專利名稱：泡生法生長爐爐體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種藍(lán)寶石的生長爐，尤其是涉及一種泡生法生長爐爐體，屬于藍(lán)寶石技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
藍(lán)寶石即AL2O3單晶體，具有熔點(diǎn)高、硬度高、導(dǎo)熱性好、透過光波段寬、電絕緣性好、耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿腐蝕等特點(diǎn)，因此作為重要的技術(shù)晶體材料，被廣泛應(yīng)用在國防、軍事、科研等一系列高科技技術(shù)領(lǐng)域，同時(shí)在民用工業(yè)上也有大量的應(yīng)用，如發(fā)光二極管、微電子電路、光學(xué)傳感性、光波導(dǎo)器件及LED節(jié)能領(lǐng)域。藍(lán)寶石晶體的生產(chǎn)方法有三種提拉法(柴氏拉晶法)、泡生法(凱式長晶法)和溫度梯度法，這三種方法，泡生法有以下三方面的優(yōu)勢一、晶體直徑，泡生法可以生長出大直 徑的晶體，二、晶體方向，在大尺寸有方向性的藍(lán)寶石生長泡生法有很大優(yōu)勢。三、晶體質(zhì)量，泡生法生產(chǎn)系統(tǒng)擁有適合藍(lán)寶石晶體生長的最佳溫度梯度。在生長過程中或結(jié)束時(shí)晶體不與坩堝接觸，大大減少了其熱應(yīng)力，可獲得高質(zhì)量的大晶體。由于泡生法含有以上諸多優(yōu)點(diǎn)，所以泡生法占具了藍(lán)寶石生產(chǎn)市場的70%的份額。泡生法是將一根受冷的籽晶與熔體接觸，如果界面的溫度低于凝固點(diǎn)，則籽晶開始生長，為了能長出優(yōu)質(zhì)的晶體，這就需要最佳的溫度梯度，對生長爐爐體的結(jié)構(gòu)提出了很高的要求。泡生法生長爐包括爐體外殼，位于爐體外殼內(nèi)的坩堝，位于坩堝上方的上保溫屏，位于坩堝側(cè)面的側(cè)保溫屏，位于坩堝下方的下保溫屏，傳統(tǒng)的側(cè)保溫屏和下保溫屏均由3-8層厚度為0. 5^2mm的鑰板組成，側(cè)保溫屏的外側(cè)還設(shè)有氧化鋁陶瓷，下保溫屏的下方還設(shè)有氧化鋁耐火磚，由于氧化鋁陶瓷或者氧化鋁耐火磚等保溫材料的熔化溫度低于AL2O3的熔化溫度，在晶體生長過程中會有雜質(zhì)揮發(fā)出來，不利于晶體生長。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于克服上述不足，提供一種利于晶體生長的泡生法生長爐爐體。本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種泡生法生長爐爐體，包括爐體外殼以及位于爐體外殼內(nèi)的坩堝,所述坩堝的上方設(shè)有上保溫屏，所述坩堝的外圍設(shè)有側(cè)保溫屏，所述坩堝的下方設(shè)有下保溫屏，所述側(cè)保溫屏和下保溫屏均由8 25層鑰板組成，所述鑰板的厚度為0. 5 5_，所述下保溫屏的下方還設(shè)有底部保溫層，所述底部保溫層為鑰廢料。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是本實(shí)用新型泡生法生長爐爐體的內(nèi)部不含氧化鋁陶瓷或者氧化鋁耐火磚等保溫材料，不存在熱慣性，溫度控制精確度高，可以設(shè)置最佳的溫度梯度，上保溫屏、側(cè)保溫屏和下保溫屏均有鑰板組成，鑰的熔化溫度約為2600°C，高于AL2O3的熔化溫度，利于晶體生長，同時(shí)運(yùn)行時(shí)的熱功率比以前大大降低。
圖I為本實(shí)用新型泡生法生長爐爐體結(jié)構(gòu)示意圖。其中爐體外殼I甘堝 2上保溫屏3側(cè)保溫屏4下保溫屏5底部保溫層6。
具體實(shí)施方式
參見圖1，本實(shí)用新型涉及一種泡生法生長爐爐體，包括爐體外殼I以及位于爐體外殼I內(nèi)的坩堝2，所述坩堝2的上方設(shè)有上保溫屏3，所述坩堝2的外圍設(shè)有側(cè)保溫屏4，所述坩堝2的下方設(shè)有下保溫屏5，所述側(cè)保溫屏4和下保溫屏5均由8 25層鑰板組成，所述鑰板的厚度為0. 5 5_，所述下保溫屏5的下方還設(shè)有底部保溫層6，所述底部保溫層6為鑰廢料。本實(shí)用新型泡生法生長爐爐體的內(nèi)部不含氧化鋁陶瓷或者氧化鋁耐火磚等保溫材料，不存在熱慣性，溫度控制精確度高，可以設(shè)置最佳的溫度梯度，上保溫屏、側(cè)保溫屏和下保溫屏均有鑰板組成，鑰的熔化溫度約為2600°C，高于AL203的熔化溫度，利于晶體生長，同時(shí)運(yùn)行時(shí)的熱功率比以前大大降低。
權(quán)利要求1. 一種泡生法生長爐爐體，包括爐體外殼(I)以及位于爐體外殼(I)內(nèi)的坩堝(2)，所述坩堝(2)的上方設(shè)有上保溫屏(3)，所述坩堝(2)的外圍設(shè)有側(cè)保溫屏(4)，所述坩堝(2)的下方設(shè)有下保溫屏(5)，其特征在于所述側(cè)保溫屏(4)和下保溫屏(5)均由8 25層鑰板組成，所述鑰板的厚度為0. 5 5_，所述下保溫屏(5)的下方還設(shè)有底部保溫層(6)，所述底部保溫層(6)為鑰廢料。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種泡生法生長爐爐體，包括爐體外殼(1)以及位于爐體外殼(1)內(nèi)的坩堝(2)，所述坩堝(2)的上方設(shè)有上保溫屏(3)，所述坩堝(2)的外圍設(shè)有側(cè)保溫屏(4)，所述坩堝(2)的下方設(shè)有下保溫屏(5)，其特征在于所述側(cè)保溫屏(4)和下保溫屏(5)均由8~25層鉬板組成，所述鉬板的厚度為0.5~5mm，所述下保溫屏(5)的下方還設(shè)有底部保溫層(6)，所述底部保溫層(6)為鉬廢料。本實(shí)用新型泡生法生長爐爐體的上保溫屏、側(cè)保溫屏和下保溫屏均有鉬板組成，鉬的熔化溫度約為2600℃，高于AL2O3的熔化溫度，利于晶體生長，同時(shí)運(yùn)行時(shí)的熱功率比以前大大降低。
文檔編號C30B17/00GK202558965SQ20122014770
公開日2012年11月28日 申請日期2012年4月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月10日
發(fā)明者趙春山, 余明華, 胡文虎, 吳建國, 吳國興 申請人:江蘇雙良新能源裝備有限公司