專(zhuān)利名稱(chēng)：線(xiàn)路板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線(xiàn)路板及其制造方法。
背景技術(shù)：
日本特開(kāi)2003-152304描述了如下線(xiàn)路板，其中該線(xiàn)路板具有:芯基板，其具有開(kāi)口部；多個(gè)電子組件，其容納在該開(kāi)口部中；以及堆積層，其形成在該芯基板和這些電子組件上。日本特開(kāi)2001-7531描述了在芯基板的開(kāi)口部中配置由多個(gè)片式電容器(電子組件)構(gòu)成的片式電容器組件的線(xiàn)路板。這種片式電容器組件由利用成形樹(shù)脂(環(huán)氧樹(shù)脂)進(jìn)行一體化(封裝化)的多個(gè)片式電容器構(gòu)成。日本特開(kāi)2003-152304和日本特開(kāi)2001-7531的內(nèi)容都包含在本申請(qǐng)內(nèi)。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種線(xiàn)路板，包括:基板，其具有多個(gè)開(kāi)口部和將所述多個(gè)開(kāi)口部分隔開(kāi)的至少一個(gè)邊界部；多個(gè)電子器件，其分別配置在所述基板的所述多個(gè)開(kāi)口部中；導(dǎo)電圖案，其形成在所述邊界部的表面上；以及絕緣層，其形成在所述基板和所述基板的邊界部上的導(dǎo)電圖案上，以使得所述絕緣層覆蓋所述基板的多個(gè)開(kāi)口部中的多個(gè)電子器件。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種用于制造線(xiàn)路板的方法，包括:`
準(zhǔn)備基板；在所述基板中形成多個(gè)開(kāi)口部，以使得在所述基板中形成將所述開(kāi)口部分隔開(kāi)的至少一個(gè)邊界部；在所述基板的邊界部上形成導(dǎo)電圖案；在所述多個(gè)開(kāi)口部中分別配置多個(gè)電子器件；以及在所述基板和所述基板的邊界部上的導(dǎo)電圖案上形成絕緣層，以使得所述絕緣層覆蓋所述基板的多個(gè)開(kāi)口部中的多個(gè)電子器件。


通過(guò)結(jié)合附圖來(lái)考慮并參考以下的詳細(xì)說(shuō)明，將容易獲得并且更好地理解本發(fā)明的更全面的內(nèi)容和許多隨之而來(lái)的優(yōu)點(diǎn)，其中:圖1是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的線(xiàn)路板的截面圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的線(xiàn)路板的芯部的平面圖；圖3是示出圖2所示的芯部的邊界部的放大圖；圖4A是示出內(nèi)置于根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的線(xiàn)路板中的片式電容器的第一截面形狀的圖；圖4B是示出內(nèi)置于根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的線(xiàn)路板中的片式電容器的第二截面形狀的圖；圖5A是內(nèi)置于根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的線(xiàn)路板中的片式電容器的平面圖；圖5B是示出內(nèi)置于根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的線(xiàn)路板中的各片式電容器的側(cè)面上所形成的電極的圖；圖6A是示出利用基板的壁面(邊界部)來(lái)控制電子器件的移動(dòng)的狀態(tài)的圖；圖6B是示出利用基板的壁面(外周部)來(lái)控制電子器件的移動(dòng)的狀態(tài)的圖；圖7A是示出內(nèi)置于根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的線(xiàn)路板中的片式電容器的電極的極性的第一示例的圖；圖7B是示出內(nèi)置于根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的線(xiàn)路板中的片式電容器的電極的極性的第二示例的圖；圖8A是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的線(xiàn)路板中、相鄰的電子組件的相對(duì)電極經(jīng)由布線(xiàn)彼此電連接的示例的圖；圖8B是示出為了與圖8A所示的電極進(jìn)行比較的、相鄰的電子組件的非相對(duì)電極經(jīng)由布線(xiàn)彼此電連接的示例的圖；圖9是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的線(xiàn)路板的方法的流程圖；圖10是示出圖9所示的制造方法中用于準(zhǔn)備基板的步驟的圖；圖1lA是示出 圖9所示的制造方法中用于在基板中形成通孔導(dǎo)體并且在基板上形成導(dǎo)體的第一步驟的圖；圖1lB是示出圖1lA的步驟之后的第二步驟的圖；圖12A是示出圖9所示的制造方法中在形成腔之前的芯部的圖；圖12B是圖12A所示的芯部的截面圖；圖13A是圖9所示的制造方法中用于在基板中形成腔的步驟的圖；圖13B是圖13A所示的基板的截面圖；圖14A是示出圖9所示的制造方法中在形成腔之后的芯部的圖；圖14B是圖14A所示的芯部的截面圖；圖15是示出圖9所示的制造方法中用于將具有腔(開(kāi)口部)的芯部安裝至載體的步驟的圖；圖16是示出圖9所示的制造方法中用于將電子器件配置在在腔內(nèi)的第一步驟的圖；圖17是示出圖16的步驟之后的第二步驟的圖；圖18是示出圖9所示的制造方法中用于在基板和電子器件上形成第一層間絕緣層和第一金屬箔的步驟的圖；圖19是示出圖9所示的制造方法中的加壓步驟的圖；圖20是示出圖19的加壓之后的狀態(tài)的圖；圖21是示出圖9所示的制造方法中、用于在去除載體之后在基板和電子器件上形成第二層間絕緣層和第二金屬箔的步驟的圖；圖22是示出圖9所示的制造方法中、用于在第一層間絕緣層和第二層間絕緣層上形成導(dǎo)電層并且使各導(dǎo)電層與電子器件的電極彼此電連接的第一步驟的圖；圖23是示出圖22的步驟之后的第二步驟的圖24是示出圖23的步驟之后的第三步驟的圖；圖25是示出用于在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的線(xiàn)路板的表面上安裝電子組件或另一線(xiàn)路板的步驟的圖；圖26是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的線(xiàn)路板的截面圖；圖27A是從根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的線(xiàn)路板的芯部的第一表面?zhèn)扔^看的平面圖；圖27B是從根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的線(xiàn)路板的芯部的第二表面?zhèn)扔^看的平面圖；圖28A是示出圖27A所示的芯部的邊界部的放大圖；圖28B是示出圖27B所示的芯部的邊界部的放大圖；圖29A是示出圖27A所示的芯部中的各導(dǎo)電圖案的極性的圖；圖29B是示出圖27B所示的芯部中的各導(dǎo)電圖案的極性的圖；圖30A是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的線(xiàn)路板的方法中、用于在基板中形成通孔導(dǎo)體并且在基板上形成導(dǎo)電層的第一步驟的圖；圖30B是示出圖30A的步驟之后的第二步驟的圖；圖31A是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的線(xiàn)路板的方法中、在形成腔之前的芯部的圖；圖31B是示出圖31A所示的芯部的截面圖；圖32A是示出用于 制造根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的線(xiàn)路板的方法中、在形成腔之后的芯部的圖；圖32B是圖32A所示的芯部的截面圖；圖33是本發(fā)明的另一實(shí)施例中、從圖27A和27B所示的線(xiàn)路板省略了位于開(kāi)口部(腔)之間的通孔導(dǎo)體的示例的截面圖；圖34A是從圖33所示的線(xiàn)路板的芯部的第一表面?zhèn)扔^看的平面圖；圖34B是從圖33所示的線(xiàn)路板的芯部的第二表面?zhèn)扔^看的平面圖；圖35A是示出圖34A所示的芯部的各導(dǎo)電圖案的極性的圖；圖35B是示出圖34B所示的芯部的各導(dǎo)電圖案的極性的圖；圖36是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中、形成在基板的邊界部中的通孔導(dǎo)體(以及它們的連接區(qū))全部配置在開(kāi)口部?jī)?nèi)的示例的圖；圖37是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中、形成在基板的邊界部中的通孔導(dǎo)體的其中一個(gè)沒(méi)有電連接至電子器件的端子的示例的圖；圖38是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中的線(xiàn)路板的圖，其中在該線(xiàn)路板中，內(nèi)置電子器件的電極經(jīng)由連接至邊界部上的導(dǎo)電圖案的第一通路導(dǎo)體和連接至該電子器件的電極的第二通路導(dǎo)體電連接至形成在邊界部中的通孔導(dǎo)體；圖39是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中的具有雙面通路結(jié)構(gòu)的線(xiàn)路板的圖；圖40是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中形成在外周部上的導(dǎo)電圖案由線(xiàn)狀導(dǎo)電圖案制成的示例的圖；圖41是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中形成在外周部上的導(dǎo)電圖案沒(méi)有包圍腔的示例的圖；圖42是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中在各邊界部的僅一部分上形成(不是在整個(gè)邊界部上形成)導(dǎo)電圖案的示例的圖43是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中在邊界部上形成波狀導(dǎo)電圖案的示例的圖；圖44是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中、邊界部(特別是從交叉部起在四個(gè)方向上延伸的各部分)具有不規(guī)則寬度的示例的圖；圖45是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中、邊界部(特別是從交叉部起在四個(gè)方向上延伸的四部分)具有彼此不同的寬度的示例的圖；圖46A是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中、第三開(kāi)口部與第一開(kāi)口部和第二開(kāi)口部這兩者以第二邊界部夾持于之間的方式相對(duì)的示例的圖；圖46B是示出圖46A所示的芯部的邊界部的放大圖；圖47A是本發(fā)明的又一實(shí)施例中從線(xiàn)路板的芯部的第一表面?zhèn)扔^看的平面圖，其中在邊界部中形成大致T字狀的通孔導(dǎo)體；圖47B是本發(fā)明的又一實(shí)施例中從線(xiàn)路板的芯部的第二表面?zhèn)扔^看的平面圖，其中在邊界部中形成大致T字狀的通孔導(dǎo)體；圖48是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中放置電子器件所用的開(kāi)口部被配置成L字狀的第一不例的圖；圖49是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中放置電子器件所用的開(kāi)口部被配置成L字狀的第二示例的圖；圖50是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中放置電子器件所用的開(kāi)口部被配置成線(xiàn)狀的示例的圖；圖51是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中僅形成了放置電子器件所用的兩個(gè)開(kāi)口部的示例的圖； 圖52是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中形成了放置電子器件所用的多個(gè)開(kāi)口部的示例的圖；圖53是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中在邊界部上的導(dǎo)電圖案中形成排氣孔的線(xiàn)路板的圖；圖54A是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中作為電子器件的平面形狀、腔(開(kāi)口部)的開(kāi)口形狀以及通孔或通路孔的開(kāi)口形狀的橢圓形的圖；圖54B是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中作為電子器件的平面形狀、腔(開(kāi)口部)的開(kāi)口形狀以及通孔或通路孔的開(kāi)口形狀的正多角星的圖；圖55是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中被形成為共形通孔導(dǎo)體的通孔導(dǎo)體的圖；圖56A是不出本發(fā)明的又一實(shí)施例中具有兩個(gè)端開(kāi)口均被平面導(dǎo)電圖案所覆蓋的通孔導(dǎo)體的線(xiàn)路板的圖；圖56B是圖56A所示的通孔導(dǎo)體的平面圖；圖57A是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中的如下線(xiàn)路板的圖，其中該線(xiàn)路板具有貫通基板和該基板的兩個(gè)表面上的絕緣層的通孔導(dǎo)體；圖57B是圖57A所示的通孔導(dǎo)體的平面圖；圖58是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中包括具有內(nèi)置金屬片材的芯部的線(xiàn)路板的圖；圖59A是示出用于制造圖58所示的線(xiàn)路板中要使用的芯基板的第一步驟的圖；圖59B是示出圖59A的步驟之后的第二步驟的圖60是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中的單面線(xiàn)路板的圖；圖61A是示出本發(fā)明的又一實(shí)施例中的具有內(nèi)置電感器和電容器的線(xiàn)路板的圖；圖61B是示出內(nèi)置于圖61A所示的線(xiàn)路板中的電感器的結(jié)構(gòu)的圖；圖62是示出本發(fā)明的另一實(shí)施例中代替電子組件而具有其它內(nèi)置線(xiàn)路板的線(xiàn)路板的圖；以及圖63是示出用于制造根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的線(xiàn)路板的方法中、在照射激光之前沿著激光照射路徑去除基板上的導(dǎo)電層的示例的圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參考

