有機el元件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種有機EL元件的制造方法，所述有機EL元件具有包括上部電極和下部電極的一對電極、以及設置在所述一對電極之間的有機功能層，所述制造方法中，使用磁控濺射法，以4.5W/cm2以上且9.0W/cm2以下的成膜功率密度，在有機功能層上形成上部電極。
【專利說明】有機EL元件的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及有機EL元件的制造技術，尤其涉及有機EL元件的電極形成技術。
【背景技術】
[0002]對于有機EL (電致發(fā)光)元件，通過在基板上按照下部電極、一層或多層有機功能層以及上部電極的順序進行成膜，從而制造有機EL元件。
[0003]在該有機EL元件的制造工序中，通過熱、等離子體等向靶材料提供能量，使構成靶材料的電極材料的粒子附著并堆積于成膜基底，由此形成電極。
[0004]由于通過熱、等離子體等向靶材料提供能量，因此在有機功能層上成膜上部電極的工序中，作為成膜基底的有機功能層有時會受到熱、等離子體等的影響而受到損傷。該有機功能層的損傷會導致有機EL元件的驅動電壓、元件壽命等特性下降。
[0005]因此，在上部電極的成膜工序中，擔心會由于對基底的有機功能層的損傷而引起有機EL元件的驅動電壓、元件壽命等特性下降，因而通常采用蒸鍍法、或者低能量工藝的濺射法(參考專利文獻1、專利文獻2)。例如在專利文獻2中，通過使成膜功率密度為IW/cm2的濺射法來成膜上部電極。
[0006]在先技術文獻
[0007]專利文獻1:日本特開2007-95338號公報
[0008]專利文獻2:日本特開2007-39712號公報

【發(fā)明內容】

[0009]發(fā)明要解決的問題
[0010]以往，通過蒸鍍法或者低能量工藝的濺射法，在有機功能層上成膜電極，由此來制造有機EL元件，但無法得到足夠的驅動電壓以及元件壽命的特性。
[0011]本發(fā)明是鑒于上述情形而完成的發(fā)明，目的在于提供一種能夠制造驅動電壓、元件壽命的特性優(yōu)異的有機EL元件的有機EL元件制造方法。
[0012]用于解決問題的手段
[0013]為了達成上述目的，作為本發(fā)明的一實施方式的有機EL元件的制造方法是具有包括上部電極和下部電極的一對電極、以及設置在所述一對電極之間的有機功能層的有機EL元件的制造方法，其特征在于，使用磁控濺射法，以4.5ff/cm2以上且9.0ff/cm2以下的成膜功率密度，在所述有機功能層上形成所述上部電極。
[0014]發(fā)明的效果
[0015]通過4.5ff/cm2以上且9.0ff/cm2以下的成膜功率密度的磁控濺射法，以高能量工藝在有機功能層上形成電極，因此能夠提高有機功能層和電極之間的密著性。由此，能夠制造驅動電壓、元件壽命的特性優(yōu)異的有機EL元件。
【專利附圖】

【附圖說明】[0016]圖1是表示有機EL元件100的結構的一例的剖視圖。
[0017]圖2是表示有機EL元件的制造工序的流程圖。
[0018]圖3是表示磁控濺射裝置300的結構的圖。
[0019]圖4是表示改變成膜方式而成膜的ITO膜的單膜評價結果的圖。
[0020]圖5是表示改變氛圍氣壓的成膜條件而成膜的ITO膜的單膜評價結果的圖。
[0021]圖6是表示改變成膜方式而成膜的ITO膜的透射率的測定結果的圖。
[0022]圖7是表示改變氛圍氣壓的成膜條件而成膜的ITO膜的透射率的測定結果的圖。
[0023]圖8是表示Alq3膜/ITO膜界面的XPS分析結果的圖。
[0024]圖9是表示等離子體特性的測定結果的圖。
[0025]圖10是表示通過對向靶式濺射法成膜的ITO膜的SEM照片的圖。
[0026]圖11是表示通過磁控濺射法成膜的ITO膜的SEM照片的圖。
[0027]圖12是表示ITO膜的結晶尺寸的測定結果的圖。
[0028]圖13是表示ITO膜的結晶的晶格常數的測定結果的圖。
[0029]圖14是表示在對有機EL元件施加了 5V電壓的情況下流動的電流的值的圖。
