專利名稱：多晶硅鑄錠裝置和鑄錠方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及光伏電池片生產(chǎn)技術(shù)領域，特別是涉及一種多晶硅鑄錠裝置。此外，本發(fā)明還涉及一種利用上述多晶硅鑄錠裝置的鑄錠方法。
背景技術(shù)：
硅錠切割的硅片是制作光伏電池片的最根本的材料，硅錠質(zhì)量的好壞直接影響光伏電池片的轉(zhuǎn)換效率，而影響硅錠質(zhì)量的最主要因素就是雜質(zhì)的多少。目前的鑄錠工藝，首先是經(jīng)過噴涂-裝料工序后，再進入鑄錠工序。噴涂硅料高溫熔化后會與坩堝發(fā)生反應，引入雜質(zhì)，并且造成粘鍋，影響硅錠的 質(zhì)量，所以需要在坩堝與硅料之間噴涂一層氮化硅溶液，利用氮化硅可以有效的隔離硅料與坩堝，氮化硅溶液噴涂完成以后，再進行高溫烘干，將氮化硅溶液中的水分蒸發(fā)，就可以使坩堝內(nèi)壁附著一層氮化硅涂層。裝料坩堝烘干以后，將散碎的硅料，按順序、要求及重量將硅料裝入坩堝中。請參考圖1，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種典型鑄錠方法的工藝流程圖。裝完料的坩堝就可以進行下一步的鑄錠工藝，首先將裝好料的坩堝裝入鑄錠專用設備-鑄錠爐，按要求裝好后，將鑄錠爐合蓋，合蓋以后的鑄錠爐，就形成一個密封的腔室，將裝好硅料的坩堝密封在鑄錠爐內(nèi)部，開始運行鑄錠工藝，整個鑄錠工藝分6個過程，抽真空-加熱-熔化-長晶-退火-冷卻。S11、抽真空將鑄錠爐密封腔室內(nèi)的空氣抽走，防止升溫的過程中空氣中的氧氣與硅料發(fā)生氧化反應，影響硅錠質(zhì)量。抽真空是利用真空泵將爐腔內(nèi)的空氣抽出，直到達到設備開啟要求。S12、加熱抽真空完成以后，進入加熱階段，加熱是為了快速使硅料升溫接近熔化溫度，此時爐腔內(nèi)的環(huán)境為真空環(huán)境，可以有利于將附著在硅料表面的水蒸氣，通過抽真空的方法抽出，并且快速升溫。S13、熔化熔化過程中，需要在密封的腔室內(nèi)填充氬氣，避免附著在坩堝內(nèi)壁的氮化硅涂層發(fā)生分解反應。熔化開始后，密閉的腔室開始充氣，按工藝程序充氣到規(guī)定壓力后，開始動態(tài)保持。動態(tài)保持的意思就是在保證進氣穩(wěn)定的同時，控制出氣量的大小，從而保證爐腔壓力不變，出氣量的控制是通過專用的出氣控制閥來控制的，爐腔的壓力傳感器，會將壓力信號傳輸給壓力中央控制器，中央控制器做出分析后，來控制出氣控制閥的出氣量，保證爐腔內(nèi)壓力。采用這種動態(tài)保持的方法，可以有效的保證爐腔內(nèi)雜質(zhì)揮發(fā)后利用空氣帶走。硅料開始熔化后，液體內(nèi)易揮發(fā)雜質(zhì)就會通過擴散的方式，到達液體表面揮發(fā)。但是這種擴散過程持續(xù)時間長，并且底部的雜質(zhì)由于距液面較遠擴散緩慢，往往還沒有擴散到頂部，就已經(jīng)開始結(jié)晶。整個熔化時間約為15個小時左右，并且還伴隨的硅料的熔化，固定硅料內(nèi)的雜質(zhì)在沒有變成液態(tài)硅之前無法進行揮發(fā)，而液面的面積有限，單位時間內(nèi)的自由揮發(fā)量有限，在化料的過程中，固體硅隨著熔化，雜質(zhì)不斷引入熔硅中，使液體中雜質(zhì)會越來越多，整個熔化的時間短，大部分的可揮發(fā)雜質(zhì)，還沒有揮發(fā)就開始進入長晶段。
