)電路由電阻R7、二極管D3、電解電容C5及電阻R8組成，所述電阻R8串接在電解電容C5的正極和負(fù)極之間，電阻R7的一端與非門(mén)IC2的輸出端相連接、其另一端經(jīng)二極管D3后與電解電容C5的正極相連接；所述功率放大器Pl的正極輸入端則與電解電容C5的正極相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述一級(jí)濾波電路由P極與非門(mén)ICl的輸入端相連接、N極經(jīng)電阻R2和電容Cl后與非門(mén)ICl的輸入端相連接的二極管D1，以及與二極管Dl相并聯(lián)的電阻Rl組成；所述電容Cl的負(fù)極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述異或門(mén)電路由異或門(mén)IC5，N極與異或門(mén)IC5的第一輸入端相連接、P極與二級(jí)濾波電路相連接的二極管D4，一端與二極管D4的P極相連接、另一端外接+12V電壓的電阻R6，以及正極與二極管D4的P極相連接、負(fù)極接地的電容C4組成；所述異或門(mén)IC5的第二輸入端與非門(mén)IC4的輸出端相連接，且非門(mén)IC4的輸出端還與與非門(mén)IC8的輸出端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種基于邏輯保護(hù)射極耦合電路與激發(fā)式邏輯電路的控制系統(tǒng)，其特征在于，所述二級(jí)濾波電路由N極與非門(mén)IC3的輸入端相連接、P極與二極管D4的P極相連接的二極管D2，與二極管D2相并聯(lián)的電阻R4，以及正極與非門(mén)IC3的輸入端相連接、負(fù)極接地的電容C2組成。
【文檔編號(hào)】H05B37/02GK104470112SQ201410708102
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月28日
【發(fā)明者】高小英, 車(chē)容俊 申請(qǐng)人:成都措普科技有限公司