專利名稱：提高制絨或濕法刻蝕設(shè)備各軌道腐蝕量均勻性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅電池制備領(lǐng)域，具體而言，涉及一種提高制絨或濕法刻蝕設(shè)備各軌道腐蝕量均勻性的方法。
背景技術(shù)：
多晶硅電池的生產(chǎn)主要流程通常為制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、PECVD沉積SiNx、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)。制絨是太陽能電池生產(chǎn)首個工序，其目的主要是1、去除硅片表面的機(jī)械損傷層；2、清除表面油污和金屬雜質(zhì)；3、形成起伏不平的絨面，增加吸光面積，減少光的反射率，提高短路電流(Isc)，最終提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率。制絨其主要是通過HN03、HF制絨、沖洗、KOH腐蝕、沖洗、HF、HCl清洗等處理。該工序通過對腐蝕前后的硅片進(jìn)行稱重以計算出硅片被腐蝕掉的深度，以此來控制和監(jiān)視該工序的穩(wěn)定性。制絨后是擴(kuò)散，然后就是濕法 刻蝕，濕法刻蝕主要是通過化學(xué)反應(yīng)腐蝕掉硅片背面及四周的PN結(jié)以達(dá)到正面與背面絕緣的目的，同時去除正面的磷硅玻璃層，便于后續(xù)工藝的進(jìn)行。濕法刻蝕工藝和制絨設(shè)備以及工藝原理相似。(與前面幾句話重復(fù))制絨和濕法刻蝕設(shè)備為鏈?zhǔn)窖h(huán)系統(tǒng)，多為四軌道到八軌道不等，硅片通過上下滾輪的傳動分別經(jīng)過各腐蝕液和清洗槽，硅片從一端進(jìn)入，另一端卸下完成整個流程。各軌道的腐蝕量的均勻性成了生產(chǎn)線上一個不可忽視的監(jiān)控點(diǎn)。各軌道腐蝕的均勻性受設(shè)備排風(fēng)、導(dǎo)輪的水平性以及液體溶度均勻性等眾多因素的影響，但主要是受硅片進(jìn)入藥液的深度不同的影響。目前因?yàn)榕棚L(fēng)、藥液更換等原因?qū)е碌母鬈壍栏g量不一致，主要通過調(diào)整排風(fēng)量的大小、藥液流量以及更換時間盡量使各軌道腐蝕量保持一致。另外，因設(shè)備之間的磨合經(jīng)常導(dǎo)致導(dǎo)輪兩端水平性變差影響硅片進(jìn)入藥液的深度不同導(dǎo)致腐蝕量不同，因此需要經(jīng)常更換導(dǎo)輪保持其水平性。然而，通過排風(fēng)和藥液流量大小的調(diào)整很難保證各軌道所處的環(huán)境完全一樣所以很難控制各軌道硅片進(jìn)入藥液的深度也完全一樣，所以腐蝕均勻性差。而因設(shè)備的磨損導(dǎo)致的導(dǎo)輪不在同一水平線上需要更換設(shè)備增加了設(shè)備成本，相對提高了太陽能電池的制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種提高制絨或濕法刻蝕設(shè)備各軌道腐蝕量均勻性的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中制絨和濕法刻蝕各軌道腐蝕量不均勻的技術(shù)問題。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種提高制絨或濕法刻蝕設(shè)備各軌道腐蝕量均勻性的方法。該方法包括以下步驟1)檢測各軌道內(nèi)硅片的腐蝕量；2)調(diào)整腐蝕量偏大或偏小的軌道上的導(dǎo)輪直徑，通過控制導(dǎo)輪上的硅片進(jìn)入設(shè)備中各軌道的藥液深度從而增加或者減小硅片的腐蝕量，最終使各道內(nèi)硅片的腐蝕量相一致。進(jìn)一步地，將步驟2)中硅片的腐蝕量較其它各軌道腐蝕量高的軌道中的導(dǎo)輪的直徑調(diào)大。