S14、長晶熔化完成的硅料，開始進行長晶，長晶的過程是將爐腔內(nèi)部的隔熱裝置向上升，液態(tài)硅從底部開始散熱，底部的液態(tài)硅變成固態(tài)硅，并伴隨著隔熱裝置的上升及熱量的散失，緩慢向上凝固，大部分的易揮發(fā)雜質(zhì)未揮發(fā)，就凝固到硅錠中，無法繼續(xù)進行揮發(fā)。直至整個硅錠凝固完成，S15、退火由于長晶過程在底部開始，并伴隨隔熱籠升起，直至頂部，這樣頂?shù)字g因為散熱的原因，就會存在一定得溫度差，產(chǎn)生內(nèi)應力。退火的作用就是在保證恒溫環(huán)境下，消除溫度差，從而消除內(nèi)應力。S16、冷卻在爐腔內(nèi)快速冷卻硅錠到出爐溫度。從上述工藝過程中不難看出，現(xiàn)有工藝是通過在熔化過程中采用自由揮發(fā)狀態(tài)將硅溶液中的易揮發(fā)雜質(zhì)揮發(fā)掉。但是，硅料熔化后時間過長會導致坩堝內(nèi)部氮化硅涂層的破壞，所以，一般硅料熔化完成后就會開始降溫到長晶溫度，自由揮發(fā)時間較短，大部分的可揮發(fā)雜質(zhì)還沒有進行揮發(fā)，就進入長晶階段，將雜質(zhì)凝固在硅錠中，嚴重影響到硅錠本身 的質(zhì)量和性能。因此，如何減少增加鑄錠過程中雜質(zhì)的揮發(fā)量，提高硅錠的質(zhì)量，是本領域技術(shù)人員目前需要解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種多晶硅鑄錠裝置，該裝置能有效提高鑄錠過程中雜質(zhì)的揮發(fā)量，提高硅錠的質(zhì)量。本發(fā)明的另一目的是提供一種應用上述多晶硅鑄錠裝置的鑄錠方法，以增加雜質(zhì)的揮發(fā)量。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種多晶硅鑄錠裝置，包括容納硅料的坩堝，還包括所述娃料熔化成娃液后向所述娃液中輸送IS氣的送氣管，以及驅(qū)動所述送氣管的出氣端進出所述硅液的動力裝置，所述送氣管的進氣端設于所述坩堝的外部，所述動力裝置的動力輸出端與所述送氣管的出氣端固定連接。優(yōu)選地，所述送氣管包括固定段和升降段，所述坩堝的頂部設有加熱器，所述固定段設于所述加熱器的上部，所述升降段的出氣端進出所述硅液。優(yōu)選地，所述固定段為具有盤狀結(jié)構(gòu)的石墨氣管。優(yōu)選地，所述升降段包括陶瓷氣管和石墨連接管，所述固定段的出氣口連接所述石墨連接管的進氣口，所述陶瓷氣管的出氣端進出所述硅料熔液。優(yōu)選地，所述石墨連接管的進氣端和所述石墨氣管的出氣端均具有沿氣流方向漸縮的斜面，兩所述斜面相互配合。優(yōu)選地，所述陶瓷氣管的內(nèi)外表面均涂有氮化硅溶液。優(yōu)選地，所述動力裝置包括伺服電機和絲杠，以及與所述絲杠配合的絲杠螺母，該絲杠螺母與升降段固定連接。優(yōu)選地，還包括控制所述伺服電機啟停的壓力傳感器，該壓力傳感器設于所述升降段和所述絲杠螺母之間。本發(fā)明還提供一種多晶硅鑄錠方法，包括以下步驟I)將硅料裝入坩堝中，加熱至硅料熔化成硅液；2)開啟動力裝置，驅(qū)動送氣管進入硅液內(nèi)部，向硅液內(nèi)輸送氬氣；
