低反彈性電解銅箔、使用該電解銅箔的線路板及撓性線路板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種撓性線路板用電解銅箔，其在制造、加工生產(chǎn)線中容易掌控，在貼膜工序中實施熱處理后具有優(yōu)異的低反彈性，能夠應(yīng)對電氣設(shè)備的小型化，且晶粒組織的過度粗大化得到抑制，精細圖案形成特性也很優(yōu)異。一種低反彈性優(yōu)異的電解銅箔，其中基于300℃×1小時熱處理后常溫下測定的0.2％應(yīng)變的應(yīng)力X1(MPa)的數(shù)學(xué)式1所示的，表示剛性的數(shù)值y1小于800，并且，基于所述應(yīng)力X1(MPa)和0.4％應(yīng)變的應(yīng)力X2(MPa)的數(shù)學(xué)式2所示的，表示剛性隨彎曲而變化的程度的數(shù)值y2為1.5以上。此外，對于低反彈性優(yōu)異的電解銅箔，基于熱處理前0.2％應(yīng)變的應(yīng)力X3(MPa)的數(shù)學(xué)式3所示的，表示剛性的數(shù)值y3優(yōu)選為600以上且小于1000，(數(shù)學(xué)式1)y1＝(X1/0.2)，(數(shù)學(xué)式2)y2＝(X1/0.2)/(X2/0.4)，(數(shù)學(xué)式3)y3＝(X3/0.2)。
【專利說明】低反彈性電解銅箔、使用該電解銅箔的線路板及撓性線路 板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種特別是具有優(yōu)異的低反彈性及精細圖案形成特性的電解銅箔。更 詳細而言，本發(fā)明涉及一種適用于撓性線路板的電解銅箔，其在制造撓性線路板時，在薄膜 粘貼工序?qū)嵤┑臒崽幚磉^程中的結(jié)晶過度粗大化得到抑制、具有優(yōu)異的低反彈性及精細圖 案形成特性。
[0002] 另外，本說明書中作如下定義。
[0003] "電解銅箔"是指電解銅箔和電解銅合金箔中的任意一個，或者這兩者。
[0004] "未處理"狀態(tài)是指制箔后、或制箔后表面經(jīng)過防銹處理、或根據(jù)需要實施過粗化 處理等緊貼性改善處理的狀態(tài)，表示尚未實施加熱處理的狀態(tài)。
[0005] "低反彈性"是指在很小的負載下便可彎曲且容易發(fā)生塑性變形的特性。

【背景技術(shù)】
[0006]線路板普遍用于各種電子設(shè)備類中的硅芯片、電容器類的基板和連接材料，在線 路板的導(dǎo)電層中通常使用銅箔。
[0007]上述線路板的銅箔通常以壓延銅箔、電解銅箔的形態(tài)供應(yīng)，其中生產(chǎn)性高且容易 薄層化的電解銅箔被廣泛使用。
[0008]目前以信息設(shè)備終端為代表的高性能電子設(shè)備的小型化不斷發(fā)展，使得縮小設(shè)備 內(nèi)部體積成為課題。因此，在這些用途中，在很小的地方能夠高效順暢地進行實際安裝的、 具有低反彈性的線路板（以下稱撓性線路板）中，作為導(dǎo)電層的銅箔也需要低反彈性。
[0009]通常，銅箔在加工成上述撓性線路板時，在貼膜工序等中經(jīng)受300°C前后的熱經(jīng) 歷。因此，經(jīng)受過熱經(jīng)歷后的銅箔需要具有上述低反彈性，該特性的控制十分重要。
[0010] 在很小的負載下便可彎曲且容易發(fā)生塑性變形，即"低反彈性"，是一種在經(jīng)過貼 膜工序之后所需的特性。貼膜工序之前便具有該特性的銅箔，通常容易產(chǎn)生皺褶，在制造和 加工生產(chǎn)線中難以進行掌控。此外，相反地如果銅箔在貼膜工序前反彈性過大，則在制造、 加工生產(chǎn)線上容易發(fā)生銅箔斷裂，難以掌控。