進(jìn)一步地，將步驟2)中硅片的腐蝕量較其它各軌道腐蝕量低的軌道中的導(dǎo)輪的直徑調(diào)小。進(jìn)一步地，在步驟I)之前進(jìn)一步包括對各軌道的排風(fēng)量、藥液配比濃度，溫度、傳輸速度進(jìn)行調(diào)整。本發(fā)明的技術(shù)方案，通過個別導(dǎo)輪直徑的調(diào)整，很方便地解決了現(xiàn)有技術(shù)中僅通過排風(fēng)量和藥液流量大小的調(diào)整很難保證各軌道所處的環(huán)境完全一樣，所以很難控制各軌道硅片進(jìn)入藥液的深度也完全一樣的弊端，同時，也可避免更換設(shè)備部件造成的額外成本，達(dá)到節(jié)約的目的。


說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中 圖I示出了制絨或濕法蝕刻設(shè)備各軌道導(dǎo)輪結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明一典型的實(shí)施方式，提高制絨或濕法刻蝕設(shè)備各軌道腐蝕量均勻性的方法包括以下步驟1)檢測各軌道內(nèi)硅片的腐蝕量；2)調(diào)整腐蝕量偏大或偏小的軌道上的導(dǎo)輪直徑，通過控制導(dǎo)輪上的硅片進(jìn)入設(shè)備中各軌道的藥液深度從而增加或者減小硅片的腐蝕量，最終使各道內(nèi)硅片的腐蝕量相一致。如圖I所示，軌道10、軌道20和軌道30是制 絨或濕法刻蝕設(shè)備的部分軌道，例如，導(dǎo)輪21的直徑d2可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行調(diào)整，從而達(dá)到調(diào)節(jié)腐蝕量偏大或偏小的問題，使設(shè)備各軌道腐蝕量保持一致。本發(fā)明的技術(shù)方案，通過個別導(dǎo)輪直徑的調(diào)整，很方便地解決了現(xiàn)有技術(shù)中僅通過排風(fēng)量和藥液流量大小的調(diào)整很難保證各軌道所處的環(huán)境完全一樣，所以很難控制各軌道硅片腐蝕量也完全一樣的弊端，同時，也可避免更換設(shè)備部件造成的額外成本，達(dá)到節(jié)約的目的。將步驟2)中硅片的腐蝕量較其它各軌道腐蝕量低的軌道中的導(dǎo)輪的直徑調(diào)小；將步驟2)中硅片的腐蝕量較其它各軌道腐蝕量高的軌道中的導(dǎo)輪的直徑調(diào)大，以使各軌道硅片腐蝕量達(dá)到一致。優(yōu)選地，在步驟I)之前進(jìn)一步包括對各軌道的排風(fēng)量、藥液配比濃度，溫度、傳輸速度進(jìn)行調(diào)整。對各軌道的排風(fēng)量進(jìn)行調(diào)整，使各軌道內(nèi)的藥液的表面張力相同，從而控制硅片的各邊緣腐蝕量盡量一致，同時便于使各軌道硅片進(jìn)入藥液的深度一樣。在步驟I)之前進(jìn)一步包括對各軌道內(nèi)的藥液進(jìn)行濃度調(diào)整，使各軌道內(nèi)的藥液的濃度相同，以使各軌道內(nèi)硅片的腐蝕量盡量保持一致。在步驟I)之前進(jìn)一步包括對各軌道的藥液的循環(huán)量進(jìn)行調(diào)整，使各軌道內(nèi)的藥液濃度相同。在調(diào)整了各軌道的排風(fēng)量、藥液的濃度、藥液循環(huán)量后，硅片的腐蝕量的腐蝕量仍達(dá)不到一致時，再調(diào)整個別不在同一水平線的導(dǎo)輪，可以更有效地保持各軌道腐蝕量的一致性。實(shí)施例I.調(diào)整8條軌道的參數(shù)排風(fēng)量為35 45m3/h、藥液含有質(zhì)量百分比為45 60%的HNO3，質(zhì)量百分比為2 4%的HF溶液；溫度為1(T18°C ;傳輸速度為I. 2 2. Om/min ；2.檢測各軌道內(nèi)硅片的腐蝕量通過測試硅片腐蝕前后的重量，根據(jù)重量差通過面積和密度計算出硅片的腐蝕深度，通過稱重計算出各軌道的腐蝕深度分別為軌道I為
