一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒的制作方法
【專利摘要】一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，包括內(nèi)導(dǎo)流筒、外導(dǎo)流筒，內(nèi)導(dǎo)流筒與外導(dǎo)流筒之間設(shè)有隔熱碳?xì)郑鰞?nèi)導(dǎo)流筒的外側(cè)、外導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)鋪設(shè)有熱輻射反射層。所述內(nèi)導(dǎo)流筒的外側(cè)、外導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)構(gòu)成一密封的腔體，隔熱碳?xì)治挥诿芊獾那惑w內(nèi)。本發(fā)明一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，將硅棒和加熱器輻射到導(dǎo)流筒上的熱量均能及時傳遞走，加速了晶棒的冷卻，實現(xiàn)拉晶速度的顯著提高。提升生產(chǎn)效率的同時，降低能耗。另外，熱輻射反射層由內(nèi)、外導(dǎo)流筒將其封閉，杜絕了雜質(zhì)對拉晶的影響。
【專利說明】一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，涉及光伏領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著光伏市場競爭的日趨激烈，降低能耗、節(jié)省成本、提高生產(chǎn)效率成為技術(shù)發(fā)展的核心。目前單晶硅生長技術(shù)主要有兩種:區(qū)熔法和直拉法，其中直拉法是目前普遍采用的方法。在直拉法生產(chǎn)單晶硅時，要將多晶硅料置于石英坩堝中，經(jīng)過高溫加熱使其熔化，然后籽晶由頂部下降至熔化的多晶硅中，通過控制液面的溫度梯度，使熔化的多晶硅在籽晶周圍重新結(jié)晶，生成排列整齊的單晶硅棒。由于硅熔液中熱量的傳遞以及單晶硅結(jié)晶時釋放出的熱量，使得單晶硅棒溫度相對較高，如不能及時將熱量傳遞出去，會減慢單晶硅的生長速度。另外，加熱器產(chǎn)生的熱量，也會通過導(dǎo)流筒不斷輻射到單晶硅棒，以上情況均會大幅降低單晶硅的生長速度，增加能耗、增加成本，同時還會降低生產(chǎn)效率。專利CN201010112330.1涉及一種單晶爐裝置，其導(dǎo)流筒在行業(yè)通用的基礎(chǔ)上在內(nèi)導(dǎo)流筒內(nèi)側(cè)增加了以提高晶棒冷卻效果提高拉晶速度為目的的反射板，通過將晶棒表面的輻射熱向上反射，達(dá)到提聞晶棒冷卻的效果，由此能夠?qū)崿F(xiàn)拉晶速度的提聞，但存在長時間聞溫狀態(tài)發(fā)生變形、表面變?yōu)醯默F(xiàn)象，降低反射效果。目前國產(chǎn)反射板的純度不夠高，拉晶過程中難免有雜質(zhì)掉入硅液中，致使斷線現(xiàn)象增加，影響產(chǎn)量及成品率。另外，由于碳?xì)值挠绊懀訜崞鞯妮椛錈岵荒茌^好的輻射出去，提升生長速度的效果不是非常顯著。

【發(fā)明內(nèi)容】

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，將硅棒和加熱器輻射到導(dǎo)流筒上的熱量均能及時傳遞走，加速了晶棒的冷卻，實現(xiàn)拉晶速度的顯著提高。提升生產(chǎn)效率的同時，降低能耗。另外，熱輻射反射層由內(nèi)、外導(dǎo)流筒將其封閉，杜絕了雜質(zhì)對拉晶的影響。
[0003]本發(fā)明的上述目的是通過這樣的技術(shù)方案來實現(xiàn)的:一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，包括內(nèi)導(dǎo)流筒、外導(dǎo)流筒，內(nèi)導(dǎo)流筒與外導(dǎo)流筒之間設(shè)有隔熱碳?xì)?，所述?nèi)導(dǎo)流筒的外側(cè)、外導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)鋪設(shè)有熱輻射反射層。所述內(nèi)導(dǎo)流筒的外側(cè)、外導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)構(gòu)成一密封的腔體，隔熱碳?xì)治挥诿芊獾那惑w內(nèi)。
