單晶制造裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種單晶制造裝置，是根據(jù)直拉法而構(gòu)成的單晶制造裝置，且具備坩堝，其容置原料熔液；圓筒狀加熱器，其圍繞該坩堝并加熱原料熔液；主腔室，其容納這些構(gòu)件；電極，其從該主腔室的底部插入，支持前述圓筒狀加熱器且供給電力；及，盛漏托盤(pán)，其配設(shè)于前述主腔室的底部，容置從前述坩堝中漏出的原料熔液；并且，所述單晶制造裝置的特征在于：液漏罩配設(shè)于前述坩堝的下方且前述電極的上方的位置處，所述液漏罩防止從前述坩堝中漏出的原料熔液滴落于前述電極上。由此，可以提供一種單晶制造裝置，所述單晶制造裝置可以保護(hù)電極，以避免接觸到從坩堝中液漏的原料熔液，所述電極支持圓筒狀加熱器。
【專利說(shuō)明】單晶制造裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種根據(jù)直拉法(Czochralski，CZ法)來(lái)制造單晶的裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]制造超高集成半導(dǎo)體元件所使用的基板主要采用硅晶片，所述硅晶片是根據(jù)CZ法來(lái)培育單晶硅，并由該單晶硅來(lái)制造出表面已精研磨成鏡面的硅晶片。隨著目的在于降低半導(dǎo)體元件的制造成本的硅晶片(silicon wafer)的大口徑化，單晶制造裝置及其爐內(nèi)構(gòu)件的大型化不斷發(fā)展。
[0003]此處，參照?qǐng)D4，對(duì)根據(jù)例如半導(dǎo)體單晶硅制造中所使用的以往的CZ法而構(gòu)成的單晶制造裝置的一個(gè)實(shí)例進(jìn)行說(shuō)明。
[0004]如圖4所示，此單晶制造裝置101具備以下結(jié)構(gòu):主腔室(提拉室)102、容納于該主腔室102內(nèi)的坩堝103、以圍繞坩堝103的方式配置的圓筒狀加熱器104、使坩堝103旋轉(zhuǎn)的坩堝保持軸105及其旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)(未圖示)、保持硅晶種106的晶種夾頭107、提拉晶種夾頭107的鋼索108、及使鋼索108旋轉(zhuǎn)或卷繞的卷繞機(jī)構(gòu)(未圖示)。
[0005]坩堝103,在其內(nèi)側(cè)的容置有原料熔液(熔湯,此處為娃熔液)109的一側(cè),設(shè)置有石英坩堝，而在其外側(cè)設(shè)置有石墨坩堝。并且，在圓筒狀加熱器104的外側(cè)周圍設(shè)置有加熱器隔熱材料110，在圓筒狀加熱器104的底部配置有隔熱板111。
[0006]其次，對(duì)根據(jù)上述的單晶制造裝置101而實(shí)施的單晶的成長(zhǎng)法進(jìn)行說(shuō)明。
[0007]首先，在坩堝103內(nèi)，將硅的高純度多晶原料加熱至熔點(diǎn)(約1420°C )以上使其熔解。而后，根據(jù)將鋼索108退繞，以使晶種106的前端接觸或浸潰于熔湯液面的大致中心部。然后，使坩堝保持軸105向適當(dāng)?shù)姆较蛐D(zhuǎn)，并且一邊使鋼索108旋轉(zhuǎn)一邊卷繞來(lái)提拉晶種106，由此來(lái)開(kāi)始單晶的成長(zhǎng)。之后，根據(jù)適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)提拉速度與溫度，可以獲得大致圓柱狀的單晶棒112。
[0008]上述單晶制造裝置101中的石英坩堝和石墨坩堝均具有較高的耐熱性，但卻存在較脆、缺乏耐沖擊性的缺點(diǎn)。因此，在單晶提拉時(shí)，如果將多晶原料投入坩堝103，此沖擊可能會(huì)導(dǎo)致坩堝103上產(chǎn)生裂縫，原料熔液109可能會(huì)從裂縫處泄漏。
[0009]并且，在投入多晶原料時(shí)，坩堝103內(nèi)的熔湯也可能會(huì)向坩堝103的周圍飛散。進(jìn)一步存在以下危險(xiǎn)性:由于使用而導(dǎo)致坩堝103逐漸劣化；或當(dāng)單晶112在提拉中滴落時(shí)，坩堝103斷裂而導(dǎo)致大致全部熔湯流出。
