技術(shù)編號(hào)：8068200
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。專(zhuān)利摘要一種提升單晶硅生長(zhǎng)速度的導(dǎo)流筒，包括內(nèi)導(dǎo)流筒、外導(dǎo)流筒，內(nèi)導(dǎo)流筒與外導(dǎo)流筒之間設(shè)有隔熱碳?xì)?，所述?nèi)導(dǎo)流筒的外側(cè)、外導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)鋪設(shè)有熱輻射反射層。所述內(nèi)導(dǎo)流筒的外側(cè)、外導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)構(gòu)成一密封的腔體，隔熱碳?xì)治挥诿芊獾那惑w內(nèi)。本發(fā)明一種提升單晶硅生長(zhǎng)速度的導(dǎo)流筒，將硅棒和加熱器輻射到導(dǎo)流筒上的熱量均能及時(shí)傳遞走，加速了晶棒的冷卻，實(shí)現(xiàn)拉晶速度的顯著提高。提升生產(chǎn)效率的同時(shí)，降低能耗。另外，熱輻射反射層由內(nèi)、外導(dǎo)流筒將其封閉，杜絕了雜質(zhì)對(duì)拉晶的影響。專(zhuān)利說(shuō)明一種提升單晶硅生長(zhǎng)速度的導(dǎo)流筒技術(shù)領(lǐng)域[0001]本發(fā)...
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