增層基板及其制造方法、以及半導(dǎo)體集成電路封裝件的制作方法
【專利摘要】一種增層基板的制造方法，其用于制造一種在電路基板上層疊有絕緣層與布線圖案層的增層基板，包括：(i)工序，在具有布線圖案的電路基板的兩面或單面上涂敷光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料，對該光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料加以干燥處理而形成絕緣膜；(ii)工序，對絕緣膜加以曝光以及顯影處理，由此，在絕緣膜上形成過孔用開口部；(iii)工序，對絕緣膜進(jìn)行熱處理，使絕緣膜成為金屬氧化物膜，由此，獲得由無機金屬氧化物膜形成的增層絕緣層；以及(iv)工序，對增層絕緣層實施鍍敷處理，由此形成過孔，并且形成金屬層，對該金屬層實施蝕刻處理形成增層布線圖案，(v)反復(fù)進(jìn)行至少一次以上的上述工序(i)～(iv)。
【專利說明】增層基板及其制造方法、以及半導(dǎo)體集成電路封裝件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種增層基板及其制造方法、以及半導(dǎo)體集成電路封裝件。更詳細(xì)地講，本發(fā)明涉及一種增層絕緣層實質(zhì)上由無機材料構(gòu)成的增層基板，并也涉及一種用于制造該增層基板的方法。而且，本發(fā)明還涉及ー種由增層基板獲得的半導(dǎo)體集成電路封裝件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子設(shè)備的進(jìn)步，計算機的CPU或GPU以及在數(shù)字電視或智能手機等中使用的半導(dǎo)體集成電路(LSI)高速發(fā)展。特別是在圖像處理LSI等成為高速化的同時，高集成化也不斷發(fā)展，因此，需要同時應(yīng)對小型化以及I/O端子的増大。
[0003]在小型化與I/O端子數(shù)量的增大同時進(jìn)行的情況下，端子間距的小型/窄間距化進(jìn)ー步加劇，從而使得在封裝件布線基板上安裝半導(dǎo)體集成電路變得困難。
[0004]作為LSI的封裝件用布線基板，一直以來使用熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的陶瓷基板。陶瓷基板不僅耐熱性以及耐濕性優(yōu)異，熱膨脹系數(shù)也小，而且基板翹曲小，因此，適合焊錫等的金屬接合。但是，陶瓷基板由于尺寸大時難于燒制，另外，容易產(chǎn)生破損等，因此不適于薄型化。
[0005]一般情況下，使用在環(huán)氧樹脂等有機類的芯基板的兩面上多層層疊了由層間絕緣層、過孔以及銅箔布線層構(gòu)成的增層的增層布線基板作為LSI的封裝件用布線基板。例如，專利文獻(xiàn)I等公開了ー種使用感光性的增層樹脂絕緣材料進(jìn)行過孔形成(photo viaprocess:感光成孔エ藝法)，并利用鍍銅形成布線的增層基板(同時也參照圖13)。另外，專利文獻(xiàn)2公開了ー種在增層絕緣層上通過激光加工形成過孔(激光成孔エ藝法)，并同樣利用鍍銅形成布線的增層基板。另外，專利文獻(xiàn)3公開了ー種事先在蝕刻法中使用銅箔設(shè)置開ロ部，并在該開ロ部通過激光加工法形成細(xì)微的過孔(共形エ藝法)的施工方法(同時也參照圖14)。
[0006]在最新的CPU中，細(xì)微化已發(fā)展到22nm，I/O端子的增大與電路大規(guī)?；倪M(jìn)展顯著，在服務(wù)器用途中，可以說半導(dǎo)體集成電路芯片的大型化在不斷發(fā)展。如果像這樣開始利用大型的芯片，則即使是常規(guī)的增層基板，也會有可能由于生產(chǎn)エ序上的翹曲或由LSI芯片安裝時的熱歷史導(dǎo)致的翹曲等原因而出現(xiàn)接合部的焊錫接合部剝離的情況。另外，也存在由于細(xì)微化的發(fā)展而進(jìn)行小孔徑過孔加工或細(xì)微布線間距的發(fā)展的緣故，導(dǎo)致絕緣可靠性降低、絕緣不良或絕緣耐壓降低的憂慮。近年來，薄型化的要求也不斷提高，不使用芯基板只通過增層構(gòu)成基板的情況也不斷増加，因此，就需要對應(yīng)于薄型化的可靠性高的絕緣材料。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)I JP特開平4-148590號公報
[0010]專利文獻(xiàn)2 JP特開平3-233997號公報
[0011]專利文獻(xiàn)3 JP特開平8-279678號公報發(fā)明概要
[0012]發(fā)明要解決的技術(shù)課題
[0013]在“大型”中裸芯片安裝高集成半導(dǎo)體的情況下，具有細(xì)微的布線間距與小孔徑過孔連接的增層基板是必須的，但在上述3所述的增層基板中極難獲得高的可靠性。
[0014]具體而言，在第一種感光成孔エ藝法中，為了使用感光性樹脂材料一井曝光形成過孔，孔間的相對位置精確度高并且間隔短是優(yōu)點，但是，為了對感光性樹脂材料賦予感光性，絕緣性有困難，另外，還存在與通過鍍敷法形成的銅電極的粘結(jié)強度低的這ー擔(dān)憂。在第二種激光成孔エ藝法中，由于是“利用激光加工法開孔”，因此，具有難于受到孔形成時混入異物的影響的這ー優(yōu)點，但對于小孔徑存在激光的聚焦精度的問題，因此不適合。另外，由于按順序進(jìn)行孔加工，因此，存在間隔長、設(shè)備成本也大等的ー些缺點。與感光成孔エ藝法相比，位置精確度也相對不是很好。另外，第三種的共形エ藝法是將涂敷了增層樹脂的銅箔層疊粘結(jié)，在銅箔上事先將只應(yīng)該形成過孔的地方開ロ之處通過蝕刻除去，并照射比該開ロ直徑小的束斑直徑的激光束開ロ過孔的方法，而且，該方法為了利用與銅的激光吸收率差而適合小孔徑化。并且，由于事先將銅箔粘結(jié)，因而，能夠獲得緊密性優(yōu)異的布線。雖然如此，但是由于共形エ藝法會像激光成孔エ藝法那樣按順序進(jìn)行孔加工，因此，從間隔以及設(shè)備成本上來看存在困難，并具有位置精確度差的這ー缺點。
[0015]如上所述，在使用感光性樹脂材料的第一現(xiàn)有技術(shù)方法中，隨著布線的細(xì)微化與薄型化，絕緣材料的絕緣可靠性有可能產(chǎn)生問題；在通過激光加工法進(jìn)行過孔加工的第二以及第三現(xiàn)有技術(shù)方法中，激光加工裝置的成本高，另外，加工位置精確度由于透鏡像差等的影響而不佳的這些情況都會成為問題。而且，在第二以及第三現(xiàn)有技術(shù)方法中，很難實現(xiàn)小孔徑化，另外，由于各過孔加工不是一次進(jìn)行而是按順序進(jìn)行，因此，從間隔等方面考慮有可能成為問題，總的來講，可以說激光加工裝置會帶來很多問題。
[0016]另外，在增層基板中，難于排除安裝了最新半導(dǎo)體裸芯片的基板的翹曲影響。這是因為增層基板的絕緣材料由有機材料形成，因此不能夠獲得高弾性率。一般來講，使用具有高弾性率的陶瓷基板是有效的，陶瓷基板從弾性率高這一點來看比增層基板有利，但是，由于不能獲得大尺寸的基板，其結(jié)果是導(dǎo)致高成本，因此，這些情況都會產(chǎn)生問題。例如，相比大小為IOOmmX IOOmm左右的陶瓷基板，以增層基板為代表例的印刷基板的大小為340_X510mm左右，不能夠獲得增層基板那種生產(chǎn)率。關(guān)于這一點，雖然能夠考慮單純地將陶瓷基板的大小増大，但如果僅僅是増大陶瓷基板的大小，如上所述，會成為引起基板出現(xiàn)破損或缺ロ的主要原因，因此，存在為了防止這種破損或缺ロ而在處理工藝中搬運變得很困難的問題，或者不得不非必要地増大厚度的問題。另外，在大型陶瓷基板的制造中所使用的燒制用承燒板本來就很難制造。而且，假設(shè)就算能制造這種燒制用承燒板，價格也非常高，或者由于會對陶瓷基板的翹曲有直接影響，因此，從平滑性的角度來講，對嚴(yán)密性要求很聞。
[0017]本發(fā)明就是鑒于上述情況而實現(xiàn)的。即，本發(fā)明的主要目的是提供ー種有助于提高生產(chǎn)率，也適合細(xì)微布線化以及絕緣層的薄層化，并且可靠性高的大型增層基板。
[0018]
【發(fā)明內(nèi)容】

[0019]解決技術(shù)課題的手段[0020]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種增層基板的制造方法，其用于制造一種在電路基板上層疊有絕緣層與布線圖案層的增層基板，
[0021]該制造方法包括:
[0022](i)エ序，對具有布線圖案的電路基板的兩面或單面涂敷光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料，對該光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料加以干燥處理而形成絕緣膜；
[0023](ii)エ序，對絕緣膜加以曝光?顯影處理，由此，在絕緣膜上形成過孔用開ロ部；
[0024](iii)エ序，對“形成了過孔用開ロ部的絕緣膜”加以熱處理，使絕緣膜成為無機金屬氧化物膜，由此，獲得由無機金屬氧化物膜形成的增層絕緣層；以及
[0025](iv)エ序，對整個增層絕緣層實施鍍敷處理，由此，在上述開ロ部形成過孔，并且，在增層絕緣層上形成金屬層，對該金屬層實施蝕刻處理而形成增層布線圖案，
[0026](V)反復(fù)進(jìn)行至少一次以上的上述エ序⑴~(iv)。
