專利名稱：YVO₄晶體生長的保溫裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
YVO4晶體生長的保溫裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型具體涉及一種YVO4晶體生長的保溫裝置。
背景技術(shù)：
目前YVO4晶體生長的坩堝周圍使用的保溫層一般為氧化鋯層，而氧化鋯有三種晶體形態(tài):單斜、四方、立方晶相。常溫下氧化鋯只以單斜相出現(xiàn)，加熱到1100°c左右轉(zhuǎn)變?yōu)樗姆较啵訜岬礁邷囟葧D(zhuǎn)化為立方相。由于在單斜相向四方相轉(zhuǎn)變的時候會產(chǎn)生較大的體積變化，冷卻的時候又會向相反的方向發(fā)生較大的體積變化。YVO4晶體的熔點是1810°C，晶體生長時坩堝周圍的溫度接近于1900°C，每次YVO4均要在高溫熔點附近進行晶體生長，生長結(jié)束后再退火到室溫。一次裝置可以重復(fù)使用多次，生長出多根晶體，需要多次穿越氧化鋯相變點，坩堝周圍的保溫層氧化鋯層會反復(fù)地進行相變，由于相變時體積會有相應(yīng)的變化，導(dǎo)致坩堝周圍的保溫層結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定，會一直在改變，甚至出現(xiàn)空洞層，嚴重影響到晶體生長溫場的穩(wěn)定，進而影響到生長的晶體質(zhì)量。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于提供一種YVO4晶體生長的保溫裝置，保溫層結(jié)構(gòu)能夠保持穩(wěn)定，使晶體生長溫場更穩(wěn)定，從而有利于提高晶體質(zhì)量。本實用新型是通過以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問題的:一種YVO^e0體生長的保溫裝置，包括一石英圓筒、一支撐筒、一三氧化二鋁托盤、一銥坩堝、一鈣穩(wěn)定ZrO2顆粒層和一熱電偶；所述石英圓筒位于支撐筒的上方；所述三氧化二鋁托盤設(shè)于石英圓筒和支撐筒之間；所述銥坩堝設(shè)于石英圓筒內(nèi)部， 且該銥坩堝的外側(cè)壁與石英圓筒內(nèi)壁之間設(shè)有一三氧化二鋁墊圈；所述鈣穩(wěn)定ZrO2顆粒層設(shè)于石英圓筒內(nèi)部，并位于銥坩堝和三氧化二鋁托盤之間；所述熱電偶穿過三氧化二鋁托盤，且該熱電偶的測量端鄰近所述銥坩堝。本實用新型的有益效果在于:保溫層結(jié)構(gòu)能夠保持穩(wěn)定，使晶體生長溫場更穩(wěn)定，從而有利于提聞晶體質(zhì)量。

下面參照附圖結(jié)合實施例對本實用新型作進一步的描述。圖1為本實用新型YVO4晶體生長的保溫裝置的縱剖視圖。
具體實施方式請參閱圖1，一種YVO4晶體生長的保溫裝置，包括一石英圓筒5、一支撐筒7、一三氧化二鋁托盤6、一銥坩堝2、一鈣穩(wěn)定ZrO2顆粒層3和一熱電偶4 ;所述石英圓筒5位于支撐筒7的上方；所述三氧化二鋁托盤6設(shè)于石英圓筒5和支撐筒7之間；所述銥坩堝2設(shè)于石英圓筒5內(nèi)部，且該銥坩堝2的外側(cè)壁與石英圓筒5內(nèi)壁之間設(shè)有一三氧化二鋁墊圈I ;所述鈣穩(wěn)定Zr02顆粒層3設(shè)于石英圓筒5內(nèi)部，并位于銥坩堝2和三氧化二鋁托盤6之間；所述熱電偶4穿過三氧化二鋁托盤6，且該熱電偶4的測量端鄰近所述銥坩堝2。本實用新型的保溫層采用鈣穩(wěn)定ZrO2顆粒層3，而鈣穩(wěn)定氧化鋯的晶體形態(tài)為四方相，可以在常溫下穩(wěn)定，在YVO4晶體生長過程中，保溫層鈣穩(wěn)定Zr02顆粒層3不會產(chǎn)生因相變而引起體積變化的問題，因而本實用新型的保溫層結(jié)構(gòu)能夠保持穩(wěn)定，使晶體生長溫場更穩(wěn)定，從而有利于提高晶體質(zhì)量。雖然以上描述了本實用新型的具體實施方式
，但是熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當理解，我們所描述的具體的實施例只是說明性的，而不是用于對本實用新型的范圍的限定，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在依照本實用新型的精神所作的等效的修飾以及變化，都應(yīng)當涵蓋在本實用新型的權(quán)利要求所保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種YVO4晶體生長的保溫裝置，其特征在于:包括一石英圓筒、一支撐筒、一三氧化二鋁托盤、一銥坩堝、一鈣穩(wěn)定ZrO2顆粒層和一熱電偶；所述石英圓筒位于支撐筒的上方；所述三氧化二鋁托盤設(shè)于石英圓筒和支撐筒之間；所述銥坩堝設(shè)于石英圓筒內(nèi)部，且該銥坩堝的外側(cè)壁與石英圓筒內(nèi)壁之間設(shè)有一三氧化二鋁墊圈；所述鈣穩(wěn)定ZrO2顆粒層設(shè)于石英圓筒內(nèi)部，并位于銥坩堝和三氧化二鋁托盤之間；所述熱電偶穿過三氧化二鋁托盤，且該熱電偶的測量端鄰近所述銥坩堝。
專利摘要本實用新型提供了一種YVO4晶體生長的保溫裝置，包括一石英圓筒、一支撐筒、一三氧化二鋁托盤、一銥坩堝、一鈣穩(wěn)定ZrO2顆粒層和一熱電偶；所述石英圓筒位于支撐筒的上方；所述三氧化二鋁托盤設(shè)于石英圓筒和支撐筒之間；所述銥坩堝設(shè)于石英圓筒內(nèi)部，且該銥坩堝的外側(cè)壁與石英圓筒內(nèi)壁之間設(shè)有一三氧化二鋁墊圈；所述鈣穩(wěn)定ZrO2顆粒層設(shè)于石英圓筒內(nèi)部，并位于銥坩堝和三氧化二鋁托盤之間；所述熱電偶穿過三氧化二鋁托盤，且該熱電偶的測量端鄰近所述銥坩堝。本實用新型的保溫層結(jié)構(gòu)能夠保持穩(wěn)定，使晶體生長溫場更穩(wěn)定，從而有利于提高晶體質(zhì)量。
文檔編號C30B29/30GK202945378SQ201220602128
公開日2013年5月22日 申請日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月14日
發(fā)明者鄭祖镃 申請人:福建華科光電有限公司