[0010]因此，例如在專利文獻(xiàn)I所公開(kāi)的單晶提拉裝置中，在主腔室102的底部配設(shè)有盛漏托盤(pán)113，所述盛漏托盤(pán)113具有可以容置全部熔融原料的內(nèi)容積。
[0011]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0012]專利文獻(xiàn)
[0013]專利文獻(xiàn)1:國(guó)際公開(kāi)第2001/064976號(hào)手冊(cè)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0014][發(fā)明所要解決的課題]
[0015]在如圖4所示的以往的單晶制造裝置101中，在圓筒狀加熱器104上，經(jīng)由夾鉗等連接有用于向加熱器供給電力的電極114。該電極114從主腔室102的底部插入，從下面支撐圓筒狀加熱器104。
[0016]此處，本發(fā)明人對(duì)此電極進(jìn)行調(diào)查?？紤]到單晶制造裝置的小型化和熱效率等，將與圓筒狀加熱器連結(jié)的電極，設(shè)計(jì)成位于容置原料熔液的坩堝的正下方附近。此時(shí)，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)熔湯從坩堝中泄漏時(shí)，原料熔液從上方滴落到電極上，可能會(huì)導(dǎo)致被水冷的金屬制成的電極發(fā)生損傷。
[0017]本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)而完成，目的在于提供一種單晶制造裝置，所述單晶制造裝置可以保護(hù)電極，以避免接觸到從坩堝中液漏的原料熔液，所述電極支持圓筒狀加熱器。
[0018][解決課題的方法]
[0019]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明提供一種單晶制造裝置，是根據(jù)直拉法而構(gòu)成的單晶制造裝置，且具備坩堝，其容置原料熔液；圓筒狀加熱器，其圍繞該坩堝并加熱原料熔液；主腔室，其容納這些構(gòu)件；電極，其從該主腔室的底部插入，支持前述圓筒狀加熱器且供給電力；及，盛漏托盤(pán)，其配設(shè)于前述主腔室的底部，容置從前述坩堝中漏出的原料熔液；并且，所述單晶制造裝置的特征在于:液漏罩配設(shè)于前述坩堝的下方且前述電極的上方的位置處，所述液漏罩防止從前述坩堝中漏出的原料熔液滴落于前述電極上。
[0020]如果是這種本發(fā)明的單晶制造裝置，即使原料熔液從坩堝中泄漏，也可以根據(jù)液漏罩，防止從坩堝中泄漏的原料熔液滴落到電極上。由此，可以保護(hù)電極以避免接觸到原料熔液，并可以抑制原料熔液損傷電極。
[0021]并且，在以往的單晶制造裝置中，如果原料熔液侵入并固著于圓筒狀加熱器與電極的連結(jié)部分，由于后續(xù)無(wú)法將圓筒狀加熱器拆卸，因此，需要將圓筒狀加熱器或連結(jié)部分破壞并取出。但是，根據(jù)液漏罩，由于不僅可以防止原料熔液滴落到電極上，還可以防止原料熔液滴落到圓筒狀加熱器或連結(jié)部分上，因此，可以將圓筒狀加熱器或連結(jié)部分在不破損的前提下取出。
[0022]進(jìn)一步，從圓筒狀加熱器中的發(fā)熱部等的上方高溫部能夠看到電極或與電極的連結(jié)部分，意味著此處存在導(dǎo)熱的路徑，來(lái)自圓筒狀加熱器的輻射熱將會(huì)逸散至主腔室下方。因此，在以往的制造裝置中，可能導(dǎo)致熱效率惡化、成本較高或高環(huán)境負(fù)荷。但是，可以根據(jù)配設(shè)液漏罩，防止來(lái)自圓筒狀加熱器的熱朝下方逸散，由此，可以有效地加熱原料熔液。
[0023]并且，可以使前述液漏罩為環(huán)形。
[0024]如果是這種單晶制造裝置，由于坩堝的整個(gè)周圍均配設(shè)有液漏罩，因此，無(wú)論原料熔液從坩堝中泄漏的位置為哪一處，都可以防止原料熔液滴落到電極等下方的構(gòu)件上。并且，可以效率更良好地加熱原料熔液。
[0025]并且，可以使在前述盛漏托盤(pán)上配設(shè)有檢測(cè)液漏的液漏檢測(cè)器，前述液漏罩具有將從前述坩堝中漏出的原料熔液引導(dǎo)至前述液漏檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)。
