專利名稱：生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及人工晶體技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈。
背景技術(shù)：
目前，硅芯在國(guó)內(nèi)使用量非常巨大；現(xiàn)有的硅芯、單晶硅及其它材料晶體區(qū)熔方式生產(chǎn)的工藝過程中，大多使用的是一種單目高頻線圈，其工作原理是工作時(shí)通過給高頻線圈通入高頻電流，使高頻線圈產(chǎn)生電流對(duì)原料棒進(jìn)行感應(yīng)加熱，加熱后的原料棒上端頭形成融化區(qū)，然后將仔晶通過拉制孔后插入原料棒上端的熔化區(qū)，然后慢慢提升仔晶，熔化后的原料就會(huì)跟隨仔晶上升，形成一個(gè)新的柱形晶體，這個(gè)新的柱形晶體便是硅芯或其它材料晶體的制成品。本設(shè)計(jì)人在線申請(qǐng)了多項(xiàng)發(fā)明或?qū)嵱眯滦偷母哳l線圈專利，使用中雖然得到了較好的技術(shù)效果，但如何在高頻線圈上分布較多的拉制孔和拉制出的硅芯橢圓度問題一直是一個(gè)技術(shù)瓶頸，這主要是在原料棒的上端對(duì)應(yīng)拉制孔或化料孔形成的小溶區(qū)在拉制過程中，小溶區(qū)處的局部凹陷，另外的熔化原料向凹陷的小溶區(qū)流淌，也就是環(huán)繞中部拉制孔或化料孔的拉制孔的之間的原料棒的上端沒有得到利用，相應(yīng)的拉制根數(shù)也得不到拓展，在先申請(qǐng)中的拉制孔通過改變?yōu)榍蚺男卫瓶谆蛩涡卫瓶祝沟脵E圓度問題得以較大的克服。在高頻線圈上孔位布局不是隨便的，也就是高頻線圈上設(shè)置多少個(gè)拉制孔，相對(duì)應(yīng)的電壓調(diào)整、籽晶夾頭結(jié)構(gòu)等均需要做適應(yīng)性調(diào)整，設(shè)備的匹配程度也是主要環(huán)節(jié)，所以高頻線圈拉制孔的數(shù)量必須對(duì)應(yīng)相應(yīng)設(shè)備，形成一個(gè)可適應(yīng)設(shè)備的關(guān)鍵零部件。

在本人近期多次實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，導(dǎo)流槽處的空白區(qū)域通過添加拉制孔可以有效克服拉制根數(shù)限制的技術(shù)瓶頸，而且通過在導(dǎo)流槽處添加拉制孔，不僅使得拉制數(shù)量得到提升，而且對(duì)于原料棒上端減少局部過高也具有很好的益處，得到了相對(duì)平穩(wěn)度的提升；需要說明的是，高頻線圈看似一個(gè)簡(jiǎn)單的銅板，實(shí)際制作難度極高，所以高頻線圈的單個(gè)售價(jià)都在3000元以上，其中的制作研發(fā)為主要成本；而且高頻線圈屬于易耗品，也就是原料棒上端以及拉制過程中的硅芯都不得與高頻線圈有任何接觸，一旦出現(xiàn)接觸便會(huì)出現(xiàn)瞬間打火，這時(shí)不得不停爐進(jìn)行高頻線圈的更換，這中間的停爐成本、線圈成本以及耗費(fèi)工時(shí)都是難以克服的生產(chǎn)成本，通常情況下一個(gè)高頻線圈使用期限在一個(gè)星期左右。多晶硅是太陽能光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)鏈的重要組成部分。光伏發(fā)電產(chǎn)業(yè)鏈從上游到下游，主要包括的產(chǎn)業(yè)鏈條包括多晶硅、硅片、電池片以及電池組件。整個(gè)光伏產(chǎn)業(yè)的利潤(rùn)和成本幾乎都集中在上游的多晶硅生產(chǎn)環(huán)節(jié)，也就是使用高頻線圈的晶體拉制，還原爐的晶體還原過程耗電量和加工成本占到很大部分。但是，由于歐洲金融危機(jī)的出現(xiàn)和國(guó)外技術(shù)的提升，美國(guó)對(duì)本國(guó)的多晶硅加工企業(yè)使用政府補(bǔ)貼方法，使得具有高技術(shù)和政府補(bǔ)貼的企業(yè)可以低價(jià)銷售，對(duì)于我國(guó)企業(yè)采取高關(guān)稅政策，并且歐洲國(guó)家紛紛取消太陽能補(bǔ)貼，國(guó)外訂單銳減，多晶硅價(jià)格一路暴跌。所以擺在我國(guó)多晶硅企業(yè)面前的是實(shí)實(shí)在在的生存問題。事實(shí)上，多晶硅價(jià)格降低，終端市場(chǎng)價(jià)格也在降低，多晶硅的制作成本我國(guó)現(xiàn)在還無法跟國(guó)外先進(jìn)的多晶硅企業(yè)相媲美，我們中國(guó)的多晶硅是迎合了太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要而匆忙上陣的一個(gè)模式；無論是自主研發(fā)還是引進(jìn)設(shè)備、技術(shù)的企業(yè)，與國(guó)際先進(jìn)技術(shù)相比，仍然有較大差距。