[0011]再加上，在銅箔用于撓性線路板時，必須形成能夠應(yīng)對導(dǎo)線高密度化的精細圖案 電路，因此銅箔必須是低粗糙度。此外，銅箔中的晶粒組織必須達到一定程度的細微度，如 果銅箔因上述加熱處理導(dǎo)致晶粒組織過度粗大，則會對精細圖案形成特性造成不良影響。
[0012]而且，為了提高精細圖案形成特性，必須將銅箔做薄。即，過去撓性線路板中所使 用銅箔的厚度一般為18 ilm或12 ilm,但目前逐漸需要12 ilm或更薄的銅箔。另外,厚度 18 y m以下的壓延銅箔的制造成本比電解銅箔高約2倍。
[0013]專利文獻1(日本專利第4357548號公報）中公開了一種壓延銅合金箔，其用于連 接器、引線框等電氣和電子零部件，通過控制結(jié)晶方位等，具有優(yōu)異彎曲加工性。但是，該壓 延銅合金箔的特點是彎曲加工后不返回（不回彈），而在彎曲加工階段因其強度高，所以反 彈力大，呈現(xiàn)一種與本發(fā)明需要的低反彈性不同的特性。
[0014] 專利文獻2 (日本專利特開2009-242846號公報）中公開了一種壓延銅合金箔，其 用于撓性線路板，通過控制箔厚、表面粗糙度、結(jié)晶方位等，降低了彎曲時的反彈力。但是， 壓延銅箔或壓延銅合金箔與本發(fā)明電解銅箔的制造方法完全不同，所需的結(jié)晶組織控制方 法和構(gòu)成要素也不同。
[0015] 專利文獻3(日本專利特開2007-320083號公報）中公開了一種覆銅疊層板 (CCL)，其用于撓性線路板，通過控制聚酰亞胺的組成、銅箔層的厚度，抑制了回彈力。但是， 該覆銅疊層板的銅箔層僅僅將厚度限為較薄，并未對作為其結(jié)晶組織的反彈性本身進行改 善，因此有別于通過銅箔層自身的結(jié)晶組織控制來實現(xiàn)低反彈性的本發(fā)明。
[0016] 專利文獻4(日本專利第4712759號公報）中公開了一種電解銅箔，其用于電路基 板,通過將粗糙面（M面）的表面粗糙度Rz控制在I. 0 ii m以下、Ra控制在0. 2 ii m以下，具 有優(yōu)異的精細圖案形成特性。但是，該電解銅箔的特征為優(yōu)異的表面平滑性，其目標(biāo)并非本 發(fā)明需要的低反彈性。
[0017]專利文獻5(日本專利第4827952號公報）中公開了一種電解銅箔，其用于CCL(覆 銅疊層板），通過將銅箔中雜質(zhì)濃度控制為較低，具有優(yōu)異的彎曲性。但是，該電解銅箔雖然 在較小負載下便可彎曲，但具有需要大彈性變形區(qū)域的高彎曲性，因此容易想象，其不易發(fā) 生塑性變形，且彎曲加工后回彈量大，因此不具有本發(fā)明需要的低反彈性。
[0018] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0019] 專利文獻
[0020] 專利文獻1 :日本專利第4357548號公報
[0021] 專利文獻2 :日本專利特開開2009-242846號公報
[0022] 專利文獻3 :日本專利特開2007-320083號公報
[0023] 專利文獻4 :日本專利第4712759號公報
[0024] 專利文獻5 :日本專利第4827952號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0025](一）要解決的技術(shù)問題
[0026] 本發(fā)明提供一種電解銅箔，其在制造、加工生產(chǎn)線上容易掌控，可通過在貼膜工序 實施的熱處理發(fā)揮出或維持低反彈性，能夠應(yīng)對電氣設(shè)備的小型化，且晶粒組織的過度粗 大化得到抑制，精細圖案形成特性也很優(yōu)異。
[0027](二）技術(shù)方案
[0028] 本發(fā)明電解銅箔的特征在于，基于300°C Xl小時熱處理后常溫下測定的0. 2% 應(yīng)變的應(yīng)力Xl (MPa)的數(shù)學(xué)式1所示的，表示剛性的數(shù)值yl小于800,并且基于所述應(yīng)力 Xl (MPa)和0. 4%應(yīng)變的應(yīng)力X2 (MPa)的數(shù)學(xué)式2所示的，表示剛性隨彎曲而變化的程度的 數(shù)值y2為1.5以上，