3)硅液降溫，驅(qū)動送氣管退至硅液外部，停止輸送氬氣；4)長晶。本發(fā)明所提供的多晶硅鑄錠裝置，容納硅料的坩堝，還包括所述硅料熔化成硅液后向所述硅液中輸送氬氣的送氣管，以及驅(qū)動所述送氣管的出氣端進出所述硅液的動力裝置，所述送氣管的進氣端設于所述坩堝的外部，所述動力裝置的動力輸出端與所述送氣管的出氣端固定連接。在硅液中通入氬氣，氬氣從硅液中向坩堝上部運動的過程中，會加速硅液內(nèi)部分子的運動，達到快速攪拌的目的，加速硅液中的雜質(zhì)與硅液分離，使硅料中含有的雜質(zhì)在分子運動的時候快速與硅液脫離，到達硅液表面并揮發(fā)出去，帶走硅液中的雜質(zhì)，從而增加雜質(zhì)的揮發(fā)量，減少硅錠中的雜質(zhì)含量，提高硅錠的質(zhì)量。同時，向硅液中輸送氬氣是在硅料熔化成硅液后進行的，在硅液長晶過程前結(jié)束，此過程不會增長現(xiàn)有鑄錠時間，不會影響現(xiàn)有鑄錠工序，便于實現(xiàn)。在一種優(yōu)選的實施方式中，所述送氣管包括固定段和升降段，所述坩堝的頂部設 有加熱器，所述固定段設于所述加熱器的上部，所述升降段的出氣端進出所述硅液?，F(xiàn)有的鑄錠工藝中，坩堝的頂部就設有加熱器，將送氣管的固定段設于加熱器的上部，可以利用加熱器將送氣管中的氬氣加熱，避免溫度較低的氬氣進入硅液中對硅液的品質(zhì)產(chǎn)生影響。此結(jié)構(gòu)不僅可以減少新結(jié)構(gòu)對鑄錠工藝的影響，而且可以最大限度地利用現(xiàn)有設備，方便本發(fā)明的實施。在另一種優(yōu)選的實施方式中，動力裝置包括伺服電機和絲杠，以及與所述絲杠配合的絲杠螺母，該絲杠螺母與升降段固定連接。啟動伺服電機，使之帶動絲杠正向轉(zhuǎn)動，進而帶動與絲杠配合的絲杠螺母，絲杠螺母再帶動與之固定連接的升降段向下移動，使升降段的出氣端進入娃液內(nèi)，將IS氣通入娃液中；反之，伺服電機反向轉(zhuǎn)動，帶動絲杠反向轉(zhuǎn)動，絲杠螺母帶動升降段向上移動，使升降段的出氣端離開硅液，停止向硅液中通氬氣。此傳動方式運行平穩(wěn)，可以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。而且，通過控制伺服電機的電流來控制轉(zhuǎn)速，實現(xiàn)不同速度的轉(zhuǎn)換，滿足氬氣輸送需要。在提供上述多晶硅鑄錠裝置的基礎上，本發(fā)明還提供一種包括應用上述多晶硅鑄錠裝置的鑄錠方法；由于多晶硅鑄錠裝置具有上述技術(shù)效果，應用該多晶硅鑄錠裝置的鑄錠方法也具有相應的技術(shù)效果。


圖1為圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種典型鑄錠方法的工藝流程圖；圖2為本發(fā)明所提供多晶硅鑄錠裝置一種具體實施方式
中送氣管插入硅液中的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明所提供多晶硅鑄錠裝置一種具體實施方式
中送氣管未插入硅液中的結(jié)構(gòu)不意圖；圖4為本發(fā)明所提供固定段一種具體實施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明所提供石墨連接管與石墨氣管一種具體實施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明所提供多晶硅鑄錠方法一種具體實施方式
的工藝流程圖；其中，坩堝2、伺服電機33、加熱器4、石墨氣管5、石墨連接管6、陶瓷氣管7、壓力傳感器8、連接桿9。
具體實施例方式本發(fā)明的核心是提供一種多晶硅鑄錠裝置，該裝置能有效提高鑄錠過程中雜質(zhì)的揮發(fā)量，提高硅錠的質(zhì)量。本發(fā)明的另一核心是提供一種應用上述多晶硅鑄錠裝置的鑄錠方法，以增加雜質(zhì)的揮發(fā)量。為了使本技術(shù)領域的人員更好地理解本發(fā)明方案，下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步的詳細說明。請參考圖2和圖3，圖2為本發(fā)明所提供多晶硅鑄錠裝置一種具體實施方式