本發(fā)明人在試驗(yàn)成功的同時(shí)拉制多根硅芯技術(shù)“一爐五芯”，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)的多根硅芯同時(shí)拉制技術(shù)突破，節(jié)能效果明顯，成為江蘇中能、洛陽中硅等大型多晶硅企業(yè)的主選設(shè)備，不僅獲得了生產(chǎn)、用電成本的大幅度降低，也獲得了巨大的商業(yè)成功。然而，進(jìn)一步降低成本是發(fā)明人不懈的技術(shù)訴求，只有降低生產(chǎn)成本，多晶硅行業(yè)才能夠有效增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，這也是我國(guó)多晶硅行業(yè)起死回生的必經(jīng)之路。參考文獻(xiàn)網(wǎng)上對(duì)于本發(fā)明人在先申請(qǐng)技術(shù)的報(bào)道我國(guó)硅材料生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)“一爐五芯”；鏈接網(wǎng)址http://www. cpcia. org. cn/html/news/20094/65746_9044. shtml以下為相關(guān)中國(guó)專利申請(qǐng)；1、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?00810182052. X ;專利名稱、可同時(shí)生產(chǎn)七根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結(jié)構(gòu)；

2、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?00810182053. 4 ;專利名稱、可同時(shí)生產(chǎn)八根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結(jié)構(gòu)；3、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?00810182055. 3 ;專利名稱、可同時(shí)生產(chǎn)五根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結(jié)構(gòu)；4、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?00810182054. 9 ;專利名稱、可同時(shí)生產(chǎn)四根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結(jié)構(gòu)；5、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?00810181998. 4 ;專利名稱、可同時(shí)生產(chǎn)六根硅芯及其它晶體材
料的高頻線圈結(jié)構(gòu)；6、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120352975. 2 ;專利名稱、生產(chǎn)八或九根硅芯的水滴形拉制孔
結(jié)構(gòu)的聞?lì)l線圈；7、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120365572.1 ;專利名稱、生產(chǎn)七或八根硅芯水滴形和球拍形
組合拉制孔的高頻線圈；8、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120365577. 4 ;專利名稱、生產(chǎn)五或六根硅芯水滴形和球拍形組合拉制孔的高頻線圈；9、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120352910. 8 ;專利名稱、生產(chǎn)六或七根硅芯的球拍形拉制孔
結(jié)構(gòu)的聞?lì)l線圈；10、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120365569. X ;專利名稱、生產(chǎn)六或七根硅芯水滴形和球拍
形組合拉制孔的高頻線圈；11、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120365581. O ;專利名稱、生產(chǎn)八或九根硅芯水滴形和球拍
形組合拉制孔的高頻線圈；12、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120352917. X ;專利名稱、生產(chǎn)六或七根硅芯的水滴形拉制
孔結(jié)構(gòu)的高頻線圈；
13、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120352923. 5 ;專利名稱、生產(chǎn)七或八根硅芯的水滴形拉制
