專利名稱：階梯保溫坩堝的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體材料生產設備技術領域，尤其是涉及ー種階梯保溫坩堝。
背景技術：
一些半導體材料制備時需要使用坩堝。在半導體材料拉晶的過程中，希望半導體材料在坩堝中具有橫向上較為均勻的溫度，而縱向具有階梯變化的溫度。為了達到這一目的，多將坩堝的外部設置電子控制的保溫層等方式，這樣的保溫層不僅結構復雜，而且操作繁瑣，使用壽命較短。因此有必要予以改迸。
實用新型內容針對上述現(xiàn)有技術存在的不足，本實用新型的目的是提供一種階梯保溫坩堝，它具有保溫層結構簡單、無需繁瑣操作，且使用壽命較長的特點。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型所采用的技術方案是階梯保溫坩堝，包括坩堝本體，所述本體的外部設有保溫碳氈，該保溫碳氈從上至下依次包括上氈層、中氈層和下氈層，且上氈層、中氈層和下氈層的厚度依次増加。所述上氈層的厚度為68 72_。所述上租層的厚度為70mm。所述中氈層的厚度為78 82mm。所述中氈層的厚度為80mm。所述下氈層的厚度為88 92mm。所述下氈層的厚度為90mm。采用上述結構后，本實用新型和現(xiàn)有技術相比所具有的優(yōu)點是保溫層結構簡單、無需繁瑣操作，且使用壽命較長。本實用新型的階梯保溫坩堝采用保溫碳氈作為保溫材料。碳氈具有熱傳導系數低、耐高溫系數高的優(yōu)點，從而保溫性能好，進而坩堝內部的橫向溫度遞減較小，有助于提高成晶率、縮短拉晶周期。而坩堝的縱向上保溫碳氈包裹碳氈層數的差異，使其具有合適的縱向溫度梯度，便于提高拉晶速度及降低拉晶周期。這樣的保溫層無需使用繁瑣的電子控制部件，結構簡單，無需繁瑣操作，且避免了電子部件在高溫情況下易于損壞的情況，故而使用壽命較長。
以下結合附圖
和實施例對本實用新型進ー步說明圖I是本實用新型的實施例的主視剖視結構示意圖。圖中10、本體；20、保溫碳氈，21、上氈層，22、中氈層，23、下氈層。
具體實施方式
以下所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不因此而限定本實用新型的保護范圍。實施例，見圖I所示階梯保溫坩堝，包括坩堝本體10。本體10的外部設有保溫碳氈20。比如保溫碳氈20可以采取西格里碳氈。該保溫碳氈20從上至下依次包括上氈層21、中氈層22和 下氈層23，且上氈層21、中氈層22和下氈層23的厚度依次増加。這樣，坩堝內部不僅具有差異較小的橫向溫度，而且縱向上具有較好的溫度差異。具體的，上氈層21的厚度為68 72mm，優(yōu)化為70mm ;中氈層22的厚度為78 82mm,優(yōu)化為80mm ;下租層23的厚度為88 92mm,優(yōu)化為90mm。
權利要求1.階梯保溫坩堝，包括坩堝本體(10)，其特征在干所述本體(10)的外部設有保溫碳氈(20)，該保溫碳氈(20)從上至下依次包括上氈層(21)、中氈層(22)和下氈層(23)，且上氈層(21)、中氈層(22)和下氈層(23)的厚度依次増加。
2.根據權利要求I所述的階梯保溫坩堝，其特征在于所述上氈層(21)的厚度為68 72mm0
3.根據權利要求2所述的階梯保溫坩堝，其特征在干所述上氈層(21)的厚度為70mmo
4.根據權利要求2所述的階梯保溫坩堝，其特征在于所述中氈層(22)的厚度為78 82mm0
5.根據權利要求4所述的階梯保溫坩堝，其特征在干所述中氈層(22)的厚度為80mmo·
6.根據權利要求4中任一項所述的階梯保溫坩堝，其特征在干所述下氈層(23)的厚度為88 92mm。
7.根據權利要求6所述的階梯保溫坩堝，其特征在干所述下氈層(23)的厚度為90mmo
專利摘要本實用新型公開了一種階梯保溫坩堝，包括坩堝本體，所述本體的外部設有保溫碳氈，該保溫碳氈從上至下依次包括上氈層、中氈層和下氈層，且上氈層、中氈層和下氈層的厚度依次增加。本實用新型所具有的優(yōu)點是保溫層結構簡單、無需繁瑣操作，且使用壽命較長。
文檔編號C30B15/10GK202595332SQ20122020458
公開日2012年12月12日 申請日期2012年5月9日 優(yōu)先權日2012年5月9日
發(fā)明者唐旭輝, 高彬彬 申請人:江蘇聚能硅業(yè)有限公司