[0030]圖15是表示有機EL元件的電壓-電流密度特性的圖。
[0031]圖16是表示通過等離子體槍(plasma gun)蒸鍍法、或者磁控派射法在有機功能層上形成ITO膜而制造的有機EL元件的輝度(brightness)減半壽命的測定結果的圖。
[0032]圖17是表示通過對向靶式濺射法在有機功能層上形成ITO膜而制造的有機EL元件的輝度減半壽命的測定結果的圖。
[0033]圖18是表示通過磁控濺射法、對向靶式濺射法、或者等離子體槍蒸鍍法在有機功能層上形成ITO膜而制造的有機EL元件的輝度減半壽命的測定結果的圖。
[0034]標號說明
[0035]100有機EL元件；101陰極；102電子輸送層；103發(fā)光層；104空穴輸送層；105空穴注入層；106陽極；107基板；300磁控派射(magnetron sputtering)裝置；301派射室；302氣體供給系統(tǒng)；303排氣系統(tǒng)；304墊板(backing plate) ；305靶；306磁體；307基臺；308成膜基板；309電源。
【具體實施方式】
[0036]《本發(fā)明的一實施方式的概要》
[0037]作為本發(fā)明的一實施方式的有機EL元件的制造方法是具有包括上部電極和下部電極的一對電極、以及設置在所述一對電極之間的有機功能層的有機EL元件的制造方法，所述制造方法包括:使用磁控濺射法，以4.5ff/cm2以上且9.0ff/cm2以下的成膜功率密度，在所述有機功能層上形成所述上部電極的步驟。
[0038]另外，本發(fā)明的一實施方式涉及的有機EL元件的制造方法的特定方式中，使形成上部電極時的氛圍氣壓為0.4Pa以上且1.6Pa以下。
[0039]另外，本發(fā)明的一實施方式涉及的有機EL元件的制造方法的特定方式中，使形成上部電極時的每單位動態(tài)速率的離子電流密度為0.2mA/cm2以上且0.4mA/cm2以下。
[0040]另外，本發(fā)明的一實施方式涉及的有機EL元件的制造方法的特定方式中，使用透明導電材料形成所述上部電極。[0041]另外，本發(fā)明的一實施方式涉及的有機EL元件的制造方法的特定方式中，使用氧化銦錫形成所述上部電極。
[0042]另外，本發(fā)明的一實施方式涉及的有機EL元件的制造方法的特定方式中，所述上部電極為陰極，所述下部電極為陽極。
[0043]另外，本發(fā)明的一實施方式涉及的有機EL元件的制造方法的特定方式中，所述有機功能層由包括電子輸送層的多個層構成，在所述電子輸送層上形成所述陰極。
[0044]《實施方式》
[0045](實施方式I)
[0046][有機EL元件的結構]
[0047]首先，對實施方式I涉及的有機EL元件的結構進行說明。圖1是表示實施方式I涉及的有機EL元件100的結構的一例的剖視圖。如圖1所示，有機EL元件100具備陰極101、電子輸送層102、發(fā)光層103、空穴輸送層104、空穴注入層105、陽極106以及基板107。以下，對各結構進行說明。
[0048]〈陰極〉
[0049]陰極101具有將電子注入到電子輸送層102的功能。陰極101的材料可以使用ITO(氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、Ag (銀)、A1 (鋁)、銀鈀銅的合金、銀銣金的合金、MoCr (鑰和鉻的合金)、NiCr (鎳和鉻的合金)等。
[0050]在從陰極側取出光的頂部發(fā)射型有機EL元件中，使用ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)等光透射性材料。
[0051]在陰極101和電子輸送層102之間，也可以設置具有促進從陰極101向電子輸送層102注入電子的功能的電子注入層。
[0052]〈電子輸送層〉
[0053]電子輸送層102具有向發(fā)光層103輸送從陰極101注入的電子的功能。電子輸送層102的材料可以使用鋇、酞菁(phthalocyanine)、氟化鋰等。
[0054]〈發(fā)光層〉