孔結(jié)構(gòu)的高頻線圈；14、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120352971. 4 ;專利名稱、生產(chǎn)七或八根硅芯的球拍形拉制
孔結(jié)構(gòu)的高頻線圈；15、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120365527. 6 ;專利名稱、生產(chǎn)五或六根硅芯的水滴形拉制
孔結(jié)構(gòu)的高頻線圈；16、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120352958. 9 ;專利名稱、生產(chǎn)八或九根硅芯的球拍形拉制
孔結(jié)構(gòu)的高頻線圈；17、專利或申請(qǐng)?zhí)枴?01120366356. 9 ;專利名稱、生產(chǎn)五或六根硅芯的球拍形拉制
孔結(jié)構(gòu)的高頻線圈。

發(fā)明內(nèi)容

為了實(shí)現(xiàn)所述發(fā)明目的，本發(fā)明公開了一種生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，本發(fā)明在通過球拍形拉制孔或水滴形拉制孔結(jié)合導(dǎo)流槽上設(shè)置的拉制孔以及導(dǎo)流槽長(zhǎng)度的有機(jī)結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了同樣或接近大小的高頻線圈能夠拉制出更多符合設(shè)計(jì)要求的硅芯，也使原料棒上端減少了不規(guī)則凸起，大幅度減少了原料棒上端與高頻線圈接觸的概率，高頻線圈的使用壽命也得到了有效延長(zhǎng)。為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明的目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，包括高頻線圈、冷卻水道、連接座和地線連接機(jī)構(gòu)，所述高頻線圈的上部面中部設(shè)有向下凹陷面，在高頻線圈的下部面中部設(shè)有向上凹陷平面，在高頻線圈的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道，拉制孔或化料孔設(shè)置在高頻線圈的中部，在拉制孔或化料孔外部的高頻線圈上均勻設(shè)置六個(gè)環(huán)繞的拉制孔，由拉制孔或化料孔向外呈放射狀設(shè)有六個(gè)導(dǎo)流槽，六個(gè)導(dǎo)流槽形成六“ >K ”形結(jié)構(gòu)，在“ >κ ”形導(dǎo)流槽除了下部的一根導(dǎo)流槽以外的五個(gè)導(dǎo)流槽的中部或外端分別設(shè)置導(dǎo)流槽拉制孔，所述除了下部一個(gè)導(dǎo)流槽的另外五根導(dǎo)流槽的外端頭或?qū)Я鞑弁舛祟^的導(dǎo)流槽拉制孔和下部導(dǎo)流槽的下端設(shè)置在六個(gè)均勻分布的拉制孔之間，六個(gè)“>Κ”形結(jié)構(gòu)導(dǎo)流槽下部的導(dǎo)流槽的端部通過開口貫通至高頻線圈的外緣面，冷卻水道的兩端設(shè)置在開口兩側(cè)的延伸管路分別形成水道A端、水道B端，其中水道A端為進(jìn)水端、水道B端為出水端，在水道A端、水道B端的端部分別設(shè)置有連接座，所述高頻線圈的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)。所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，在導(dǎo)流槽拉制孔的上部孔口處設(shè)有倒角。所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，在拉制孔或化料孔外部的高頻線圈上設(shè)置的六個(gè)所述環(huán)繞的拉制孔為球拍形拉制孔或水滴形拉制孔中的任意一種；或設(shè)置為至少一個(gè)球拍形拉制孔，另外的為水滴形拉制孔；或至少一個(gè)水滴形拉制孔，另外的為球拍形拉制孔；所述球拍形拉制孔的“V”形豁口和所述水滴形拉制孔的引流槽朝向拉制孔或化料孔。所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，在拉制孔或化料孔、球拍形拉制孔、水滴形拉制孔和所述拉制孔的上部孔口處分別設(shè)有倒角。所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，所述“>Κ”形導(dǎo)流槽除了下部一根另外的五個(gè)導(dǎo)流槽中部設(shè)置導(dǎo)流槽拉制孔時(shí)，所述五個(gè)導(dǎo)流槽的外端分別設(shè)有端孔；所述端孔為圓形或多角形。所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，所述水道A端和水道B端通孔穿過兩個(gè)連接座，在所述兩個(gè)連接座的水道A端、水道B端的上下或一側(cè)分別設(shè)有安裝孔。所述的生產(chǎn)^--或十二根娃芯水的高頻線圈，所述連接座為多角形連接座；或雙