[0027]本發(fā)明的制造方法的特征之ー是使用“感光性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”作為增層絕緣層原料。更具體 而言，對涂敷“感光性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”并加以干燥處理所形成的絕緣膜加以包括曝光?顯影處理的平板印刷而形成過孔，接下來，對該絕緣膜加以加熱處理制成金屬氧化物絕緣膜，由此，獲得薄并且絕緣可靠性優(yōu)異的增層絕緣層。
[0028]本說明書中的“增層”這ー用語是鑒于成為本發(fā)明對象的基板具有層疊結(jié)構(gòu)的情況而使用的。例如，“增層”是指:在具有布線圖案的電路基板(也稱為芯層)等的基板上層疊絕緣層以及布線圖案等的情況(另外，本發(fā)明中的“增層”不一定限定為設(shè)置了芯基板的情況，也包括最終除去了芯基板的情況)。
[0029]另外，本說明書中的“光反應(yīng)性”這ー用語是指:根據(jù)光的照射，使被照射部的物理性質(zhì)或化學(xué)性質(zhì)等發(fā)生變化的特性。
[0030]在本發(fā)明中，還提供一種由上述制造方法獲得的增層基板。該本發(fā)明的增層基板在具有布線圖案的電路基板的兩面或單面上層疊增層絕緣層與增層布線圖案，增層絕緣層是通過由光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料形成的無機金屬氧化物膜構(gòu)成的。
[0031]該本發(fā)明所涉及的增層基板的特征之ー是:增層絕緣層由“使用光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料形成的金屬氧化物的無機膜”形成。
[0032]本發(fā)明還提供ー種使用了上述增層基板的半導(dǎo)體集成電路封裝件。該本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路封裝件是介由凸塊在增層絕緣層上的增層布線圖案上倒裝芯片式安裝了半導(dǎo)體裸芯片而形成的。
[0033]發(fā)明效果
[0034]在本發(fā)明所涉及的增層基板的制造方法中，使用“感光性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”，其結(jié)果是，能夠獲得薄并且絕緣可靠性優(yōu)異的增層絕緣膜。另外，“感光性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”能夠是糊狀或液體狀的原料，因此，能夠利用噴射法或狹縫涂敷法進(jìn)行涂敷，能夠以大的基板尺寸且簡單容易地實現(xiàn)均勻的制膜。而且，因為是“感光性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”，因此，能夠?qū)υ撏糠竽?更具體而言，“涂敷后干燥處理獲得的絕緣膜”)一并進(jìn)行曝光?顯影處理，其結(jié)果是，能夠ー并進(jìn)行過孔加工。因此，過孔位置精確度變得良好。即，即使是尺寸大的基板，也能夠低價格并且簡單容易地獲得小孔徑的過孔。
[0035]另外，在本申請的制造方法中，用于獲得金屬氧化物前膜的加熱溫度比較低，因此，芯用電路基板的選擇自由度變高。例如，根據(jù)芯基板的種類的不同，能夠提供對增層基板有利的弾性率或彎曲性。雖然只是舉例說明，但在將由有機材料形成的材料作為成為芯的電路基板的絕緣材料(絕緣性基板部)的情況下，能夠發(fā)揮某種程度的彎曲性，從而能夠獲得具有高絕緣可靠性與柔軟性的增層基板。另ー方面，在將由無機材料形成的材料作為成為芯的電路基板的絕緣材料(絕緣性基板部)的情況下，由于增層絕緣層以及增層布線圖案都能夠?qū)嵸|(zhì)上由無機材料形成，因此，作為基板的可靠性増大，而且，其熱膨脹系數(shù)也接近于硅半導(dǎo)體，因此，能夠獲得較高的安裝可靠性。
[0036]而且，在本發(fā)明中，由于是“金屬氧化物的無機膜“，因此，能夠提供即使是厚度薄到I U m以上并且20 y m以下也呈現(xiàn)出高弾性率的致密的增層絕緣層，從而實現(xiàn)適合移動設(shè)備用途等的薄型半導(dǎo)體封裝件。
[0037]而且，本發(fā)明所涉及的增層基板即使是在大型的薄基板的情況下，由于具有高彈性與適當(dāng)?shù)臒崤蛎浶?，因此，抑制了增層基板的破損或裂縫等。因此，只要按照本發(fā)明，就能夠利用印刷基板的制造基礎(chǔ)設(shè)施很好地進(jìn)行增層基板的制造。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1(a)?(f)是表示生產(chǎn)エ藝方式I所涉及的本發(fā)明的生產(chǎn)エ藝方式的示意エ序剖視圖。
[0039]圖2(a)?(b)是表示生產(chǎn)エ藝方式I所涉及的本發(fā)明的生產(chǎn)エ藝方式的示意エ序剖視圖。
[0040]圖3是表示噴射法的方式的示意剖視圖。
[0041]圖4是表示狹縫涂敷法的方式的示意剖視圖。
[0042]圖5(a)?(g)是表示生產(chǎn)エ藝方式2所涉及的本發(fā)明的生產(chǎn)エ藝方式的示意エ序剖視圖。
[0043]圖6(a)?(d)是表示生產(chǎn)エ藝方式2所涉及的本發(fā)明的生產(chǎn)エ藝方式的示意エ序剖視圖。
[0044]圖7(a)?(h)是表示生產(chǎn)エ藝方式3所涉及的本發(fā)明的生產(chǎn)エ藝方式的示意エ序剖視圖。
[0045]圖8是表示本發(fā)明的增層基板100的構(gòu)成的示意剖視圖。
[0046]圖9是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路封裝件400的構(gòu)成的示意剖視圖。
[0047]圖10是表示本發(fā)明的增層基板100’的構(gòu)成的示意圖。
[0048]圖11是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路封裝件400’的構(gòu)成的示意剖視圖。
[0049]圖12是表示具有晶體管的本發(fā)明的增層基板100”’的構(gòu)成的示意剖視圖。
[0050]圖13是表示使用感光性樹脂的エ藝方式的エ序剖視圖(現(xiàn)有技術(shù))。
[0051]圖14是表示共形エ藝的方式的エ序剖視圖(現(xiàn)有技術(shù))。
【具體實施方式】
[0052]以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。在附圖中，為了簡化說明，對實質(zhì)上具有相同功能的構(gòu)成要素以相同的參照編號進(jìn)行表示。另外，各圖中的尺寸關(guān)系(長、寬、厚等)并不反映實際的尺寸關(guān)系。而且，為了方便，在本說明書中間接提到的“上下方向”相當(dāng)于與圖中的上下方向?qū)?yīng)的方向。[0053][本發(fā)明的增層基板的制造方法]
[0054](生產(chǎn)エ藝方式I)
[0055]作為生產(chǎn)エ藝方式1，參照附圖1以及附圖2對本發(fā)明的增層基板的制造方法進(jìn)行說明。
[0056]在實施本發(fā)明的制造方法時，首先，實施工序(i)。即，對具有布線圖案的電路基板的兩面或單面涂敷光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料，對該涂敷的原料進(jìn)行干燥處理而形成絕緣膜。具體而言，如圖1(a)所示，準(zhǔn)備在兩面或單面上具有布線圖案103的電路基板104。例如，在兩面上具有布線圖案103的電路基板104能夠通過以下方式獲得:在例如將環(huán)氧樹脂含浸在玻璃織布中的基材101的兩面上層疊由銅箔形成的金屬層并加熱加壓進(jìn)行一體化，然后再通過光刻法進(jìn)行蝕刻而形成布線圖案103。在銅箔的層疊之后，可以通過實施用鉆孔機進(jìn)行的孔加工與鍍敷方法來設(shè)置層間連接的通孔102 (參照圖1 (a)。
[0057]接下來，在電路基板104的兩面涂敷“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”，對該“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”進(jìn)行干燥處理形成絕緣膜105(參照圖1(b))?！肮夥磻?yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”包括例如有機溶劑等，可以具有糊劑樣式或液體樣式。在糊劑樣式的情況下，“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”在例如室溫(25°C)以及剪切速度1000 [1/s]的條件下具有ImPa ? s~50Pa ? s左右(特別是IOmPa ? s~50Pa ? s左右)的粘度。如果具有在這種范圍內(nèi)的粘度，則能夠有效地防止涂敷區(qū)域中的原料的濕潤鋪展。在本發(fā)明中，“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”是糊劑樣式或液體樣式，因此，能夠利用噴射法(圖3)或狹縫涂敷法(圖4)涂敷原料。