中送氣管插入硅液中的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明所提供多晶硅鑄錠裝置一種具體實施方式
中送氣管未插入娃液中的結(jié)構(gòu)不意圖。本發(fā)明所提供的多晶硅鑄錠裝置，容納硅料的坩堝2，還包括硅料熔化成硅液后向硅液中輸送氬氣(可以用其它惰性氣體代替)的送氣管，以及驅(qū)動送氣管的出氣端進出硅液的動力裝置，送氣管的進氣端設于坩堝2的外部，動力裝置的動力輸出端與送氣管的出氣 端固定連接。在硅液中通入氬氣，氬氣從硅液中向坩堝2上部運動的過程中，會加速硅液內(nèi)部分子的運動，達到快速攪拌的目的，加速硅液中的雜質(zhì)與硅液分離，使硅料中含有的雜質(zhì)在分子運動的時候快速與硅液脫離，到達硅液表面并揮發(fā)出去，帶走硅液中的雜質(zhì)，從而增加雜質(zhì)的揮發(fā)量，減少娃錠中的雜質(zhì)含量，提高娃錠的質(zhì)量。同時，向硅液中輸送氬氣是在硅料熔化成硅液后進行的，在硅液長晶過程前結(jié)束，此過程不會增長現(xiàn)有鑄錠時間，不會影響現(xiàn)有鑄錠工序，便于實現(xiàn)。在一種具體的實施方式中，送氣管包括固定段和升降段，坩堝2的頂部設有加熱器，固定段設于加熱器的上部，升降段的出氣端進出硅液?，F(xiàn)有的鑄錠工藝中，坩堝2的頂部就設有加熱器，將送氣管的固定段設于加熱器的上部，可以利用加熱器將送氣管中的氬氣加熱，避免溫度較低的氬氣進入硅液中對硅液的品質(zhì)產(chǎn)生影響。此結(jié)構(gòu)不僅可以減少新結(jié)構(gòu)對鑄錠工藝的影響，而且可以最大限度地利用現(xiàn)有設備，方便本發(fā)明的實施。請參考圖4，圖4為本發(fā)明所提供固定段一種具體實施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖。具體地，固定段為具有盤狀結(jié)構(gòu)的石墨氣管5。石墨具有較好的導熱性，固定段采用石墨材料可以有效起到傳熱作用，提高氬氣的溫度。同時，氬氣進入石墨氣管5后，加熱器會為氬氣升溫，設置為盤狀結(jié)構(gòu)可以加長氬氣在石墨氣管5內(nèi)的運動距離，提高氬氣的加熱時長，使氬氣的溫度升高達到要求溫度。進一步地，升降段包括陶瓷氣管7和石墨連接管6，固定段的出氣口連接石墨連接管6的進氣口，陶瓷氣管7的出氣端進出硅液。陶瓷氣管7可以耐高溫，其進入硅液中不會發(fā)生物理、化學反應。石墨連接管6與石墨氣管5作用相同，也能起到有效導熱的作用，有利于提高氬氣溫度。其中，陶瓷氣管7與石墨連接管6固定連接，可以在石墨連接管6的下方設置內(nèi)螺紋，陶瓷氣管7采用外螺紋，利用螺紋連接將石墨連接管6和陶瓷氣管7到一起。請參考圖5，圖5為本發(fā)明所提供石墨連接管與石墨氣管一種具體實施方式
的結(jié)構(gòu)示意圖。石墨連接管6與石墨氣管5之間通過斜面連接，即石墨連接管6的進氣端和石墨氣管5的出氣端均具有沿氣流方向漸縮的斜面，且兩斜面相互配合。石墨連接管6與石墨氣管5連接時，兩個漸縮的斜面相互配合，可以起到導向的作用，使石墨連接管6與石墨氣管5之間能快速連接，提高連接準確性。同時，石墨連接管6和石墨氣管5 —者的內(nèi)表面為漸縮斜面，另一者的外表面為漸縮斜面，可以在兩者連接時起到限位的作用，使動力裝置帶動石墨連接管6與石墨氣管5連接時，其可靠性更高。同時，可以在陶瓷氣管7的內(nèi)外表面均涂有氮化硅溶液。