半圓形連接座；或橢圓形連接座。所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，在高頻線圈外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道為，在高頻線圈的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，將銅管形成的所述冷卻水道環(huán)埋在高頻線圈內(nèi)，然后由封蓋通過釬焊或銅焊或銀焊焊接；或在高頻線圈的外緣面通過釬焊或銅焊或銀焊焊接冷卻水道，使冷卻水道與高頻線圈形成一體。所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，所述開口設(shè)置為“U”形開口或“V”形開口或“》”形開口或斜開口。所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，所述地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設(shè)有地線連接板，或在高頻線圈的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線。由于采用上述技術(shù)方案，本發(fā)明具有如下有益效果本發(fā)明所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，通過將六根呈“>K”形結(jié)構(gòu)導(dǎo)流槽的中部或端部設(shè)置導(dǎo)流槽拉制孔，“ >Κ”形導(dǎo)流槽除了下部的一根導(dǎo)流槽以外的五個(gè)導(dǎo)流槽的以及下部的一根導(dǎo)流槽的外端部之間分別設(shè)置球拍形拉制孔或水滴形拉制孔，使得高頻線圈的孔位布局更為合理，并 且所述球拍形拉制孔或水滴形拉制孔的引流槽和“V”形豁口可以將電流更深入的引導(dǎo)至中部的拉制孔或化料孔，由引流槽或“V”形豁口引導(dǎo)電流使得拉制孔內(nèi)側(cè)電流降低，避免了所述球拍形拉制孔或水滴形拉制孔的內(nèi)側(cè)過熱問題，使得電流分布較為合理，拉制出的籽晶橢圓度得到了很大的克服；本發(fā)明由于使用了導(dǎo)流槽處設(shè)置的導(dǎo)流槽拉制孔，使得拉制孔孔位布局相對(duì)較為均勻的對(duì)應(yīng)原料棒上端的熔化區(qū)，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了同樣或接近大小的高頻線圈能夠拉制出更多符合設(shè)計(jì)要求的硅芯，也使原料棒上端減少了不規(guī)則凸起“拉制中原料棒上端的高低不平現(xiàn)象”，大幅度減少了原料棒上端與高頻線圈接觸的概率，高頻線圈的使用壽命也得到了有效延長(zhǎng)；本發(fā)明所述結(jié)構(gòu)使得硅芯成品率大幅度提高；本發(fā)明提高能量利用率，降低生產(chǎn)成本和減少次品率并且具有加熱均勻、大量節(jié)約能源、減少設(shè)備投資及人工綜合成本可有效降低等優(yōu)點(diǎn)，易于在多晶硅行業(yè)推廣實(shí)施。

圖1是本發(fā)明的拉制孔與導(dǎo)流槽布局結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1的A-A示圖。圖3是本發(fā)明的拉制孔與導(dǎo)流槽布局另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明開口的第一實(shí)施例斜開口結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明開口的第二實(shí)施例直開口結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本發(fā)明開口的第三實(shí)施例“U”形開口結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是本發(fā)明開口的第四實(shí)施例“V”形開口結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8是本發(fā)明開口的第二實(shí)施例“》”形開口結(jié)構(gòu)示意圖。