[0058]如圖3所示，如果使用噴射法，則將儲存罐204中的“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料205”通過供給配管206提供給噴嘴203，另ー方面，經(jīng)由配管208將壓縮空氣作為運載氣體從壓縮泵207提供給噴嘴203。由此，從噴嘴203與運載氣體一起對設(shè)置在基臺201上的電路基板202噴射209 —定量的“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”，其結(jié)果是，形成了“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”的涂敷膜210。在電路基板202上形成的涂敷膜210的厚度例如可以優(yōu)選是4 ii m~50 ii m,還優(yōu)選6 y m~30 y m,更優(yōu)選8 y m~20 y m(例如，大約10 ym)。該噴射法能夠簡單容易并且高速地形成涂敷膜210。
[0059]另ー方面，如圖4所示，如果使用狹縫涂敷法，則由泵308將儲存罐306中的“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”通過配管307提供給狹縫涂敷機303。提供給狹縫涂敷機303的“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”暫時被存儲到歧管304之后，被從狹縫305直接地涂敷在基臺301上的電路基板302上。狹縫涂敷機303與電路基板301之間的距離能夠任意地進(jìn)行設(shè)定。因此，通過“與電路基板301之間的間距距離的調(diào)整”和“提供光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料的泵壓カ的調(diào)整”，能夠很好地控制涂敷膜厚。與噴射法相比，狹縫涂敷法能夠以大的尺寸實現(xiàn)比較厚的涂敷膜310，并且，能夠以一定的厚度涂敷。通過狹縫涂敷法，能夠形成例如30 ii m~50 ii m左右的厚度的涂敷膜310。
[0060]另外，在“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”中可以添加金屬氧化物、特別是金屬氧化物粒子(金屬氧化物的粉末)。這是因為由于最終形成的“金屬氧化物膜”，因而能夠控制絕緣性提高或熱特性(熱膨脹?熱傳導(dǎo)率)。作為金屬氧化物粒子，例如可以是含有從A1203、SiO2, MgO以及TiO2中選擇的材料而成的粒子(因此,例如,金屬氧化物粒子可以是Al2O3粒子、SiO2粒子、MgO粒子或TiO2粒子等)。金屬氧化物粒子的粒徑本身為例如大約0.1 ii m?大約0.5 y m左右。
[0061]對所涂敷的“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”(涂敷膜)進(jìn)行干燥，由此，減去其中含有的有機溶劑等，結(jié)果形成絕緣膜(金屬氧化物的前驅(qū)體膜)。即，通過干燥，有機溶劑等的氣化成分被從金屬氧化物前驅(qū)體原料中除去。另外，不一定局限于對“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”供熱來進(jìn)行干燥，只要有機溶劑氣化，也可以使用其他的方法，例如，可以將所涂敷的“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”置于減壓條件下或真空條件下。
[0062]在通過供熱進(jìn)行干燥的情況下，例如，優(yōu)選將所涂敷的“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”在大氣壓下置于50?200°C左右(優(yōu)選60°C?150°C )的溫度條件下。另外，在置于減壓條件下或真空條件下的情況下，減壓度或真空度維持在飽和蒸氣壓以下，由此，進(jìn)行有機溶劑的蒸發(fā)。例如，優(yōu)選置于7?0.1Pa左右的減壓條件下或真空條件下。也可以根據(jù)需要將“供熱”與“減壓條件下或真空條件下”組合實施干燥。
[0063]通過“干燥”所形成的絕緣膜其厚度可以優(yōu)選I U m?40 ii m，還優(yōu)選2 y m?1511111，更優(yōu)選311111?1011111(例如，大約411111)。如果以涂敷方法以及涂敷膜的關(guān)系舉例表示，則可以通過噴射法形成8?12 ii m左右厚度的涂敷膜，在干燥之后形成3?5 ii m左右的厚度；另一方面，通過狹縫涂敷法形成30?50 y m左右的厚度的涂敷膜，在干燥之后形成20?30iim左右的厚度。
[0064]在エ序(i)之后繼續(xù)實施工序(ii)。S卩，通過對絕緣膜105進(jìn)行曝光以及顯影處理而在絕緣膜105上形成過孔用開ロ部107(參照圖1(c)以及(d))。例如，可以通過實施包括曝光以及顯影的光刻從而在絕緣膜105上形成過孔用開ロ部107(光刻的方式?jīng)]有特別的限制，可以是在曝光以及顯影之后包括沖洗以及蝕刻處理等的方式)。
[0065]曝光除了是將具有所希望的圖案的光掩模設(shè)置在絕緣膜上進(jìn)行的方式之外，還可以是不使用這種掩模的直接曝光的方式。無論是哪ー種方式，都將適當(dāng)?shù)墓庖运Ｍ膱D案照射絕緣膜。所照射的光只要是用于通常的光刻的光，就沒有特別限制。例如，照射光可以是紫外線(UV)、可見光、X射線、紅外線以及輻射光等的相當(dāng)干“光”的理解的光，除此之夕卜，也可以根據(jù)需要使用離子束或電子射線等。如果舉ー個例子，則可以使用UV光進(jìn)行掩模曝光(例如，關(guān)于波長大約為360?370nm的UV光，可以是80?120mJ/cm2的光量)。另夕卜，曝光方式?jīng)]有特殊限制，可以是接觸式曝光、接近式曝光以及投影式曝光等中的任意方式。
[0066]在曝光處理之后繼續(xù)進(jìn)行顯影處理。該顯影處理也只要是通常的光刻中所采用的處理就沒有特殊限制。即，只要是相當(dāng)于絕緣膜的曝光區(qū)域在顯影液中溶解的“正型”的處理，就可以使用與其相適應(yīng)的顯影液進(jìn)行處理；相反，如果是相當(dāng)于絕緣膜的曝光區(qū)域在顯影液中不溶解而留下的“負(fù)型”的處理，則可以使用與其相適應(yīng)的顯影液進(jìn)行處理。顯影的處理方式等沒有特殊限制，可以使用浸潰法、噴射法以及旋敷浸沒法等。通過這種顯影處理，在絕緣膜105上形成過孔用開ロ部107。另外，也可以根據(jù)需要，在顯影之后附加地進(jìn)行沖洗或蝕刻處理等。
[0067]在エ序(ii)之后繼續(xù)實施工序(iii)。S卩，對絕緣膜105進(jìn)行熱處理使其成為無機金屬氧化物膜，由此，獲得由無機金屬氧化物膜形成的增層絕緣層106(參照圖1(e))。
[0068]在該處理中，由于絕緣膜105被加熱的原因，在絕緣膜105中發(fā)生反應(yīng)或者形態(tài)變化等情況，最終形成無機金屬氧化物膜。雖然只不過是舉例說明，但在“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”是含有感光性溶膠-凝膠原料而形成的情況下，發(fā)生水解反應(yīng)以及/或者縮合反應(yīng)等情況，最終形成無機金屬氧化物膜。
[0069]エ序(iii)的熱處理溫度為比較低的溫度。具體舉例說明的話，エ序(iii)的熱處理溫度為500°C以下，優(yōu)選400°C以下，更優(yōu)選300°C以下(例如250°C以下)。雖然這種熱處理的溫度的下限值沒有特別限制，但如果同樣舉例說明的話，為200°C，優(yōu)選150°C，更優(yōu)選 120。。(例如 IOO0C ) o
[0070]對絕緣膜105進(jìn)行熱處理的時間只要能夠最終獲得金屬氧化物的無機膜就沒有特殊限制(一般來講，要考慮必要的反應(yīng)所需要的熱量等因素，可以根據(jù)加熱溫度或原料的種類等因素來決定合適的加熱時間)。作為熱處理的手段，例如可以使用燒制爐這樣的加熱室。在這種情況下，在加熱室內(nèi)放置“形成了絕緣膜105的電路基板104”，由此，能夠?qū)^緣膜105進(jìn)行整體上的熱處理。
[0071]以ー個例子進(jìn)行說明。在エ序(i)中設(shè)置80°C?120°C左右的干燥溫度，并在エ序(ii)中使用UV光進(jìn)行掩模曝光等情況下(例如，在針對波長為大約360?370nm的UV光設(shè)置80?120mJ/cm2的光量的情況下)，通過以180°C?220°C左右的溫度進(jìn)行燒制，能夠獲得由金屬氧化物膜形成的增層絕緣層106。
[0072]在エ序(iii)之后繼續(xù)實施工序(iv)。即，通過對增層絕緣層106實施鍍敷處理，從而在開ロ部107形成過孔109，并且在增層絕緣層106上形成金屬層108 (參照圖1 (f))，對該金屬層108實施蝕刻處理，從而形成增層布線圖案110 (參照圖2(a))。
[0073]如果以ー個例子說明的話，對設(shè)置了過孔用的開ロ部107的增層絕緣層106實施無電解鍍法以及電解鍍法形成金屬銅層108。在無電解鍍中能夠使用銅，進(jìn)而，通過進(jìn)行電解銅鍍敷，不僅在增層絕緣層106上，而且在開ロ部107也能夠選擇性地進(jìn)行較厚的鍍銅。即，能夠掩埋開ロ部107，并對增層也實施平坦的鍍銅。
[0074]雖然通過鍍銅將開ロ部107填充從而形成過孔109，但也可以對開ロ部107進(jìn)行去膠渣處理或粗化處理等來改善與銅層的密接性。另外，可以在進(jìn)行無電解鍍之前通過濺射法而形成Ti等的基底層。由此，銅層與增層的密接性能夠變得良好。對所形成的金屬層108實施光刻以及化學(xué)蝕刻等方法，由此，可以如圖2(a)所示由金屬層108形成增層布線圖案 110。