[0004]所述熱輻射反射層的厚度為其表面為鏡面。
[0005]所述熱輻射反射層為高純石墨紙或者高純鑰片。
[0006]本發(fā)明一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，在單晶生長過程中，單晶硅棒中的熱量以及晶體生長過程中產(chǎn)生的結(jié)晶潛熱主要以輻射的方式往外傳遞，通過在內(nèi)導(dǎo)流筒外壁鋪設(shè)一層熱輻射反射層，可將晶棒中輻射出的熱量快速的反射出去，從而提高單晶硅生長速度。
[0007]由于加熱器在持續(xù)加熱，加熱器產(chǎn)生的熱量也會源源不斷的輻射到單晶硅棒內(nèi)，通過在外導(dǎo)流筒的內(nèi)壁鋪設(shè)一層熱輻射反射層，可有效的將加熱器輻射到單晶硅棒的熱量反射出去，從而提高單晶硅生長速度。[0008]所述熱輻射反射層由內(nèi)、外導(dǎo)流筒將其封閉，避免了輻射反射層變質(zhì)或老化產(chǎn)生雜質(zhì)對拉晶的影響。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明導(dǎo)流筒剖面視圖。
【具體實施方式】
[0010]一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，包括內(nèi)導(dǎo)流筒1、外導(dǎo)流筒2，內(nèi)導(dǎo)流筒I與外導(dǎo)流筒2之間設(shè)有隔熱碳?xì)?。所述內(nèi)導(dǎo)流筒I的外側(cè)、外導(dǎo)流筒2的內(nèi)側(cè)鋪設(shè)有熱輻射反射層3，所述內(nèi)導(dǎo)流筒I的外側(cè)、外導(dǎo)流筒2的內(nèi)側(cè)構(gòu)成一密封的腔體，隔熱碳?xì)?位于密封的腔體內(nèi)。所述熱輻射反射層3的厚度為:(Tl0mm，其表面為鏡面。所述熱輻射反射層3為聞純石墨紙或者聞純鑰片。
[0011]將熱輻射反射層3分別設(shè)置在內(nèi)導(dǎo)流筒I的外側(cè)和外導(dǎo)流筒2的內(nèi)側(cè)，與內(nèi)、外導(dǎo)流筒壁緊密接觸，利用其良好的熱輻射反射性，將硅棒和加熱器輻射到導(dǎo)流筒上的熱量及時反射走，極大的增加硅棒縱向溫度梯度，相比常規(guī)導(dǎo)流筒，可使得單晶生長速度大幅提升，并大大降低能耗。熱輻射反射層3由內(nèi)、外導(dǎo)流筒將其封閉，避免了輻射反射層變質(zhì)或老化產(chǎn)生雜質(zhì) 對拉晶的影響。
【權(quán)利要求】
1.一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，包括內(nèi)導(dǎo)流筒(I)、外導(dǎo)流筒(2)，內(nèi)導(dǎo)流筒(I)與外導(dǎo)流筒(2)之間設(shè)有隔熱碳?xì)?4)，其特征在于，所述內(nèi)導(dǎo)流筒(I)的外側(cè)、外導(dǎo)流筒(2)的內(nèi)側(cè)鋪設(shè)有熱輻射反射層(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，其特征在于，所述內(nèi)導(dǎo)流筒(I)的外側(cè)、外導(dǎo)流筒(2)的內(nèi)側(cè)構(gòu)成一密封的腔體，隔熱碳?xì)?4)位于密封的腔體內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，其特征在于，所述熱輻射反射層(3)的厚度為:(TlOmm，其表面為鏡面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述一種提升單晶硅生長速度的導(dǎo)流筒，其特征在于，所述熱輻射反射層(3)為高純石墨紙或者高 純鑰片。
【文檔編號】C30B29/06GK103882510SQ201210564957
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月24日
【發(fā)明者】劉代軍, 黃華 申請人:九州方園新能源股份有限公司