這些實(shí)施例，其中在各圖中，相同的附圖標(biāo)記表示相對(duì)應(yīng)或相同的元件。在下文，附圖中的箭頭Zl、Z2各自表示與沿著線(xiàn)路板的主表面(上表面和下表面)的法線(xiàn)的方向相對(duì)應(yīng)的該線(xiàn)路板的層疊方向(或該線(xiàn)路板的厚度方向)。另一方面，箭頭X1、X2和Y1、Y2各自表示與層疊方向垂直的方向(或向著各層的側(cè)面的方向)。線(xiàn)路板的主表面在X-Y平面上。線(xiàn)路板的側(cè)表面在X-Z平面或Y-Z平面上。將沿著法線(xiàn)的相反方向上的兩個(gè)主表面稱(chēng)為第一表面或第三表面(Zl側(cè)表面)以及第二表面或第四表面(Ζ2側(cè)表面)。在層疊方向上，將接近芯的側(cè)稱(chēng)為下層，并且將遠(yuǎn)離芯的側(cè)稱(chēng)為上層。導(dǎo)電層是形成有 一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電圖案的層。導(dǎo)電層可以包括形成諸如布線(xiàn)(包括地線(xiàn))、焊盤(pán)或連接區(qū)(land)等的電路的導(dǎo)電圖案。導(dǎo)電層還可以包括不形成電路的平面導(dǎo)電圖案等。除了孔和槽以外，開(kāi)口部還包括凹口和切口等?？撞幌抻谪炌祝疫€包括非貫通孔?？装ㄍ房?via hole)和通孔(through hole)。在下文,將形成在通路孔中(其壁面或底面上)的導(dǎo)體稱(chēng)為通路導(dǎo)體，并且將形成在通孔中(其壁面上)的導(dǎo)體稱(chēng)為通孔導(dǎo)體。鍍包括諸如電解鍍等的濕法鍍以及諸如PVD (物理氣相沉積)和CVD (化學(xué)氣相沉積)等的干法鍍。“準(zhǔn)備”包括購(gòu)買(mǎi)原料和組件并相應(yīng)地制造的情形以及購(gòu)買(mǎi)制成品并相應(yīng)地使用的情形。“將電子器件配置在開(kāi)口部中”包括將整個(gè)電子器件完全容納于開(kāi)口部中的情形以及將電子器件的僅一部分配置在開(kāi)口部中的情形。第一實(shí)施例圖1是根據(jù)第一實(shí)施例的線(xiàn)路板的截面圖。圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的線(xiàn)路板的芯部(特別是具有內(nèi)置電子器件的部)的平面圖。該芯部由芯基板(基板100)、位于該芯基板的兩個(gè)表面上的導(dǎo)電層(導(dǎo)電層301、302)、以及配置在該芯基板的開(kāi)口部(腔CfC4)中的電子器件(電子組件200a 200d)構(gòu)成。如圖1所不，本實(shí)施例的線(xiàn)路板10具有:基板100 (絕緣基板)；絕緣層101、102 (層間絕緣層);導(dǎo)電層110、120 ;電子組件200a、200b、200c、200d ;以及阻焊劑11、12。各電子組件200a、200b、200c、200d分別內(nèi)置于線(xiàn)路板10中。本實(shí)施例的線(xiàn)路板10是剛性線(xiàn)路板。然而，線(xiàn)路板10還可以是柔性線(xiàn)路板。例如，本實(shí)施例的線(xiàn)路板10的形狀是矩形。然而，這不是唯一選擇；例如，線(xiàn)路板10可以采用任何其它形狀。在下文，將基板100的上表面和下表面(兩個(gè)主表面)的其中一個(gè)稱(chēng)為第一表面Fl并且將另一表面稱(chēng)為第二表面F2。此外,關(guān)于電子組件200a 200d的上表面和下表面(兩個(gè)主表面)，將面向與第一表面Fl相同的方向的表面各自稱(chēng)為第三表面F3并且將其它表面稱(chēng)為第四表面F4?；?00是絕緣性的并且成為線(xiàn)路板10的芯基板。在基板100(芯基板)中形成通孔300a，并且通過(guò)在通孔300a中填充導(dǎo)體(例如，銅鍍層)來(lái)形成通孔導(dǎo)體300b。通孔導(dǎo)體300b例如被成形為沙漏狀。即，通孔導(dǎo)體300b具有窄部300c，并且通孔導(dǎo)體300b的寬度隨著其從第一表面Fl越來(lái)越接近窄部300c、以及其從第二表面F2越來(lái)越接近窄部300c而逐漸減小。然而，這不是唯一選擇，并且可自由確定通孔導(dǎo)體300b的形狀；例如，通孔導(dǎo)體300b的形狀可以大致呈柱狀。在基板100的第一表面Fl上形成導(dǎo)電層301,并且在基板100的第二表面F2上形成導(dǎo)電層302。導(dǎo)電層301、302各自包括通孔導(dǎo)體300b的連接區(qū)。導(dǎo)電層301、302經(jīng)由通孔導(dǎo)體300b彼此電連接。基板100具有腔Cl (第一開(kāi)口部)、腔C2(第二開(kāi)口部)、腔C3(第三開(kāi)口部)、腔C4(第四開(kāi)口部)、邊界部Rl和外周部R2。腔CfC4各自由貫通基板100的孔構(gòu)成。腔0Γ04具有彼此基本相同的形狀和尺寸。

在本實(shí)施例中，如圖2所示，腔Cl和腔C2排列在方向X上，腔C3和腔C4排列在方向X上，腔Cl和腔C4排列在方向Y上，并且腔C2和腔C3排列在方向Y上。在本實(shí)施例中，腔Cl和腔C4之間的距離與腔C2和腔C3之間的距離基本相同，并且腔Cl和腔C2之間的距離與腔C3和腔C4之間的距離也基本相同。在基板100中形成腔Cf C4的情況下，在這些腔之間形成網(wǎng)格狀的邊界部Rl。邊界部Rl的平面形狀(X-Y平面)大致呈十字形狀。在腔Cf C4的外周處，以與邊界部Rl —體化的方式形成外周部R2。邊界部Rl的大致十字形平面形狀由大致呈直角交叉的、方向X上的寬度為D21的線(xiàn)(以下稱(chēng)為線(xiàn)X)和方向Y上的寬度為D22的線(xiàn)(以下稱(chēng)為線(xiàn)Y)構(gòu)成。寬度D21與腔Cl (第一開(kāi)口部)和腔C4 (第四開(kāi)口部)之間的距離或者腔C2 (第二開(kāi)口部)和腔C3(第三開(kāi)口部)之間的距離相對(duì)應(yīng)。寬度D22與腔Cl (第一開(kāi)口部)和腔C2(第二開(kāi)口部)之間的距離或者腔C3(第三開(kāi)口部)和腔C4(第四開(kāi)口部)之間的距離相對(duì)應(yīng)。圖3是圖2所示的芯部的邊界部Rl的放大圖。圖2和3僅示出從第一表面Fl側(cè)(或第三表面F3側(cè))觀看的線(xiàn)路板10的芯部(特別是內(nèi)置電子器件的部分)的結(jié)構(gòu)。從第二表面F2側(cè)(或第四表面F4側(cè))觀看的芯部具有基本相同的結(jié)構(gòu)。如圖3所示，邊界部Rl由第一邊界部P1、第二邊界部P2、第三邊界部P3、第四邊界部P4和交叉部P5構(gòu)成。第一邊界部P1、第二邊界部P2、第三邊界部P3和第四邊界部P4被形成為與交叉部P5 —體化。第二邊界部P2和第四邊界部P4各自形成線(xiàn)X，并且第一邊界部Pl和第三邊界部P3各自形成線(xiàn)Y。線(xiàn)X和線(xiàn)Y在交叉部P5處交叉。第一邊界部Pl和第三邊界部P3上的導(dǎo)電圖案例如各自具有沿著方向Y的線(xiàn)狀平面形狀(X-Y平面)，并且第二邊界部P2和第四邊界部P4上的導(dǎo)電圖案例如各自具有沿著方向X的線(xiàn)狀平面形狀(X-Y平面)。第一邊界部Pl將腔Cl(第一開(kāi)口部)和腔C2(第二開(kāi)口部)隔開(kāi)，第二邊界部P2將腔C2(第二開(kāi)口部)和腔C3(第三開(kāi)口部)隔開(kāi)，第三邊界部P3將腔C3(第三開(kāi)口部)和腔C4(第四開(kāi)口部)隔開(kāi)，并且第四邊界部P4將腔C4(第四開(kāi)口部)和腔Cl(第一開(kāi)口部)隔開(kāi)。腔C2(第二開(kāi)口部)與腔Cl (第一開(kāi)口部)以第一邊界部Pl夾持于之間的方式相對(duì)，而腔C2(第二開(kāi)口部)與腔C3(第三開(kāi)口部)以第二邊界部P2夾持于之間的方式相對(duì)。腔C4(第四開(kāi)口部)與腔Cl (第一開(kāi)口部)以第四邊界部P4夾持于之間的方式相對(duì)，而腔C4(第四開(kāi)口部)與腔C3 (第三開(kāi)口部)以第三邊界部P3夾持于之間的方式相對(duì)。在大致十字形的平面形狀(X-Y平面)的邊界部Rl上形成大致十字形的導(dǎo)電圖案。這種大致十字形的導(dǎo)電圖案例如包括在導(dǎo)電層301或302中(參見(jiàn)圖1)。由于在本實(shí)施例中包括在導(dǎo)電層301或302中的所有導(dǎo)電圖案是同時(shí)形成的，因此邊界部Rl上的大致呈十字形的導(dǎo)電圖案的厚度基本等于導(dǎo)電層301或302中所包括的其它導(dǎo)電圖案的厚度。如圖2所示，在外周部R2上形成平面導(dǎo)電圖案。這種平面導(dǎo)電圖案例如形成在基板100的基本整個(gè)區(qū)域上。這種平面導(dǎo)電圖案包括在導(dǎo)電層301或302中(參見(jiàn)圖1)。由于在本實(shí)施例中導(dǎo)電層301或302中所包括的所有導(dǎo)電圖案是同時(shí)形成的，因此外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案的厚度基本等于導(dǎo)電層301或302中所包括的其它導(dǎo)電圖案的厚度。在本實(shí)施例中，邊界部Rl上的大致十字形導(dǎo)電圖案被形成為與外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案一體化。如此，更容易提高邊界部Rl的強(qiáng)度。通過(guò)將邊界部Rl上的導(dǎo)電圖案形成為與外周部R2上的導(dǎo)電圖案一體化，降低了外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案的阻抗。然而，上述不是唯一的選擇，并且還可以使這些導(dǎo)電圖案彼此分開(kāi)。如圖2所示，電子組件200a(第一電子器件)配置在腔Cl (第一開(kāi)口部)內(nèi)，電子組件200b (第二電子器件)配置在腔C2(第二開(kāi)口部)內(nèi)，電子組件200c (第三電子器件)配置在腔C3(第三開(kāi) 口部)內(nèi)，并且電子組件200d(第四電子器件)配置在腔C4(第四開(kāi)口部)內(nèi)。電子組件200a 200d通過(guò)配置在腔CfC4內(nèi)來(lái)各自配置于基板100的一側(cè)(方向X或方向Y)。在本實(shí)施例中，電子組件200a 200d(以及它們各自的腔Cf C4)在X-Y平面上的位置對(duì)應(yīng)于矩形的各角。在本實(shí)施例中，電子組件200a 200d是彼此相同類(lèi)型的電子組件。特別地，電子組件200a 200d各自是具有電極的片式電容器，其中這些電極被形成為覆蓋從上表面到側(cè)表面再到下表面(參見(jiàn)圖4A飛B)。形成電子組件200a 200d (第一電子器件 第四電子器件)的電子組件(片式電容器)即使配置于其它位置(腔)也能進(jìn)行工作。由于在本實(shí)施例中配置于腔CfC4內(nèi)的所有電子器件(電子組件200a 200d)為同一類(lèi)型的電子組件，因此準(zhǔn)備一種電子組件就足夠了。此外，簡(jiǎn)化了將電子組件配置于腔內(nèi)的過(guò)程，從而使得更容易制造線(xiàn)路板。以下將參考圖4A飛B來(lái)說(shuō)明要內(nèi)置于本實(shí)施例的線(xiàn)路板10的電子組件200a 200d(片式電容器)的結(jié)構(gòu)。圖4A是示出電子組件200a 200d的第一截面形狀(X-Z截面)的圖。圖4B是示出電子組件200a 200d的第二截面形狀(Y-Z截面)的圖。圖5A是電子組件200a 200d的平面圖。圖5B是示出形成在電子組件200a 200d的側(cè)面上的電極的圖。
例如，如圖4A 5B所示，電子組件200a 200d各自是片型MLCC(多層陶瓷電容器)并且具有電容器本體201和電極210、220。電容器本體201通過(guò)使多個(gè)電介質(zhì)層23廣239、多個(gè)導(dǎo)電層2lf 214和22廣224交替層疊來(lái)形成。例如，電解質(zhì)層23廣239各自由陶瓷制成。電極210、220形成在電容器本體201各端部上。如圖4A所示，電極210、220各自具有U字形截面(X-Z截面)。電子組件200a 200d各自具有位于第一側(cè)面Fll上的電極210的第一側(cè)部210b (第一側(cè)電極)、和位于與第一側(cè)面Fll相反的第二側(cè)面F12上的電極220的第二側(cè)部220b (第二側(cè)電極)。電容器本體201被電極210、220從下表面F22 (第四表面F4側(cè)的表面)覆蓋到第一側(cè)表面Fll或者從第二側(cè)表面F12覆蓋到上表面F21 (第三表面F3側(cè)的表面)。這里，電極210由部分覆蓋電容器本體201的上表面的上部210a、覆蓋電容器本體201的整個(gè)第一側(cè)面Fll的第一側(cè)部210b (第一側(cè)電極)、和部分覆蓋電容器本體201的下表面的下部210c構(gòu)成。此外，電極220由部分覆蓋電容器本體201的上表面的上部220a、覆蓋電容器本體201的整個(gè)第二側(cè)面F12的第二側(cè)部220b (第二側(cè)電極)、和部分覆蓋電容器本體201的下表面的下部220c構(gòu)成。在本實(shí)施例中，使電極210的上部210a、第一側(cè)部210b和下部210c—體化，并且使電極220的上部220a、第二側(cè)部220b和下部220c —體化。如圖5B所示，關(guān)于第一側(cè)面Fll的兩側(cè)上的第三側(cè)面F13和第四側(cè)面F14，電極210的第三側(cè)部210d (第三側(cè)電極)配置在第三側(cè)面F13上，并且電極210的第四側(cè)部210e (第四側(cè)電極)配置在第四側(cè)面F14上。此外，關(guān)于第二側(cè)面F12的兩側(cè)上的第三側(cè)面F13和第四側(cè)面F14，電極220的第五側(cè)部220d配置在第三側(cè)面F13上，并且電極220的第六側(cè)部220e配置在第四側(cè)面F14上。第三側(cè)部210d和第四側(cè)部210e各自被形成為與第一側(cè)部210b (第一側(cè)電極)一體化，并且第五側(cè)部220d和第六側(cè)部220e各自被形成為與第二側(cè)部220d (第二側(cè)電極)一體化。如圖5A所示，配置在電極210和電極220之間的電容器本體201的中央部沒(méi)有被電極210、220所覆蓋，并且 裝在線(xiàn)路板10上(內(nèi)置于線(xiàn)路板10)的情況下，由于電容器本體201的中央部被絕緣體IOla等(樹(shù)脂)所覆蓋，因此電容器本體201受到絕緣體IOla