圖9是本發(fā)明的球拍形拉制孔引流槽第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖10是本發(fā)明的球拍形拉制孔引流槽第二實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖11是本發(fā)明的球拍形拉制孔引流槽第三實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖12是本發(fā)明的球拍形拉制孔引流槽第四實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖13是本發(fā)明的水滴形拉制孔立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖14是本發(fā)明的連接座第一實(shí)施例長(zhǎng)方形連接座立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖15是本發(fā)明的連接座第二實(shí)施例雙半圓形連接座立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖16是本發(fā)明的連接座第三實(shí)施例長(zhǎng)方形連接座另一替換結(jié)構(gòu)示意圖。圖17是本發(fā)明的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為方形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。圖18是本發(fā)明的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為半圓形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。圖19是本發(fā)明的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為菱形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。圖20是本發(fā)明的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為圓形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。圖21是本發(fā)明的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為橢圓形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。

圖22是本發(fā)明的導(dǎo)流槽外端設(shè)置為三角形端孔結(jié)構(gòu)示意圖。在圖中1、高頻線圈；2、倒角；3、球拍形拉制孔；4、拉制孔或化料孔；5、導(dǎo)流槽拉制孔；6、水滴形拉制孔；7、開口 ；8、水道A端；9、連接座；10、水道B端；11、導(dǎo)流槽；12、冷卻水道；13、向下凹陷面；14、端孔；15、地線連接板；16、向上凹陷平面；17、封蓋；18、引流槽；19、“V”形豁口 ；20、安裝孔。
具體實(shí)施方式參考下面的實(shí)施例，可以更詳細(xì)地解釋本發(fā)明；但是，本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。結(jié)合附圖1、2或3中所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，包括高頻線圈1、冷卻水道12、連接座9和地線連接機(jī)構(gòu)，所述高頻線圈I的上部面中部設(shè)有向下凹陷面13 “在附圖2中可以看出”，所述向下凹陷面13為中部平底或接近平底，由平底向外呈環(huán)形坡度向外延伸，構(gòu)成外高內(nèi)低的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明所述向下凹陷面13是為了克服電流運(yùn)行時(shí)出現(xiàn)的肌膚效應(yīng)，容易導(dǎo)致電流由高頻線圈上部面運(yùn)行時(shí)，拉制孔的中部溫度相對(duì)于高頻線圈的上部面和下部面過低溫度而設(shè)置的，結(jié)合高頻線圈I下部面中部設(shè)有的向上凹陷平面16，形成中部厚度小于外緣厚度；其中向上凹陷平面16與高頻線圈的下部面過度設(shè)置為至少一個(gè)環(huán)形臺(tái)階或上小下大的喇叭口狀結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步，在高頻線圈I的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道12，所述冷卻水道為，在高頻線圈I的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，然后埋入銅管“當(dāng)銅管通入冷卻水或冷卻介質(zhì)時(shí)便成為本發(fā)明所述的冷卻水道12”，所述銅管呈“C”形，在開口處的兩端部分別設(shè)置一段順延開口向外方向的延伸銅管，將銅管的圓形部分埋入高頻線圈I的開槽中，然后由封蓋17通過釬焊或銅焊或銀焊焊接，使銅管與高頻線圈I形成一體結(jié)構(gòu)；也可使用另一替換方式，在高頻線圈I的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，利用兩根短銅管替代“C”形銅管所述開口處的兩順延開口向外方向的延伸銅管，高頻線圈I上的開槽直接由封蓋17封閉，兩根短銅管分別焊接在原延伸銅管處，由兩根短銅管和開槽形成冷卻水道12，本發(fā)明公開這種方式但不建議使用，這是用于任何焊接處出現(xiàn)不牢固容易引起事故的發(fā)生，若技術(shù)達(dá)到并能夠確保不漏冷卻介質(zhì)，也可作為備用方案。