[0026]如果是這種單晶制造裝置，可以檢測(cè)液漏發(fā)生本身，可以進(jìn)行斷電等的即時(shí)反應(yīng)，并且可以迅速采取有效且適合的避免方法。
[0027]并且，可以使在前述盛漏托盤(pán)與前述液漏罩之間，配設(shè)有供前述電極插通的隔熱板，前述液漏罩具有將從前述坩堝中漏出的原料熔液引導(dǎo)至前述隔熱板的結(jié)構(gòu)，該隔熱板具有將原料熔液引導(dǎo)至前述盛漏托盤(pán)上所配設(shè)的液漏檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)。
[0028]如果是這種單晶制造裝置，可以將漏出的原料熔液引導(dǎo)至隔熱板而并非電極，還可以更確實(shí)地防止原料熔液滴落到電極上。
[0029]并且，根據(jù)隔熱板可以防止來(lái)自上方的熱量向下方逸散，可以進(jìn)一步有效地進(jìn)行原料熔液的加熱。
[0030]而且，可以將原料熔液從隔熱板朝向液漏檢測(cè)器引導(dǎo)，可以檢測(cè)液漏發(fā)生本身。
[0031]并且，可以使引導(dǎo)前述液漏罩的原料熔液的結(jié)構(gòu)是由設(shè)置于上表面的周邊的凸棱與形成于該凸棱的一部分上的缺口所構(gòu)成。
[0032]如果是這種單晶制造裝置，可以根據(jù)凸棱將原料熔液暫時(shí)積存于上表面，而且可以將原料熔液經(jīng)過(guò)缺口簡(jiǎn)便地朝向液漏罩的外部引導(dǎo)。
[0033][發(fā)明的效果]
[0034]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的單晶制造裝置，可以保護(hù)電極或電極與圓筒狀加熱器的連結(jié)部分，以避免接觸到從坩堝中漏出的原料熔液。并且，可以減少來(lái)自圓筒狀加熱器中的熱量從配設(shè)有坩堝的上方朝下方逸散，可以有效地進(jìn)行原料熔液的加熱。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1是表示本發(fā)明的單晶制造裝置的一個(gè)實(shí)例的示意圖。
[0036]圖2是表示液漏罩的一個(gè)實(shí)例的示意圖。
[0037]圖3是表示實(shí)施例和比較例的耗電量的結(jié)果的圖表。
[0038]圖4是表示以往的單晶制造裝置的一個(gè)實(shí)例的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0039]以下，針對(duì)本發(fā)明的單晶制造裝置，作為實(shí)施方式的一個(gè)實(shí)例，一邊參照附圖一邊進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明，但本發(fā)明不限定于此實(shí)施方式。
[0040]在圖1中，表示本發(fā)明的單晶制造裝置的一個(gè)實(shí)例的概況。本發(fā)明的單晶制造裝置是用于根據(jù)CZ法來(lái)制造單晶(例如單晶硅)的裝置。
[0041]如圖1所示，此單晶制造裝置I大致具備以下結(jié)構(gòu):主腔室(提拉室)2、容納于該主腔室2內(nèi)的坩堝3、以圍繞坩堝3的方式配置的圓筒狀加熱器(以下，簡(jiǎn)稱為加熱器)4、使坩堝3旋轉(zhuǎn)的坩堝保持軸5及其旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)(未圖示)、保持硅晶種6的晶種夾頭7、提拉晶種夾頭7的鋼索8、及使鋼索8旋轉(zhuǎn)或卷繞的的卷繞機(jī)構(gòu)(未圖示)。單晶12可以根據(jù)以下方法來(lái)培育:利用鋼索8，將晶種6卷繞上提，所述晶種6接觸坩堝3中的原料熔液9 (熔湯，此處為硅熔液)或浸潰于坩堝3中的原料熔液9中。
[0042]此處，坩堝3，在其內(nèi)側(cè)的容置有原料熔液9的一側(cè)設(shè)置有石英坩堝，在其外側(cè)設(shè)置有石墨坩堝。并且，在加熱器4的外側(cè)周圍設(shè)置有加熱器隔熱材料10。
[0043]并且，在主腔室2的底部配設(shè)有盛漏托盤(pán)13，所述盛漏托盤(pán)13具有可以容置全部熔融原料的內(nèi)容積。