[0075]經(jīng)過以上的エ序，能夠在電路基板104上形成增層絕緣層106以及增層布線圖案110(參照圖2(a))。接下來，如果反復(fù)進(jìn)行上述エ序⑴?(iv)作為エ序(V)，則能夠在電路基板104上形成多個增層絕緣膜106與增層布線圖案110，最終能夠獲得增層基板100(參照圖2(b))。即，能夠獲得具有無機絕緣膜的多層基板作為增層基板100。
[0076](生產(chǎn)エ藝方式2)
[0077]接下來，作為生產(chǎn)エ藝方式2，參照圖5以及圖6對本發(fā)明的增層基板的制造方法進(jìn)行說明(為了避免重復(fù)，原則上省略與“生產(chǎn)エ藝I”相同的內(nèi)容來進(jìn)行說明)。
[0078]首先，如圖5(a)所示提供離型載體500。該離型載體500是要最終除去的部件。在此，作為離型載體500，能夠利用之后很容易剝離掉的有機薄膜，例如，可以使用由PET或PPS等形成的有機薄膜。另外，作為其他的方法，作為離型載體500，也能夠使用通過化學(xué)溶解除去的金屬箔，例如，可以使用銅箔等。作為“載體”，為了能夠在之后的エ序耐受某種程度的搬運等，離型載體500優(yōu)選具有80?120 iim左右的厚度。如圖5(b)所示，在離型載體500上形成布線圖案501。例如，可以以0.3~0.7 ii m左右的厚度實施無電解鍍銅，利用其導(dǎo)電性在3~7 U m左右的厚度下進(jìn)行電解鍍銅。接下來，對進(jìn)行鍍銅處理獲得的金屬層實施化學(xué)蝕刻法而形成布線圖案501。接下來，涂敷“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”并進(jìn)行干燥，由此，形成成為絕緣膜105的金屬氧化物前驅(qū)體膜(參照圖5(c))。該涂敷既可以使用上述噴射法或狹縫涂敷法，或者也可以使用刮刀法或棒式涂敷法等方法。之后實施的エ序(圖5(d)~6(b)所示的エ序)與上述エ序(ii)~(V)實質(zhì)上相同。即，通過對絕緣膜105進(jìn)行曝光?顯影處理從而在絕緣膜105上形成過孔用開ロ部107 (參照圖5(d)以及(e))。接下來，對絕緣膜105進(jìn)行熱處理而形成無機金屬氧化物膜，由此，獲得由無機金屬氧化物膜形成的增層絕緣層106(參照圖5(f))。接下來，通過對增層絕緣層106實施鍍敷處理等從而同時形成過孔109與金屬層108 (參照圖5 (g)，對該金屬層108實施蝕刻處理形成增層布線圖案110(參照圖6(a))。之后，通過反復(fù)實施這種處理，能夠在離型載體500上層疊多個增層絕緣膜105與增層布線圖案110 (參照圖6(b)以及(C)。)最終，如圖6(c)以及(d)所示，如果剝離了離型載體500，則能夠獲得極薄的多層增層基板100’。
[0079](生產(chǎn)エ藝方式3)
[0080]接下來，作為生產(chǎn)エ藝方式3，參照圖7(a)~(h)對本發(fā)明的增層基板的制造方法進(jìn)行說明(為了避免重復(fù)，原則上省略與“生產(chǎn)エ藝方式I”以及“生產(chǎn)エ藝方式2”相同的內(nèi)容進(jìn)行說明)。
[0081]該生產(chǎn)エ藝方式3實施(iv) ’來代替上述エ序(iv)，該(iv) ’的エ序的方式為:“在增層絕緣層的表面上形成抗蝕護(hù)膜，然后，對增層絕緣層以及抗蝕護(hù)膜在整體上實施鍍敷處理，并最終除去抗蝕護(hù)膜，由此，在抗蝕護(hù)膜的非形成部設(shè)置過孔以及增層布線圖案”。
[0082]首先，如圖7(a)~(C)所示，實施上述エ序⑴~(iii)。即，在具有布線圖案703的電路基板704的兩面或單面上涂敷光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料，對該原料進(jìn)行干燥處理形成絕緣膜705 (參照圖7 (a)以及(b))。接下來，通過對絕緣膜705進(jìn)行曝光?顯影處理從而在絕緣膜705上形成 過孔用開ロ部707 (參照圖7 (c))。接下來，進(jìn)行熱處理使絕緣膜705成為無機金屬氧化物膜，由此，獲得由無機金屬氧化物膜形成的增層絕緣層706 (參照圖7(d))。
[0083]為在設(shè)置了過孔用開ロ部707的增層上實施在之后的エ序進(jìn)行的銅等的電解鍍，可以形成IOnm到IOOnm左右的薄膜電極(由于很薄所以未圖示)。該薄膜電極的形成例如能夠通過在浸泡于Pd催化劑液體中并干燥之后整體上進(jìn)行無電解鍍鎳的方法而形成。除了這種使整體變薄用金屬層無電解鍍的方法之外，也可以通過濺射金屬銅或金屬鎳、金屬銅或金屬鈦、或者金屬鎳與鉻的合金等形成。在如此這樣形成的金屬鎳層或鈦層上，在之后不希望實施電解鍍銅的部分上通過光刻法而形成光致抗蝕劑708 (參照圖7 (e))。光致抗蝕劑708能夠在基板的整個面上涂敷抗蝕劑之后進(jìn)行掩模圖案曝光與抗蝕劑顯影處理而形成。光致抗蝕劑層708的厚度優(yōu)選是所希望的銅電極的厚度的5 以上。接下來，將先形成的鎳層設(shè)為共用電極，如圖7(f)所示，通過電解鍍銅形成厚的銅層710。另外，通過電解鍍銅填充開ロ部707從而形成過孔711。此時，可以通過對開ロ部進(jìn)行去膠渣處理或粗化處理等來改善與銅層的密接性。在電解鍍銅之后，如圖7(g)所示，將抗蝕劑708剝離，對整個面進(jìn)行很薄的蝕刻，由此，將銅表面和基底的鎳層或鈦層除去而完成操作。然后，通過反復(fù)實施上述處理，在電路基板704上層疊多個增層絕緣層706與增層布線圖案710(參照圖7(h))。
[0084](其他的生產(chǎn)エ藝的方式)
[0085]在本發(fā)明的制造方法中，エ序(iii)中的絕緣膜的加熱處理(例如燒制處理)優(yōu)選為250°C以下。這是因為具有布線圖案的電路基板的選擇范圍擴大的原因。例如，不局限于玻璃環(huán)氧樹脂，能夠使用以PPS和PEN等的有機薄膜為基礎(chǔ)的柔性基板。另外，エ序
(iii)中的絕緣膜的加熱處理(例如燒制處理)優(yōu)選其氣氛條件為真空氣氛或惰性氣體氣氛。這是因為能夠防止銅等的布線圖案的氧化。
[0086](光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料)
[0087]對作為接下來的本發(fā)明的特征部分之一的“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0088]在本發(fā)明的制造方法中，在エ序(i)使用的光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料可以是含有感光性溶膠-凝膠原料而成的材料。一般來講，溶膠-凝膠原料來自金屬氧化物的前驅(qū)體溶液，通過熱處理等并經(jīng)過水解?縮聚合等化學(xué)反應(yīng)而變成凝膠化(膠狀的固體)，再通過熱處理除去內(nèi)部殘留的溶劑從而促進(jìn)致密化，由此，能夠制成玻璃或陶瓷等的無機金屬氧化物。與其他方法相比，使用這種原料的“溶膠-凝膠法”能夠低溫并且容易地制成陶瓷的燒制膜或玻璃膜等金屬氧化物膜。另外，如果使用“溶膠-凝膠法”，能夠利用化學(xué)反應(yīng)在低溫下制造，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)有機物與無機物的復(fù)合化。具體的制造方法以例如無機?有機金屬鹽的溶液作為初始溶液。對該溶液進(jìn)行水解以及縮聚合反應(yīng)制成膠體溶液(Sol)，進(jìn)ー步促進(jìn)反應(yīng) ，制成失去流動性的固體(Gel)。對該Gel進(jìn)行熱處理就能夠制作金屬氧化膜。
[0089]特別是在本發(fā)明的制造方法中所使用的感光性溶膠-凝膠原料可以是含有醇鹽化合物而成的原料。在該情況下，含有醇鹽化合物的前驅(qū)體溶液經(jīng)過水解反應(yīng)以及/或者縮聚合反應(yīng)等，最終能夠成為無機金屬氧化物膜的增層絕緣層。作為醇鹽化合物的金屬醇鹽是用M(OR)x表示的化合物(M為金屬，R為烷基以及/或者亞烷基)。例如，以作為金屬醇鹽的Si (OC2H5)4 (四甲基硅烷)為初始原料，添加適量的水而引起水解。不過，由于水的反應(yīng)非常慢，因此，也可以利用使用酸和堿催化劑在短時間內(nèi)促進(jìn)水解反應(yīng)的方法。因此，在本發(fā)明中，也可以在前驅(qū)體原料中添加光產(chǎn)酸劑進(jìn)行調(diào)整，以便只有照射了 UV的部分進(jìn)行反應(yīng)，除此之外的部分反應(yīng)變慢。
[0090]上述原料能夠具有糊劑樣式或液體樣式，因此，能夠通過噴射法或狹縫涂敷法進(jìn)行涂敷(參照圖2或圖3)。對原料凝膠化的前驅(qū)體膜(即絕緣膜105和705)進(jìn)行UV曝光以及溶劑蝕刻，再進(jìn)行加熱，由此，能夠獲得作為金屬氧化物的氧化硅膜。即，能夠獲得由氧化硅膜形成的增層絕緣層(106，706)。
[0091]在本發(fā)明中，增層絕緣層不特別限定為氧化硅膜，根據(jù)所使用的金屬醇鹽的種類等因素，能夠形成從例如從氧化鋁、氧化鎂以及它們的化合物中選擇的金屬氧化物的膜。從氧化鋁、氧化硅、氧化鎂以及它們的化合物選擇的金屬氧化物電絕緣性與熱傳導(dǎo)性優(yōu)異，因此為優(yōu)選(關(guān)于“熱傳導(dǎo)性”，能夠?qū)崿F(xiàn)例如大約20W/mK以下的良好的熱傳導(dǎo)性)。