進(jìn)一步，拉制孔或化料孔4設(shè)置在高頻線圈I的中部，所述拉制孔或化料孔4可根據(jù)技術(shù)能力而定，也就是拉制孔或化料孔4既可以作為拉制孔，也可以作為化料孔，這是由于中部相對(duì)于外部的溫度較高，通過調(diào)整拉制孔或化料孔4的大小，便可實(shí)現(xiàn)作為拉制孔或作為化料孔的替換；在不脫離本發(fā)明結(jié)構(gòu)的情況下，本發(fā)明也可拉制除了i^一或十二根娃芯以下的十、九、八、七、六、五、四、三、兩或一根娃芯，優(yōu)選^ 或十二根娃芯的拉制。進(jìn)一步，在拉制孔或化料孔4外部的高頻線圈I上均勻設(shè)置六個(gè)環(huán)繞的拉制孔，所述六個(gè)環(huán)繞的拉制孔為球拍形拉制孔3 “附圖9 12給出了球拍形拉制孔3的可變化種類，也就是引流槽18與拉制孔的連接一端和另一端倒角或尖或圓形變化”或水滴形拉制孔6 “附圖13給出了水滴形拉制孔6的由下部觀察的立體結(jié)構(gòu)”中的任意一種；或設(shè)置為至少一個(gè)球拍形拉制孔3另外的為水滴形拉制孔6 ;或設(shè)置為至少一個(gè)水滴形拉制孔6另外的為球拍形拉制孔3，其中所述拉制孔或化料孔4、球拍形拉制孔3和水滴形拉制孔6的上部孔口處分別設(shè)有倒角2 ;所述球拍形拉制孔3的“V”形豁口 19和所述水滴形拉制孔6的引流槽18朝向拉制孔或化料孔4，由拉制孔或化料孔4向外呈放射狀設(shè)有六個(gè)導(dǎo)流槽11，六個(gè)導(dǎo)流槽11形成“ 形結(jié)構(gòu)，在“ 形導(dǎo)流槽11上部及兩側(cè)的五個(gè)導(dǎo)流槽11中部或外端分別設(shè)置導(dǎo)流槽拉制孔5，在導(dǎo)流槽拉制孔5的上部孔口處設(shè)有倒角2，“附圖1中給出了導(dǎo)流槽拉制孔5設(shè)置在“>Κ”形導(dǎo)流槽11上部五根中部的實(shí)施方式，附圖2給出了導(dǎo)流槽拉制孔5設(shè)置在“>Κ”形導(dǎo)流槽11上部五根端部的實(shí)施方式”;其中，所述“>Κ”形導(dǎo)流槽11上部五根的中部設(shè)置導(dǎo)流槽拉制孔5時(shí)，在“>Κ”形導(dǎo)流槽11上部五根的外端分別設(shè)有圓形或多角形端孔14“結(jié)合附圖17 22給出了端孔14的變化形式，需要說明的是受到專利法要求申請(qǐng)文件簡(jiǎn)潔的要求，本發(fā)明并未對(duì)端孔14的進(jìn)一步變形進(jìn)行解釋，但多角形端孔14、圓形端孔14或幾何形端孔1 4均在本發(fā)明構(gòu)思的范圍之內(nèi)”;所述上部五根導(dǎo)流槽11的外端頭或?qū)Я鞑?1外端頭的導(dǎo)流槽拉制孔5以及下部的導(dǎo)流槽11端部設(shè)置在六個(gè)均勻分布的拉制孔之間，六個(gè)呈“>Κ”形結(jié)構(gòu)導(dǎo)流槽11下部的導(dǎo)流槽11下端設(shè)置的端孔14通過開口 7貫通至高頻線圈I的外緣面，形成由外緣面至拉制孔或化料孔4的斷開的導(dǎo)流槽11和開口 7，開口 7與導(dǎo)流槽11連接處設(shè)置的所述端孔14僅為過度所用，沒有其它任何用途，所述端孔14便于斜開口與導(dǎo)流槽11的對(duì)接過度，當(dāng)然為了進(jìn)一步保護(hù)本發(fā)明給出的方案，結(jié)合附圖4 8給出的實(shí)施方式，所述開口 7設(shè)置為可供選擇的“U”形開口 7或“V”形開口 7或“》”形開口 7或斜開口 7，本發(fā)明優(yōu)選斜開口 7。進(jìn)一步冷卻水道的兩端設(shè)置在開口 7兩側(cè)的延伸管路“也叫延伸銅管”分別形成水道A端8、水道B端10,其中水道A端8為進(jìn)水端、水道B端10為出水端,或?qū)⑺繟端8作為出水端、水道B端10作為進(jìn)水端,在水道A端8、水道B端10的端部分別設(shè)置有連接座9，所述水道A端8 “延伸銅管”和水道B端10 “另一延伸銅管”穿過兩個(gè)連接座9，在所述兩個(gè)連接座9的水道A端8、水道B端的上下或一側(cè)分別設(shè)有安裝孔20。結(jié)合附圖14 16所述連接座9為多角形連接座9 ;或雙半圓形連接座9 ;或橢圓形連接座9 ;所述高頻線圈I外部的地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈I的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設(shè)有地線連接板15，或在高頻線圈I的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線。