氮化硅性質(zhì)穩(wěn)定，與硅料及陶瓷氣管7均不發(fā)生反應，可以有效的隔離硅料與陶瓷氣管7，也不會污染硅料，確保硅錠的質(zhì)量。在一種具體的實施方式中，上述的動力裝置可以包括伺服電機和絲杠，以及與絲杠配合的絲杠螺母，該絲杠螺母與升降段固定連接。啟動伺服電機，使之帶動絲杠正向轉(zhuǎn)動，進而帶動與絲杠配合的絲杠螺母，絲杠螺母再 帶動與之固定連接的升降段向下移動，使升降段的出氣端進入硅液內(nèi)，將氬氣通入硅液中；反之，伺服電機反向轉(zhuǎn)動，帶動絲杠反向轉(zhuǎn)動，絲杠螺母帶動升降段向上移動，使升降段的出氣端離開硅液，停止向硅液中通氬氣。此傳動方式運行平穩(wěn)，可以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。而且，通過控制伺服電機的電流來控制轉(zhuǎn)速，實現(xiàn)不同速度的轉(zhuǎn)換，滿足氬氣輸送需要。具體地，還可以在絲杠螺母與石墨連接管6之間設置剛性連接桿9，以連接絲杠螺母與石墨連接管6。進一步地，可以在升降段和絲杠螺母之間的壓力傳感器8，該壓力傳感器8用于控制伺服電機啟動或停止。壓力傳感器8可以檢測到升降段下降時的壓力感應，當壓力傳感器8接收到一定的壓力信號后，壓力傳感器8就會傳出相應的電信號給中央處理器，中央處理器就會控制伺服電機停止，從而停止升降段運動，主要作用為了使升降段下方的石墨連接管6與石墨氣管5的接口處能結(jié)合緊密配合，防止漏氣，并且還可以防止升降段向下運動的過程中損壞其他器件，提高系統(tǒng)的可靠性。請參考圖6，圖6為本發(fā)明所提供多晶硅鑄錠方法一種具體實施方式
的工藝流程圖。除了上述多晶硅鑄錠裝置，本發(fā)明還提供一種應用上述多晶硅鑄錠裝置的鑄錠方法，具體包括下述步驟S21將硅料裝入坩堝2中，加熱至硅料熔化成硅液；此步驟與現(xiàn)有技術(shù)中的鑄錠方法相同，不贅述；S22開啟動力裝置,驅(qū)動送氣管進入娃液內(nèi)部，向娃液內(nèi)輸送IS氣；啟動伺服電機，帶動送氣管的升降段下降，直到石墨連接管6和石墨氣管5的斜面連接部分閉合后，升降段與絲杠螺母之間的壓力傳感器8受壓，伺服電機停止轉(zhuǎn)動，石墨氣管5開始通氬氣，氬氣在石墨氣管5運動的過程中，受頂部加熱器的加熱，達到一定的溫度，進入石墨連接管6，并通過陶瓷氣管7通入硅溶液中，通過氬氣帶動硅液中的雜質(zhì)揮發(fā)，控制好氣量，直到硅液降溫到熔點。S23硅液降溫，驅(qū)動送氣管退至硅液外部，停止輸送氬氣；當硅液溫度降到結(jié)晶溫度后，開始結(jié)晶，停止向硅液中輸送氬氣，升降段上升，帶動陶瓷氣管7脫離硅液。此過程是在熔化完成到長晶開始的這一段時間進行的，所以不影響現(xiàn)有程序的進行，程序運行完成以后，將鑄造好的硅錠出爐，更換陶瓷氣管7，準備下一爐硅錠的鑄造。S24長晶。此工序及后續(xù)工序均與現(xiàn)有技術(shù)相同，在此不贅述。
以上對本發(fā)明所提供的多晶硅鑄錠裝置和鑄錠方法進行了詳細介紹。本文中應用 了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想。