[0092]在本發(fā)明中，感光性溶膠-凝膠原料可以是包括在無機網(wǎng)絡(luò)(無機網(wǎng)格結(jié)構(gòu))中以分子水平含有有機官能基的雜化材料而成的材料。這是因為:能夠容易地賦予感光性等功能，并且沿襲了作為無機材料的耐熱性和與布線圖案的粘結(jié)性等優(yōu)點，同時還能夠具有容易的過孔加工性。上述雜化材料可以是例如“含有有機官能基的硅氧烷低聚物”。這種雜化材料能夠進(jìn)行分子級別的成分控制，通過進(jìn)行導(dǎo)入各種適當(dāng)?shù)挠袡C官能基等，在光學(xué)特性或絕緣性、介電常數(shù)控制等電子領(lǐng)域中的應(yīng)用變得容易。例如，根據(jù)所導(dǎo)入的有機官能基的不同，能夠賦予感光性或透明性等各種功能。如果以“含有有機官能基的硅氧烷低聚物”為例，則可以使用倍半硅氧烷，并導(dǎo)入馬來酰亞胺基、甲基丙烯酰氧基以及/或者苯基等作為有機官能基。如果導(dǎo)入馬來酰亞胺基，則能夠賦予“感光性“;如果導(dǎo)入甲基丙烯酰氧基，則能夠賦予“低溫固化性”；如果導(dǎo)入苯基，則能夠提高“絕緣膜的制膜性或柔軟性”。
[0093]另外，在本發(fā)明中，感光性溶膠-凝膠原料也可以是含有“用P - 二酮等化學(xué)改性過的金屬醇鹽”而成的材料。例如，感光性溶膠-凝膠原料也可以是含有利用こ酰丙酮或苯甲酰丙酮等化學(xué)改性過的金屬醇鹽而成的材料。如果使用這種感光性溶膠-凝膠原料，則能夠形成含有Zr02、TiO2, Al2O3以及Al2O3-SiO3而成的無機金屬氧化物膜。更具體說明的話，可以使用針對適當(dāng)?shù)慕饘俅见}添加(6-二酮(例如こ酰丙酮或苯甲酰丙酮)、感光劑(例如二苯甲酮或苯こ酮)以及溶劑(例如異丙醇等的醇類)等作為化學(xué)改性劑進(jìn)行調(diào)制的原料，通過對涂敷該原料獲得的原料膜照射UV光，能夠形成上述金屬氧化物膜。
[0094][本發(fā)明的增層基板以及半導(dǎo)體集成電路封裝件]
[0095]接下來，對本發(fā)明的增層基板以及半導(dǎo)體集成電路封裝件進(jìn)行說明。
[0096](增層基板的基本結(jié)構(gòu))
[0097]本發(fā)明的增層基板100是通過上述的制造方法獲得的基板。如圖8所示，在具有布線圖案103的電路基板1 04的兩面或單面上層疊增層絕緣層106與增層布線圖案110 (電極層)，增層絕緣層106由“由光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料形成的無機金屬氧化物膜”構(gòu)成。增層106不局限于ー層，也可以設(shè)置多層(另外，設(shè)置在增層的過孔109是為了將不同層的布線圖案層之間相互電連接而設(shè)置的)。如上所述，在本發(fā)明的增層基板100中，增層絕緣層106的“金屬氧化物的無機膜”是含有從例如氧化鋁、氧化硅、氧化鎂以及它們的化合物中所選擇的至少ー種而成的。另外，增層絕緣層106的厚度優(yōu)選為Iu m以上并且20 um以下，還優(yōu)選I y m以上并且15 y m以下，更優(yōu)選I y m以上并且10 y m以下(根據(jù)情況不同，增層絕緣層的厚度也有可能成為不到lum)。這種增層絕緣層作為絕緣性以及熱傳導(dǎo)性優(yōu)異的層能夠更好地發(fā)揮功能。另外，由于薄的增層絕緣層的緣故，對于移動用途的電子設(shè)備的薄型化有很大的貢獻(xiàn)(雖然只不過是ー個舉例說明，但在增層絕緣層的厚度為20um的情況下，即使將其層疊10層，層疊厚度也不過是0.2mm左右，從而實現(xiàn)了很薄的基板)。
[0098]另外，在金屬氧化物粒子(金屬氧化物的粉末)包含在成為增層絕緣層的原料的“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”中的情況下，增層絕緣層含有該金屬氧化物粒子。在該情況下，例如，增層絕緣層含有Al2O3粒子、SiO2粒子、MgO粒子以及/或者TiO2粒子(粒子直徑:大約0.1 ii m~大約0.5 ii m)。
[0099]增層基板100被切割成所希望的尺寸并安裝了半導(dǎo)體裸芯片，由此，能夠獲得圖9所示的半導(dǎo)體集成電路封裝件400。
[0100]圖9中的半導(dǎo)體集成電路封裝件400能夠利用C4エ藝(Controlled CollapseChip Connection:可控塌陷芯片連接)在本發(fā)明的增層基板100上安裝半導(dǎo)體裸芯片414。這種半導(dǎo)體集成電路封裝件400具有在增層絕緣層上以無機金屬氧化物膜與銅布線層疊的結(jié)構(gòu)，因此，針對各種熱歷史，基板翹曲變化極少，另外，基板成為與半導(dǎo)體裸芯片接近的熱膨脹系數(shù)，因此，倒裝芯片式安裝的可靠性會有很好的提高。而且，熱傳導(dǎo)率也比通常的增層基板好，也能夠迅速地散放出在半導(dǎo)體裸芯片生成的熱量。而且，最重要的是，由于增層絕緣層薄，因此，能夠設(shè)置成比通常的半導(dǎo)體集成電路封裝件還薄。
[0101]在此，對作為本發(fā)明特征之一的“基板的大型化”進(jìn)行說明。一直以來，在由無機材料形成的通常的陶瓷基板中，只能獲得ー邊為IOOmm左右的燒制體，但通過本發(fā)明，即使是在作為印刷基板行業(yè)中的一般尺寸的330mmX 500mm或500mmX 500mm等這種尺寸的大型基板的情況下，也能夠容易地進(jìn)行涂敷以及熱處理來獲得基板。因此，本發(fā)明具有能夠利用印刷基板行業(yè)特別是增層制造者現(xiàn)有的基礎(chǔ)設(shè)備進(jìn)行制造的這ー從產(chǎn)業(yè)角度來考慮極佳的優(yōu)勢。
[0102]另外，具有布線圖案的電路基板104可以將有機材料作為絕緣材料,并且可以具有至少ー個貫通該基板的貫通通孔。在該情況下，上述有機材料優(yōu)選是環(huán)氧樹脂、苯酚樹月旨、聚酰亞胺樹脂中的任意ー種，或者由它們的組合形成。這是因為能夠使用由便宜的有機材料形成的電路基板的緣故。
[0103]另外，具有布線圖案的電路基板104可以將無機材料作為絕緣材料，并且可以具有至少ー個貫通該基板的貫通通孔。這是因為:增層基板實質(zhì)上所有材料都能夠由無機材料構(gòu)成，能夠獲得不僅絕緣性以及熱傳導(dǎo)率優(yōu)異、而且具有耐熱性和熱循環(huán)等高可靠性的電路基板。上述無機材料可以是玻璃和陶瓷中的任意一種或者它們的混合物。進(jìn)ー步講，上述玻璃優(yōu)選是從硼硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃以及鋁硼硅酸鹽玻璃中選擇的至少ー種玻璃。如果如上所述，電路基板是玻璃基板，則由于增層絕緣層以及布線圖案都由無機材料形成，因此，不僅提高了作為基板的可靠性，熱膨脹系數(shù)也接近于硅半導(dǎo)體，因此，能夠獲得較高的安裝可靠性。另外，近年來供應(yīng)的一直是薄的玻璃基板(25?50 左右)，從整體來講，能夠獲得耐彎曲的增層基板。另外，上述陶瓷優(yōu)選是從氧化鋁、莫來石以及氧化鋯中選擇的至少ー種的陶瓷。如果是電路基板的陶瓷基板，則與玻璃基板相同，能夠獲得成為與硅半導(dǎo)體程度相同的熱膨脹系數(shù)、并且可靠性高的增層基板。另外，還有能夠獲得熱傳導(dǎo)率優(yōu)異的增層基板的這ー特殊效果。
[0104](極薄的增層基板)
[0105]本發(fā)明提供一種極薄的增層基板。該基板是利用上述“生產(chǎn)エ藝方式2(參照圖5?6) ”所獲得的多層增層基板100’ (參照圖10)。
[0106]這種極薄的增層基板100’可靠性高，很適合作為半導(dǎo)體集成電路封裝件400’使用(參照附圖11)。另外，由于在其制造時不用選擇離型載體的尺寸，因此，作為具有印刷行業(yè)中的一般尺寸的330mmX 500mm或500 X 500mm等大型尺寸的基板,也能夠很容易實現(xiàn)。
[0107](具有晶體管的增層基板)
[0108]本發(fā)明的增層基板由于增層絕緣層是“光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”的緣故，因而變得極薄，具有有機類絕緣材料所不能獲得的高絕緣性，因此，能夠發(fā)揮更高的功能。例如，如圖12所示，實現(xiàn)了在增層基板內(nèi)或表層具有晶體管的增層基板。
[0109]在圖12所示的構(gòu)成中，在形成于增層絕緣層601a、601b、601c以及601d上的布線圖案605a、605b、605c以及606a、606b、606c上，為了與它們連接，而分別形成金屬氧化物半導(dǎo)體膜604a、604b以及604c，由此，來提供電場效應(yīng)晶體管。在具有圖12所示的結(jié)構(gòu)的增層基板中，布線圖案605a、605b、605c與布線圖案606a、606b、606c能發(fā)揮源極或漏極功能；金屬氧化物半導(dǎo)體膜604a、604b、604c能發(fā)揮半導(dǎo)體層的功能；金屬氧化物的無機膜601a、601b,601c能發(fā)揮柵極絕緣膜的功能；該柵極絕緣膜的正上方或正下方的布線圖案能發(fā)揮柵電極的功能。另外，作為金屬氧化物半導(dǎo)體604a、604b、604c,能夠使用In-Ga-Zn-O系或In-Zn-O系的金屬氧化物半導(dǎo)體。雖然金屬氧化物半導(dǎo)體能夠通過濺射法制作，但也能夠像本發(fā)明中的增層絕緣層的形成那樣，通過涂敷金屬氧化物前驅(qū)體原料來獲得。
[0110]在本申請發(fā)明中，增層絕緣層由例如薄到大約I Pm左右的無機金屬氧化物膜形成，因此，在成為源電極以及漏電極的布線層上形成的金屬氧化物半導(dǎo)體膜上的增層絕緣層發(fā)揮柵極絕緣膜的作用，而且，在其上部形成的布線圖案發(fā)揮柵電極的功能。由此，在對源電極與漏電極之間施加電壓的狀態(tài)下，如果對柵電極施加電位，則由此金屬氧化物半導(dǎo)體膜開啟，能夠控制漏電流。這樣的話，能在增層基板內(nèi)或表層形成半導(dǎo)體元件，從而實現(xiàn)有源元件內(nèi)設(shè)的增層基板。