等保護(hù)。如圖2所示，腔Cf C4兩端(第一表面Fl側(cè)和第二表面F2側(cè))的開(kāi)口形狀為矩形。在本實(shí)施例中，各電子組件(電子器件)的長(zhǎng)邊方向和電極210、220排列的方向相同并且這兩者都沿著X方向。然而，這不是唯一的選擇，并且可以沿著各電子器件的短邊方向排列一對(duì)電極。如圖2和5B所示，電子組件200a的電極210(特別是第一側(cè)部210b)和電極220 (特別是第二側(cè)部220b)與電子組件200b (第二電子器件)的電極210 (特別是第一側(cè)部210b)和電極220 (特別是第二側(cè)部220b)排列成大致直線(xiàn)(例如，方向X)。另外，電子組件200a的電極210 (特別是第一側(cè)部210b)和電子組件200b的電極210 (特別是第一側(cè)部210b)彼此面對(duì)并且具有基本相同的電位(例如，參見(jiàn)后面所述的圖7A和7B)。如圖2和5B所示，電子組件200c的電極210(特別是第一側(cè)部210b)和電極220 (特別是第二側(cè)部220b)與電子組件200d的電極210 (特別是第一側(cè)部210b)和電極220 (特別是第二側(cè)部220b)排列成大致直線(xiàn)(例如，方向X)。另外，電子組件200c的電極210(特別是第一側(cè)部210b)和電子組件200d的電極210(特別是第一側(cè)部210b)彼此面對(duì)并且具有基本相同的電位(例如，參見(jiàn)后面所述的圖7A和7B)。如圖2和5B所示，電子組件200a的電極210的第三側(cè)部210d和第四側(cè)部210e與電子組件200d的電極210的第三側(cè)部210d和第四側(cè)部210e排列成大致直線(xiàn)(例如，方向Y)。另外，電子組件200a的電極210的第三側(cè)部210d和電子組件200d的電極210的第四側(cè)部210e彼此面對(duì)并且具有基本相同的電位(例如，參見(jiàn)后面所述的圖7A和7B)。如圖2和5B所示，電子組件200b的電極210的第三側(cè)部210d和第四側(cè)部210e與電子組件200c的電極210的第三側(cè)部210d和第四側(cè)部210e排列成大致直線(xiàn)(例如，方向Y)。另外，電子組件200b的電極210的第四側(cè)部210e和電子組件200c的電極210的第三側(cè)部210d彼此面對(duì)并且具有基本相同的電位(例如，參見(jiàn)后面所述的圖7A和7B)。在本實(shí)施例中，一個(gè)電子器件(諸如電子組件等)配置在一個(gè)開(kāi)口部(腔)內(nèi)。此外，在本實(shí)施例中，基本整個(gè)電子器件完全容納在開(kāi)口部?jī)?nèi)。然而，這不是唯一的選擇，可以?xún)H將電子器件的一部分配置在開(kāi)口部?jī)?nèi)。在本實(shí)施例中，電子組件200a 200d被腔Cf C4各壁面(利用激光或沖模等形成的基板100的切割面)所包圍。腔CfC4的壁面各自為錐形面。具體地，如圖1、6A和6B所示，腔CfC4的各壁面漸縮，由此腔CfC4的寬度從第一表面Fl向著第二表面F2逐漸減小。因此，如圖6A或6B所示，在電子組件200a 200d向著腔C1 C4的外側(cè)移動(dòng)的情況下，這種移動(dòng)受到基板100的邊界部Rl或外周部R2的壁面所限制，同時(shí)由于邊界部Rl或外周部R2的傾斜壁面而向電子組件200a 200d施加向著腔CfC4的內(nèi)側(cè)的力。結(jié)果，在電子組件200a 200d中很少發(fā)生位置的移動(dòng)。此外，腔CfC4各自的一端(Zl側(cè))處的開(kāi)口面積大于另一端(Z2側(cè))處的開(kāi)口面積。因此，容易將電子組件200a 200d從基板100的第一表面Fl側(cè)(Zl側(cè))放置到腔Cl C4內(nèi)。
`
在本實(shí)施例中，例如，如圖7A所示，將電極210設(shè)置為正極(+)并且將電極220設(shè)置為負(fù)極(_)。然而，由于如圖4A飛B所示、在本實(shí)施例的電子組件200a 200d中方向X的一端(諸如電極210側(cè)等)和另一端(諸如電極220側(cè)等)具有對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)，因此即使例如如圖7B所示電極210 (第一側(cè)電極)和電極220 (第二側(cè)電極)的極性反轉(zhuǎn)，電子組件200a 200d也能工作。因此，在電子器件配置在本實(shí)施例的線(xiàn)路板10中的腔內(nèi)的情況下，無(wú)需考慮這些電子器件的方向。在本實(shí)施例的線(xiàn)路板10中，相鄰的電子組件200a、200b的相對(duì)電極210、210和相鄰的電子組件200c、200d的相對(duì)電極210、210被設(shè)置為具有基本相同的電位。具體地，如圖8A所示，電子組件200a的電極210處的電位VI1、電子組件200b的電極210處的電位V12、電子組件200c的電極210處的電位V13和電子組件200d的電極210處的電位V14具有相同的極性(正極)并且這四者的絕對(duì)值基本相等(V11=V12=V13=V14)。本實(shí)施例的線(xiàn)路板10具有布線(xiàn)Wl，其中該布線(xiàn)Wl使電子組件200a 200d的相對(duì)側(cè)電極(電子組件200a 200d的電極(210，210，210，210))彼此電連接。在本實(shí)施例中，布線(xiàn)Wl由導(dǎo)電層120構(gòu)成(參見(jiàn)圖1)。布線(xiàn)Wl經(jīng)由沖模等電連接至電源。此外，例如，電子組件200a 200d的電極220、220、220、220電連接至共用地線(xiàn)或單獨(dú)地線(xiàn)。因此，電子組件200a的電極220處的電位V21、電子組件200b的電極220處的電位V22、電子組件200c的電極220處的電位V23和電子組件200d的電極220處的電位V24各自具有與地線(xiàn)基本相同的電位。此外，在本實(shí)施例中，例如如圖7A所示，外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案和被形成為與該平面導(dǎo)電圖案一體化的邊界部Rl上的大致十字形導(dǎo)電圖案電連接至地線(xiàn)并且具有與地線(xiàn)基本相同的電位。例如，電源和地線(xiàn)之間的電位差為6.3V。外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案和被形成為與該平面導(dǎo)電圖案一體化的邊界部Rl上的大致十字形導(dǎo)電圖案可以電連接至電源而不是地線(xiàn)。在本實(shí)施例中，由于如圖8A所示、相鄰的電子器件的相對(duì)電極經(jīng)由布線(xiàn)Wl彼此電連接，因此與如圖8B所示、非相對(duì)電極經(jīng)由布線(xiàn)Wl電連接的線(xiàn)路板相比，更容易縮短布線(xiàn)Wl的長(zhǎng)度。以下是圖2、3、5A、6A和6B所示的各尺寸的優(yōu)選示例。在圖2中，基板100的邊界部Rl中的線(xiàn)X的長(zhǎng)度DlOl (邊界部Rl在方向X上的寬度)例如約為2600 μ m,并且基板100的邊界部Rl中的線(xiàn)Y的長(zhǎng)度D102 (邊界部Rl在方向Y上的寬度)例如約為1600 μ m。在圖2和3中，線(xiàn)X的寬度D21和線(xiàn)Y的寬度D22各自例如約為320 μ m，并且第二邊界部P2上的導(dǎo)電圖案的寬度D31 (=第四邊界部P4上的導(dǎo)電圖案的寬度)以及第一邊界部Pl上的導(dǎo)電圖案的寬度D32 (=第三邊界部P3上的導(dǎo)電圖案的寬度)各自例如約為200 μ m。在圖2中，腔C1 C4在長(zhǎng)邊方向(方向X)上的各寬度Dll例如約為1200μπι，并且腔Cf C4在短邊方向(方向Y)上的各寬度D12例如約為700 μ m。本實(shí)施例的線(xiàn)路板10內(nèi)的腔C1 C4的各外周中具有如下區(qū)域，其中在該區(qū)域中，沒(méi)有形成邊界部Rl上的大致十字形導(dǎo)電圖案和外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案。具體地，如圖2、3、6A和6B所示，在從各腔Cf C4 (特別是其壁面)起在方向X和方向Y這兩者上的距離Dl內(nèi)的區(qū)域中沒(méi)有形成邊界部Rl上的大致十字形導(dǎo)電圖案和外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案。因此，抑制了制造處理 期間發(fā)生毛刺。例如，距離Dl(=(D21-D31)/2=(D22-D32/2)約為60 μ m。然而,這不是唯一的選擇,并且距離Dl可以約為O μ m。在圖5A中，電子組件200a 200d在長(zhǎng)邊方向(方向X)上的各寬度D41約為1000 μ m,并且電子組件200a 200d在短邊方向(方向Y)上的各寬度D42約為500 μ m。在圖5A中，電極210的上部210a或下部210c的寬度D43約為280 μ m。例如，電極220的尺寸與電極210的尺寸相同。通路導(dǎo)體321b和通路導(dǎo)體322b之間的距離(間距)D44例如約為720 μ m?；?00的厚度例如約為100 μ m。電子組件200a 200d的各厚度(包括電極的厚度)例如約為150 μ m。線(xiàn)路板10的厚度(從阻焊劑11到阻焊劑12的厚度)例如約為290 μ m。如圖1所示，在基板100的第一表面Fl、導(dǎo)電層301和電子組件200a 200d的第三表面F3上形成絕緣層101。此外，在基板100的第二表面F2、導(dǎo)電層302和電子組件200a 200d的第四表面F4上形成絕緣層102。絕緣層101覆蓋腔Cf C4(孔)的一側(cè)(第一表面Fl側(cè))上的開(kāi)口，并且絕緣層102覆蓋腔Cf C4(孔)的另一側(cè)(第二表面F2側(cè))上的開(kāi)口。在絕緣層101上形成導(dǎo)電層110并且在絕緣層102上形成導(dǎo)電層120。在本實(shí)施例中，導(dǎo)電層110、120是最外層。然而，這不是唯一的選擇，并且可以進(jìn)一步層疊更多的層間絕緣層和導(dǎo)電層。在本實(shí)施例中，在基板100與各腔中的電子組件200a 200d之間填充絕緣體101a。本實(shí)施例的絕緣體IOla由形成這些腔周?chē)慕^緣層101、102 (特別是樹(shù)脂絕緣層)的絕緣材料(特別是樹(shù)脂)制成。絕緣層101、102和絕緣體IOla等完全包圍電子組件200a 200d。因此，電子組件200a 200d可以受到樹(shù)脂保護(hù)并且固定在預(yù)定位置處。在導(dǎo)電層110、120上分別形成阻焊劑11、12。然而，在阻焊劑11、12中分別形成開(kāi)口部I la、12a。因而，導(dǎo)電層110的預(yù)定部分(位于開(kāi)口部Ila的部分)沒(méi)有被阻焊劑11覆蓋并且被暴露而成為焊盤(pán)PU。此外，導(dǎo)電層120的預(yù)定部分(位于開(kāi)口部12a的部分)成為焊盤(pán)P12。焊盤(pán)Pll例如是與另一線(xiàn)路板電連接所用的外部連接端子，并且焊盤(pán)P12例如是安裝電子組件所用的外部連接端子。然而，這些不是唯一的選擇，并且可以以任何其它方式使用焊盤(pán)P11、P12。在本實(shí)施例中，在焊盤(pán)P11、P12的表面上形成例如由Ni/Au制成的防腐蝕層。這種防腐蝕層可以通過(guò)電解鍍或?yàn)R射等來(lái)形成。此外，進(jìn)行OSP處理以形成由有機(jī)保護(hù)膜制成的防腐蝕層。此外，不總是需要防腐蝕層，并且除非必要否則可以省略該防腐蝕層。在絕緣層101中形成孔313a(通路孔)，并且在絕緣層102中形成孔321a、322a、323a(各自均為通路孔)。通過(guò)在孔313a、321a、322a、323a內(nèi)填充導(dǎo)體(諸如銅鍍層等)，這些孔內(nèi)的導(dǎo)體變?yōu)橥穼?dǎo)體313b、32lb、322b、323b (各自均為填充通路)。通路導(dǎo)體321b、322b從基板100的第二表面F2側(cè)分別電連接至電子組件200a 200d的電極210或220。具體地，通路導(dǎo)體321b分別電連接至電子組件200a 200d的電極210，并且通路導(dǎo)體322b分別電連接至電子組件200a 200d的電極220。如所述，在本實(shí)施例中，電子組件200a 200d的僅一側(cè)的表面(第四表面F4)連接至通路導(dǎo)體。將這種結(jié)構(gòu)稱(chēng)為單面通路結(jié)構(gòu)。

由于上述的單面通路結(jié)構(gòu)，電子組件200a 200d的電極210、220和絕緣層102上的導(dǎo)電層120經(jīng)由通路導(dǎo)體321b或322彼此電連接。由于在這種結(jié)構(gòu)中在內(nèi)層中形成電連接，因此對(duì)于小型化而言是有效的?？?13a、323a分別到達(dá)通孔導(dǎo)體300b，并且通孔導(dǎo)體313b、323b從基板100的第一表面Fl側(cè)或第二表面F2側(cè)電連接至通孔導(dǎo)體300b。通路導(dǎo)體313b、323b分別直接位于通孔導(dǎo)體300b(方向Z)上。然后，基板100的第一表面Fl上的導(dǎo)電層301經(jīng)由通路導(dǎo)體313b電連接至絕緣層101上的導(dǎo)電層110。此外，基板100的第二表面F2上的導(dǎo)電層302經(jīng)由通路導(dǎo)體323b電連接至絕緣層102上的導(dǎo)電層120。在本實(shí)施例中，通路導(dǎo)體313b、323b和通孔導(dǎo)體300b各自是填充導(dǎo)體，并且通過(guò)使這些導(dǎo)體在方向Z上堆疊來(lái)形成堆疊結(jié)構(gòu)SI。這種堆疊結(jié)構(gòu)SI適合于小型化或者省略布線(xiàn)?；?00例如通過(guò)利用環(huán)氧樹(shù)脂注入玻璃布(芯材料)來(lái)制成(以下稱(chēng)為環(huán)氧玻璃)。芯材料的熱膨脹系數(shù)比主材料(在本實(shí)施例中為環(huán)氧樹(shù)脂)的小。對(duì)于這些芯材料，優(yōu)選考慮諸如玻璃纖維(例如玻璃布或玻璃無(wú)紡織物)、芳綸纖維(例如，芳綸無(wú)紡織物)或二氧化硅填料等的無(wú)機(jī)材料。然而，基本上基板100的材料不限于特定類(lèi)型。例如，還可以利用聚脂樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂(BT樹(shù)脂)、亞胺樹(shù)脂(聚酰亞胺)、酚醛樹(shù)脂或烯丙基聚苯醚樹(shù)脂(A-PPE樹(shù)脂)等來(lái)替代環(huán)氧樹(shù)脂?？梢岳貌煌牧系亩鄠€(gè)層來(lái)形成基板 100。本實(shí)施例的絕緣層101、102各自通過(guò)利用樹(shù)脂注入芯材料來(lái)制成。由于絕緣層101U02由具有芯材料的樹(shù)脂制成，因此在絕緣層101、102內(nèi)，即使在電子器件和腔之間的間隙中也不太可能形成凹部，并且抑制了形成在絕緣層101、102上的導(dǎo)電圖案中發(fā)生線(xiàn)狀斷裂。絕緣層101、102例如由環(huán)氧玻璃制成。然而，這不是唯一的選擇，并且絕緣層101、102可以由不具有芯材料的樹(shù)脂制成?；旧?，可自由確定絕緣層101、102的材料。例如，代替環(huán)氧樹(shù)脂，還可以使用聚脂樹(shù)脂、雙馬來(lái)酰亞胺三嗪樹(shù)脂(BT樹(shù)脂)、亞胺樹(shù)脂(聚酰亞胺)、酚醛樹(shù)脂或烯丙基聚苯醚樹(shù)脂(A-PPE樹(shù)脂)等?？梢岳糜刹煌牧现瞥傻亩鄠€(gè)層來(lái)形成各絕緣層。通路導(dǎo)體313b、321b、322b、323b各自由例如銅鍍層制成。通路導(dǎo)體313b的形狀以及其它通路導(dǎo)體的形狀例如均是直徑從芯部向著上層增大的漸縮的錐狀柱(截頂錐)。然而，這不是唯一的選擇，并且沒(méi)有特別限制通路導(dǎo)體的形狀。導(dǎo)電層110由銅箔(下層)和銅鍍層(上層)構(gòu)成，并且導(dǎo)電層120由銅箔(下層)和銅鍍層(上層)構(gòu)成。導(dǎo)電層110、120包括例如形成電路、連接區(qū)和平面圖案等的布線(xiàn)。沒(méi)有特別限制各導(dǎo)電層和各通路導(dǎo)體的材料，只要該材料為導(dǎo)電性的即可。該材料可以為金屬性的或者非金屬性的。導(dǎo)電層和通路導(dǎo)體各自可以由不同材料制成的多層構(gòu)成。將多個(gè)電子器件內(nèi)置于本實(shí)施例的線(xiàn)路板10。由于在線(xiàn)路板10中一個(gè)電子器件配置在一個(gè)開(kāi)口部(腔)內(nèi)，因此無(wú)需用以形成電子器件組件的處理。另外，由于可以在已配置了各電子器件(已將各電子器件固定在腔內(nèi))之后形成各電子器件的布線(xiàn)，因此容易使各電子器件連接至(電連接至)單獨(dú)的電路。此外，由于內(nèi)置于線(xiàn)路板的多個(gè)電子器件沒(méi)有一體化，因此在這些電子器件的其中一個(gè)故障的情況下，僅需替換所有這些電子器件中的該電子器件就能正常工作。

為了使用一個(gè)電子器件配置在一個(gè)腔內(nèi)的結(jié)構(gòu)來(lái)將多個(gè)電子器件內(nèi)置于線(xiàn)路板，需要各腔之間的距離窄。然而，在各腔之間的邊界部(用以隔開(kāi)腔的壁)的寬度變得較小時(shí)，強(qiáng)度往往下降，這導(dǎo)致線(xiàn)路板的電氣連接的可靠性下降。關(guān)于該情況，由于在本實(shí)施例的線(xiàn)路板10中在各腔之間的邊界部Rl上形成導(dǎo)電圖案，因此邊界部Rl的強(qiáng)度提高。結(jié)果，線(xiàn)路板中的電氣連接的可靠性提高。此外，由于使邊界部Rl的寬度變小，因此容易使線(xiàn)路板小型化。在本實(shí)施例的線(xiàn)路板10中，在邊界部Rl的兩個(gè)表面上形成導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層
