電路板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種電路板的制作方法，其包括以下步驟：提供一整片電路板，所述整片電路板包括至少一個(gè)電路板單元及廢料部，所述電路板單元與廢料部之間有交界線，所述電路板單元上形成有至少一個(gè)邊接頭區(qū)；沿所述交界線對所述整片電路板進(jìn)行第一次沖型，形成沖型開口、多個(gè)微連接及多個(gè)沖型毛邊；通過小能量激光切割去除部分或全部沖型毛邊，形成連片電路板；在連片電路板上組裝電子元器件，并對其進(jìn)行第二次沖型，以切斷所述多個(gè)微連接，得到相互分離的電路板。
【專利說明】電路板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電路板制作技術(shù)，尤其涉及一種電路板的成型制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，電路板的制作過程包括:首先，制作一整片電路板，所述整片電路板為已經(jīng)形成線路的電路板，所述整片電路板包括由多個(gè)電路板單元組成的產(chǎn)品區(qū)以及多個(gè)電路板單元之外的廢料區(qū)，電路板單元即在電路板完成后逐個(gè)分開并單獨(dú)具有電路功能的區(qū)域，廢料區(qū)即在電路板打件后需要去除的部分。之后，在所述整片電路板的廢料區(qū)上通過沖型方式成型，將所述多個(gè)電路板單元中的大部分區(qū)域與所述廢料區(qū)相分離，從而形成多個(gè)沖型開口以及多個(gè)微連接區(qū)，其中，所述多個(gè)電路板單元通過所述多個(gè)微連接區(qū)與廢料區(qū)相連然后，在所述多個(gè)電路板單元上貼裝零件，以及對所述多個(gè)電路板單元進(jìn)行性能檢測最后，再次沖型，以將所述多個(gè)微連接區(qū)切斷，從而使所述多個(gè)電路板單元與所述廢料區(qū)相分離，從而形成多個(gè)單獨(dú)的電路板單元。
[0003]一般，電路板單元上包括至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊。導(dǎo)電觸墊一般用于焊接零件，或用于與芯片打線連接，或用于與其他線路板相電連接，或用于其他用途。沖型會(huì)在沖型開口的邊緣形成沖型毛邊，當(dāng)所述導(dǎo)電觸墊的各邊距離所述電路板單元的板邊距離較近時(shí)，一般為小于4_時(shí)，沖型毛邊會(huì)影響導(dǎo)電觸墊的性質(zhì)，如，會(huì)造成導(dǎo)電觸墊異物等，此會(huì)造成導(dǎo)電觸墊與芯片打線打線連接時(shí)的異物異常，及貼裝零件時(shí)的焊接不良等異常。
[0004]通過較大能量的激光(laser)切割可以改善上述毛邊，但是，使用較大能量的激光切割產(chǎn)品時(shí)，產(chǎn)品上靠近產(chǎn)品邊緣的導(dǎo)電觸墊會(huì)被較大能量的激光輻射而氧化，從而導(dǎo)致與零件或電路板電連接失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，有必要提供一種電路板的制作方法，以減少板邊毛邊并防止導(dǎo)電觸墊因激光輻射而氧化。
[0006]一種電路板的制作方法，其包括以下步驟:提供一個(gè)整片電路板，所述整片電路板包括至少一個(gè)電路板單元以及連接所述電路板單元的廢料部，每個(gè)所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個(gè)所述電路板單元上均形成有至少一個(gè)邊接頭區(qū)，所述邊接頭區(qū)包括至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的部分邊界線與至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊的側(cè)面重合，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的至少一邊與所述交界線的一段的距離小于4mm;沿著所述交界線對所述整片電路板進(jìn)行第一次沖型，以在所述整片電路板上形成多個(gè)沖型開口、多個(gè)微連接及位于所述沖型開口上的多個(gè)沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元通過所述沖型開口與廢料部部分分離，所述電路板單元通過所述多個(gè)微連接與所述廢料部部分相連接，每個(gè)所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸；沿所述交界線中與所述邊接頭區(qū)的邊界線的距離小于4mm的一段對沖型后的所述整片電路板進(jìn)行小能量激光切割，從而去除所述整片電路板上的與所述邊接頭區(qū)鄰近的所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，小能量激光切割時(shí)的紫外激光器發(fā)出的激光功率范圍為5W至8W ;以及對所述連片電路板進(jìn)行第二次沖型，以切斷所述多個(gè)微連接，將多個(gè)所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到多個(gè)相互分離的電路板。