[0055]發(fā)光層103是通過載流子(空穴和電子)的復合而進行發(fā)光的部位。發(fā)光層103的材料可以使用類喔星(oxino i d )化合物、花化合物、香豆素化合物等。
[0056]〈空穴輸送層〉
[0057]空穴輸送層104具有向發(fā)光層103輸送從陽極106注入的空穴的功能。空穴輸送層104的材料可以使用例如三唑衍生物、噁二唑衍生物等。
[0058]〈空穴注入層〉
[0059]空穴注入層105具有促進從陽極106向空穴輸送層104注入空穴的功能。空穴注入層105的材料可以使用例如MoOx (氧化鑰)、WOx (氧化鶴)或者MoxWyOz (鑰鶴氧化物)等的金屬氧化物、金屬氮化物或者金屬氧氮化物等。
[0060]〈陽極〉
[0061]陽極106具有將空穴注入到空穴注入層105的功能。陽極106的材料可以使用Ag(銀)、A1 (鋁)、銀鈀銅的合金、銀銣金的合金、MoCr (鑰和鉻的合金)、NiCr (鎳和鉻的合金)、ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)等。
[0062]在從基板側取出光的底部發(fā)射型有機EL元件中，使用ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)等的光透射性材料。
[0063]另外，在從陰極側取出光的頂部發(fā)射型有機EL元件中，使用光反射性材料。
[0064]在頂部發(fā)射型有機EL元件中，也可以在陽極106和基板107之間設置反射電極。
[0065]〈基板〉
[0066]基板107是成為有機EL元件的基材的部分。在基板107上依次層疊陽極、有機功能層以及陰極來制造有機EL元件?；?07的材料可以使用例如無堿玻璃、鈉玻璃、無熒光玻璃、磷酸系玻璃、硼酸系玻璃、石英、丙烯系樹脂、苯乙烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、環(huán)氧系樹脂、聚乙烯、聚酯、硅系樹脂、氧化鋁等的絕緣性材料。
[0067]〈其他〉
[0068]雖然在圖1中未進行圖示，但在陰極101上以抑制有機功能層接觸水分、空氣等而劣化為目的設置有封止層。在頂部發(fā)射型有機EL元件的情況下，封止層的材料可以使用例如SiN (氮化娃)、SiON (氮氧化娃)等光透射性材料。
[0069]以上，對實施方式I涉及的有機EL元件的結構進行了說明。
[0070][有機EL元件的制造方法]
[0071]接著，對實施方式I涉及的有機EL元件的制造方法進行說明。圖2是表示實施方式I涉及的有機EL元件的制造工序的流程圖。
[0072]如圖2所示，首先，準備成為有機EL元件的基材的基板107，在該基板107上形成陽極106。陽極106的形成使用蒸鍍法或者濺射法。
[0073]接著，在陽極106上形成多層有機功能層。
[0074]具體而言，首先，在陽極106上形成空穴注入層105。在形成空穴注入層105之后，在空穴注入層105上形成空穴輸送層104。在形成空穴輸送層104之后，在空穴輸送層104上形成發(fā)光層103。在形成發(fā)光層103之后,在發(fā)光層103上形成電子輸送層102。
[0075]在這些有機功能層的形成中，使用蒸鍍法或者通過噴墨裝置實現的涂敷法。
[0076]在形成有機功能層之后,在電子輸送層102上形成陰極101。對于陰極101的詳細的制造工序，將在后面進打敘述。
[0077]這樣，通過在基板107上依次層疊陽極、有機功能層以及陰極來制造有機EL元件。
[0078][陰極的詳細的制造工序]
[0079]接著，對陰極的詳細的制造工序進行說明。將陰極101使用磁控濺射法形成在電子輸送層102上。
[0080]圖3是表示磁控濺射裝置300的結構的圖。如圖3所示，磁控濺射裝置300構成為包括濺射室301、氣體供給系統(tǒng)302、排氣系統(tǒng)303、墊板304、靶305、磁體306、基臺307、成膜基板308以及電源309。
[0081]磁控濺射裝置300具有濺射室301，在該濺射室301內進行濺射。
[0082]在濺射室301連接有用于導入濺射氣體的氣體供給系統(tǒng)302以及用于將濺射室301內減壓至預定壓力的排氣系統(tǒng)303。濺射氣體可以使用Ar (氬)等惰性氣體。