[0044]并且，金屬制成的被水冷的電極14，從主腔室2的底部插入。此電極14在上端部處經(jīng)由夾鉗等與加熱器4連結(jié)，負(fù)責(zé)支撐加熱器4并供給電力。
[0045]電極14和坩堝保持軸5的周圍被套管15所覆蓋。用于當(dāng)原料熔液從坩堝3中泄漏并到達(dá)盛漏托盤(pán)13時(shí)，保護(hù)電極14或坩堝保持軸5以避免接觸到泄漏的原料熔液。
[0046]而且，在本發(fā)明的單晶制造裝置I中，在坩堝3的下方且電極14的上方的位置處配設(shè)有液漏罩16。進(jìn)一步，也可以在該液漏罩16與盛漏托盤(pán)13之間配設(shè)隔熱板11。
[0047]此處，對(duì)液漏罩16作詳細(xì)敘述。
[0048]由于在坩堝3與電極14之間配設(shè)有液漏罩16，因此，即使坩堝3中的原料熔液9泄漏，并朝向電極14滴落，也不過(guò)是滴落到配設(shè)于電極14上方位置處的液漏罩16上?？梢苑乐乖先垡郝涞脚渲糜谝郝┱?6下面的電極14上、或落到電極14與加熱器4的連結(jié)部分。這樣一來(lái)，可以保護(hù)金屬制成的電極14或連結(jié)部分等，以避免接觸到原料熔液，可以防止這些構(gòu)件損傷。因此，在取出加熱器4時(shí)，也不需要像以往那樣，將有原料熔液滴落并固著的連結(jié)部分或加熱器4的一部分破壞。
[0049]并且，根據(jù)配設(shè)液漏罩16，可以抑制來(lái)自加熱器4的輻射熱向主腔室2內(nèi)的下方逸散。因此，可以效率良好地加熱坩堝3內(nèi)的原料熔液，并能夠降低制造時(shí)所耗費(fèi)的電力。因此，可以謀求降低成本或降低環(huán)境負(fù)載等。
[0050]液漏罩16的配設(shè)位置，只要是坩堝3的下方且電極14的上方的位置即可，具體位置并無(wú)特別限定?？梢詾橐韵挛恢茫?在坩堝3下方隔開(kāi)1mm以上間隔的位置處，且在電極14上方，例如在電極14與加熱器4的連結(jié)部分的上方隔開(kāi)1mm以上間隔的位置處。如果是這種位置，就可以使液漏罩16在作業(yè)中與坩堝3、電極14及連結(jié)部分等互不干擾，并防止由短路所引起的火花(spark)。
[0051]另外，對(duì)于液漏罩16的大小、形狀等，并無(wú)特別限定。只要具備可以保護(hù)電極14以避免接觸到漏出的原料熔液的程度的大小、形狀即可。例如，可以是剛好足夠覆蓋電極14的上方所需要的最低限度的大小，也可以是呈圖2所示的環(huán)形并向坩堝3的整個(gè)周圍擴(kuò)展的形狀。
[0052]此處，由于在圖2所示的一例中為環(huán)形，因此，中心的孔的部分可以供坩堝保持軸5插通，且還可以防止原料熔液9從配設(shè)于上方的坩堝3的任一位置泄漏并直接朝向主腔室2內(nèi)的下方滴落。進(jìn)一步，相對(duì)于圓筒狀加熱器4，由于可以使圓周方向的任一位置處的輻射熱難以朝下方逸散，因此，可以更有效地加熱原料熔液9。而且，可以在坩堝3的圓周方向，以均勻的熱分布為前提進(jìn)行加熱。
[0053]并且,液漏罩16與隔熱板11成為一體，所述隔熱板11配設(shè)于液漏罩16的下方且插通有電極14等。此處，分別準(zhǔn)備具有用于調(diào)整高度位置的適當(dāng)厚度的構(gòu)件17，在隔熱板11上放置高度位置調(diào)整用構(gòu)件17，進(jìn)一步在高度位置調(diào)整用構(gòu)件17上放置液漏罩16。在這些構(gòu)件上預(yù)先適當(dāng)形成嵌合部，將嵌合部嵌合并固定，以避免位置相互錯(cuò)開(kāi)。
[0054]如圖2所示，在隔熱板11上形成有電極插通口 22，成為可以供電極14插通的結(jié)構(gòu)。
[0055]液漏罩16可以由石墨材料構(gòu)成，高度位置調(diào)整用構(gòu)件17可以由隔熱材料或石墨材料構(gòu)成。
[0056]并且，也可以不經(jīng)由這種高度位置調(diào)整用構(gòu)件17，而是根據(jù)適當(dāng)調(diào)整液漏罩16或隔熱板11的厚度、它們的位置，來(lái)使液漏罩16與隔熱板11直接性地一體化而成。
[0057]并且，也可以將液漏罩16與隔熱板11分別獨(dú)立地配設(shè)。