[0111]另外，不言而喻的是，通過本發(fā)明能夠使用薄的增層絕緣膜提供電容器等。即，通過在薄的絕緣層上進(jìn)ー步形成所希望的布線圖案，能夠形成電容器。本發(fā)明能使絕緣層變薄，從而絕緣性優(yōu)異，并且也能夠與有機類材料相比提高介電常數(shù)，因此，能夠在增層基板內(nèi)或表層設(shè)置高電容的電容器。其結(jié)果是，不但有源元件，電容器或電阻等的無源元件也能夠進(jìn)行功能內(nèi)設(shè)。而且，不言而喻的是，利用上述“生產(chǎn)エ藝方式2 (參照圖5~6) ”獲得的多層增層基板100’、即不具有電路基板的具有增層以及布線圖案的基板可以具有上述的電場效應(yīng)晶體管。如果補充的話，通常，金屬氧化物半導(dǎo)體能夠如本發(fā)明所示通過涂敷金屬氧化物半導(dǎo)體的前驅(qū)體原料并加熱處理來獲得，但需要550°C左右的溫度。從來就沒有能夠耐這種高溫的增層基板，但如果如本發(fā)明這樣，是由作為無機類的金屬氧化物的增層絕緣膜與金屬布線層構(gòu)成的無機類增層基板，則能夠避免這種不便。而且，在本發(fā)明中，如果在增層基板上安裝半導(dǎo)體裸芯片，則能夠?qū)崿F(xiàn)內(nèi)設(shè)的電場效應(yīng)晶體管發(fā)揮保護(hù)元件的功能，或者具有控制電源電壓的變 動的電容器的功能極高的半導(dǎo)體集成電路封裝件。
[0112]最后，確認(rèn)補充本發(fā)明具有以下實施方式。
[0113]第一實施方式:一種增層基板的制造方法，其用于制造ー種在電路基板上層疊有絕緣層和布線圖案層的增層基板，
[0114]該制造方法包括:
[0115](i)エ序，對具有布線圖案的電路基板的兩面或單面涂敷光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料，對該光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料加以干燥處理而形成絕緣膜；
[0116](ii)エ序，對上述絕緣膜加以曝光?顯影處理，由此，在該絕緣膜上形成過孔用開ロ部；
[0117](iii)エ序，對上述絕緣膜加以熱處理，使該絕緣膜成為金屬氧化物膜，由此，獲得由該金屬氧化物膜形成的增層絕緣層；以及
[0118](iv)エ序，對上述增層絕緣層實施鍍敷處理，由此，在上述開ロ部形成過孔，并且，在上述增層絕緣層上形成金屬層，對該金屬層實施蝕刻處理而形成增層布線圖案，
[0119](V)反復(fù)進(jìn)行至少一次以上的上述エ序⑴~(iv)。
[0120]第二實施方式:一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第一實施方式中，在500°C以下并且100°C以上的溫度下進(jìn)行上述エ序(iii)中的上述絕緣膜的上述熱處理。例如，優(yōu)選在400°C以下，更優(yōu)選300°C以下，例如在250°C以下的溫度下進(jìn)行絕緣膜的熱處理。通過ー個例子進(jìn)行說明的話，可以通過實施“燒制”，使絕緣膜成為金屬氧化物絕緣膜，由此，獲得增層絕緣膜。
[0121]第三實施方式:
[0122]一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第一實施方式或第二實施方式中上述エ序(iii)中的上述絕緣膜的上述熱處理是在真空下或是在惰性氣體氣氛下進(jìn)行的。
[0123]第四實施方式:
[0124]一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第一實施方式到第三實施方式的任意ー個中，在上述エ序(i)使用的上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料含有感光性溶膠-凝膠原料。
[0125]第五實施方式:一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第四實施方式中，在上述エ序(i)使用的上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料含有醇鹽化合物。
[0126]第六實施方式:一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第五實施方式中，在上述(iii)中，通過上述醇鹽化合物的水解反應(yīng)，由該醇鹽化合物獲得上述金屬氧化物膜。
[0127]第七實施方式:一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第一實施方式到第六實施方式的任意ー個中，在上述エ序(i)使用的上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料含有在無機網(wǎng)絡(luò)中含有有機官能基的雜化材料。
[0128]第八實施方式:一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第七實施方式中，上述雜化材料是含有有機官能基的硅氧烷低聚物。
[0129]第九實施方式:一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第一實施方式到第八實施方式的任意ー個中，在上述エ序(i)中，通過噴射法或狹縫涂敷法來進(jìn)行上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料的上述涂敷。這意味著:由干“感光性的金屬氧化物前驅(qū)體原料”具有糊劑樣式或液體樣式，因此，能夠通過噴射法或狹縫涂敷法來涂敷光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料。
[0130]第十實施方式:一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第一實施方式到第九實施方式的任意ー個中，上述電路基板由具有布線圖案的金屬箔或有機薄膜構(gòu)成，
[0131]在上述エ序(i)中，在上述電路基板的單面上涂敷上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料，
[0132]另外，在上述エ序(V)之后，除去上述金屬箔或上述有機薄膜。通過該第十實施方式的制造方法，能夠獲得沒有芯基板的增層基板。即，能夠獲得極薄的多層增層基板。
[0133]第十一實施方式:一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第一實施方式到第十實施方式的任意ー個中，作為代替上述エ序(iv)的エ序(iv)’，在上述增層絕緣層的表面上形成了抗蝕護(hù)膜之后，對該增層絕緣層以及該抗蝕護(hù)膜進(jìn)行整體上的鍍敷處理，最終除去該抗蝕護(hù)膜，由此，在該抗蝕護(hù)膜的非形成部分上設(shè)置上述過孔以及上述增層布線圖案。即，在本發(fā)明的制造方法中，過孔以及增層布線圖案也可以通過使用抗蝕護(hù)膜來形成。
[0134]第十二實施方式:一種增層基板的制造方法，其特征為，在上述第一實施方式到第i^ 一實施方式的任意ー個中，上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料含有由從Al203、Si02、MgO以及TiO2中選擇的材料構(gòu)成的粒子(粒徑:0.1 ii m~0.5 ii m)。
[0135]第十三實施方式:一種增層基板，在具有布線圖案的電路基板的兩面或單面上層疊增層絕緣層與增層布線圖案，上述增層絕緣層由金屬氧化物膜形成，該金屬氧化物膜由光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料形成。
[0136]第十四實施方式:一種增層基板，其特征為，在上述第十三實施方式中，上述增層絕緣層的上述金屬氧化物膜含有從氧化鋁、氧化硅以及氧化鎂中選擇的至少ー種金屬氧化物。
[0137]第十五實施方式:一種增層基板，其特征為，在上述第十三實施方式或第十四實施方式中，上述增層絕緣層具有Ium以上并且20 以下的厚度。即，本發(fā)明中的增層絕緣層能夠以厚度為例如I U m以上并且20 y m以下的非常薄的絕緣層形成。
[0138]第十六實施方式:一種增層基板，其特征為，在上述第十三實施方式到第十五實施方式的任意ー個中，上述電路基板的絕緣性基板部(絕緣部)由有機材料形成，在該電路基板上設(shè)置了貫通該絕緣性基板部(絕緣部)的至少ー個貫通通孔。
[0139]第十七實施方式:一種增層基板，其特征為，在上述第十六實施方式中，上述絕緣性基板部的上述有機材料構(gòu)成為含有從環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂以及聚酰亞胺樹脂中選擇的至少ー種。
[0140]第十八實施方式:一種增層基板，其特征為，在上述第十三實施方式到第十五實施方式的任意ー個中，上述電路基板的絕緣性基板部(絕緣部)由無機材料形成，并且在該電路基板上設(shè)置了貫通該絕緣性基板部(絕緣部)的至少ー個貫通通孔。
[0141]第十九實施方式:一種增層基板，其特征為，在上述第十八實施方式中，上述絕緣性基板部的上述無機材料構(gòu)成為含有從玻璃成分以及陶瓷成分中選擇的至少ー種。