[0007]—種電路板的制作方法，其包括以下步驟:提供一個(gè)整片電路板，所述整片電路板包括至少一個(gè)電路板單元以及連接所述電路板單元的廢料部，每個(gè)所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個(gè)所述電路板單元上均形成有至少一個(gè)邊接頭區(qū)，所述邊接頭區(qū)包括至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的部分邊界線與至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊的側(cè)面重合，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的至少一邊與所述交界線的一段的距離小于4mm;沿著所述交界線對所述整片電路板進(jìn)行第一次沖型，以在所述整片電路板上形成多個(gè)沖型開口、多個(gè)微連接及位于所述沖型開口上的多個(gè)沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元通過所述沖型開口與廢料部部分分離，所述電路板單元通過所述多個(gè)微連接與所述廢料部部分相連接，每個(gè)所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸；沿所述交界線對沖型后的所述整片電路板進(jìn)行小能量激光切割，從而去除所述整片電路板上的所有的所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，小能量激光切割時(shí)的紫外激光器發(fā)出的激光功率范圍為5W至8W ;以及對所述連片電路板進(jìn)行第二次沖型，以切斷所述多個(gè)微連接，將多個(gè)所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到多個(gè)相互分離的電路板。
[0008]一種電路板的制作方法，其包括以下步驟:提供一個(gè)整片電路板，所述整片電路板包括至少一個(gè)電路板單元以及連接所述電路板單元的廢料部，每個(gè)所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個(gè)所述電路板單元上均形成有至少一個(gè)邊接頭區(qū)，所述邊接頭區(qū)包括至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的部分邊界線與至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊的側(cè)面重合，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的至少一邊與所述交界線的一段的距離小于4mm;沿著所述交界線中與所述邊接頭區(qū)的邊界線的距離小于4mm的一段對所述整片電路板進(jìn)行第一次沖型，以在所述整片電路板上形成多個(gè)沖型開口及位于所述沖型開口上的多個(gè)沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元通過所述沖型開口與所述廢料部部分分離，每個(gè)所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸；沿著所述交界線中與所述邊接頭區(qū)的邊界線的距離大于4mm的一段對所述整片電路板進(jìn)行大能量激光切割，以在所述整片電路板上形成多個(gè)激光切割開口及多個(gè)微連接；所述激光切割開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元通過所述沖型開口及所述激光切割開口與所述廢料部部分分離，所述電路板單元通過所述多個(gè)微連接與所述廢料部部分相連接，其中，小能量激光切割時(shí)的紫外激光器發(fā)出的激光功率范圍為5W至8W ;沿所述交界線中與所述邊接頭區(qū)的邊界線的距離小于4_的一段對沖型及大能量激光切割后的所述整片電路板進(jìn)行小能量激光切割，從而去除所述整片電路板上的與所述邊接頭區(qū)鄰近的所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，小能量激光切割時(shí)的紫外激光器發(fā)出的激光功率范圍為5W至8W ;以及對所述連片電路板進(jìn)行第二次沖型，以切斷所述多個(gè)微連接，將多個(gè)所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到多個(gè)相互分離的電路板。
[0009]本技術(shù)方案的電路板的制作方法具有如下優(yōu)點(diǎn):在距離導(dǎo)電觸墊較近的板邊先用沖型成型，再用小能量的激光切割去除沖型毛邊，不僅可以去除沖型毛邊，而且不會(huì)造成導(dǎo)電觸墊氧化，進(jìn)而可以提高導(dǎo)電觸墊與零件之間或?qū)щ娪|墊與電路板之間的電連接的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本技術(shù)方案實(shí)施例提供的整片電路板的平面示意圖。
[0011]圖2是對圖1的整片電路板第一次沖型后形成沖型開口、微連接及沖型毛邊后的平面示意圖。
[0012]圖3是對圖2中的沖型后的整片電路板進(jìn)行小能量激光切割去除部分沖型毛邊后形成的連片電路板的平面示意圖。
[0013]圖4是在圖3中的連片電路板上組裝電子元器件后的平面示意圖。
[0014]圖5是對圖4中的組裝電子元器件的連片電路板進(jìn)行第二次沖型形成單獨(dú)的電路板的平面示意圖。
[0015]圖6是對圖1的整片電路板進(jìn)行沿導(dǎo)電觸墊附近第一次沖型后形成沖型開口、微連接及沖型毛邊后的平面示意圖。