301、302)。因而，與僅在一個(gè)表面上形成導(dǎo)電圖案的情況相比更容易提高強(qiáng)度。在本實(shí)施例的線(xiàn)路板10中，優(yōu)選邊界部Rl的大致十字形平面形狀由寬度為約0.05mm以上和約2.0Omm以下并且基本呈直角交叉的兩條線(xiàn)構(gòu)成。即，優(yōu)選線(xiàn)X的寬度D21和線(xiàn)Y的寬度D22(參見(jiàn)圖2和3)各自在約0.05 約2.0Omm的范圍內(nèi)。將邊界部Rl的寬度設(shè)置在這種范圍內(nèi)對(duì)于線(xiàn)路板的小型化而言是優(yōu)選的，同時(shí)提高了邊界部Rl的強(qiáng)度并且確保了相鄰的電氣組件之間的絕緣性。以下說(shuō)明用于制造本實(shí)施例的線(xiàn)路板10的方法。圖9是示意性示出用于制造根據(jù)本實(shí)施例的線(xiàn)路板10的方法的內(nèi)容和順序的流程圖。
在圖9的步驟Sll中，準(zhǔn)備基板。具體地，如圖10所示，準(zhǔn)備雙面覆銅層板1000作為起始材料。雙面覆銅層板1000由基板100 (芯基板)、形成在基板100的第一表面Fl上的金屬箔1001 (諸如銅箔等)和形成在基板100的第二表面F2上的金屬箔1002(諸如銅箔等)構(gòu)成。在本實(shí)施例中，基板100是該階段完全固化的環(huán)氧玻璃。在圖9的步驟S12中，在基板中形成通孔導(dǎo)體并且在基板上形成導(dǎo)電層。具體地，如圖1lA所示，例如，使用CO2激光，從第一表面Fl側(cè)照射雙面覆銅層板1000以形成孔1003a，并且從第二表面F2側(cè)照射雙面覆銅層板1000以形成孔1003b?？?003a和孔1003b形成在X-Y平面上的基本相同的位置處，并且最終相連接而成為貫通雙面覆銅層板1000的通孔300a。通孔300a例如成形為沙漏狀?？?003a和孔1003b之間的邊界與窄部300c (圖1)相對(duì)應(yīng)。針對(duì)第一表面Fl的激光照射和針對(duì)第二表面F2的激光照射可以同時(shí)進(jìn)行或者以一次一個(gè)表面的方式單獨(dú)進(jìn)行。在形成了通孔300a之后，優(yōu)選對(duì)通孔300a進(jìn)行除污。通過(guò)除污抑制了不想要的導(dǎo)通(短路)。此外，為了提高激光的吸收效率,可以在激光照射之前使金屬箔1001、1002的表面變黑。這里,代替使用激光而可以使用鉆孔機(jī)或通過(guò)蝕刻來(lái)形成通孔300a。然而，通過(guò)使用激光更容易實(shí)現(xiàn)精細(xì)處理。如圖1lB所示，通過(guò)使用例如板面鍍法來(lái)在金屬箔1001、1002上和通孔300a中形成例如銅鍍層1004。具體地，首先進(jìn)行無(wú)電鍍以形成無(wú)電鍍膜，然后以該無(wú)電鍍膜作為種子層來(lái)使用電鍍?nèi)芤哼M(jìn)行電解鍍，由此形成鍍層1004。因此，通孔300a被鍍層1004所填充以形成通孔導(dǎo)體300b。例如，使用抗蝕劑和蝕刻溶液對(duì)形成在基板100的第一表面Fl和第二表面F2上的導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化。具體地，導(dǎo)電層被具有分別與導(dǎo)電層301、302相對(duì)應(yīng)的圖案的抗蝕劑所覆蓋，并且各導(dǎo)電層的沒(méi)有被抗蝕劑所覆蓋的部分(經(jīng)由抗蝕劑的開(kāi)口部暴露的部分)被蝕刻去除。因此，如圖12A和12 B所示，在基板100的第一表面Fl和第二表面F2上分別形成導(dǎo)電層301、302。此外，在導(dǎo)電層301、302中形成分別與腔Cl C4相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部R101 R104。開(kāi)口部R101 R104例如具有與腔C1 C4的形狀相同的開(kāi)口形狀，并且開(kāi)口部R10fR104被設(shè)置得略大于腔CfC4。因此，在這些開(kāi)口部的外側(cè)上形成平面導(dǎo)電圖案，并且以與外側(cè)的平面導(dǎo)電圖案一體化的方式在內(nèi)側(cè)上形成大致十字形導(dǎo)電圖案。本實(shí)施例的導(dǎo)電層301、302各自例如是具有銅箔(下層)、無(wú)電銅鍍層(中間層)和電解銅鍍層(上層)的三層。代替濕法蝕刻而可以進(jìn)行干法蝕刻。此外，優(yōu)選在需要的情況下通過(guò)蝕刻等使導(dǎo)電層301、302的表面粗糙化。另外，可以在導(dǎo)電層301或302中形成后續(xù)步驟(諸如用于配置電子組件200a 200d的步驟等)要使用的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。在圖9的步驟S13中，例如，如圖13A和13B(圖13A的截面圖)所示，通過(guò)從第一表面Fl側(cè)對(duì)基板100照射激光來(lái)形成開(kāi)口部(腔)。具體地，例如，如圖13A和13B所示，通過(guò)照射激光來(lái)從基板100中的腔Cf C4的周?chē)コc這些腔相對(duì)應(yīng)的區(qū)域以繪制腔0Γ04的形狀(參見(jiàn)圖2)。激光照射角度例如被設(shè)置為與基板100的第一表面Fl大致垂直。然而，以上不是唯一的選擇。例如，可以從基板100的兩側(cè)照射激光，或者可以以與基板100的主表面成傾斜角度的方式照射激光?？蛇x地，可以代替激光而使用其它方法(刳刨機(jī)、鉆孔機(jī)或沖模等)以在基板100中形成開(kāi)口部(腔)。
在此期間，在如圖12A和12B所示、預(yù)先與腔Cf C4的形狀(參見(jiàn)圖2)相對(duì)應(yīng)地去除基板100上的導(dǎo)電層301的情況下，腔CfC4的位置和形狀變得明確，從而使得更容易使激光照射對(duì)準(zhǔn)。通過(guò)照射上述激光，如圖14A和14B (圖14A的截面圖)所示形成腔Cf C4。因此，連同邊界部Rl —起形成外周部R2，其中邊界部Rl被形成為與該外周部一體化。在本實(shí)施例中，在從第一表面Fl側(cè)對(duì)基板100照射激光的情況下,隨著該光向著第二表面F2側(cè)前進(jìn)，激光作用量減少。因而，腔CrC4被形成為具有從第一表面Fl向著第二表面F2減小的寬度。結(jié)果，基板100的切割面(腔CfC4的壁面)呈錐形。如上所形成的腔Cf C4各自被設(shè)置為電子組件200a 200d所用的容納空間。由于在本實(shí)施例中使用激光來(lái)形成腔Cf C4，因此容易獲得具有錐形壁面的腔Cf C4。在圖9的步驟S14中，將電子組件200a 200d分別配置在基板100的腔C1 C4內(nèi)。具體地，例如，如圖15所示，在基板100的一側(cè)(第二表面F2)上配置由例如PET(聚對(duì)苯二甲酸乙脂)制成的載體1005。如此，腔(孔)CfC4的一側(cè)上的開(kāi)口被載體1005所覆蓋。在本實(shí)施例中，載體1005由粘合片材(諸如帶等)制成并且粘合到基板100側(cè)上。載體1005例如通過(guò)層疊粘附至基板100的第二表面F2側(cè)(導(dǎo)電層302等)上。如圖16所示，將電子組件200a 200d從與腔(孔)C1 C4的被覆蓋的開(kāi)口相反的側(cè)(Zl側(cè))放置到腔CfC4內(nèi)。例如，利用組件安裝器將電子組件200a 200d分別放置到腔C1 C4內(nèi)。例如，將電子組件200a 200d各自保持在真空卡盤(pán)等上，傳輸至腔Cf C4上方的區(qū)域(Zl側(cè))，從該區(qū)域起垂直下降，然后放置到腔Cf C4內(nèi)。因此，如圖17所示，電子組件200a 200d配置在載體1005(粘合片材)上。結(jié)果，完成了線(xiàn)路板10 (圖1)的芯部。在圖9的步驟S15中，在芯部上形成絕緣層，并且在基板和該基板的各腔內(nèi)的電子組件之間填充絕緣體。`具體地，如圖18所示，在與載體1005相反的側(cè)(Zl側(cè))上、即在基板100的第一表面Fl和電子組件200a 200d的第三表面F3上形成含金屬箔1006 (例如，含樹(shù)脂的銅箔)的絕緣層101。絕緣層101例如由熱固性環(huán)氧玻璃預(yù)浸料坯制成。然后，通過(guò)如圖19所示對(duì)半固化(B階段)的絕緣層101加壓，樹(shù)脂從絕緣層101流入腔Cf C4。由此，如圖20所示，在腔C1 C4內(nèi)的電子組件200a 200d與基板100之間填充了絕緣體10Ia (形成絕緣層101的樹(shù)脂)。在腔C1 C4內(nèi)填充絕緣體IOla的情況下，預(yù)先將填料樹(shù)脂(絕緣體IOla)和電子組件200a 200d粘合。具體地，對(duì)填料樹(shù)脂進(jìn)行加熱以獲得使其能夠支撐電子組件200a 200d的程度的保持力。如此，載體1005所支撐的電子組件200a 200d現(xiàn)在被填料樹(shù)脂所支撐。然后，去除載體1005。在該階段，絕緣體IOla (填料樹(shù)脂)和絕緣層101僅處于半固化狀態(tài)，并且沒(méi)有完全固化。然而，這不是唯一的選擇，并且例如，在該階段可以使絕緣體IOla和絕緣層101完全固化。如圖21所示，在基板100的第二表面F2上形成含金屬箔1007 (例如，含樹(shù)脂的銅箔)的絕緣層102。絕緣層102例如由熱固性環(huán)氧玻璃預(yù)浸料坯制成。電子組件200a 200d的電極210、220各自被絕緣層102所覆蓋。通過(guò)加壓使半固化(B階段)的絕緣層102粘合至基板100 ;例如，對(duì)絕緣層101、102進(jìn)行加熱直到完全固化為止。在本實(shí)施例中，由于去除粘合片材(載體1005)、然后使填充在腔Cf C4內(nèi)的樹(shù)脂固化，因此絕緣層101、102同時(shí)固化。此外，由于通過(guò)同時(shí)使兩個(gè)表面上的絕緣層101、102固化來(lái)抑制基板100的翹曲，因此更容易使基板100薄化。在圖9的步驟S16中，在芯部的絕緣層中形成通路導(dǎo)體，并且在這些絕緣層上形成導(dǎo)電層。具體地，使用激光，例如，如圖22所示，在絕緣層101和金屬箔1006中形成孔313a (通路孔)，并且在絕緣層102和金屬箔1007中形成孔321a 323a (各自為通路孔)?？?13a貫通金屬箔1006和絕緣層101，并且孔321a 323a各自貫通金屬箔1007和絕緣層102。然后，孔321a到達(dá)電子組件200a、200b的電極210，并且孔322a到達(dá)電子組件200a、200b的電極220。此外，孔313a、323a分別到達(dá)直接位于通孔導(dǎo)體300b上的導(dǎo)電層301、
302。然后，根據(jù)需要來(lái)進(jìn)行除污。通過(guò)例如化學(xué)鍍方法在金屬箔1006、1007上和孔313a、321a 323a中形成例如無(wú)電銅鍍膜1008、1009(參見(jiàn)圖23)。在無(wú)電鍍之前，可以通過(guò)例如浸潰使由鈀等制成的催化劑吸收到絕緣層101、102的表面上。使用光刻技術(shù)或印刷等，在第一表面Fl側(cè)的主表面上(在無(wú)電鍍膜1008上)形成具有開(kāi)口部IOlOa的抗鍍層1010，并且在第二表面F2側(cè)的主表面上(在無(wú)電鍍膜1009上)形成具有開(kāi)口部IOlla的抗鍍層1011a(參見(jiàn)圖23)。開(kāi)口部1010a、IOlla具有分別與導(dǎo)電層110、120相對(duì)應(yīng)的圖案(圖24)。如圖23所示，使用例如圖案鍍法在抗鍍層1010、1011的開(kāi)口部1010a、IOlla中分別形成電解銅鍍層1012、1013。具體地，作為鍍材料的銅連接至陽(yáng)極，并且作為被鍍材料的無(wú)電鍍膜1008、1009連接至陰極，并且將該基板浸潰到鍍液內(nèi)。然后，在這兩極之間施加DC電壓以使電流流動(dòng)，由此銅沉積在無(wú)電鍍膜1008、1009的表面上。因此，將無(wú)電鍍膜1008、1009和電解鍍層1012、1013填充到孔313a、321a 323a內(nèi)，并且形成了由例如銅鍍層制成的通路導(dǎo)體313b、321b 323b。然后，使用例如預(yù)定的去除溶液，去除抗鍍層1010、1011并且去除不需要的無(wú)電鍍膜1008、1009和金屬箔1006、1007。因此，如圖24所示，形成了導(dǎo)電層110、120。電解鍍所用的種子層不限于無(wú)電鍍膜，并且代替無(wú)電鍍膜1008、1009，還可以使用濺射膜等作為種子層。然后，在圖9的步驟S17中，在絕緣層101和導(dǎo)電層110上形成具有開(kāi)口部Ila的阻焊劑11a，并且在絕緣層102和導(dǎo)電層120上形成具有開(kāi)口部12a的阻焊劑12 (參見(jiàn)圖1)。除了位于開(kāi)口部lla、12a中的部分(諸如焊盤(pán)P11、P12等)以外，導(dǎo)電層110、120分別被阻焊劑11、12所覆蓋。阻焊劑11、12例如通過(guò)絲網(wǎng)印刷、噴射涂布、輥式涂布或?qū)盈B等來(lái)形成。通過(guò)電解鍍或?yàn)R射等，在導(dǎo)電層110、120上、特別是在沒(méi)有被阻焊劑11、12所覆蓋的焊盤(pán)P11、P12的表面(參見(jiàn)圖1)上形成由Ni/Au膜制成的防腐蝕層。可選地，可以通過(guò)進(jìn)行OSP處理來(lái)形成由有機(jī)保護(hù)膜制成的防腐蝕層。因此，在基板100的第一表面Fl上形成由絕緣層101和導(dǎo)電層110構(gòu)成的第一堆積部，并且在基板100 的第二表面F2上形成由絕緣層102和導(dǎo)電層120構(gòu)成的第二堆積部。結(jié)果，完成了本實(shí)施例的線(xiàn)路板10 (圖1)。然后，根據(jù)需要來(lái)對(duì)電子組件200a 200d進(jìn)行電測(cè)試(以檢查電容或絕緣性等)。本實(shí)施例的制造方法包括以下:準(zhǔn)備基板100 (圖9的步驟Sll);在基板100中形成由第一邊界部Pl分隔開(kāi)的腔Cl (第一開(kāi)口部)和腔C2 (第二開(kāi)口部)，并且在第一邊界部Pl上形成導(dǎo)電圖案(圖9的步驟S12、S13);在腔Cl中配置電子組件200a(第一電子器件)并且在腔C2中配置電子組件200b (第二電子器件)(圖9的步驟S14);在基板100、第一邊界部Pl上的導(dǎo)電圖案、電子組件200a和電子組件200b上形成絕緣層101 (圖9的步驟S15);以及在絕緣層101上形成導(dǎo)電層110(圖9的步驟S16)。本實(shí)施例的制造方法適合于制造線(xiàn)路板10。使用這種制造方法，以低成本獲得了良好的線(xiàn)路板。本實(shí)施例的線(xiàn)路板10例如電連接至其它電子組件或其它線(xiàn)路板。如圖25所示，例如，可以通過(guò)焊接等將電子組件400 (諸如IC芯片等)安裝在線(xiàn)路板10的焊盤(pán)P12上。此外，可以經(jīng)由焊盤(pán)Pll將其它線(xiàn)路板500 (諸如母板)等安裝在線(xiàn)路板10上。本實(shí)施例的線(xiàn)路板10例如可以用作移動(dòng)裝置(蜂窩式電話(huà)等)的電路板。第二實(shí)施例通過(guò)關(guān)注與上述第一實(shí)施例的不同之處來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的第二實(shí)施例。這里，對(duì)與上述圖1等所示的元件相同的元件指派相同的附圖標(biāo)記，并且簡(jiǎn)化或省略針對(duì)已說(shuō)明的共用部分的說(shuō)明。