應當指出，對于本技術(shù)領域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以對本發(fā)明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多晶硅鑄錠裝置，包括容納硅料的坩堝，其特征在于，還包括所述硅料熔化成硅液后向所述硅液中輸送氬氣的送氣管，以及驅(qū)動所述送氣管的出氣端進出所述硅液的動力裝置，所述送氣管的進氣端設于所述坩堝的外部，所述動力裝置的動力輸出端與所述送氣管的出氣端固定連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠裝置，其特征在于，所述送氣管包括固定段和升降段，所述坩堝的頂部設有加熱器，所述固定段設于所述加熱器的上部，所述升降段的出氣端進出所述硅液。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的多晶硅鑄錠裝置，其特征在于，所述固定段為具有盤狀結(jié)構(gòu)的石墨氣管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅鑄錠裝置，其特征在于，所述升降段包括陶瓷氣管和石墨連接管，所述固定段的出氣口連接所述石墨連接管的進氣口，所述陶瓷氣管的出氣端進出所述硅料熔液。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多晶硅鑄錠裝置，其特征在于，所述石墨連接管的進氣端和所述石墨氣管的出氣端均具有沿氣流方向漸縮的斜面，兩所述斜面相互配合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶硅鑄錠裝置，其特征在于，所述陶瓷氣管的內(nèi)外表面均涂有氮化硅溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項所述的多晶硅鑄錠裝置，其特征在于，所述動力裝置包括伺服電機和絲杠，以及與所述絲杠配合的絲杠螺母，該絲杠螺母與升降段固定連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多晶硅鑄錠裝置，其特征在于，還包括控制所述伺服電機啟停的壓力傳感器，該壓力傳感器設于所述升降段和所述絲杠螺母之間。
9.一種多晶硅鑄錠方法，其特征在于，包括以下步驟1)將硅料裝入坩堝中，加熱至硅料熔化成硅液；2)開啟動力裝置，驅(qū)動送氣管進入娃液內(nèi)部，向娃液內(nèi)輸送IS氣；3)硅液降溫，驅(qū)動送氣管退至硅液外部，停止輸送氬氣；4)長晶。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種多晶硅鑄錠裝置和鑄錠方法，公開的鑄錠裝置包括容納硅料的坩堝，其特征在于，還包括所述硅料熔化成硅液后向所述硅液中輸送氬氣的送氣管，以及驅(qū)動所述送氣管的出氣端進出所述硅液的動力裝置，所述送氣管的進氣端設于所述坩堝的外部，所述動力裝置的動力輸出端與所述送氣管的出氣端固定連接。在硅液中通入氬氣，可以加速硅液中的雜質(zhì)與硅液分離，使硅料中含有的雜質(zhì)在分子運動的時候快速與硅液脫離，到達硅液表面并揮發(fā)出去，帶走硅液中的雜質(zhì)，從而增加雜質(zhì)的揮發(fā)量，減少硅錠中的雜質(zhì)含量，提高硅錠的質(zhì)量。同時，向硅液中輸送氬氣是在硅料熔化成硅液后進行的，在硅液長晶過程前結(jié)束，此過程不會增長現(xiàn)有鑄錠時間，不會影響現(xiàn)有鑄錠工序，便于實現(xiàn)。
文檔編號C30B29/06GK103014853SQ20131001115
公開日2013年4月3日 申請日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月11日
發(fā)明者姜磊, 榮丹丹, 呂景記, 魏文秀, 于波 申請人:天津英利新能源有限公司