[0083]在濺射室301內的基臺307上，設置成膜對象的成膜基板308，在濺射室301內的墊板304配置有成膜材料的板狀的靶305。另外，在靶305的背面配置有磁體306。
[0084]電源309對靶305施加電壓。在圖3示出的例子中，電源309為直流電源，但也可以是交流電源、或者直流/交流的混合電源。[0085]當通過排氣系統(tǒng)303對濺射室301內進行排氣、通過氣體供給系統(tǒng)302向濺射室301內導入濺射氣體、通過電源309向靶305施加電壓時，產生濺射氣體的等離子體，對靶305的表面進行濺射。
[0086]通過在靶305的背面配置磁體306，在靶305的表面產生平行的磁場。通過由在靶305的表面產生的磁場所引起的洛倫茲(Lorenz)力捕捉濺射氣體的離子碰撞靶表面而轟擊出的二次電子，使之進行擺線(cycloid)或者次擺線(trochoid)運動，由此能夠在革巴附近生成高密度等離子體。
[0087]在本實施例涉及的有機EL元件的制造方法中，將ITO (氧化銦錫)作為靶材料來使用，通過高能量工藝的磁控濺射法，在電子輸送層上形成透明陰極。更具體而言，通過4.5W/cm2以上且9.0W/cm2以下的成膜功率密度的磁控濺射法，形成透明陰極。在此，所謂的成膜功率密度是指每單位靶面積的成膜功率。
[0088]在以往的陰極成膜工序中，擔心由于基底的有機功能層的損傷而引起有機EL元件的驅動電壓、元件壽命等特性下降，采用了蒸鍍法或者低能量工藝的濺射法。
[0089]特別是，在需要將ITO (氧化銦錫)、ΙΖ0 (氧化銦鋅)等光透射性材料用于陰極的頂部發(fā)射型有機EL元件中，擔心由于基底的有機功能層的損傷而引起有機EL元件的驅動電壓、元件壽命等特性下降，避開了高能量工藝的濺射法。
[0090]但是，在通過以往的蒸鍍法或者低能量工藝的濺射法進行的成膜中，由于附著于基底的有機功能層的靶的原子或者分子的能量較低，所以上部電極和基底的有機功能層的密著性低。因此，有機功能層和電極之間的電子或者空穴的注入勢壘較大，所制造的有機EL元件無法得到足夠的驅動電壓和元件壽命的特性。
[0091]對此，發(fā)明人進行了由ITO成膜引起的對電子輸送層的損傷的評價等，考查了能夠通過提高ITO電極和電子輸送層的密著性來彌補(cover)由于通過高能量工藝的濺射法進行ITO成膜所引起的對電子輸送層的損傷的可能性。
[0092]其結果，發(fā)現了:通過使用向基板入射的離子量大的磁控濺射法，以高能量工藝進行ITO的成膜，能夠提高有機功能層和陰極的密著性，能夠制造從陰極向有機功能層的電子注入性優(yōu)異的高效率、高壽命的有機EL元件。
[0093]以下，參照發(fā)明人進行的實驗的結果，進一步詳細地說明本實施方式涉及的有機EL元件的制造方法。
[0094]首先，通過等離子體槍蒸鍍、磁控濺射法以及對向靶式濺射法的成膜方式，在電子輸送層上形成ITO膜，進行了該ITO膜的單膜評價。具體而言，對晶粒(grain)的粒徑尺寸、ITO膜的功函數以及ITO膜的薄膜電阻(表面電阻)進行了評價。
[0095]在此，等離子槍蒸鍍是通過用等離子體槍對蒸鍍材料進行加熱并使之蒸發(fā)來生成薄膜的方法。另外，對向靶式濺射法是如下方法:通過在面對面平行配置的兩塊靶的背面配置磁體，從而在靶間施加垂直的磁場而進行濺射。
[0096]在磁控濺射法中，濺射法的成膜功率為5.4kff,在對向靶式濺射法中，濺射法的成膜功率為2.5kW。當轉換為每單位靶面積的成膜功率即成膜功率密度時，則為9.0W/cm2。
[0097]另外，磁控濺射法和對向靶式濺射法時的氛圍(環(huán)境)氣壓為0.6Pa，等離子體蒸鍍時的氛圍氣壓為0.7Pa。
[0098]圖4是表示改變成膜方式而成膜的ITO膜的單膜評價結果的圖。圖4的(a)表示通過掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)的觀察得到的晶粒的粒徑尺寸，圖4的(b)表示ITO膜的功函數，圖4的(c)表示ITO膜的薄膜電阻。