如圖26所示，本實(shí)施例的線(xiàn)路板20在基板100 (芯部)的邊界部Rl中具有通孔導(dǎo)體304b。具體地，在基板100的邊界部Rl中形成貫通基板100的通孔304a，并且通過(guò)在通孔304a中填充導(dǎo)體(諸如銅鍍層等)來(lái)形成通孔導(dǎo)體304b。S卩，通孔導(dǎo)體304b是填充導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體304b例如成形為沙漏狀。即，通孔導(dǎo)體304b具有窄部304c，并且通孔導(dǎo)體304b的寬度在其從第一表面F l接近窄部304c、以及從第二表面F2接近窄部304c的情況下逐漸減小。然而，這不是唯一的選擇，并且可自由確定通孔導(dǎo)體304b的形狀。在絕緣層101中形成孔313a、314a(各自為通路孔)，并且在絕緣層102中形成孔321a、322a、323a、324a (各自為通路孔)。通過(guò)在孔 313a、314a、321a、322a、323a、324a 內(nèi)填充導(dǎo)體(諸如銅鍍層等)，這些孔內(nèi)的導(dǎo)體分別成為通路導(dǎo)體313b、314b、321b、322b、323b、324b (各自為填充導(dǎo)體)。在本實(shí)施例中，在基板100的第一表面Fl側(cè)上的絕緣層101具有通路導(dǎo)體314b (第一通路導(dǎo)體)。此外，基板100的第二表面F2側(cè)上的絕緣層102具有通路導(dǎo)體324b (第二通路導(dǎo)體)。通路導(dǎo)體314b、324b堆疊在通孔導(dǎo)體304b上。在本實(shí)施例中，通路導(dǎo)體314b、324b和通孔導(dǎo)體304b各自是填充導(dǎo)體并且通過(guò)在方向Z上堆疊來(lái)形成堆疊結(jié)構(gòu)S2。這種堆疊結(jié)構(gòu)S2適合于小型化或者省略布線(xiàn)。此外，各堆疊結(jié)構(gòu)S2電連接至電子組件200a 200d的電極210。如此，縮短了布線(xiàn)并且更容易降低回路感抗。另外，在單面結(jié)構(gòu)(諸如通路導(dǎo)體僅連接至電子組件的第四表面F4的單面結(jié)構(gòu)等)中，電子組件的電極和形成在位于與連接至該電子組件的電極的通路導(dǎo)體相反的側(cè)(諸如第三表面F3側(cè)等)上的導(dǎo)電層(例如，導(dǎo)電層110)更容易經(jīng)由堆疊結(jié)構(gòu)S2電連接。在絕緣層102中形成連接至電子組件200a 200d各自的電極210的通路導(dǎo)體321b、321b、321b、321b。電子組件200a 200d的各電極210經(jīng)由通路導(dǎo)體324b、導(dǎo)電層120和通路導(dǎo)體321b電連接至通孔導(dǎo)體304b。
圖27A示出從第一表面Fl側(cè)(或第三表面F3側(cè))觀看的線(xiàn)路板20的芯部(特別是具有內(nèi)置電子器件的部)的結(jié)構(gòu)。此外，圖27B示出從第二表面F2側(cè)(或第四表面F4偵U觀看的線(xiàn)路板20的芯部(特別是具有內(nèi)置電子器件的部)的結(jié)構(gòu)。此外，圖28Α和28Β是圖27Α和27Β所示的邊界部Rl的放大圖。如圖27Α和27Β所示，與根據(jù)第一實(shí)施例的線(xiàn)路板10相同，還在根據(jù)本實(shí)施例的線(xiàn)路板20的基板100 (芯基板)中的預(yù)定距離處形成腔Cf C4。因此，在這些腔之間形成具有大致十字形平面形狀(X-Y平面)的邊界部R1，并且在腔Cf C4的外周上以與邊界部Rl一體化的方式形成外周部R2。在具有十字形平面形狀(X-Y平面)的邊界部Rl上形成大致十字形導(dǎo)電圖案。在基板100的外周部R2上形成平面導(dǎo)電圖案。這種平面導(dǎo)電圖案例如形成在基板100的基本整個(gè)區(qū)域上。另外，邊界部Rl的大致十字形導(dǎo)電圖案和被形成為與邊界部的導(dǎo)電圖案一體化的外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案例如包括在導(dǎo)電層301或302中(參見(jiàn)圖26)。例如，如圖28Α和28Β所示，根據(jù)本實(shí)施例的基板100的邊界部Rl由第一邊界部Ρ1、第二邊界部Ρ2、第三邊界部Ρ3、第四邊界部Ρ4和交叉部Ρ5構(gòu)成。然而，在本實(shí)施例的線(xiàn)路板20中，如圖27Α 28Β所示，在腔Cl和腔C2之間(第一邊界部Pl)、在腔C2和腔C3之間(第二邊界部Ρ2)、在腔C3和腔C4之間(第三邊界部Ρ3)、在腔C4和腔Cl之間(第四邊界部Ρ4)以及在交叉部 Ρ5中，分別形成貫通基板100的通孔導(dǎo)體304b。在本實(shí)施例中，在形成大致十字形的邊界部Rl的兩條線(xiàn)上形成通孔導(dǎo)體。在交叉部P5的第一表面Fl上的導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層301)中形成開(kāi)口部301b，并且在交叉部P5的第二表面F2上的導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層302)中形成開(kāi)口部302b。在與基板100中的開(kāi)口部301b、302b相對(duì)應(yīng)的位置形成貫通基板100的通孔導(dǎo)體304b。在開(kāi)口部301b、302b中分別配置連接至通孔導(dǎo)體304b的兩端的連接區(qū)301a、302a，并且這些連接區(qū)301a、302a與周?chē)倪吔绮縍l上(第一表面Fl和第二表面F2上)的大致十字形導(dǎo)電圖案絕緣。此外，在第一邊界部Pl的第二表面F2上的導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層302)中形成開(kāi)口部302c，并且在第三邊界部P3的第二表面F2上的導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層302)中形成開(kāi)口部302d。第一邊界部Pl的通孔導(dǎo)體304b和第三邊界部P3的通孔導(dǎo)體304b分別形成在與基板100的開(kāi)口 302c、302d相對(duì)應(yīng)的位置。連接至通孔導(dǎo)體304b的端部(第二表面F2側(cè))的連接區(qū)302a分別配置在開(kāi)口部302c、302d中，并且與周?chē)倪吔绮縍l的第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案絕緣。另外，通孔導(dǎo)體304b的其它端部(第一表面Fl側(cè))各自連接至邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案。第二邊界部P2中的通孔導(dǎo)體304b和第四邊界部P4中的通孔導(dǎo)體304b的各端部(第一表面Fl側(cè))連接至邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案，并且另一端部(第二表面F2側(cè))連接至邊界部Rl的第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案。S卩，邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案和邊界部Rl的第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案經(jīng)由第二邊界部P2中的通孔導(dǎo)體304b和第四邊界部P4中的通孔導(dǎo)體304b彼此電連接。在本實(shí)施例中，第一邊界部Pl中的通孔導(dǎo)體304b、第二邊界部P2中的通孔導(dǎo)體304b、第三邊界部P3中的通孔導(dǎo)體304b和第四邊界部P4中的通孔導(dǎo)體304b經(jīng)由邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案彼此電連接。
在本實(shí)施例中，通路導(dǎo)體314b、324b堆疊在所有的通孔導(dǎo)體304b上。然而，本實(shí)施例不限于此，并且還存在如下選擇:通路導(dǎo)體314b、324b沒(méi)有堆疊在所有的通孔導(dǎo)體304b上(例如，通路導(dǎo)體314b、324b可以?xún)H堆疊在交叉部P5上的通孔導(dǎo)體304b上)。電子組件200a 200d分別配置在腔C1 C4內(nèi)。如圖29A和29B所示，在本實(shí)施例中，邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案和邊界部Rl的第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案具有彼此相同的極性。具體地，邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案和邊界部Rl的第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案、以及使這些導(dǎo)電圖案彼此連接的第二邊界部P2中的通孔導(dǎo)體304b和第四邊界部P4中的通孔導(dǎo)體304b各自例如具有負(fù)(-)極性。此外，與邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案相連接的第一邊界部Pl中的通孔導(dǎo)體304b和第三邊界部P3中的通孔導(dǎo)體304b各自例如具有負(fù)(-)極性。另一方面，配置在開(kāi)口部301b、302b中并且與周?chē)倪吔绮縍l上(第一表面Fl和第二表面F2上)的大致十字形導(dǎo)電圖案絕緣的通孔導(dǎo)體304b及其連接區(qū)301a、302a例如具有正(+)極性。分別形成在邊界部Rl的第一表面Fl和第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案、與各自的大致十字形導(dǎo)電圖案一體化的外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案、以及形成在第一邊界部 第四邊界部(PfP4)中的通孔導(dǎo)體304b各自電連接至電子組件200a 200d的接地端子(電極220)。形成在交叉部P5中的開(kāi)口部301b、302b內(nèi)的通孔導(dǎo)體304b電連接至電子組件200a 200d的各電源端子(電極210)。然而，這不是唯一的選擇；例如，可以使電極210和電極220的極性反轉(zhuǎn)。在本實(shí)施例的線(xiàn)路板20中，優(yōu)選邊界部Rl的大致十字形平面形狀由寬度為約0.2mm以上和約2.0mm以下并且基本呈直角交叉的兩條線(xiàn)構(gòu)成。即，優(yōu)選線(xiàn)X的寬度D21和線(xiàn)Y的寬度D22(參見(jiàn)圖27A 28B)各自在約0.2mnT約2.0mm的范圍內(nèi)。通過(guò)如上所述設(shè)置邊界部Rl的寬度，適合使線(xiàn)路板小型化，同時(shí)提高邊界部Rl的強(qiáng)度并且確保使相鄰的電子組件之間絕緣所用的空間以及形成通孔導(dǎo)體所用的空間。

其它尺寸(例如，腔CfC4的寬度D11、D12)例如被設(shè)置為與第一實(shí)施例的情況相同。本實(shí)施例的線(xiàn)路板20也通過(guò)圖9所示的工序、例如以與第一實(shí)施例的線(xiàn)路板10相同的方式來(lái)制造。然而，本實(shí)施例的線(xiàn)路板20包括通孔導(dǎo)體304b。因而，在圖9的步驟Sll中準(zhǔn)備了雙面覆銅壓板1000(參見(jiàn)圖10)之后，如圖30A所示，在圖9的下一步驟S12中使用例如CO2激光以連同由孔1003a、1003b構(gòu)成的通孔304a —起形成由孔1003a、1003b構(gòu)成的通孔300a?？?003a和孔1003b之間的邊界與通孔304a的窄部304c (圖26)相對(duì)應(yīng)。針對(duì)第一表面Fl的激光照射和針對(duì)第二表面F2的激光照射可以同時(shí)進(jìn)行或者以一次一個(gè)表面的方式單獨(dú)進(jìn)行。在形成了通孔304a之后，優(yōu)選對(duì)通孔304a進(jìn)行除污。通過(guò)除污抑制了不想要的導(dǎo)通(短路)?？梢源媸褂眉す舛褂勉@孔機(jī)或通過(guò)蝕刻來(lái)形成通孔304a。然而，使用激光來(lái)形成精細(xì)處理更為容易。如圖30B所示，使用例如與第一實(shí)施例基本相同的板面鍍法來(lái)在金屬箔1001、1002上以及在通孔300a和通孔304a中形成例如銅鍍層1004。因此，在通孔300a內(nèi)填充鍍層1004以形成通孔導(dǎo)體300b，并且在通孔304a內(nèi)填充鍍層1004以形成通孔導(dǎo)體304b。各導(dǎo)電層例如被具有與導(dǎo)電層301或302相對(duì)應(yīng)的圖案的抗蝕劑所覆蓋，并且各導(dǎo)電層的沒(méi)有被抗蝕劑所覆蓋的部分被蝕刻去除。如此，如圖31A和31B所示，在基板100的第一表面Fl和第二表面F2上分別形成導(dǎo)電層301、302。在導(dǎo)電層301、302中形成與腔CfC4相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部R10fR104。因此，在外側(cè)上形成平面導(dǎo)電圖案，并且在其內(nèi)側(cè)上形成與外側(cè)的平面導(dǎo)電圖案一體化的大致十字形導(dǎo)電圖案。在大致十字形導(dǎo)電圖案的交叉部中形成開(kāi)口部301b、302b(圖31A僅示出開(kāi)口部302b)。然后，在開(kāi)口部301b、302b中形成通孔導(dǎo)體304b的連接區(qū)301a、302a(圖31A僅示出連接區(qū)302a)。在與基板100的開(kāi)口部301b、302b相對(duì)應(yīng)的位置中形成通孔導(dǎo)體304b。如圖31A所示，在開(kāi)口部RlOl和開(kāi)口部R102之間的導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層302)中形成開(kāi)口部302c。然后，在開(kāi)口部302c中形成通孔導(dǎo)體304b的連接區(qū)302a。即，在與基板100的開(kāi)口部302c相對(duì)應(yīng)的位置中形成通孔導(dǎo)體304b。如圖31A所示，在開(kāi)口部R103和開(kāi)口部R104之間的導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層302)中形成開(kāi)口部302d。然后，在開(kāi)口部302d中形成通孔導(dǎo)體304b的連接區(qū)302a。即，在與基板100的開(kāi)口部302d相對(duì)應(yīng)的位置中形成通孔導(dǎo)體304b。在圖9的步驟S13中，如圖32A和32B所示，通過(guò)例如與第一實(shí)施例(參見(jiàn)圖13A和13B)基本相同的激光照射來(lái)形成腔Cf C4。因此，連同邊界部Rl—起形成與邊界部Rl一體化的外周部R2。然后，使用例如與第一實(shí)施例基本相同的方法，在基板100的腔CfC4中分別配置電子組件200a 200d，在芯部上形成絕緣層101、102，并且在各腔內(nèi)的電子組件與基板100之間的間隙內(nèi)填充絕緣體101a(參見(jiàn)圖26)。另外，在絕緣層101、102中形成由例如銅鍍層制成的通路導(dǎo)體313b、314b、321b 324b(參見(jiàn)圖26)。通路導(dǎo)體314b、324b各自堆疊在通孔導(dǎo)體304b上。使用例如與第一實(shí)施例基本相同的方法，在絕緣層101、102上分別形成導(dǎo)電層110、120 (參見(jiàn)圖26) 。此外，使用例如與第一實(shí)施例基本相同的方法，在絕緣層101和導(dǎo)電層110上形成具有開(kāi)口部Ila的阻焊劑11，并且在絕緣層102和導(dǎo)電層120上形成具有開(kāi)口部12a的阻焊劑12 (參見(jiàn)圖26)。