[0029](數(shù)學(xué)式1)
[0030] yl = (X1/0. 2) <800,
[0031](數(shù)學(xué)式2)
[0032] y2 = (Xl/0. 2V(X2/0. 4)彡 1. 5。
[0033] 對于所述電解銅箔，優(yōu)選地，基于熱處理前（未處理）0? 2%應(yīng)變時的應(yīng)力X3 (MPa) 的數(shù)學(xué)式3所示的，表示剛性的數(shù)值y3為600以上且小于1000，
[0034](數(shù)學(xué)式3)
[0035] 600 彡 y3=(X3/0. 2)〈1000。
[0036] 對于所述電解銅箔，優(yōu)選地，在300°C X 1小時熱處理后，常溫下觀察的300 ii m見 方中粒徑小于2 ii m的晶粒的個數(shù)為5, 000個以上。
[0037] 對于所述電解銅箔，優(yōu)選地，粗糙面（M面）的表面粗糙度Rz小于3. 0 y m，且光滑 面（S面）的表面粗糙度Rz小于3. 0 ii m。
[0038] 本發(fā)明的所述電解銅箔可適用于線路板，尤其適用于撓性線路板。
[0039](三）有益效果
[0040] 本發(fā)明提供一種電解銅箔，其在線路板的制造、加工生產(chǎn)線上容易掌控，在貼膜工 序中實施熱處理后具有優(yōu)異的低反彈性，能夠應(yīng)對電氣設(shè)備的小型化，且雙面都為低粗糙 度，晶粒組織的過度粗大化得到抑制，精細圖案形成特性也很優(yōu)異。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0041] 圖1是表示滾筒式制箔裝置的說明圖。
[0042] 圖2是表示測定反彈性的測定器具的說明圖。

【具體實施方式】
[0043] 本發(fā)明電解銅箔的特征在于，基于300°C Xl小時熱處理后常溫下測定的0. 2% 應(yīng)變時的應(yīng)力Xl (MPa)的數(shù)學(xué)式1所示的，表示剛性的數(shù)值yl小于800,并且基于應(yīng)力 Xl(MPa)和0.4%應(yīng)變時的應(yīng)力X2 (MPa)的數(shù)學(xué)式2所示的，表示剛性隨彎曲而變化的程度 的數(shù)值y2為1.5以上，
[0044] (數(shù)學(xué)式 I) yl=(X1/0. 2)〈800，
[0045](數(shù)學(xué)式 2) y2 = (X1/0. 2) AX2/0. 4)彡 1. 5。
[0046] 如果數(shù)值yl小于800,則剛性小，因此在較小負載下可彎曲。而如果為800以上， 則剛性變大，因此在較小負載下不易彎曲。
[0047] 數(shù)值y2代表剛性隨彎曲而變化的程度，數(shù)值y2越大，則表示越容易因彎曲而發(fā)生 塑性變形，彎曲加工后的彈簧特性的回彈量越小。如果數(shù)值y2小于1.5,則難以因彎曲而發(fā) 生塑性變形，彎曲加工后的彈簧特性的回彈量增大。
[0048] 另外，如果上述數(shù)值y2小于L 5,則雖然只要應(yīng)力XI、應(yīng)力X2小，則似乎低反彈性 并無問題，但由于難以發(fā)生塑性變形，且彎曲加工后的彈簧彈性的回彈量增大，因此無法獲 得所需要的低反彈性。
[0049] 本發(fā)明電解銅箔的特征在于，基于熱處理前（未處理）0? 2 %應(yīng)變時的應(yīng)力 X3 (MPa)的數(shù)學(xué)式3所示的，表示剛性的數(shù)值y3為600以上且小于1000，
[0050](數(shù)學(xué)式 3) 600 彡 y3 = (X3/0. 2)〈1000。
