專利名稱：微波爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種微波爐。
技術(shù)背景 現(xiàn)有的微波爐一般包括高壓變壓器、高壓電容、高壓ニ極管和磁控管，高壓變壓器又包括初級(jí)繞組、次級(jí)繞組、燈絲繞組和變壓器骨架四部分，高壓變壓器的次級(jí)輸出2000VAC左右的電壓，次級(jí)繞組、高壓電容和高壓ニ極管組成半波倍壓電路來驅(qū)動(dòng)磁控管エ作，由于高壓變壓器在工作過程中有半波給電容充電，有半波進(jìn)行電壓疊加來驅(qū)動(dòng)磁控管，因此高壓變壓器的功率在ー個(gè)周期內(nèi)不均等，導(dǎo)致高壓變壓器發(fā)熱嚴(yán)重效率低下。
發(fā)明內(nèi)容因此，本實(shí)用新型的目的在于提供一種新的輸出功率高效的微波爐。上述目的采用下述技術(shù)方案給予實(shí)現(xiàn)。ー種微波爐，包括磁控管和高壓變壓器，高壓變壓器又包括骨架、燈絲繞組、初級(jí)繞組和次級(jí)繞組，燈絲繞組和磁控管陰極連接組成加熱回路，磁控管陽(yáng)極接地，所述磁控管陽(yáng)極和加熱回路之間連接有兩個(gè)異相工作的半波倍壓電路，分別為第一半波倍壓電路和第ニ半波倍壓電路；第一半波倍壓電路通過第一通斷控制器與磁控管陽(yáng)極連接，第一通斷控制器的輸入端與第一半波倍壓電路中的第一高壓ニ極管輸出端連接，第一半波倍壓電路通過第三通斷控制器與加熱回路連接，第三通斷控制器的輸出端與第一高壓ニ極管的輸入端連接；第二半波倍壓電路通過第二通斷控制器與磁控管陽(yáng)極連接，第二通斷控制器的輸入端與第二半波倍壓電路中的第二高壓ニ極管輸出端連接，第二半波倍壓電路通過第四通斷控制器與加熱回路連接，第四通斷控制器的輸出端與第二高壓ニ極管的輸入端連接。本技術(shù)方案還可以做以下改進(jìn)。所述第一半波倍壓電路由次級(jí)繞組同相端、第一高壓電容、第一高壓ニ極管和次級(jí)繞組反相端順序串聯(lián)組成；所述第二半波倍壓電路由次級(jí)繞組反相端、第二高壓電容、第二高壓ニ極管和次級(jí)繞組同相端順序串聯(lián)組成。所述第一半波倍壓電路由次級(jí)繞組同相端、第一高壓ニ極管、第一高壓電容和次級(jí)繞組反相端順序串聯(lián)組成；所述第二半波倍壓電路由次級(jí)繞組反相端、第二高壓ニ極管、第二高壓電容和次級(jí)繞組同相端順序串聯(lián)組成。所述第一通斷控制器、第二通斷控制器為高壓ニ極管，高壓ニ極管的輸入端設(shè)有高壓保險(xiǎn)組件，第三通斷控制器、第四通斷控制器為可控硅。所述第一通斷控制器、第二通斷控制器為可控硅，可控硅的輸入端設(shè)有高壓保險(xiǎn)組件，第三通斷控制器、第四通斷控制器為可控硅。[0015]本實(shí)用新型設(shè)計(jì)合理，能夠盡量利用一個(gè)次級(jí)繞組組成兩個(gè)異相工作半波倍壓電路，使得高壓變壓器的正負(fù)半波輸出功率大致相等，從而降低高壓變壓器的溫升，提高效率，并且本專利所說的微波爐既包括エ頻微波爐也包括變頻微波爐。

圖I為實(shí)施例I的微波爐高壓部分原理圖。圖2為實(shí)施例2的微波爐高壓部分原理圖。圖3為實(shí)施例3的微波爐高壓部分原理圖。圖4為實(shí)施例4的微波爐高壓部分原理圖。圖5為實(shí)施例5的微波爐高壓部分原理圖?！0021]圖6為實(shí)施例6的微波爐高壓部分原理圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步詳述。實(shí)施例1，結(jié)合圖1，ー種微波爐，包括高壓變壓器I和磁控管7，高壓變壓器I又包括骨架2、初級(jí)繞組3、次級(jí)繞組4和燈絲繞組5，燈絲繞組5與磁控管7陰極連接組成加熱回路，磁控管陽(yáng)極接地。