[0058]將液漏罩16與隔熱板11 一體化地配設(shè)、還是分別獨(dú)立地配設(shè)等，可以根據(jù)主腔室2的大小或與其他構(gòu)件的位置關(guān)系等而適當(dāng)決定。
[0059]這些隔熱板11與液漏罩16的不同在于，是否覆蓋電極14的上方。
[0060]并且，在液漏罩16的上表面，沿著周邊設(shè)置有凸棱(rib) 18。由于設(shè)置有這種凸棱18，因此，可以暫時(shí)積存滴落到液漏罩16上的原料熔液。
[0061]而且，在該凸棱18的一部分上形成有缺口 19。因此，可以將由凸棱18圍繞而成的區(qū)域內(nèi)所積存的原料熔液，從缺口 19進(jìn)一步朝下方流動(dòng)。利用調(diào)整該缺口 19的形成位置，并且以使缺口 19位于想要使原料熔液流入的理想的位置的正上方的方式來(lái)配設(shè)液漏罩16，可以引導(dǎo)原料熔液，使原料熔液通過(guò)缺口 19而流動(dòng)到此希望的位置處。
[0062]液漏罩16中的這種泄漏的原料熔液的引導(dǎo)結(jié)構(gòu)20，并非限定于圖2的一例，可以適當(dāng)決定。作為其他例，例如，也可以根據(jù)在液漏罩16中形成貫通孔等，使原料熔液從貫通孔流出并滴落。
[0063]只要為以下結(jié)構(gòu)即可:將原料熔液引導(dǎo)至希望的位置處，且不會(huì)滴落到電極14或連結(jié)部分等。
[0064]可以使上述引導(dǎo)結(jié)構(gòu)成為以下結(jié)構(gòu)，S卩，向盛漏托盤(pán)13上所配設(shè)的液漏檢測(cè)器21引導(dǎo)。作為盛漏托盤(pán)13，可以只容置從坩堝3中漏出的原料熔液，但在圖1所示的一例中，進(jìn)一步配設(shè)有液漏檢測(cè)器21，以便可以自動(dòng)地檢測(cè)液漏。如果是這種盛漏托盤(pán)，可以檢測(cè)液漏發(fā)生本身，并即時(shí)采取斷電等有效對(duì)策。根據(jù)液漏檢測(cè)器21，可以經(jīng)常檢測(cè)盛漏托盤(pán)13中的溫度，并依據(jù)檢測(cè)值的變化來(lái)判斷液漏。
[0065]如果前述液漏罩16的引導(dǎo)結(jié)構(gòu)20引導(dǎo)原料熔液，使原料熔液直接流動(dòng)至液漏檢測(cè)器21附近，就可以將以往流動(dòng)至加熱器4與電極14的連結(jié)構(gòu)件等的原料熔液也引導(dǎo)至液漏檢測(cè)器21。因此，例如，即便配設(shè)液漏檢測(cè)器，仍可以將以往流動(dòng)至連結(jié)構(gòu)件等的無(wú)法檢測(cè)的液漏檢測(cè)出來(lái)，或可以較以往更早地檢測(cè)出液漏。
[0066]并且，作為液漏罩16的引導(dǎo)結(jié)構(gòu)20，可以將原料熔液引導(dǎo)至隔熱板11，并使原料熔液經(jīng)由隔熱板11，流動(dòng)至液漏檢測(cè)器21附近。此時(shí)優(yōu)選為，隔熱板11也具備有與液漏罩16相同的引導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
[0067]如果是這種液漏罩16或隔熱板11，可以對(duì)從坩堝3中泄漏的原料熔液9進(jìn)行引導(dǎo)，使原料熔液9根據(jù)液漏罩16和隔熱板11的引導(dǎo)結(jié)構(gòu)20，最終引導(dǎo)至液漏檢測(cè)器21。因此，確實(shí)可以使液漏的檢測(cè)功能優(yōu)良。
[0068][實(shí)施例]
[0069]以下，示出實(shí)施例和比較例，具體地說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并非限定于這些例子。
[0070](實(shí)施例)
[0071]使用圖1所示的本發(fā)明的單晶制造裝置I來(lái)制造單晶硅，所述單晶制造裝置I設(shè)置有石墨材料的液漏罩。
[0072]將140kg的多晶硅放入直徑61cm的石英坩堝中，將多晶硅熔解。以使中心強(qiáng)度成為0.4T的方式施加水平磁場(chǎng)，經(jīng)過(guò)硅熔融物的熟成工序，將具有(001)面的晶種浸入硅熔融物。