實(shí)施本發(fā)明所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，本發(fā)明所述高頻線圈的使用過程如下所述原料棒上端最好設(shè)置為平面或接近平面，利用設(shè)備的下軸升降系統(tǒng)將原料棒緩慢送至高頻線圈I下部，所述高頻線圈I的向上凹陷平面16盡可能的接近原料棒上端，但不得與原料棒有接觸，生產(chǎn)過程中一旦接觸便會(huì)出現(xiàn)打火而燒壞高頻線圈，然后在高頻線圈I上連接座9的水道A端8、水道B端10通電送水，水道A端8和水道B端10 —個(gè)進(jìn)水另一個(gè)排水，這時(shí)高頻電流促使高頻線圈I產(chǎn)生強(qiáng)大的磁力線，使原料棒上端頭靠近高頻線圈I的部分利用磁力線進(jìn)行感應(yīng)加熱，所述球拍形拉制孔3、水滴形拉制孔6、導(dǎo)流槽11、導(dǎo)流槽拉制孔5和拉制孔或化料孔4形成的空隙，使原料棒上端對(duì)應(yīng)空隙處受到感應(yīng)加熱大于其它部位形成溶區(qū)“本發(fā)明的導(dǎo)流槽11以及開口 7使得水道A端8和水道B端10 —個(gè)為電流進(jìn)入另一個(gè)為電流回路，電流受到走近路特性的影響，經(jīng)由“ >K ”形導(dǎo)流槽11上部五根所述導(dǎo)流槽11端部時(shí)，也同時(shí)由最上部的球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔6兩側(cè)經(jīng)過，同理球拍形拉制孔3或水滴形拉制孔6也使電流經(jīng)由兩側(cè)經(jīng)過，“>Κ”形導(dǎo)流槽11的作用是減少高頻電流過于在高頻線圈的中部集中，使電流在高頻線圈I上均勻分布，以實(shí)現(xiàn)受熱均勻的效果”，待原料棒的端頭靠近高頻線圈I下面靠近向上凹陷平面16的部位融化后，仔晶夾頭帶著仔晶下降，使仔晶通過拉制孔后插入原料棒的熔化區(qū)，然后提升仔晶，原料棒上部的熔化液體會(huì)跟隨仔晶上升，其它部位融化的液體也會(huì)隨之向拉制部位流淌，原料棒上端接近平面但還是不太平整“本發(fā)明所述高頻線圈平整度明顯優(yōu)于本人在先申請(qǐng)，通過相同的操作工和相同的設(shè)備實(shí)驗(yàn)證明本發(fā)明所述高頻線圈使用壽命延長(zhǎng)了至少一倍以上”，在這一過程中原料棒下部的下軸也相應(yīng)跟隨同步緩慢上升，但是其原料棒要保持不與高頻線圈I接觸；原料棒上部的熔化區(qū)在仔晶的粘和帶動(dòng)并通過高頻線圈I拉制孔后，由于磁力線的減弱而冷凝 ，便形成一個(gè)新的柱型晶體，其仔晶夾頭夾帶仔晶緩慢上升，便可形成所需長(zhǎng)度的成品硅芯。本發(fā)明未詳述部分為現(xiàn)有技術(shù)。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，包括高頻線圈(I)、冷卻水道(12)、連接座(9)和地線連接機(jī)構(gòu)，所述高頻線圈(I)的上部面中部設(shè)有向下凹陷面(13)，在高頻線圈(I)的下部面中部設(shè)有向上凹陷平面(16)，在高頻線圈(I)的外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道(12)，其特征在于拉制孔或化料孔(4)設(shè)置在高頻線圈(I)的中部，在拉制孔或化料孔(4)外部的高頻線圈(I)上均勻設(shè)置六個(gè)環(huán)繞的拉制孔，由拉制孔或化料孔(4)向外呈放射狀設(shè)有六個(gè)導(dǎo)流槽(11)，六個(gè)導(dǎo)流槽(11)形成六“ ”形結(jié)構(gòu)，在“ ”形導(dǎo)流槽(11)除了下部的一根導(dǎo)流槽(11)以外的五個(gè)導(dǎo)流槽(11)的中部或外端分別設(shè)置導(dǎo)流槽拉制孔(5)，所述除了下部一個(gè)導(dǎo)流槽(11)的另外五根導(dǎo)流槽(11)的外端頭或?qū)Я鞑?11)外端頭的導(dǎo)流槽拉制孔(5)和下部導(dǎo)流槽(11)的下端設(shè)置在六個(gè)均勻分布的拉制孔之間，六個(gè)“>Κ”形結(jié)構(gòu)導(dǎo)流槽(11)下部的導(dǎo)流槽(11)的端部通過開口(7)貫通至高頻線圈(I)的外緣面，冷卻水道的兩端設(shè)置在開口(7)兩側(cè)的延伸管路分別形成水道A端(8、)水道B端(10)，其中水道A端(8)為進(jìn)水端、水道B端(10)為出水端,在水道A端(8)、水道B端(10)的端部分別設(shè)置有連接座(9)，所述高頻線圈(I)的外部設(shè)有地線連接機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，其特征是在導(dǎo)流槽拉制孔(5)的上部孔口處設(shè)有倒角(2)。