I.3 μ m,軌道2為3. 6 μ m ;軌道3為3. 4 μ m ;軌道4為3. 5 μ m ;軌道5為3. 4 μ m ;軌道6為3. 6 μ m ;軌道 7 為 3. 5 μ m ;軌道 8 為 3. 4 μ m ;3.調(diào)整軌道I的導(dǎo)輪直徑減小I 2mm ；4.再次檢測各軌道中硅片的腐蝕量，結(jié)果表明軌道I的腐蝕深度變?yōu)?. 5 μ m。從以上的描述中，可以看出，本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)了如下技術(shù)效果應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案，通過調(diào)節(jié)制絨或濕法刻蝕設(shè)備中各別軌道導(dǎo)輪直徑的大小，達(dá)到調(diào)節(jié)腐蝕量偏大或偏小的問題，從而使設(shè)備各軌道腐蝕量保持一致。本發(fā)明的技術(shù) 方案，通過個別導(dǎo)輪直徑的調(diào)整，很方便地解決了現(xiàn)有技術(shù)中僅通過排風(fēng)量和藥液流量大小的調(diào)整很難保證各軌道所處的環(huán)境完全一樣，所以很難控制各軌道硅片進(jìn)入藥液的深度也完全一樣的弊端，同時，也可避免更換設(shè)備部件造成的額外成本，達(dá)到節(jié)約的目的。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種提高制絨或濕法刻蝕設(shè)備各軌道腐蝕量均勻性的方法，其特征在于，包括以下步驟 1)檢測各軌道內(nèi)硅片的腐蝕量； 2)調(diào)整腐蝕量偏大或偏小的軌道上的導(dǎo)輪直徑，通過控制所述導(dǎo)輪上的硅片進(jìn)入所述設(shè)備中各軌道的藥液深度從而增加或者減小所述硅片的腐蝕量，最終使各道內(nèi)所述硅片的腐蝕量相一致。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，將所述步驟2)中硅片的腐蝕量較其它各軌道腐蝕量高的軌道中的所述導(dǎo)輪的直徑調(diào)大。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，將所述步驟2)中硅片的腐蝕量較其它各軌道腐蝕量低的軌道中的所述導(dǎo)輪的直徑調(diào)小。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，在所述步驟I)之前進(jìn)一步包括 對各所述軌道的排風(fēng)量、藥液配比濃度，溫度、傳輸速度進(jìn)行調(diào)整。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種提高制絨或濕法刻蝕設(shè)備各軌道腐蝕量均勻性的方法。該方法包括以下步驟1)檢測各軌道內(nèi)硅片的腐蝕量；2)調(diào)整腐蝕量偏大或偏小的軌道上的導(dǎo)輪直徑，通過控制導(dǎo)輪上的硅片進(jìn)入設(shè)備中各軌道的藥液深度從而增加或者減小硅片的腐蝕量，最終使各道內(nèi)硅片的腐蝕量相一致。本發(fā)明的技術(shù)方案，通過個別導(dǎo)輪直徑的調(diào)整，很方便地解決了現(xiàn)有技術(shù)中僅通過排風(fēng)量、藥液配比和藥液流量大小的調(diào)整很難保證各軌道所處的環(huán)境完全一樣，所以很難控制各軌道硅片的腐蝕量也完全一樣的弊端，同時，也可避免更換設(shè)備部件造成的額外成本，達(dá)到節(jié)約的目的。
文檔編號C30B33/10GK102797041SQ20121032373
公開日2012年11月28日 申請日期2012年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月4日
發(fā)明者范志東, 趙學(xué)玲, 郭延嶺 申請人:英利能源(中國)有限公司