[0099]參照圖4的(a)，通過磁控濺射法進行的ITO成膜中的晶粒的粒徑尺寸與通過對向靶式濺射法進行的ITO成膜中的晶粒的粒徑尺寸是同等的。通過等離子體槍蒸鍍進行的ITO成膜中的晶粒的粒徑尺寸比通過磁控濺射法和對向靶式濺射法進行的ITO成膜中的晶粒的粒徑尺寸小。
[0100]參照圖4的(b)，通過等離子體槍蒸鍍獲得的ITO膜的功函數、通過磁控濺射法獲得的ITO膜的功函數以及通過對靶式濺射法獲得的ITO膜的功函數是同等的。
[0101]參照圖4的(C)，薄膜電阻與晶粒的粒徑尺寸的大小成比例地上升。
[0102]這樣，針對晶粒的粒徑尺寸、ITO膜的功函數、ITO膜的薄膜電阻，進行了 ITO膜的單膜評價，但關于ITO膜的功函數，未發(fā)現由成膜方式引起的明確的差異。
[0103]另外，在磁控濺射法中，改變氛圍氣壓的成膜條件，在電子輸送層上形成ITO膜，進行了該ITO膜的單膜評價。圖5是表示改變氛圍氣壓的成膜條件而成膜的ITO膜的單膜評價結果的圖。圖5的(a)表示由SEM的觀察得到的晶粒的粒徑尺寸，圖5的(b)表示ITO膜的功函數，圖5的(c)表不ITO膜的薄膜電阻。在此,對于氛圍氣壓為0.6Pa、l.0Pa、l.4Pa的情況，進行了 ITO膜的單膜評價。
[0104]參照圖5的(a)，ITO成膜中的晶粒的粒徑尺寸與氛圍氣壓成比例地增大。
[0105]參照圖5的(b)，氛圍氣壓為0.6Pa、l.0PaU.4Pa的情況下的ITO膜的功函數是同等的。
[0106]參照圖5的(C)，薄膜電阻與晶粒的粒徑尺寸的大小成比例地上升。
[0107]這樣，針對晶粒的粒徑尺寸、ITO膜的功函數以及ITO膜的薄膜電阻，進行了改變氛圍氣壓的成膜條件而通過磁控濺射法成膜的ITO膜的單膜評價，但對于ITO膜的功函數，未發(fā)現由氛圍氣壓的成膜條件引起的明確的差異。
[0108]另外，對于在圖4和圖5所示的成膜方式、成膜條件下形成的ITO膜，進行了透射率的測定。
[0109]圖6是表示改變成膜方式而成膜的ITO膜的透射率的測定結果的圖。圖6的(a)表不波長450nm的光的透射率，圖6的(b)表不波長550nm的光的透射率，圖6的(c)表不波長650nm的光的透射率。等離子體槍蒸鍍、磁控濺射成膜以及對向靶式濺射成膜的各成膜方式的成膜條件與圖4所示的條件相同。
[0110]參照圖6的(a)?(C)，無論是哪個波長，通過各成膜方式獲得的ITO膜的透射率都是同等的。
[0111]另外，圖7是表示改變氛圍氣壓的成膜條件而成膜的ITO膜的透射率的測定結果的圖。圖7的(a)表示波長450nm的光的透射率，圖7的(b)表示波長550nm的光的透射率，圖7的(c)表示波長650nm的光的透射率。在此，在與圖5所示的成膜條件同樣地，對于磁控濺射成膜時的氛圍氣壓為0.6Pa、l.0PaU.4Pa的情況，測定了 ITO膜的透射率。
[0112]參照圖7的(a)?(C)，無論是哪個波長，在各氛圍氣壓的成膜條件下獲得的ITO膜的透射率都是同等的。
[0113]另外，通過X 射線光電子分光(X-ray Photoelectron Spectroscopy:XPS),評價了由ITO成膜引起的對基底的有機功能層的損傷。具體而言，為了評價對有機功能層的損傷，通過蒸鍍法在玻璃基板上形成5nm的Alq3 (三(8_羥基喹啉)鋁)膜，進一步，通過等離子體槍蒸鍍、磁控濺射以及對向靶式濺射的各種成膜方式，在其上形成了 35nm的ITO(氧化銦錫)膜。然后，從玻璃基板剝離Alq3膜，進行了 Alq3膜/ITO膜界面的XPS分析。另外，對于通過蒸鍍在Alq3膜上形成了 120nm的Al (鋁)膜的情況，也同樣進行了 Alq3膜/Al膜界面的XPS分析。另外，為了比較，對于不進行ITO成膜的Alq3膜，也進行了 XPS分析。此外，Alq3 一般作為有機EL元件的電子輸送層的材料來使用。
[0114]圖8是表示Alq3膜/ITO膜界面的XPS分析的結果的圖。圖8的(a)表示Cls譜的比較結果。另外，圖8的(b)是放大表示圖8的(a)所示的Cls譜的比較結果的圖。