因此，完成了本實(shí)施例的線(xiàn)路板20。在本實(shí)施例的線(xiàn)路板20中，在邊界部Rl中形成通孔導(dǎo)體304b，并且邊界部Rl的兩個(gè)表面上的導(dǎo)電圖案經(jīng)由通孔導(dǎo)體304b彼此連接。具體地，開(kāi)口部301b中的連接區(qū)301a和開(kāi)口部302b中的連接區(qū)302a經(jīng)由交叉部P5中的通孔導(dǎo)體304b彼此連接；邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案和邊界部Rl的第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案經(jīng)由第二邊界部P2和第四邊界部P4中的通孔導(dǎo)體304b彼此連接；并且邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案和開(kāi)口部302c、302d中的連接區(qū)302a經(jīng)由第一邊界部Pl和第三邊界部P3中的通孔導(dǎo)體304b彼此連接。在采用這種結(jié)構(gòu)的情況下，邊界部Rl的強(qiáng)度和散熱性往往提高。在本實(shí)施例的線(xiàn)路板20中，在邊界部Rl的大致十字形導(dǎo)電圖案的交叉部P5中形成開(kāi)口部302b，并且在與交叉部P5的開(kāi)口部302b相對(duì)應(yīng)的位置中形成貫通基板100的通孔導(dǎo)體304b。在采用這種結(jié)構(gòu)的情況下，邊界部Rl的強(qiáng)度和散熱性往往提高。另外，通過(guò)使通孔導(dǎo)體304b電連接至電子組件200a 200d的各電極，縮短了布線(xiàn)并且容易地降低了環(huán)路感抗。此外，在本實(shí)施例中，與第一實(shí)施例的情況相同的結(jié)構(gòu)和處理實(shí)現(xiàn)了與以上在第一實(shí)施例中所述的效果基本相同的效果。其它實(shí)施例在第二實(shí)施例的線(xiàn)路板20中，如圖33、34A和34B所示，可以省略第一邊界部P1、第二邊界部P2、第三邊界部P3和第四邊界部P4中的通孔導(dǎo)體304b。在圖34A和34B所示的示例中，在交叉部P5中形成通孔導(dǎo)體304b。此外，在交叉部P5的第二表面F2上的導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層302)中形成開(kāi)口部302b。在開(kāi)口部302b中配置交叉部P5中的連接至通孔導(dǎo)體304b的端部(第二表面F2側(cè))的連接區(qū)302a (導(dǎo)電層302)，并且連接區(qū)302a與周?chē)倪吔绮縍l的第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案絕緣。此外，交叉部P5中的通孔導(dǎo)體304b的另一端部(第一表面Fl側(cè))連接至邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案。如圖35A和35B所示，邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案與邊界部Rl的第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案可以具有不同的極性。在圖35A和35B所示的示例中，邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案以及與該導(dǎo)電圖案一體化的外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案具有正(+)極性，并且邊界部Rl的第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案以及與該導(dǎo)電圖案一體化的外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案具有負(fù)(_)極性。另外，交叉部P5中的連接至邊界部Rl的第一表面Fl上的大致十字形導(dǎo)電圖案的通孔導(dǎo)體304b具有正(+)極性。具有正⑴極性的導(dǎo)電圖案例如連接至電子組件200a 200d的各電源端子(諸如電極210等)，并且具有負(fù)(-)極性的導(dǎo)電圖案例如連接至電子組件200a 200d的各接地端子(諸如電極210等)。這里，這些極性可以反轉(zhuǎn)。關(guān)于第二實(shí)施例的線(xiàn)路板20，例如存在如下選擇:如圖36所示，在腔Cl (第一開(kāi)口部)和腔C4(第四開(kāi)口 部)之間進(jìn)一步形成開(kāi)口部302e并且在腔C2(第二開(kāi)口部)和腔C3(第三開(kāi)口部)之間進(jìn)一步形成開(kāi)口部302f。然后，還可以在這些開(kāi)口部302e、302f中分別形成通孔導(dǎo)體304b。關(guān)于各通孔導(dǎo)體304b，可以是僅一個(gè)端部電連接至邊界部Rl上的大致十字形導(dǎo)電圖案；或者可以是其兩個(gè)端部電連接至邊界部Rl上的大致十字形導(dǎo)電圖案；或者可以是其兩個(gè)端部與邊界部Rl上的大致十字形導(dǎo)電圖案絕緣。關(guān)于第二實(shí)施例或其變形例的線(xiàn)路板20，開(kāi)口部302b、302c、302d內(nèi)的通孔導(dǎo)體304b的其中一個(gè)可能沒(méi)有被設(shè)置成電連接至電子組件的端子。例如，如圖37所示，交叉部P5中的通孔導(dǎo)體304b可以是沒(méi)有電連接至電子器件的任何端子的虛設(shè)導(dǎo)體D。虛設(shè)導(dǎo)體對(duì)于提高散熱性而言是有效的。沒(méi)有特別限制虛設(shè)導(dǎo)體的數(shù)量，并且該數(shù)量可以一個(gè)以上。例如，開(kāi)口部302b、302c、302d、302e、302f中的通孔導(dǎo)體304b可以全部是虛設(shè)導(dǎo)體。內(nèi)置于形成在基板中的腔(開(kāi)口部)內(nèi)的電子器件(例如，電子組件200a 200d的其中一個(gè))的電極可以經(jīng)由連接至邊界部上的導(dǎo)電圖案的第一通路導(dǎo)體和連接至電子器件的電極的第二通路導(dǎo)體電連接至形成在各腔之間的邊界部中的通孔導(dǎo)體。例如，如圖38所示，存在如下選擇:電子組件200a、200b的電極210經(jīng)由通路導(dǎo)體324b、通路導(dǎo)體321b、321b和導(dǎo)電層120電連接至形成在邊界部Rl中的通孔導(dǎo)體304b。在圖38所示的示例中，在絕緣層102中形成通路導(dǎo)體324b并且連接至邊界部Rl的第二表面F2上的大致十字形導(dǎo)電圖案。在絕緣層102中形成各通路導(dǎo)體321b、321b，并且通路導(dǎo)體321b、321b連接至電子組件200a或200b的電極210。在絕緣層102上形成導(dǎo)電層120并且導(dǎo)電層120使通路導(dǎo)體324b和通路導(dǎo)體32lb、32Ib彼此電連接。通路導(dǎo)體324b堆疊在通孔導(dǎo)體304b上。如圖39所示，電子組件200a 200d的兩個(gè)表面(第三表面F3和第四表面F4)可以連接至通路導(dǎo)體。在圖39所示的示例中，各電子組件的電極210的第三表面F3連接至通路導(dǎo)體311b，各電子組件的電極220的第三表面F3連接至通路導(dǎo)體312b，各電子組件的電極210的第四表面F4連接至通路導(dǎo)體321b，并且各電子組件的電極220的第四表面F4連接至通路導(dǎo)體322b。形成在外周部R2上的導(dǎo)電圖案的形狀不限于平面狀。例如，如圖40所示，該導(dǎo)電圖案可以是包圍腔Cl (第一開(kāi)口部)、腔C2(第二開(kāi)口部)、腔C3(第三開(kāi)口部)和腔C4(第四開(kāi)口部)的線(xiàn)狀導(dǎo)電圖案301g(諸如框等)。此外，為了使這種線(xiàn)狀導(dǎo)電圖案(諸如導(dǎo)電圖案301g等)電連接至另一導(dǎo)電圖案(諸如電路等)，例如，如圖40所示，可以與線(xiàn)狀導(dǎo)電圖案(諸如導(dǎo)電圖案301g等)一體化地形成布線(xiàn)301h (導(dǎo)電圖案)。導(dǎo)電圖案301g和布線(xiàn)301h例如可以被形成為導(dǎo)電層301。形成在外周部R2上的導(dǎo)電圖案無(wú)需包圍腔Cl (第一開(kāi)口部)、腔C2(第二開(kāi)口部)、腔C3(第三開(kāi)口部)和腔C4(第四開(kāi)口部)。例如，如圖41所示，可以將多個(gè)平面導(dǎo)電圖案301i形成為與邊界部Rl上的大致十字形導(dǎo)電圖案一體化。在圖41所示的示例中，平面導(dǎo)電圖案301i連接至邊界部Rl的大致十字形導(dǎo)電圖案的各末端(具體是從交叉的交叉部起在四個(gè)方向上延伸的四個(gè)部分)。在上述各實(shí)施例中，在第一邊界部P1、第二邊界部P2、第三邊界部P3或第四邊界部P4的基本整個(gè)區(qū)域中形成導(dǎo)電圖案。然而，這不是唯一的選擇。例如,如圖42的大致十字形導(dǎo)電圖案301i(導(dǎo)電層301)所示，還存在如下選擇:從交叉的交叉部起在四個(gè)方向(方向X1、X2、Y1、Y2)上延伸的四個(gè)部分(各邊界部上的導(dǎo)電圖案)具有沒(méi)有到達(dá)各腔的端部的長(zhǎng)度(比各腔的寬度Dll或D1 2短的長(zhǎng)度)。在圖42所示的導(dǎo)電圖案301j中，在交叉部P5的基本整個(gè)區(qū)域上形成導(dǎo)電圖案，而僅在第一邊界部P1、第二邊界部P2、第三邊界部P3和第四邊界部P4的一部分上形成導(dǎo)電圖案。邊界部Rl上(例如，從交叉的交叉部起延伸的各部分上)的導(dǎo)電圖案不限于線(xiàn)狀。例如，如圖43所示，該導(dǎo)電圖案可以是波狀導(dǎo)電圖案。在圖43所示的示例中，距離Dl不恒定?？梢詫⑦吔绮縍l上的導(dǎo)電圖案設(shè)置得比同一層中的其它導(dǎo)電圖案(例如，導(dǎo)電層301 或 302)厚?？梢?xún)H在基板100的一個(gè)表面(第一表面Fl或第二表面F2)上形成邊界部Rl上的導(dǎo)電圖案。如圖44所示，可以將腔CfC4(第一開(kāi)口部 第四開(kāi)口部)的角設(shè)置成圓形。在圖44所示的示例中，腔Cf C4各自具有幾乎更接近圓形而非矩形的多邊形(諸如大致八邊形等)的平面形狀(在X-Y平面上)。另外，與這種形狀相對(duì)應(yīng)地，如圖44所示，可以使從邊界部Rl上的大致十字形導(dǎo)電圖案的交叉部起在四個(gè)方向上延伸的四部分的各基部和末端部變寬。這里，在如圖44的示例那樣、形成邊界部Rl上的大致十字形平面形狀的兩條線(xiàn)的寬度不恒定的情況下，將最小寬度(圖44中的寬度D21、D22)設(shè)置為約0.05mm以上并且約2.0Omm以下適合于在確保線(xiàn)路板的強(qiáng)度等的同時(shí)使線(xiàn)路板小型化。另外，為了在確保用以形成通孔導(dǎo)體的區(qū)域等的同時(shí)使線(xiàn)路板小型化，將最小寬度(圖44中的寬度D21、D22)設(shè)置為約0.2mm以上并且約2.0mm以下是適當(dāng)?shù)?。如圖45所示，第一邊界部Pl的寬度D41、第二邊界部P2的寬度D42、第三邊界部P3的寬度D43和第四邊界部P4的寬度D44可能彼此不同。圖45所示的導(dǎo)電圖案包括在大致十字形導(dǎo)電圖案中，這是因?yàn)樵搶?dǎo)電圖案由交叉部P5、以及從交叉部P5起在四個(gè)方向(方向X1、X2、Yl、Y2)上延伸的第一邊界部P1、第二邊界部P2、第三邊界部P3和第四邊界部P4構(gòu)成。腔的數(shù)量和配置不限于四個(gè)或矩形，并且可以采用其它任何選擇。如圖46A和46B所示，例如，腔Cl (以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200a)、腔C2(以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200b)和腔C3(以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200c)可以被配置成三角形。在圖46A和46B所示的示例中，腔C3(第三開(kāi)口部)與腔Cl(第一開(kāi)口部)和C2(第二開(kāi)口部)兩者以第二邊界部P21、P22夾持于之間的方式相對(duì)。此外，邊界部Rl由第一邊界部P1、第二邊界部P21、P22和交叉部P30構(gòu)成。第一邊界部P1、第二邊界部P21、P22和交叉部P30被形成為彼此一體化并且為大致T字形平面形狀。大致T字形平面形狀的邊界部Rl由方向X上的寬度為D51的線(xiàn)(以下稱(chēng)為線(xiàn)X)和方向Y方向上的寬度為D52的線(xiàn)(以下稱(chēng)為線(xiàn)Y)構(gòu)成，其中這兩條線(xiàn)基本呈直角交叉。各第二邊界部P21、P22形成線(xiàn)X，并且第一邊界部Pl形成線(xiàn)Y。線(xiàn)X和線(xiàn)Y在交叉部P30處交叉。圖46A和46B所示的線(xiàn)路板包括位于邊界部Rl上的大致T字形導(dǎo)電圖案。在腔Cl、腔C2和腔C3的外周部R2上形成例如平面導(dǎo)電圖案。邊界部Rl上的大致T字形導(dǎo)電圖案例如被形成為與形成在外周部R2上的平面形導(dǎo)電圖案一體化。邊界部Rl上的大致T字形導(dǎo)電圖案以及被形成為與該大致T字形導(dǎo)電圖案一體化的外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案例如包括在導(dǎo)電層301或302中(圖46A和46B僅示出導(dǎo)電層301)。在圖46A和46B所示的線(xiàn)路板中，優(yōu)選第一邊界部P1、第二邊界部P21、P22和交叉部P30的大致T字形平面形狀由基本呈直角`交叉的寬度約為0.05mm以上和約2.0Omm以下的兩條線(xiàn)構(gòu)成。將邊界部Rl的寬度設(shè)置在這種范圍內(nèi)適合于線(xiàn)路板的小型化，同時(shí)提高了邊界部Rl的強(qiáng)度并且確保了相鄰的電子組件之間的絕緣性。線(xiàn)X的寬度D51和線(xiàn)Y的寬度D52各自例如被設(shè)置為約320 μ m。第二邊界部P21、P22上的導(dǎo)電圖案的寬度D61和第一邊界部Pl上的導(dǎo)電圖案的寬度D62各自例如被設(shè)置為約200 μ m。在圖46A和46B所示的線(xiàn)路板中，在基板100上的腔Cl、腔C2和腔C3的外周部R2中形成導(dǎo)電圖案。形成在外周部R2中的導(dǎo)電圖案和被形成為與該導(dǎo)電圖案一體化的大致T字形導(dǎo)電圖案電連接至電源或地線(xiàn)。在具有大致T字形邊界部Rl的線(xiàn)路板中，可以在邊界部Rl的第一邊界部P1、第二邊界部P21、P22和交叉部P30的至少一個(gè)中形成貫通基板100的通孔導(dǎo)體。例如，如圖47A和47B所示，在腔Cl和腔C2之間(第一邊界部Pl)和交叉部P5中形成貫通基板100的通孔導(dǎo)體304b。在交叉部P30中形成通孔導(dǎo)體304b表示在構(gòu)成大致T字形邊界部Rl的兩條線(xiàn)各自中形成通孔導(dǎo)體304b。如圖47A所示，在交叉部P30的第一表面Fl上的導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層301)中形成開(kāi)口部301b，并且如圖47B所示，在交叉部P30的第二表面F2上的導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層302)中形成開(kāi)口部302b。在與基板100的開(kāi)口部301b、302b相對(duì)應(yīng)的位置中形成貫通基板100的通孔導(dǎo)體304b。