[0142]第二十實施方式:一種增層基板，其特征為，在上述第十九實施方式中，上述玻璃成分是從硼硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃以及`鋁硼硅酸鹽玻璃中選擇的至少ー種玻璃成分。
[0143]第二十一實施方式:一種增層基板，其特征為，在上述第十九實施方式中，上述陶瓷成分成為從氧化鋁、莫來石以及氧化鋯中選擇的至少ー種陶瓷成分。
[0144]第二十二實施方式:一利增層基板，其特征為，在上述第十三實施方式到第二十一實施方式的任意ー個中，在上述增層基板上設(shè)置晶體管元件，上述增層絕緣層的上述金屬氧化物膜的至少一部分發(fā)揮柵極絕緣膜的作用，上述增層基板具有:
[0145]半導(dǎo)體膜，其在上述金屬氧化物膜上由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成；
[0146]源極電極?漏極電極，其由上述增層布線圖案的至少一部分構(gòu)成，并與上述半導(dǎo)體膜上相接；以及
[0147]柵極電極，其由位于上述柵極絕緣膜的“形成上述半導(dǎo)體膜的面的相反面一側(cè)”的上述增層布線圖案的至少一部分構(gòu)成。
[0148]第二十三實施方式:一種增層基板，其特征為，在上述第十三實施方式到第二十二實施方式的任意ー個中，上述增層絕緣層的上述金屬氧化物膜含有由從A1203、Si02、Mg0以及TiO2中選擇的材料構(gòu)成的粒子(粒徑:0.1 ii m~0.5 ii m)。
[0149]第二十四實施方式:一種半導(dǎo)體集成電路封裝件，其具有上述第十三實施方式到第二十三實施方式的任意ー個中的增層基板，且介由凸塊在上述增層絕緣層上的上述增層布線圖案上倒裝芯片式安裝了半導(dǎo)體裸芯片。
[0150]雖然以上對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但僅僅是對本發(fā)明的適用范圍中的典型的實施方式進(jìn)行了舉例說明。因此，本發(fā)明不局限于此，本發(fā)明能夠添加各種實施方式或者能夠用各種實施方式代替，這一點是本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易理解的。
[0151]最后，總結(jié)闡述本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)的效果。
[0152]?通過本發(fā)明所涉及的增層基板的制造方法，在成為芯的電路基板的兩面或單面上由感光性的金屬氧化物前驅(qū)體溶液形成絕緣膜，進(jìn)行過孔用開ロ部的加工，然后，利用燒制等的加熱處理獲得金屬氧化物絕緣膜，因此，能夠獲得薄的并且絕緣可靠性優(yōu)異的增層絕緣膜。
[0153]?涂敷感光性的金屬氧化物前驅(qū)體溶液，在干燥之后，能夠ー并進(jìn)行掩模曝光，再通過顯影處理一井進(jìn)行過孔用開ロ部的加工，因此，能夠以低價格大型基板的尺寸簡單容易地獲得過孔的位置精確度好、并且5~20 左右的小孔徑化過孔。而且，作為增層絕緣膜，能夠獲得致密的金屬氧化物絕緣膜，因此，不會產(chǎn)生有機物這樣的殘渣，不需要增層基板那樣的去膠渣處理。而且，涂敷金屬氧化物前驅(qū)體溶液的エ序能夠通過噴射法或狹縫涂敷法進(jìn)行，因此，能夠以大尺寸簡單容易地進(jìn)行均勻的制膜。
[0154]?根據(jù)本申請發(fā)明的制造方法，能夠優(yōu)選地在250°C以下的低溫下進(jìn)行金屬氧化物前驅(qū)體膜的燒制。因此，能夠自由地選擇各種芯用電路基板。作為本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)，層疊絕緣材料層與布線圖案層，絕緣材料層由將感光性的無機金屬氧化物前驅(qū)體膜燒制獲得的無機增層絕緣材料形成，因此，不但致密而且絕緣性以及絕緣可靠性優(yōu)異。如上所述，本發(fā)明所涉及的增層基板能夠?qū)?yīng)薄并且細(xì)微的布線圖案、并且具有高弾性率和高可靠性的絕緣膜。
[0155]?無機的增層絕緣層能夠通過燒制等的加熱處理由氧化鋁、氧化硅、氧化鎂等形成，因此，不僅絕緣可靠性優(yōu)異，而且具有高的熱傳導(dǎo)率，非常適合作為高集成半導(dǎo)體封裝件用的增層基板。另外，例如，在增層絕緣層由在無機網(wǎng)絡(luò)中以分子級別具有有機官能基的無機/有機雜化材料構(gòu)成的情況下，能夠很容易地賦予感光性等功能，具備作為無機材料的耐熱性以及與布線圖案的粘結(jié)性等優(yōu)勢，并且，能夠獲得容易的過孔加工性。另外，由于是金屬氧化物膜的增層絕緣 膜，因此，即使薄到I U m以上并且20 y m以下，也能夠獲得具有高弾性率與致密的絕緣膜的基板，實現(xiàn)了適用于移動等用途的薄型半導(dǎo)體封裝件。
[0156]?根據(jù)本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)，作為具有布線圖案的電路基板，能夠使用將有機材料作為絕緣材料的基板，因此，能夠發(fā)揮一定程度的彎曲性。由此，實現(xiàn)了具有高絕緣可靠性和柔軟性的增層基板。另ー方面，在具有布線圖案的電路基板是無機材料的玻璃基板的情況下，由于增層絕緣層以及布線圖案都由無機材料形成，因此，不僅作為基板的可靠性提高，而且由于熱膨脹系數(shù)也接近于硅半導(dǎo)體，因此，能夠獲得高的安裝可靠性。另外，如果電路基板的絕緣材料是陶瓷基板，則與玻璃基板相同，成為與硅半導(dǎo)體程度相同的熱膨脹系數(shù)，實現(xiàn)了具有高可靠性的增層基板，并且也實現(xiàn)了熱傳導(dǎo)率優(yōu)異的增層基板。
[0157]?通過本發(fā)明，能夠?qū)崿F(xiàn)包括很好地使用了由無機金屬氧化膜形成的絕緣材料層的晶體管元件的增層基板，提供了也包括有源元件在內(nèi)的多功能的增層基板。
[0158]?本發(fā)明也提供ー種在增層基板上介由凸塊將半導(dǎo)體裸芯片倒裝芯片式安裝的半導(dǎo)體集成電路封裝件，由于基板部分由無機金屬氧化物膜和布線圖案構(gòu)成，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)耐熱性和熱傳導(dǎo)率優(yōu)異、并且具有與半導(dǎo)體芯片的熱膨脹大致一致的高安裝可靠性的高集成的半導(dǎo)體封裝件。
[0159]?本發(fā)明所涉及的增層基板即使在大型的薄基板的情況下，也由于具有高彈性以及適度的熱膨脹系數(shù)，因此，能夠抑制增層基板的破損或裂痕等。如上所述，本發(fā)明的增層基板即使被設(shè)置得很薄并且大型化，也會抑制裂痕或翹曲等問題，因此，只要按照本發(fā)明，就能夠利用印刷基板的制造基礎(chǔ)設(shè)備很好地進(jìn)行增層基板的制造。
[0160]?而且，本發(fā)明的增層基板作為金屬氧化物的絕緣材料使用，因此，能夠選擇各種介電常數(shù)(舉出一個例子的話，e =2.5左右)。在選擇低介電常數(shù)材料的情況下，能夠成為高頻特性優(yōu)異的基板。
[0161]?如上所述，本發(fā)明具有現(xiàn)有技術(shù)中的增層基板不能獲得的特殊效果。即，本發(fā)明的無機類增層絕緣膜隨著細(xì)微的布線化以及薄型化的發(fā)展，作為絕緣材料的絕緣可靠性優(yōu)異，并且，能夠通過感光性和顯影、加熱處理一井形成過孔，因此，不需要激光加工法這種費用高昂的設(shè)備，不僅能夠?qū)崿F(xiàn)高的加工位置精確度，還能夠?qū)崿F(xiàn)過孔的合適的小孔徑化(舉出ー個例子的話，直徑大小為20 y m以下)。
[0162]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0163]本發(fā)明涉及的增層基板能夠很適合作為薄型的移動設(shè)備的基板或需要散熱性的高亮度LED用的基板使用，并且，也很適合作為高密度安裝了電子部件的電子設(shè)備的基板等使用。
[0164]特別是本發(fā)明所涉及的增層基板適合需要薄型以及高可靠性的設(shè)備，作為使用其的半導(dǎo)體封裝件用增層基板，具有散熱性、尺寸穩(wěn)定性以及高的可靠性。因此，本發(fā)明的增層基板作為計算機或安裝了服務(wù)器等的CPU半導(dǎo)體集成電路的半導(dǎo)體封裝件用基板也很有用。
[0165]參照 相關(guān)申請
[0166]本申請主張基于日本專利申請第2012-71996號(申請日:2012年3月27日，發(fā)明名稱“增層基板和其制造方法以及半導(dǎo)體集成電路封裝件”)的巴黎公約上的優(yōu)先權(quán)。根據(jù)該引用，該申請所公開的內(nèi)容都包括在本說明書中。
[0167]附圖標(biāo)記的說明
[0168]100、100’、100”、100”，增層基板
[0169]101絕緣性基板部
[0170]102過孔/孔/貫通通孔
[0171]103布線圖案
[0172]104 電路基板
[0173]105絕緣膜(金屬氧化物前驅(qū)體膜)
[0174]106增層絕緣膜(金屬氧化物的無機膜)
[0175]107過孔用開ロ部
[0176]108金屬層
[0177]109鍍敷填充過孔/孔
[0178]110增層布線圖案
[0179]201 基臺
[0180]202 基板
[0181]203 噴嘴
[0182]204存儲罐[0183]205金屬氧化物前驅(qū)體原料
[0184]206供給配管
[0185]207壓縮泵