[0051] 如果表示剛性的數(shù)值y3為600以上且小于1000,則剛性適度，可確保良好掌控 性。而如果數(shù)值y3小于600,則剛性過弱，在制造和加工生產(chǎn)線中容易產(chǎn)生皺褶，因此難以 掌控。此外，即使數(shù)值y3大于1000,也因剛性過強，在制造和加工生產(chǎn)線中容易發(fā)生銅箔斷 裂，而難以掌控。
[0052] 本發(fā)明電解銅箔的特征在于，300°C X 1小時熱處理后，常溫下觀察的300 ii m見方 中粒徑小于2 ii m的晶粒的個數(shù)為5, 000個以上。
[0053] 如果晶粒的個數(shù)為5, 000個以上，則結(jié)晶組織精細，可確保良好的精細圖案形成 特性。
[0054] 而如果300 ii m見方中粒徑小于2 ii m的晶粒的個數(shù)小于5, 000個，則晶粒組織變 粗大，會對精細圖案形成特性產(chǎn)生不良影響。
[0055] 本發(fā)明的電解銅箔的特征在于，M面的表面粗糙度Rz小于3.0iim，且S面的表面 粗糙度Rz小于3. 0 ii m。
[0056] 如果Rz小于3. 0 ii m，則表面凹凸較小，可確保良好的精細圖案形成特性。
[0057] 而如果Rz為3. Oym以上，則表面凹凸較大，會對精細圖案形成特性產(chǎn)生不良影 響。
[0058] 以下針對本發(fā)明的一實施方式詳細說明。
[0059] 通常，使用例如如圖1所示的電解制箔裝置來制造電解銅箔。電解制箔裝置由轉(zhuǎn) 動的滾筒狀陰極2 (表面為SUS制或鈦制）、相對于該陰極2以同心圓狀配置的陽極1 (鉛電 極或貴金屬氧化物覆蓋鈦電極）構(gòu)成，對該制箔裝置供應(yīng)電解液3,在兩極間通以電流，并 在陰極2表面電結(jié)晶規(guī)定厚度的銅，然后從陰極2表面剝?nèi)〔瓲畹你~。此外，未處理（電解 處理前）電解銅箔4中與電解液3接觸的面為粗糙面（M面），與滾筒狀的陰極2接觸的面 為光滑面（S面）。
[0060] 另外，以上雖然對使用滾筒狀的陰極2的制箔裝置進行了說明，但是也可以使用 板狀陰極的制箔裝置來制造銅箔。
[0061] 使用圖1所示裝置制造電解銅箔，需要使用硫酸銅電鍍液來作為電解液3。硫酸銅 電鍍液的硫酸濃度優(yōu)選為20?150g/L，尤其優(yōu)選為30?100g/L。如果硫酸濃度小于20g/ L，則電流難以流通，因此實際操作困難，且電鍍均勻性、電沉積性也會變差。如果硫酸濃度 超過150g/L，則銅的溶解度下降，因此難以獲得充足的銅濃度，且實際操作困難。此外，也會 促進設(shè)備的腐蝕。
[0062] 銅濃度優(yōu)選為40?150g/L，尤其優(yōu)選為60?100g/L。如果銅濃度小于40g/L，則 在電解銅箔的制造過程中，難以確保能夠進行實際操作的電流密度。將銅濃度提高到150g/ L以上需要相當(dāng)高的溫度，不切實際。
[0063] 在硫酸銅電鍍液中添加有機添加物和氯。添加在硫酸銅電鍍槽中的有機添加物為 具有巰基的化合物與高分子多糖類的2種有機添加劑。具有巰基的化合物具有促進銅的電 結(jié)晶的效果，高分子多糖類具有抑制銅的電結(jié)晶的效果。通過適度發(fā)揮兩者的促進、抑制效 果，來促進在制箔過程中所產(chǎn)生的凹部的銅的電結(jié)晶，且抑制在凸部的銅的電結(jié)晶，其結(jié)果 可獲得析出表面平滑的效果。
[0064] 此外，通過2種有機添加劑達到最佳濃度所發(fā)揮的結(jié)晶組織控制效果，可獲得具 有本發(fā)明特征的電解銅箔，本發(fā)明特征包括容易在較小負載下加速塑性變形，掌控性優(yōu)異、 熱處理后晶粒組織過度粗大化得到抑制、且粗糙度低。
[0065] 所添加的氯起到有效發(fā)揮上述2種有機添加劑效果的類似催化劑的作用。
[0066] 具有巰基的化合物可選擇MPS-Na (3-巰基-1-丙烷磺酸鈉）和SPS-Na (聚二硫二 丙烷磺酸鈉）中的任意一種。從有機結(jié)構(gòu)來看SPS為MPS的二聚物，為發(fā)揮同等效果，需使 添加劑的濃度相同。