[0073]此時(shí)的氬氣(Ar)流量為120L/min，單晶制造裝置內(nèi)的壓力根據(jù)在排氣管上設(shè)置電阻式傳感器而調(diào)整為75torr(9999Pa)。頸縮后擴(kuò)徑至所需的直徑200mm，然后，培育出制品部也就是定徑(sizing)的比電阻為10 Ω.cm的硼摻雜(boron dope)的直徑200mm的單晶娃。
[0074]對(duì)此單晶硅的培育所需要的平均耗電量進(jìn)行調(diào)查。將調(diào)查結(jié)果示于圖3。如圖3所示，為95kW。與后述比較例相比，平均耗電量較少。一般認(rèn)為這是由于與使用以往的單晶制造裝置的比較例不同，在實(shí)施例中，將液漏罩配設(shè)于電極的上方，可以防止加熱器的輻射熱向液漏罩下方逸散，進(jìn)一步防止加熱器的輻射熱從隔熱板的電極插通口向主腔室的下方逸散，而效率良好地進(jìn)行硅熔融物的加熱。
[0075](比較例)
[0076]使用圖4所示的以往的單晶制造裝置101來(lái)制造單晶硅，所述單晶制造裝置101并未配設(shè)液漏罩。
[0077]其他作業(yè)條件與實(shí)施例相同。
[0078]如圖3所示，此單晶硅的培育所需要的平均耗電量為100kW。與實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施例相比，更耗費(fèi)平均耗電量。
[0079]另外，運(yùn)轉(zhuǎn)(running)作業(yè)時(shí)可能會(huì)發(fā)生液漏。在比較例的單晶制造裝置101中，原料熔液滴落到電極等上，但在實(shí)施例的單晶制造裝置I中，可以根據(jù)液漏罩來(lái)保護(hù)電極以避免接觸到原料熔液。
[0080]另外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。上述實(shí)施方式為例示，具有與本發(fā)明的權(quán)利要求書(shū)中所述的技術(shù)思想實(shí)質(zhì)相同的結(jié)構(gòu)并發(fā)揮相同作用效果的技術(shù)方案，均包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種單晶制造裝置，是根據(jù)直拉法而構(gòu)成的單晶制造裝置，且具備坩堝，其容置原料熔液；圓筒狀加熱器，其圍繞該坩堝并加熱原料熔液；主腔室，其容納這些構(gòu)件；電極，其從該主腔室的底部插入，支持前述圓筒狀加熱器且供給電力；及，盛漏托盤(pán)，其配設(shè)于前述主腔室的底部，容置從前述坩堝中漏出的原料熔液；并且，所述單晶制造裝置的特征在于: 液漏罩配設(shè)于前述坩堝的下方且前述電極的上方的位置處，所述液漏罩防止從前述坩堝中漏出的原料熔液滴落于前述電極上。
2.如權(quán)利要求1所述的單晶制造裝置，其中，前述液漏罩為環(huán)形。
3.如權(quán)利要求1或2所述的單晶制造裝置，其中，在前述盛漏托盤(pán)上配設(shè)有檢測(cè)液漏的液漏檢測(cè)器，前述液漏罩具有將從前述坩堝中漏出的原料熔液引導(dǎo)至前述液漏檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的單晶制造裝置，其中，在前述盛漏托盤(pán)與前述液漏罩之間，配設(shè)有供前述電極插通的隔熱板，前述液漏罩具有將從前述坩堝中漏出的原料熔液引導(dǎo)至前述隔熱板的結(jié)構(gòu)，該隔熱板具有將原料熔液引導(dǎo)至前述盛漏托盤(pán)上所配設(shè)的液漏檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求3或4所述的單晶制造裝置，其中，引導(dǎo)前述液漏罩的原料熔液的結(jié)構(gòu)，是由設(shè)置于上表面的周邊的凸棱與形成于該凸棱的一部分上的缺口所構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】C30B29/06GK104364427SQ201380029424
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2013年4月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月4日
【發(fā)明者】島田聰郎 申請(qǐng)人:信越半導(dǎo)體股份有限公司