連接至通孔導(dǎo)體304b的兩端的連接區(qū)301a、302a分別配置在開(kāi)口部301b,302b中，并且與周?chē)倪吔绮縍l上(第一表面Fl和第二表面F2上)的大致T字形導(dǎo)電圖案絕緣。此外，如圖47B所示，在第一邊界部Pl的第二表面F2上的導(dǎo)電圖案(導(dǎo)電層302)中形成開(kāi)口部302c。在與基板100的開(kāi)口部302c相對(duì)應(yīng)的位置中形成第一邊界部Pl中的通孔導(dǎo)體304b。連接至通孔導(dǎo)體304b的端部(第二表面F2側(cè))的連接區(qū)302a配置在開(kāi)口部302c中，并且與周?chē)倪吔绮縍l的第二表面F2上的大致T字形導(dǎo)電圖案絕緣。另夕卜，通孔導(dǎo)體304b的另一端部(第一表面Fl側(cè))連接至邊界部Rl的第一表面Fl上的大致T字形導(dǎo)電圖案。在如圖47A和47B所示的邊界部Rl中具有通孔導(dǎo)體304b的線(xiàn)路板中，優(yōu)選大致T字形平面形狀的邊界部Rl由寬度為約0.2mm以上且約2.0mm以下并且基本呈直角彼此交叉的兩條線(xiàn)構(gòu)成。即，優(yōu)選線(xiàn)X的寬度D51和線(xiàn)Y的寬度D52在約0.2 約2.0mm的范圍內(nèi)。將邊界部Rl的寬度設(shè)置在這種范圍內(nèi)適合于線(xiàn)路板的小型化，同時(shí)提高了邊界部Rl的強(qiáng)度并且確保了使相鄰的電子組件絕緣所用的空間以及形成通孔導(dǎo)體所用的空間。圖47A和47B所示的線(xiàn)路板例如具有圖38所示的截面結(jié)構(gòu)。即，在圖47A和47B所示的線(xiàn)路板中，在絕緣層101中形成電連接至大致T字形導(dǎo)電圖案的通路導(dǎo)體314b(第一通路導(dǎo)體)。通路導(dǎo)體314b例如堆疊在通孔導(dǎo)體304b上。電子組件200a、200b的電極210各自例如經(jīng)由通路導(dǎo)體314b、通路導(dǎo)體311b、311b和導(dǎo)電層110電連接至形成在邊界部Rl中的通孔導(dǎo)體304b。形成在邊界部Rl的第一表面Fl和第二表面F2上的大致T字形導(dǎo)電圖案、被形成為與各T字形導(dǎo)電圖案一體化的外周部R2上的平面導(dǎo)電圖案、以及形成在第一邊界部Pl中的通孔導(dǎo)體304b例如電連接至電子組件200a 200c的各接地端子(電極220)。形成在交叉部P30中的開(kāi)口部301b、302b中的通孔導(dǎo)體304b例如電連接至電子組件200a 200c的各電源端子(電極210)。這里，可以使電極210和電極220的極性反轉(zhuǎn)。此外，可以在大致T字形邊界部Rl中形成沒(méi)有電連接至電子組件200a 200c (第一電子器件 第三電子器件)中的任意端子的通孔導(dǎo)體(虛設(shè)導(dǎo)體)。虛設(shè)導(dǎo)體對(duì)于提高散熱性而言是有效的。沒(méi)有特別限制虛設(shè)導(dǎo)體的數(shù)量，并且該虛設(shè)導(dǎo)體的數(shù)量可以為一個(gè)以上。如圖48或49所示，腔Cl(以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200a)、腔C2 (以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200b)和腔C3(以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200c)可以被配置成L字形。此外，如圖48或49所示，多個(gè)邊界部(邊界部R11、R12)可以被形成為彼此分離。在圖48或49所示的示例中，邊界部Rll配置在腔Cl和腔C2之間，并且腔R12位于腔C2和腔C3之間。在圖48所示的示例中，電子組件200b的電極210的第四側(cè)部210e與電子組件200c的電極210的第三側(cè)部210d相對(duì)，并且電子組件200b的電極220的第六側(cè)部220e與電子組件200c的電極220的第五側(cè)部220d相對(duì)(參見(jiàn)圖5B)。此外，在圖49所示的示例中，電子組件200b的電極220的第六側(cè)部220e與電子組件200c的電極220的第二側(cè)部220b相對(duì)(參見(jiàn)圖5B )。如圖50所示，腔Cl (以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200a)、腔C2 (以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200b)和腔C3(以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200c)可以被配置成線(xiàn)狀。如圖51所示，可僅將腔Cl (以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200a)和腔C2(以及容納在該腔內(nèi)的電子組件200b)配置成彼此相鄰。可選地，如圖52所示，多個(gè)電子組件200可以配置在縱方向和橫方向(方向X和方向Y)這兩者上。在圖52所示的示例中，電子組件200 (以及它們的腔)被配置成網(wǎng)格狀，并且電子組件200之間的邊界部Rl被形成為網(wǎng)格狀。如圖48 52所示，優(yōu)選相對(duì)的電極(或者彼此接近的電極)具有相同極性。通過(guò)如此設(shè)置，在電子組件并聯(lián)連接的情況下，更容易縮短各電子組件之間的布線(xiàn)。如圖53所示，可以在邊界部Rl上的導(dǎo)電圖案中形成排氣孔PO。特別地，優(yōu)選在邊界部Rl上的導(dǎo)電圖案中形成貫通邊界部Rl上的導(dǎo)電圖案的所需數(shù)量(例如，多個(gè))的微細(xì)孔。通過(guò)形成這些排氣孔PO，通過(guò)經(jīng)由排氣孔PO進(jìn)行排氣來(lái)抑制基板100 (特別是邊界部Rl)和該基板上的導(dǎo)電圖案發(fā)生分層。沒(méi)有特別限制電子組件200a 200d(電子器件)的(例如，X_Y平面上的)平面形狀、腔CfC4的(例如，X-Y平面上的)開(kāi)口形狀、以及通孔或通路孔(例如，X-Y平面上的)開(kāi)口形狀。例如，這些形狀各自可以是大致圓形(大致完美圓形)，或者代替大致矩形而可以是諸如大致正方形、大致六邊形或大致八邊形等的大致多邊形。此外，沒(méi)有特別限制多邊形的角的形狀。例如，這些多邊形的角的形狀可以是大致直角、銳角、鈍角或甚至圓形?？蛇x地，上述形狀各自可以是如圖54A所示的橢圓形(諸如大致橢圓形等)，或者這些形狀例如可以是矩形或三角形等。還可選地，上述形狀各自例如可以是諸如圖54B所示的正多角星等的從中心向外輻射的形狀。通孔導(dǎo)體304b不限 于填充導(dǎo)體，并且通孔導(dǎo)體304b例如可以是如圖55所示的共形導(dǎo)體(conformal conductor)。在圖55所示的示例中，通孔304a基本成形為柱狀,并且通過(guò)在通孔304a的壁面上形成銅鍍膜來(lái)形成通孔導(dǎo)體304b。在通孔304a中的通孔導(dǎo)體304b的內(nèi)側(cè)填充例如由樹(shù)脂等制成的絕緣體304d。如圖56A所示，通孔300a、304a的兩端上的開(kāi)口可以被平面導(dǎo)電圖案(例如，連接區(qū)300f、300g、304f、304g)所覆蓋。以下將通過(guò)關(guān)注與上述各實(shí)施例的不同之處來(lái)說(shuō)明圖56A所示的線(xiàn)路板。在圖56A所示的示例中，使四個(gè)絕緣層101、103、105、107 (各自是層間絕緣層)和四個(gè)導(dǎo)電層110、130、150、170交替層疊以在基板100的第一表面Fl側(cè)上形成第一堆積部BI。此外，使四個(gè)絕緣層102、104、106、108(各自是層間絕緣層)和四個(gè)導(dǎo)電層120,140,160、180交替層疊以在基板100的第二表面F2側(cè)上形成第二堆積部B2。基板100的第一表面Fl上的導(dǎo)電層301及其上部導(dǎo)電層110、130、150、170經(jīng)由形成在它們各自的層間絕緣層中的通路導(dǎo)體313b、314b、332b、352b、372b彼此電連接。基板100的第二表面F2上的導(dǎo)電層302以及上部導(dǎo)電層120、140、160、180經(jīng)由形成在它們各自的層間絕緣層中的通路導(dǎo)體 323b、324b、342b、362b、382b 彼此電連接。在基板100中形成貫通基板100的通孔導(dǎo)體300b、304b。通孔導(dǎo)體300b、304b各自是共形導(dǎo)體，并且例如通過(guò)在大致柱狀的通孔300a、304a的壁面上形成導(dǎo)電膜(諸如銅鍍層等)來(lái)形成。在通孔300a、304a中的通孔導(dǎo)體300b、304b內(nèi)側(cè)填充絕緣體300d、304d。例如利用鉆孔機(jī)來(lái)形成通孔300a、304a。通孔300a、304a的形狀不限于大致柱狀，并且可以是任何其它形狀。在圖56A所示的示例中，例如，如圖56B所示，通孔300a、304a的兩端處的開(kāi)口各自由鍍平面導(dǎo)電圖案(覆蓋鍍層)所覆蓋。具體地，通孔300a的任一端處的開(kāi)口例如被通孔導(dǎo)體300b的第一表面Fl側(cè)上的連接區(qū)300f或第二表面F2側(cè)上的連接區(qū)300g(各自是平面導(dǎo)電圖案)所覆蓋；并且通孔304a的任一端處的開(kāi)口例如被通孔導(dǎo)體304b的第一表面Fl側(cè)上的連接區(qū)304f或第二表面F2側(cè)上的連接區(qū)304g(各自是平面導(dǎo)電圖案)所覆
至JHL ο在通孔300a中的通孔導(dǎo)體300b的內(nèi)側(cè)(具體為由通孔導(dǎo)體300b和連接區(qū)300f、300g所包圍的空間)填充絕緣體300d。在通孔304a中的通孔導(dǎo)體304b的內(nèi)側(cè)(具體為由通孔導(dǎo)體304b和連接區(qū)304f、304g所包圍的空間)填充絕緣體304d。在圖56A所示的線(xiàn)路板中，形成在絕緣層101、102中的通路導(dǎo)體(包括連接至電子組件200a的電極210、220的通路導(dǎo)體311b、312b以及堆疊在通孔導(dǎo)體300b、304b上的通路導(dǎo)體313b、323b、314b、324b)各自例如是由銅鍍層制成的共形導(dǎo)體。形成在上層中的通路導(dǎo)體332b、342b、3 52b、362b、372b、382b各自例如是由銅鍍層制成的填充導(dǎo)體。在圖56A所不的線(xiàn)路板中，導(dǎo)電層170是第一表面Fl側(cè)上的最外導(dǎo)電層，并且導(dǎo)電層180是第二表面F2側(cè)上的最外導(dǎo)電層。在導(dǎo)電層170、180上分別形成阻焊劑11、12。在阻焊劑11、12中分別形成開(kāi)口部lla、12a。因此，導(dǎo)電層170的預(yù)定部分(位于開(kāi)口部Ila的部分)沒(méi)有被阻焊劑11所覆蓋并且被暴露而成為焊盤(pán)PU。此外，導(dǎo)電層180的預(yù)定部分(位于開(kāi)口部12a的部分)成為焊盤(pán)P12。焊盤(pán)P11、P12的表面上例如分別具有由Ni/Au膜制成的防腐蝕層170a、180a。通過(guò)例如電解鍍或?yàn)R射來(lái)形成防腐蝕層170a、180a?？蛇x地，進(jìn)行OSP(有機(jī)保焊膜)處理以形成由有機(jī)保護(hù)膜制成的防腐蝕層170a、180a。作為圖56A所示的線(xiàn)路板的優(yōu)選示例，基板100由環(huán)氧玻璃制成，絕緣層101、102各自由貼附有樹(shù)脂的銅膜制成(預(yù)浸料坯)，并且絕緣層103、104、105、106、107、108各自由ABF(Ajinomoto Buildup Film,由 Ajinomoto Fine Techno C0., Ltd.制造)制成。ABF 是通過(guò)利用兩個(gè)保護(hù)性片材夾持絕緣材料制成的膜。優(yōu)選基板100的熱膨脹系數(shù)CTE小于內(nèi)置電子器件(電子組件200a等)的熱膨脹系數(shù)CTE。作為圖56A所示的線(xiàn)路板的優(yōu)選示例，導(dǎo)電層110、120各自例如由通過(guò)例如減成法形成的銅箔(下層)和銅鍍層(上層)制成。此外，導(dǎo)電層130、140、150、160、170、180各自例如由通過(guò)半加成(SAP)方法形成的銅鍍層制成。作為圖56A所示的線(xiàn)路板的優(yōu)選示例，基板100的厚度為600 μ m，內(nèi)置電子組件(電子組件200a等)的厚度(包括電極210、220)為550 μ m，導(dǎo)電層301、302的厚度各自為 35μπι，并且導(dǎo)電層 110、120、130、140、150、160、170、180 的厚度各自為 60μπι。如圖57Α所示，存在如下選擇:形成電連接絕緣層101上的導(dǎo)電層110和絕緣層102上的導(dǎo)電層120的通孔導(dǎo)體305b、306b。以下將關(guān)注與圖56A所示的線(xiàn)路板的不同之處來(lái)說(shuō)明圖57A所示的線(xiàn)路板。在圖57A所示的線(xiàn)路板中，形成通孔導(dǎo)體305b、306b以貫通基板100、絕緣層101和絕緣層102。通孔導(dǎo)體305b、306b各自是共形導(dǎo)體，并且例如通過(guò)在大致柱狀的通孔305b、306b的壁面上形成導(dǎo)電膜(諸如銅鍍層等)來(lái)形成。在通孔305a、306a中的通孔導(dǎo)體305b、306b的內(nèi)側(cè)填充絕緣體305d、306d。例如利用鉆孔機(jī)來(lái)形成通孔305a、306a。通孔305a、306a的形狀不限于大致柱狀，并且該形狀可以是任何其它形狀。在圖57A所示的示例中，例如，如圖57B所示，通孔305a、306a的兩端處的開(kāi)口各自由鍍平面導(dǎo)電圖案(覆蓋鍍層)所覆蓋。具體地，通孔305a的兩端處的開(kāi)口例如分別被通孔導(dǎo)體305b的第一表面Fl側(cè)上的連接區(qū)305f和第二表面F2側(cè)上的連接區(qū)305g (各自為平面導(dǎo)電圖案)所覆蓋；并且通孔306a的兩端處的開(kāi)口例如分別被通孔導(dǎo)體306b的第一表面Fl側(cè)上的連接區(qū)306f和第二表面F2側(cè)上的連接區(qū)306g(各自為平面導(dǎo)電圖案)所覆蓋。如圖58所示，基板100 (芯基板)可以是具有內(nèi)置金屬片材IOOa (諸如銅箔等)的絕緣基板。利用金屬片材IOOa改善了這種基板100的散熱性。在圖58所示的示例中，在基板100中形成到達(dá)金屬片材IOOa的通路導(dǎo)體100b，并且金屬片材IOOa和地線(xiàn)(包括在導(dǎo)電層301、302中的導(dǎo)電圖案)經(jīng)由通路導(dǎo)體IOOb彼此電連接。沒(méi)有特別限制金屬片材IOOa(在X-Y平面上)的平面形狀，并且該形狀可以是矩形或圓形。以下將通過(guò)參考圖59A和59B來(lái)說(shuō)明用于制造圖58所示的基板100 (芯基板)的方法。首先，如圖59A所示，例如，絕緣層2001、2002被配置成夾持由銅箔制成的金屬片材100a。此外，在絕緣層2001上配置金屬箔1001 (諸如銅箔等)并且在絕緣層2002上配置金屬箔1002(諸如銅箔等)。例如，絕緣層2001、2002各自由環(huán)氧玻璃預(yù)浸料坯制成。通過(guò)加壓來(lái)向著金屬片材IOOa施加壓力。通過(guò)對(duì)半固化的絕緣層2001、2002進(jìn)行加壓，如圖59B所示，樹(shù)脂從絕緣層2001、2002流出。因此，在金屬片材IOOa的側(cè)方向上形成絕緣層2003。然后，絕緣層2001、2002、2003各自被熱固化。因此，完成了具有內(nèi)置金屬片材IOOa的基板100 (芯基板)。要內(nèi)置于線(xiàn)路板的 電子器件不限于電容器，并且可以是任何其它的電子組件。盡管上述各實(shí)施例示出在芯基板的兩側(cè)上具有導(dǎo)電層的雙面線(xiàn)路板，但這不是唯一的選擇。例如，如圖60所示，可以是僅在芯基板(基板100)的一面上具有導(dǎo)電層的單面線(xiàn)路板。在圖60所示的示例中，電子組件200a 200d(圖中僅示出電子組件200a、200b)各自是IC芯片。如圖60所示，例如，腔Cf C4(電子組件200a 200d所用的容納空間)可以是沒(méi)有貫通基板100的孔(凹部)。在圖60所示的示例中，邊界部Rl和被形成為與該邊界部一體化的外周部R2在基板100的下部相連接。因此，提高了這兩者的連接強(qiáng)度。上述各實(shí)施例示出基板100的厚度與電子組件200a 200d的厚度基本相同的示例。然而，這不是唯一的選擇。例如，如圖60所示，基板100的厚度可能大于電子組件200a 200d的厚度。線(xiàn)路板在芯基板的一側(cè)上可以具有兩個(gè)以上的堆積層?？蛇x地，堆積層的數(shù)量在基板100的第一表面Fl側(cè)和基板100的第二表面F2側(cè)上可能不同。然而，為了減輕應(yīng)力，優(yōu)選通過(guò)使堆積層的數(shù)量在基板100的第一表面Fl側(cè)和基板100的第二表面F2側(cè)上相同來(lái)提高上側(cè)和下側(cè)的對(duì)稱(chēng)性。如圖61A所示，在內(nèi)置于線(xiàn)路板的電子組件200a 200d中(圖61A僅示出電子組件200a、200b)，電子組件200a可以是電感器。