[0067] 濃度優(yōu)選為0? 25ppm以上7. 5ppm以下，尤其優(yōu)選為I. Oppm以上5. Oppm以下。如 果濃度小于〇. 25ppm，則難以發(fā)揮對制箔過程中所產(chǎn)生凹部的電結(jié)晶促進效果，從而難以發(fā) 揮本發(fā)明特征的結(jié)晶組織控制效果。此外，如果濃度超過7. 5ppm，則對凸部的電結(jié)晶促進效 果過剩，容易引起局部異常析出，難以制造出正常外觀的銅箔，只會增加添加劑的成本，而 無法期望改善物性。
[0068] 高分子多糖類為HEC(羥乙基纖維素），其濃度優(yōu)選為3. Oppm以上30ppm以下，尤 其優(yōu)選為IOppm以上20ppm以下。如果濃度小于3. Oppm,則難以發(fā)揮對凸部的電結(jié)晶抑制 效果，從而難以發(fā)揮本發(fā)明特征的結(jié)晶組織控制效果。此外，如果濃度超過30ppm，則高分子 多糖類特有的發(fā)泡效果會過剩，銅離子供應(yīng)不足，不僅難以制造出正常的銅箔，還會因電解 液中有機物增加，容易產(chǎn)生"鍍層燒焦"。
[0069] 在電解液中添加氯。氯的濃度優(yōu)選為Ippm以上20ppm以下，尤其優(yōu)選為5ppm以 上15ppm以下。氯起到有效發(fā)揮上述2種有機添加劑效果的類似催化劑的作用。如果氯濃 度小于lppm，則難以發(fā)揮上述催化劑作用，不僅難以發(fā)揮有機添加劑的效果，還會因濃度非 常低而導(dǎo)致管理控制困難，從而無法實際操作。此外，如果濃度超過20ppm，則不僅氯對有機 添加劑的催化劑作用增大，而且氯本身對電結(jié)晶的影響也增大，從而難以發(fā)揮作為本發(fā)明 特征的以添加劑對結(jié)晶組織進行控制的效果。
[0070] 制箔的電流密度優(yōu)選為20?200A/dm2,尤其優(yōu)選為30?120A/dm 2。如果電流密 度小于20A/dm2,則在電解銅箔的制造過程中生產(chǎn)效率會非常低，不切實際。若要將電流密 度從200A/dm 2再往上提高，需要相當(dāng)高的銅濃度、溫度和流速，這會對電解銅箔制造設(shè)備造 成巨大負擔(dān)，不切實際。
[0071] 電解槽溫度優(yōu)選為25?80°C，尤其優(yōu)選為30?70°C。如果電解槽溫度低于25°C， 則難以在電解銅箔的制造過程中確保足夠的銅濃度和電流密度，不切實際。此外，要提高到 80°C以上，在操作上和設(shè)備上非常困難，不切實際。
[0072] 上述電解條件要根據(jù)各自的范圍適當(dāng)調(diào)整，以防止出現(xiàn)銅的析出、鍍層燒焦等問 題。
[0073] 由于電解銅箔在剛制造出來后，其表面粗糙度轉(zhuǎn)印陰極2表面的粗糙度，因此優(yōu) 選使用表面粗糙度Rz為〇. 1?3. 0 y m的陰極。通過使用這種陰極，電解銅箔在剛制造出 來后，其S面的表面粗糙度便可與陰極表面的相同，因此能將電解銅箔的S面表面粗糙度Rz 設(shè)為0. 1?3. 0 ii m。使電解銅箔的S面表面粗糙度Rz小于0. I ii m，也就等于使陰極的表 面粗糙度Rz小于〇. I U m，但考慮到目前的研磨技術(shù)等之后，認(rèn)為難以加工得比0. I y m更加 平滑，而且不適合量產(chǎn)制造。此外，S面粗糙度Rz為3. 0 y m以上時，精細圖案形成特性會 降低，無法獲得本發(fā)明需要的特性。
[0074] 電解銅箔的M面的表面粗糙度Rz優(yōu)選為0. 05?3. 0 ii m。要將表面粗糙度Rz加 工成小于〇. 05 y m，即使進行光亮電鍍也非常困難，在現(xiàn)實中幾乎不可能制造。此外，M面的 表面粗糙度Rz為3. 0 y m以上時，精細圖案形成特性會降低，無法獲得本發(fā)明需要的特性。 電解銅箔的S面及M面的粗糙度Rz更優(yōu)選為小于1. 5 y m。