[0186]208 配管
[0187]209 噴射噴霧
[0188]210通過噴射法形成的涂敷膜
[0189]301 基臺
[0190]302 基板
[0191]303狹縫涂敷機噴嘴
[0192]304 歧管
[0193]305 狹縫
[0194]306 存儲
[0195]307 配管
[0196]308 泵
[0197]310用狹縫涂敷法形成的涂敷膜
[0198]400、400’半導(dǎo)體集成電路封裝件(高集成半導(dǎo)體封裝件)
[0199]414、414’ 半導(dǎo)體芯片
[0200]415、415’ 焊錫凸塊
[0201]500離型載體
[0202]501布線圖案
[0203]601a?d增層絕緣層(無機金屬氧化物膜)
[0204]602 過孔 / 孔
[0205]603布線圖案
[0206]604a?c金屬氧化物半導(dǎo)體
[0207]605 a?c漏極電極
[0208]606 a?c源極電極
[0209]607 a?c柵極電極
[0210]608 電容器層
[0211]701絕緣性基板部
[0212]702 過孔
[0213]703布線圖案
[0214]704 電路基板
[0215]705絕緣膜(金屬氧化物前驅(qū)體膜)
[0216]706增層絕緣膜(無機金屬氧化物膜)
[0217]707過孔用開ロ部
[0218]708抗蝕護(hù)膜
[0219]710金屬層/增層布線圖案
[0220]711鍍敷填充過孔/孔
【權(quán)利要求】
1.一種增層基板的制造方法，上述增層基板是在電路基板上層疊有絕緣層和布線圖案層的增層基板， 上述制造方法包括: エ序i，對具有布線圖案的電路基板的兩面或單面涂敷光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料，對該光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料加以干燥處理而形成絕緣膜； エ序ii，對上述絕緣膜加以曝光以及顯影處理，由此，在該絕緣膜上形成過孔用開ロ部; エ序iii，對上述絕緣膜加以熱處理，使該絕緣膜成為金屬氧化物膜，由此，獲得由該金屬氧化物膜形成的增層絕緣層；以及 エ序iv，對上述增層絕緣層實施鍍敷處理，由此在上述開ロ部形成過孔，并且，在上述增層絕緣層上形成金屬層，對該金屬層實施蝕刻處理而形成增層布線圖案， 在エ序V中，反復(fù)進(jìn)行至少一次以上的上述エ序i~iv。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增層基板的制造方法，其特征為，在500°C以下并且100°C以上的溫度下進(jìn)行上述エ序iii中的上述絕緣膜的上述熱處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增層基板的制造方法，其特征為， 上述エ序iii中的上述絕緣膜的上述熱處理是在真空下或是在惰性氣體氣氛下進(jìn)行的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的 增層基板的制造方法，其特征為， 在上述エ序i中使用的上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料含有感光性溶膠-凝膠原料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的增層基板的制造方法，其特征為， 在上述エ序i中使用的上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料含有醇鹽化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的增層基板的制造方法，其特征為， 在上述エ序iii中，通過上述醇鹽化合物的水解反應(yīng)，由該醇鹽化合物獲得上述金屬氧化物膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增層基板的制造方法，其特征為， 在上述エ序i中使用的上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料含有在無機網(wǎng)絡(luò)中含有有機官能基的雜化材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的增層基板的制造方法，其特征為， 上述雜化材料是含有有機官能基的硅氧烷低聚物。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增層基板的制造方法，其特征為， 在上述エ序i中，通過噴射法或狹縫涂敷法來進(jìn)行上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料的上述涂敷。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增層基板的制造方法，其特征為， 上述電路基板由具有布線圖案的金屬箔或有機薄膜構(gòu)成， 在上述エ序i中，在上述電路基板的單面上涂敷上述光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料， 另外，在上述エ序V之后，除去上述金屬箔或上述有機薄膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增層基板的制造方法，其特征為，作為代替上述エ序iv的エ序iv’，在上述增層絕緣層的表面上形成了抗蝕護(hù)膜之后，對該增層絕緣層以及該抗蝕護(hù)膜實施整體上的鍍敷處理，最終除去該抗蝕護(hù)膜，由此，在該抗蝕護(hù)膜的非形成部分上設(shè)置上述過孔以及上述增層布線圖案。
12.—種增層基板， 在具有布線圖案的電路基板的兩面或單面上層疊有增層絕緣層和增層布線圖案， 上述增層絕緣層由金屬氧化物膜形成，該金屬氧化物膜由光反應(yīng)性的金屬氧化物前驅(qū)體原料形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的增層基板，其特征為， 上述增層絕緣層的上述金屬氧化物膜含有從氧化鋁、氧化硅以及氧化鎂中選擇的至少ー種金屬氧化物。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的增層基板，其特征為， 上述增層絕緣層具有I U m以上并且20 y m以下的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的增層基板，其特征為， 上述電路基板的絕緣性基板部由有機材料形成，在該電路基板上設(shè)置了貫通該絕緣性基板部的至少ー個貫通通孔。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的增層基板，其特征為， 上述絕緣性基板部的上述有機材料構(gòu)成為含有從環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂以及聚酰亞胺樹脂中選擇的至少ー種。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的增層基板，其特征為， 上述電路基板的絕緣性基板部由無機材料形成，并且在該電路基板上設(shè)置了貫通該絕緣性基板部的至少ー個貫通通孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的增層基板，其特征為， 上述絕緣性基板部的上述無機材料構(gòu)成為含有從玻璃成分以及陶瓷成分中選擇的至少ー種。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的增層基板，其特征為， 上述玻璃成分是從硼硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃以及鋁硼硅酸鹽玻璃中選擇的至少ー種玻璃成分。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的增層基板，其特征為， 上述陶瓷成分成為從氧化鋁、莫來石以及氧化鋯中選擇的至少ー種陶瓷成分。
21.根據(jù)權(quán)利要求12所述的增層基板，其特征為， 在上述增層基板上設(shè)置有晶體管元件， 上述增層絕緣層的上述金屬氧化物膜的至少一部分發(fā)揮柵極絕緣膜的作用， 上述增層基板具有: 半導(dǎo)體膜，其在上述金屬氧化物膜上由金屬氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成； 源極電極?漏極電極，其由上述增層布線圖案的至少一部分構(gòu)成，并與上述半導(dǎo)體膜上相接；以及 柵極電極，其由位于上述柵極絕緣膜的形成上述半導(dǎo)體膜的面的相反面ー側(cè)的上述增層布線圖案的至少一部分構(gòu)成。
22. —種半導(dǎo)體集成電路封裝件，具有權(quán)利要求12所述的增層基板， 上述半導(dǎo)體集成電路封裝件介由凸塊在上述增層絕緣層上的上述增層布線圖案上倒裝芯片式安裝了半導(dǎo)體裸芯片。
【文檔編號】H05K3/46GK103597916SQ201280025835
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月27日
【發(fā)明者】中谷誠一, 川北晃司, 澤田享, 山下嘉久 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社