例如，如圖61B所示，電子組件200a由兩個(gè)單匝電感器構(gòu)成。在各電感器中，四層導(dǎo)電圖案被形成為螺旋形并且當(dāng)在平面上觀看時(shí)為大致環(huán)形(具體為大致矩形)。這些電感器彼此并聯(lián)連接。內(nèi)置于線(xiàn)路板的所有電子器件(例如，電子組件200a 200d)各自可以是電感器。內(nèi)置于線(xiàn)路板的電子器件不限于電子組件，并且可以是其它線(xiàn)路板。例如，如圖62所示，其它線(xiàn)路板600a 600d可以容納在腔Cf C4內(nèi)。在圖62所示的示例中，其它線(xiàn)路板600a飛OOd的焊盤(pán)(外部連接端子)經(jīng)由通路導(dǎo)體311b、312b、321b、322b電連接至導(dǎo)電層110、120。例如，通過(guò)在各導(dǎo)電層中形成微細(xì)的導(dǎo)電圖案或者通過(guò)減小導(dǎo)電層之間的層間絕緣層的厚度，線(xiàn)路板600a飛OOd具有高密度導(dǎo)體。通過(guò)內(nèi)置具有高密度導(dǎo)體的其它線(xiàn)路板600a 600d，線(xiàn)路板的導(dǎo)體密度部分提高。可以在沒(méi)有背離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，自由修改根據(jù)上述各實(shí)施例的線(xiàn)路板的結(jié)構(gòu)(特別是結(jié)構(gòu)元件的類(lèi)型、性能、尺寸、材料、形狀、層數(shù)或位置等)。配置在腔CfC4(開(kāi)口部)內(nèi)的片式電容器的電極的截面形狀(參見(jiàn)圖4A)不限于U字形。例如，該截面形狀可以是夾持電容器本體201的一對(duì)平板型電極。配置在腔CfC4(開(kāi)口部)內(nèi)的電子器件不限于特定類(lèi)型，并且除了諸如電容器、電阻器或線(xiàn)圈等的無(wú)源組件以外，還可以選擇例如IC電路等的有源組件的任何其它電子組件或線(xiàn)路板等。各通路導(dǎo)體不限于填充導(dǎo)體，并且通路導(dǎo)體例如可以是共形導(dǎo)體。不總是需要經(jīng)由通路連接(通過(guò)通路導(dǎo)體)來(lái)安裝配置在腔Cf C4(開(kāi)口部)內(nèi)的電子器件，并且還可以采用諸如焊接等的任何其它方法。用于制造線(xiàn) 路板的方法不限于以上圖9所示的順序和內(nèi)容。可以在沒(méi)有偏離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)自由修改順序和內(nèi)容。此外，可以根據(jù)用途等省略一些步驟。在上述各實(shí)施例中，在激光照射之前形成開(kāi)口形狀與腔Cf C4的開(kāi)口形狀相同的開(kāi)口部RlOf R104(參見(jiàn)圖12A)。然而，這不是唯一的選擇。例如，如圖63所示，在激光照射之前，可以沿著激光照射路徑去除基板100上的導(dǎo)電層301的一部分。如此，腔CfC4的位置和形狀也變得明確，從而使得更容易對(duì)準(zhǔn)激光照射。例如，形成各導(dǎo)電層不限于特定方法。在形成導(dǎo)電層時(shí)可以使用以下方法中的任意方法或者以下方法中的兩個(gè)以上的組合:板面鍍法、圖案鍍法、全加成法、半加成(SAP)法、減成法、轉(zhuǎn)移法和蓋孔法?？蛇x地，代替激光，可以使用濕法蝕刻或干法蝕刻來(lái)進(jìn)行處理。在使用蝕刻來(lái)進(jìn)行處理的情況下，優(yōu)選地預(yù)先利用抗蝕劑等來(lái)保護(hù)無(wú)需去除的部分。可以自由組合上述各實(shí)施例及其變形例。優(yōu)選地根據(jù)用途等來(lái)選擇適當(dāng)組合。例如，在圖48飛2中的任一圖所示的結(jié)構(gòu)中，可以在邊界部Rl中形成通孔導(dǎo)體304b (參見(jiàn)第二實(shí)施例)。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的線(xiàn)路板具有以下:基板，其具有第一開(kāi)口部、第二開(kāi)口部以及將所述第一開(kāi)口部與所述第二開(kāi)口部分隔開(kāi)的第一邊界部；第一電子器件，其配置在所述第一開(kāi)口部中；第二電子器件，其配置在所述第二開(kāi)口部中；絕緣層，其形成在所述基板、所述第一電子器件和所述第二電子器件上；以及導(dǎo)電層，其形成在所述絕緣層上。在這種線(xiàn)路板中，在第一邊界部上形成導(dǎo)電圖案。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用于制造線(xiàn)路板的方法包括以下:準(zhǔn)備基板；在所述基板中形成由第一邊界部隔開(kāi)的第一開(kāi)口部和第二開(kāi)口部，并且在所述基板的所述第一邊界部上形成導(dǎo)電圖案；在所述第一開(kāi)口部中配置第一電子器件并且在所述第二開(kāi)口部中配置第二電子器件；在所述基板、所述導(dǎo)電圖案、所述第一電子器件和所述第二電子器件上形成絕緣層；并且在所述絕緣層上形成導(dǎo)電層。顯然可以根據(jù)上述教導(dǎo)進(jìn)行許多修改和變化。因此，應(yīng)當(dāng)理解，在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以以除這里具體說(shuō)明的方式以外的方式來(lái)實(shí)施本發(fā)明。相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)基于并要求于2012年I月12日提交的美國(guó)申請(qǐng)61/585，838和2012年11月28日提交的美國(guó)申請(qǐng)13/687,016`的優(yōu)先權(quán)，在此通過(guò)引用包含這些申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容。
權(quán)利要求
1.一種線(xiàn)路板，包括: 基板，其具有多個(gè)開(kāi)口部和將所述多個(gè)開(kāi)口部分隔開(kāi)的至少一個(gè)邊界部； 多個(gè)電子器件，其分別配置在所述基板的所述多個(gè)開(kāi)口部中； 導(dǎo)電圖案，其形成在所述邊界部的表面上；以及 絕緣層，其形成在所述基板和所述基板的邊界部上的導(dǎo)電圖案上，以使得所述絕緣層覆蓋所述基板的多個(gè)開(kāi)口部中的多個(gè)電子器件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的線(xiàn)路板，其中，所述邊界部的寬度在約0.05mnT約2.0mm的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，還包括相反側(cè)導(dǎo)電圖案，所述相反側(cè)導(dǎo)電圖案形成在所述邊界部的相對(duì)于所述邊界部的表面上的所述導(dǎo)電圖案的相反側(cè)表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，還包括通孔導(dǎo)體，所述通孔導(dǎo)體形成在所述邊界部中，以使得所述通孔導(dǎo)體貫通所述基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的線(xiàn)路板，其中，所述邊界部的寬度在約0.2mnT約2.0mm的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的線(xiàn)路板，其中，所述邊界部上的導(dǎo)電圖案具有形成在所述邊界部上的導(dǎo)電圖案中的開(kāi)口部，并且所述通孔導(dǎo)體形成在與所述邊界部上的導(dǎo)電圖案中所形成的開(kāi)口部相對(duì)應(yīng)的位置，以使得所述通孔導(dǎo)體和所述邊界部上的導(dǎo)電圖案彼此電絕緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述 的線(xiàn)路板，其中，所述邊界部上的導(dǎo)電圖案電連接至所述多個(gè)電子器件中的各電子器件的電源端子和接地端子中的一個(gè)，并且所述通孔導(dǎo)體電連接至所述多個(gè)電子器件中的各電子器件的電源端子和接地端子中的另一個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，還包括多個(gè)通孔導(dǎo)體，所述多個(gè)通孔導(dǎo)體形成在所述邊界部中，以使得所述多個(gè)通孔導(dǎo)體貫通所述基板，其中所述多個(gè)通孔導(dǎo)體中的至少一個(gè)沒(méi)有電連接至所述多個(gè)電子器件的端子。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，還包括第一通路導(dǎo)體，所述第一通路導(dǎo)體形成在所述絕緣層中，以使得所述第一通路導(dǎo)體電連接至所述邊界部上的導(dǎo)電圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，還包括: 通孔導(dǎo)體，其形成在所述邊界部中，以使得所述通孔導(dǎo)體貫通所述基板；以及 第一通路導(dǎo)體，其形成在所述絕緣層中，以使得所述第一通路導(dǎo)體堆疊在所述通孔導(dǎo)體上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的線(xiàn)路板，其中，還包括第二通路導(dǎo)體，所述第二通路導(dǎo)體形成在所述絕緣層中，以使得所述第二通路導(dǎo)體被配置成連接至所述多個(gè)電子器件之一的電極，其中，所述多個(gè)電子器件之一的電極經(jīng)由所述第一通路導(dǎo)體和所述第二通路導(dǎo)體電連接至所述通孔導(dǎo)體。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，所述基板的邊界部具有大致十字形平面形狀，以使得所述邊界部形成包括四個(gè)開(kāi)口部的多個(gè)開(kāi)口部，并且所述邊界部上的導(dǎo)電圖案是形成在所述邊界部上的大致十字形導(dǎo)電圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，所述基板的邊界部具有大致T字形平面形狀，以使得所述邊界部形成包括三個(gè)開(kāi)口部的多個(gè)開(kāi)口部，并且所述邊界部上的導(dǎo)電圖案是形成在所述邊界部上的大致T字形導(dǎo)電圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，所述多個(gè)電子器件包括第一電子器件和第二電子器件，所述第一電子器件和所述第二電子器件各自具有位于第一側(cè)表面上的第一側(cè)電極和位于相對(duì)于所述第一側(cè)表面的相反側(cè)的第二側(cè)表面上的第二側(cè)電極，并且所述第一電子器件和所述第二電子器件被配置成:所述第一電子器件的第一側(cè)電極和第二側(cè)電極與所述第二電子器件的第一側(cè)電極和第二側(cè)電極排列成大致直線(xiàn)，并且所述第一電子器件的第一側(cè)電極和所述第二電子器件的第一側(cè)電極彼此相對(duì)并且具有大致相同的電位。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，所述基板中的多個(gè)開(kāi)口部分別相對(duì)于配置在所述多個(gè)開(kāi)口部中的多個(gè)電子器件形成空間，并且所述空間被源自于所述絕緣層的樹(shù)脂所填充。
16.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，所述多個(gè)開(kāi)口部包括具有錐形表面的至少一個(gè)開(kāi)口部，其中所述錐形表面限定所述至少一個(gè)開(kāi)口部的空間。
17.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，所述多個(gè)電子器件包括片式電容器，所述片式電容器具有電介質(zhì)體和電極，所述電極形成在所述電介質(zhì)體上，以使得所述電極從所述電介質(zhì)體的上表面經(jīng)由所述電介質(zhì)體的側(cè)表面延伸至所述電介質(zhì)體的下表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，所述多個(gè)電子器件包括電感器。
19.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的線(xiàn)路板，其中，所述基板是絕緣基板，所述絕緣基板具有內(nèi)置在所述絕緣基板中的內(nèi)置金屬片材。
20.一種用于制造線(xiàn)路板的方法，包括: 準(zhǔn)備基板； 在所述基板中形成多個(gè)開(kāi)口部，以 使得在所述基板中形成將所述多個(gè)開(kāi)口部分隔開(kāi)的至少一個(gè)邊界部； 在所述基板的邊界部上形成導(dǎo)電圖案； 在所述多個(gè)開(kāi)口部中分別配置多個(gè)電子器件；以及 在所述基板和所述基板的邊界部上的導(dǎo)電圖案上形成絕緣層，以使得所述絕緣層覆蓋所述基板的多個(gè)開(kāi)口部中的多個(gè)電子器件。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種線(xiàn)路板及其制造方法。線(xiàn)路板(10)包括基板(100)，其具有多個(gè)開(kāi)口部(C1,C2)和將所述開(kāi)口部(C1,C2)分隔開(kāi)的一個(gè)或多個(gè)邊界部(R1)；多個(gè)電子器件(200a,200b)，其分別配置在所述基板(100)的開(kāi)口部(C1,C2)中；導(dǎo)電圖案(301,302)，其形成在所述邊界部(R1)的表面上；以及絕緣層(101,102)，其形成在所述基板(100)和所述基板(100)的邊界部(R1)上的導(dǎo)電圖案(301,302)上，以使得所述絕緣層(101,102)覆蓋所述基板(100)的開(kāi)口部(C1,C2)中的電子器件(200a,200b)。
文檔編號(hào)H05K1/18GK103228105SQ201310011398
公開(kāi)日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者古谷俊樹(shù), 三門(mén)幸信, 島部豐高, 加藤忍 申請(qǐng)人:揖斐電株式會(huì)社