[0075] 此外，上述電解銅箔的厚度優(yōu)選為3 iim?210 iim。這是因為厚度小于3 iim的銅 箔因處理技術(shù)等原因，制造條件苛刻，不切實際。根據(jù)目前的使用情況來看，電路基板的厚 度上限為210 y m左右。這是因為厚度210 y m以上的電解銅箔難以作為線路板用銅箔使用， 而且使用電解銅箔的成本優(yōu)勢也會蕩然無存。
[0076] 本發(fā)明中，為提高精細圖案形成特性，優(yōu)選箔的厚度薄至18 y m以下，優(yōu)選為 12 u m以下。
[0077] 以下根據(jù)實施例對本發(fā)明進行說明，但本發(fā)明并不限定于這些實施例。
[0078] ⑴制箔
[0079] 實施例1?8、比較例1?6
[0080] 關(guān)于實施例1?8、比較例1?6,（a)使表1所示組成的硫酸銅（H 2SO4)電鍍液通 過活性炭過濾器進行清洗處理，然后添加同樣由表1所示的添加劑制備成特定濃度后，（b) 以表1所示的電流密度使用圖1所示的轉(zhuǎn)動滾筒式制箔裝置來進行電解制箔，從而制造出 厚度12pm的電解銅箔。另外，制箔前已用研磨布對滾筒表面進行過研磨處理。此時，實施 例1?7、比較例1?5使用#1500的研磨布進行研磨，實施例8、比較例6使用#800的研 磨布進行研磨。
[0081] 比較例7參考專利文獻4 (日本專利第4712759號公報）的實施例6 (MPS比率3、 PBF比率15、HEC比率4)，制成厚度12 iim的電解銅箔。
[0082] 比較例8參考專利文獻5 (日本專利第4827952號公報）的實施例4 (硫酸銅電鍍 液、銅70g/l、硫酸50g/l)，制成厚度12 ii m的電解銅箔。
[0083] (表1)
[0084]

【權(quán)利要求】
1. 一種電解銅箔，基于300°c Xl小時熱處理后常溫下測定的0.2 %應(yīng)變的應(yīng)力 Xl (MPa)的數(shù)學(xué)式1所示的，表示剛度的數(shù)值yl小于800,并且基于所述應(yīng)力Xl (MPa)和 0. 4%應(yīng)變的應(yīng)力X2 (MPa)的數(shù)學(xué)式2所示的，表示剛性隨彎曲而變化的程度的數(shù)值y2為 1. 5以上； 數(shù)學(xué)式 I :yl = (X1/0. 2)， 數(shù)學(xué)式 2 :y2 = (X1/0. 2V(X2/0. 4)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解銅箔，基于熱處理前的0. 2 %應(yīng)變的應(yīng)力X3 (MPa)的數(shù) 學(xué)式3所示的，表示剛性的數(shù)值y3為600以上且小于1000 ; 數(shù)學(xué)式 3 :600 彡 y3 = (X3/0. 2)〈1000。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電解銅箔，在300°C Xl小時熱處理后，常溫下觀察的 300 μ m見方中粒徑小于2 μ m的晶粒的個數(shù)為5, 000個以上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的電解銅箔，M面的表面粗糙度Rz小于3. 0 μ m， 且S面的表面粗糙度Rz小于3. 0 μ m。
5. -種線路板，使用如權(quán)利要求1至4中任一項所述的電解銅箔制造。
6. -種撓性線路板，使用如權(quán)利要求1至4中任一項所述的電解銅箔制造。
【文檔編號】H05K1/09GK104321469SQ201380027695
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月27日
【發(fā)明者】齋藤貴廣 申請人:古河電氣工業(yè)株式會社