次級(jí)繞組4同相端、高壓保險(xiǎn)絲6和高壓ニ極管9順序串聯(lián)，其中高壓ニ極管9的輸出端接磁控管7陽(yáng)極，次級(jí)繞組4的反相端通過高壓ニ極管8與磁控管7陽(yáng)極連接，且高壓ニ極管8的輸出端接磁控管陽(yáng)極。次級(jí)繞組4同相端、第一高壓電容14、第一高壓ニ極管15、次級(jí)繞組4反相端構(gòu)成第一半波倍壓電路，第一半波倍壓電路通過可控硅11與加熱回路連接，可控硅11的輸出端連接第一高壓ニ極管15的輸入端，第一半波倍壓電路通過高壓ニ極管8與磁控管陽(yáng)極連接，高壓ニ極管8的輸入端與第一高壓ニ極管15的輸出端連接。次級(jí)繞組4反相端、第二高壓電容12、第二高壓ニ極管13和次級(jí)繞組4同相端組成第二半波倍壓電路，第二半波倍壓電路通過可控硅10與加熱回路連接，可控硅10輸出端連接第二高壓ニ極管13的輸入端，第二半波倍壓電路通過高壓ニ極管9與磁控管陽(yáng)極連接，高壓ニ極管9的輸入端通過高壓保險(xiǎn)絲6與第二高壓ニ極管13的輸出端連接。在兩個(gè)半波電路中，當(dāng)次級(jí)繞組4的同相端輸出為正時(shí)，第一半波倍壓電路對(duì)第一高壓電容14充電，第二半波倍壓電路中的第二高壓電容12就疊加次級(jí)繞組4來對(duì)磁控管供電，此時(shí)擔(dān)當(dāng)通斷控制器角色的可控硅10要觸發(fā)導(dǎo)通，可控硅11要截?cái)?，并且高壓ニ極管9正常工作，高壓ニ極管8反相截止。所以在每個(gè)半波中高壓變壓器I都輸出同樣的功率。實(shí)施例2，結(jié)合圖2，實(shí)施例2與實(shí)施例I的區(qū)別在于可控硅11由可控硅16、17串聯(lián)組成，同樣的情況可以出現(xiàn)在其它的高壓ニ極管、高壓電容或可控硅上，在此不再?gòu)?fù)述。實(shí)施例3，結(jié)合圖3，實(shí)施例3與實(shí)施例I的區(qū)別在于在可控硅11由其它具有開關(guān)特性的器件18取代，同樣的情況可以出現(xiàn)在其它的高壓ニ極管或可控硅上，在此不再?gòu)?fù)述。實(shí)施例4，結(jié)合圖4，實(shí)施例4與實(shí)施例I的區(qū)別在于高壓ニ極管9用可控硅19取代，同樣的情況也可以出現(xiàn)在高壓ニ極管8上，在此不再?gòu)?fù)述。實(shí)施例5，結(jié)合圖5，實(shí)施例5與實(shí)施例I的區(qū)別在于取消高壓保險(xiǎn)絲6，可控硅10、11分別用高壓ニ極管19、20取代，高壓ニ極管8、9分別用可控硅21、22代替?？煽毓?1的輸入端連接在第二高壓電容12正極端和第二高壓ニ極 管13的輸出端之間?？煽毓?2的的輸入端連接在第一高壓電容14正極端和第一高壓ニ極管15的輸出端之間。第一半波倍壓電路由次級(jí)繞組4同相端、第一高壓ニ極管15、第一高壓電容14和次級(jí)繞組4反相端串聯(lián)組成，第二半波倍壓電路由次級(jí)繞組4反相端、第二高壓ニ極管13、第二高壓電容12和次級(jí)繞組4同相端串聯(lián)組成，可控硅21連接在第二高壓ニ極管13的輸出端和磁控管陽(yáng)極之間，可控硅22連接在第一高壓ニ極管15的輸出端和磁控管陽(yáng)極之間，高壓ニ極管19接在第二高壓ニ極管13的輸入端和加熱回路之間，高壓ニ極管20接在第一高壓ニ極管15的輸入端和加熱回路之間。實(shí)施例6，結(jié)合圖6，實(shí)施例6與實(shí)施例5的區(qū)別在于第一半波倍壓電路由次級(jí)繞組4反相端、第一高壓電容14、第一高壓ニ極管15和次級(jí)繞組4的同相端順序串聯(lián)組成，高壓ニ極管25的輸入端與第一高壓ニ極管15的輸出端連接，高壓ニ極管25的輸出端接磁控管7陽(yáng)極，第一半波倍壓電路通過可控硅26與加熱回路連接，可控硅26的輸出端接第一高壓ニ極管15的輸入端；第二半波倍壓電路由次級(jí)繞組4同相端、第二高壓ニ極管13、第二高壓電容12和次級(jí)繞組4反相端順序串聯(lián)組成，第二半波倍壓電路通過可控硅23與磁控管7陽(yáng)極連接，可控硅23的輸入端與第二高壓ニ極管13的輸出端連接，第二半波倍壓電路通過高壓ニ極管24與加熱回路連接，高壓ニ極管24的輸出端接第二高壓ニ極管13的輸入端。上述實(shí)施例中的高壓ニ極管可換成可控硅，或換成其它具有通斷特性的器件。