3.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，其特征是在拉制孔或化料孔⑷外部的高頻線圈⑴上設(shè)置的六個(gè)所述環(huán)繞的拉制孔為球拍形拉制孔⑶或水滴形拉制孔(6)中的任意一種；或設(shè)置為至少一個(gè)球拍形拉制孔(3)，另外的為水滴形拉制孔(6);或至少一個(gè)水滴形拉制孔(6)，另外的為球拍形拉制孔(3);所述球拍形拉制孔(3)的“V”形豁口(19)和所述水滴形拉制孔(6)的引流槽(18)朝向拉制孔或化料孔(4)。
4.如權(quán)利要求3所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，其特征是在拉制孔或化料孔(4)、球拍形拉制孔(3)、水滴形拉制孔(6)和所述拉制孔的上部孔口處分別設(shè)有倒角⑵。
5.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，其特征是所述“>Κ”形導(dǎo)流槽(11)除了下部一根另外的五個(gè)導(dǎo)流槽(11)中部設(shè)置導(dǎo)流槽拉制孔(5)時(shí)，所述五個(gè)導(dǎo)流槽(11)的外端分別設(shè)有端孔(14);所述端孔(14)為圓形或多角形。
6.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，其特征是所述水道A端(8)和水道B端(10)通孔穿過兩個(gè)連接座(9)，在所述兩個(gè)連接座(9)的水道A端(8)、水道B端的上下或一側(cè)分別設(shè)有安裝孔(20)。
7.如權(quán)利要求6所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，其特征是所述連接座(9)為多角形連接座(9);或雙半圓形連接座(9);或橢圓形連接座(9)。
8.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，其特征是在高頻線圈(I)外部環(huán)繞設(shè)置冷卻水道為，在高頻線圈(I)的外部上環(huán)面或外部下環(huán)面或外緣面開槽，將銅管形成的所述冷卻水道環(huán)埋在高頻線圈(I)內(nèi)，然后由封蓋(17)通過釬焊或銅焊或銀焊焊接；或在高頻線圈(I)的外緣面通過釬焊或銅焊或銀焊焊接冷卻水道，使冷卻水道與高頻線圈(I)形成一體。
9.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，其特征是所述開口(7)設(shè)置為“U”形開口(7)或“V”形開口(7)或“》”形開口(7)或斜開口(7)。
10.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，其特征是所述地線連接機(jī)構(gòu)，在高頻線圈(I)的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣面設(shè)有地線連接板(15)，或在高頻線 圈(I)的外部上環(huán)面或下環(huán)面或外緣打孔通過螺絲連接地線。
全文摘要
一種生產(chǎn)十一或十二根硅芯水的高頻線圈，涉及人工晶體技術(shù)領(lǐng)域，在拉制孔或化料孔(4)外部的高頻線圈(1)上均勻設(shè)置；六個(gè)環(huán)繞的拉制孔，由拉制孔或化料孔(4)向外呈放射狀設(shè)有六個(gè)導(dǎo)流槽(11)，在“Ж”形導(dǎo)流槽(11)的上部五個(gè)中部或外端分別設(shè)置導(dǎo)流槽拉制孔(5)，“Ж”形的上部五個(gè)導(dǎo)流槽的外端頭或?qū)Я鞑弁舛祟^的導(dǎo)流槽拉制孔以及下部導(dǎo)流槽(11)的下端設(shè)置在六個(gè)均勻分布的拉制孔之間，在水道A端(8)、水道B端(10)的端部分別設(shè)置有連接座(9)；本發(fā)明在通過球拍形拉制孔或水滴形拉制孔結(jié)合導(dǎo)流槽上設(shè)置的拉制孔以及導(dǎo)流槽長(zhǎng)度的有機(jī)結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了同樣或接近大小的高頻線圈能夠拉制出更多符合設(shè)計(jì)要求的硅芯。
文檔編號(hào)C30B13/20GK103060897SQ20121059497
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月25日
發(fā)明者劉朝軒 申請(qǐng)人:洛陽金諾機(jī)械工程有限公司