[0115]參照圖8 的(a)、(b),在結合能(Binding Energy) 288ev ~290ev 附近,在 ITO 的等離子體槍蒸鍍、磁控濺射以及對向靶式濺射的各成膜方式中，確認到了同等的譜峰值的減少。對于該譜峰值的減少，可以認為是由ITO膜的成膜工序中對Alq3膜的損傷引起的，但無法明確地確認到由ITO膜的成膜方式的不同引起的譜的差異。
[0116]另外,通過進行各譜的峰值擬合(peak fitting),算出了形成的薄膜的成分的構成比例。樣品為:(I)通過等離子體槍蒸鍍在Alq3膜上形成了 2nm的ITO膜的樣品；(2)通過磁控濺射法在Alq3膜上形成了 2nm的ITO膜的樣品；(3)通過對向靶式濺射法在Alq3膜上形成了 2nm的ITO膜的樣品；(4)通過蒸鍍在Alq3膜上成膜了 2nm的Al (鋁)的樣品；
(5)在Alq3膜上不形成ITO膜的樣品。其結果如下所示。
[0117][表1]
樣品C N O Al Si In Sn
Alq3 ITO 蒸鍍 2nm 48 2 30 - - 18 2
Alc|3 ITO 磁控鐵射 2ιιιη 47 2 29 - -1i I
[0118]AJq3 ITO 對向靶_籍 2ιιιβ 43 2 31 - - 17 6`
ΑΙ<|3 Al 蒸後 2ηιιι 46 2 35 18 - - -
AIq3 無 ITO linn 35 2 50 3 IO --



(原子( JUOiIl'1;.))
[0119]參照上述表1，在ITO膜的成膜方式之間，無法確認到明確的原子的構成比例的差
巳
[0120]發(fā)明人在以上的圖4~圖8、表1所示的ITO膜以及有機功能層的膜評價中，著眼于了在各成膜方式、各成膜條件之間沒有看到明確的差異這一點。并且，對通過高能量工藝的濺射法進行ITO成膜來提高ITO層和有機功能層的密著性、從而能夠制造驅動電壓、元件壽命等特性優(yōu)異的有機EL元件的可能性進行了考慮，所述高能量工藝的濺射法是擔心會由基底的有機功能層的損傷引起有機EL元件的驅動電壓、元件壽命等特性下降而以往以來一直避開的方法。
[0121]在此，在一般的ITO成膜中，使用磁控濺射或者對向靶式濺射。于是，研究了通過磁控濺射或者對向靶式濺射的某種濺射法在有機功能層上成膜電極是否合適。
[0122]首先，通過基于探針法的等離子體診斷測定了磁控濺射法、對向靶式濺射法中的表示向成膜基板的濺射氣體的離子照射量的離子電流、和濺射氣體的離子能量。在此，所謂的基于探針法的等離子體診斷是指將針狀的電極(探針)插入等離子體、通過測定在探針中流動的電流來測定等離子體特性的方法。
[0123]圖9是表示等離子體特性的測定結果的圖。另外，在下述表中詳細地示出了該等離子體特性的測定結果。
[0124][表2]
【權利要求】
1.一種有機EL元件的制造方法，所述有機EL元件具有包括上部電極和下部電極的一對電極、以及設置在所述一對電極之間的有機功能層，所述制造方法包括: 使用磁控濺射法，以4.5ff/cm2以上且9.0ff/cm2以下的成膜功率密度，在所述有機功能層上形成所述上部電極的步驟。
2.根據權利要求1所述的有機EL元件的制造方法， 使形成上部電極時的氛圍氣壓為0.4Pa以上且1.6Pa以下。
3.根據權利要求1所述的有機EL元件的制造方法， 使形成上部電極時的每單位動態(tài)速率的離子電流密度為0.2mA/cm2以上且0.4mA/cm2以下。
4.根據權利要求1所述的有機EL元件的制造方法， 使用透明導電材料形成所述上部電極。
5.根據權利要求1所述的有機EL元件的制造方法， 使用氧化銦錫形成所述上部電極。
6.根據權利要求1所述的有機EL元件的制造方法， 所述上部電極為陰極， 所述下部電極為陽極。
7.根據權利要求6所述的有機EL元件的制造方法， 所述有機功能層由包括電子輸送層的多個層構成， 在所述電子輸送層上形成所述陰極。
【文檔編號】H05B33/10GK103503566SQ201280017672
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2012年11月6日 優(yōu)先權日:2011年12月28日
【發(fā)明者】青沼昌樹 申請人:松下電器產業(yè)株式會社