權(quán)利要求1.ー種微波爐，包括磁控管和高壓變壓器，高壓變壓器又包括骨架、燈絲繞組、初級(jí)繞組和次級(jí)繞組，燈絲繞組和磁控管陰極連接組成加熱回路，磁控管陽(yáng)極接地，其特征在于所述磁控管陽(yáng)極和加熱回路之間連接有兩個(gè)異相工作的半波倍壓電路，分別為第一半波倍壓電路和第二半波倍壓電路； 第一半波倍壓電路通過第一通斷控制器與磁控管陽(yáng)極連接，第一通斷控制器的輸入端與第一半波倍壓電路中的第一高壓ニ極管輸出端連接，第一半波倍壓電路通過第三通斷控制器與加熱回路連接，第三通斷控制器的輸出端與第一高壓ニ極管的輸入端連接； 第二半波倍壓電路通過第二通斷控制器與磁控管陽(yáng)極連接，第二通斷控制器的輸入端與第二半波倍壓電路中的第二高壓ニ極管輸出端連接，第二半波倍壓電路通過第四通斷控制器與加熱回路連接，第四通斷控制器的輸出端與第二高壓ニ極管的輸入端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述微波爐，其特征在于所述第一半波倍壓電路由次級(jí)繞組同相端、第一高壓電容、第一高壓ニ極管和次級(jí)繞組反相端順序串聯(lián)組成； 所述第二半波倍壓電路由次級(jí)繞組反相端、第二高壓電容、第二高壓ニ極管和次級(jí)繞組同相端順序串聯(lián)組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述微波爐，其特征在于所述第一半波倍壓電路由次級(jí)繞組同相端、第一高壓ニ極管、第一高壓電容和次級(jí)繞組反相端順序串聯(lián)組成； 所述第二半波倍壓電路由次級(jí)繞組反相端、第二高壓ニ極管、第二高壓電容和次級(jí)繞組同相端順序串聯(lián)組成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述微波爐，其特征在于所述第一通斷控制器、第二通斷控制器為高壓ニ極管，高壓ニ極管的輸入端設(shè)有高壓保險(xiǎn)組件，第三通斷控制器、第四通斷控制器為可控硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2或3所述微波爐，其特征在于所述第一通斷控制器、第二通斷控制器為可控硅，可控硅的輸入端設(shè)有高壓保險(xiǎn)組件，第三通斷控制器、第四通斷控制器為可控硅。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種微波爐。它包括磁控管和高壓變壓器，高壓變壓器又包括骨架、燈絲繞組、初級(jí)繞組和次級(jí)繞組，燈絲繞組和磁控管陰極連接組成加熱回路，磁控管陽(yáng)極接地，所述磁控管陽(yáng)極和加熱回路之間連接有兩個(gè)異相工作的半波倍壓電路，第一半波倍壓電路通過第一通斷控制器與磁控管陽(yáng)極連接，第一通斷控制器的輸入端與第一半波倍壓電路中的第一高壓二極管輸出端連接，第一半波倍壓電路通過第三通斷控制器與加熱回路連接，第三通斷控制器的輸出端與第一高壓二極管的輸入端連接。本實(shí)用新型設(shè)計(jì)合理，能夠盡量利用一個(gè)次級(jí)繞組組成兩個(gè)異相工作半波倍壓電路，使得高壓變壓器的正負(fù)半波輸出功率大致相等，從而降低高壓變壓器的溫升，提高效率。
文檔編號(hào)H05B6/66GK202634743SQ20122032648
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月24日
發(fā)明者梁偉國(guó) 申請(qǐng)人:梁偉國(guó)