[0016]圖7是對圖6中的沖型后的整片電路板進(jìn)行大能量激光切割以分離其他位置的電路板單元后的平面示意圖。
[0017]圖8是對圖7中的大能量激光切割后的整片電路板進(jìn)行小能量激光切割去除部分沖型毛邊后形成的連片電路板的平面示意圖。
[0018]圖9是對圖8中的連片電路板上組裝電子元器件后的平面示意圖。
[0019]圖10是對圖9中的組裝電子元器件的連片電路板進(jìn)行第二次沖型形成單獨(dú)的電路板的平面不意圖。
`[0020]主要元件符號說明
整片電路板I ?ο
板單元ii
第一廢料部14
第二廢料部15 一
第一產(chǎn)品區(qū)_12_
第二產(chǎn)品區(qū)
第一交界線
第二交界線
第三交界線
第一邊接頭區(qū)—121—
第一邊界線_1211
第一導(dǎo)電觸墊_122_
第一排導(dǎo)電觸墊-123
第二排導(dǎo)電觸墊_124_
第一產(chǎn)品邊_1201_
第二產(chǎn)品邊1%2
第三產(chǎn)品邊?Ιθ3
第二邊接頭區(qū)
第二邊界線_1311
第三邊界線_1312
第二導(dǎo)電觸墊_132_
第三排導(dǎo)電觸墊_133
第四排導(dǎo)電觸墊_134_
第四產(chǎn)品邊|l401
【權(quán)利要求】
1.一種電路板的制作方法，其包括以下步驟: 提供一個(gè)整片電路板，所述整片電路板包括至少一個(gè)電路板單元以及連接所述電路板單元的廢料部，每個(gè)所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個(gè)所述電路板單元上均形成有至少一個(gè)邊接頭區(qū)，所述邊接頭區(qū)包括至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的部分邊界線與至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊的側(cè)面重合，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的至少一邊與所述交界線的一段的距離小于4mm ； 沿著所述交界線對所述整片電路板進(jìn)行第一次沖型，以在所述整片電路板上形成多個(gè)沖型開口、多個(gè)微連接及位于所述沖型開口上的多個(gè)沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元通過所述沖型開口與廢料部部分分離，所述電路板單元通過所述多個(gè)微連接與所述廢料部部分相連接，每個(gè)所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸； 沿所述交界線中與所述邊接頭區(qū)的邊界線的距離小于4_的一段對沖型后的所述整片電路板進(jìn)行激光切割，從而去除所述整片電路板上的與所述邊接頭區(qū)鄰近的所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，激光切割時(shí)的紫外激光器發(fā)出的激光功率范圍為5W至8W ;以及 對所述連片電路板進(jìn)行第二次沖型，以切斷所述多個(gè)微連接，將多個(gè)所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到多個(gè)相互分離的電路板。
2.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述小能量激光切割的切割次數(shù)范圍為2至8次。
3.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述廢料部包括圍繞連接所述電路板單元的第一廢料部；所述交界線包括所述電路板單元與所述第一廢料部之間形成的第一交界線；對沖型后的所述整片電路板進(jìn)行小能量激光切割的步驟包括:沿所述第一交界線中與所述邊接頭區(qū)的邊界線的距離小于4mm的一段對所述整片電路板進(jìn)行小能量激光切割，從而去除所述整片電路板上的與所述邊接頭區(qū)鄰近的沖型毛邊，得到一連片電路板。
4.如權(quán)利要求1所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述廢料部包括包圍于每個(gè)所述電路板單元中間的第二廢料部；所述交界線包括每個(gè)所述電路板單元與與對應(yīng)的所述第二廢料部之間形成的第三交界線；對沖型后的所述整片電路板進(jìn)行小能量激光切割的步驟包括:沿所述第三交界線中與所述邊接頭區(qū)的邊界線的距離小于4mm的一段對所述整片電路板進(jìn)行小能量激光切割，從而去除所述整片電路板上的與所述邊接頭區(qū)鄰近的沖型毛邊，得到一連片電路板。
5.一種電路板的制作方法，其包括以下步驟: 提供一個(gè)整片電路板，所述整片電路板包括至少一個(gè)電路板單元以及連接所述電路板單元的廢料部，每個(gè)所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個(gè)所述電路板單元上均形成有至少一個(gè)邊接頭區(qū)，所述邊接頭區(qū)包括至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的部分邊界線與至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊的側(cè)面重合，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的至少一邊與所述交界線的一段的距離小于4mm ； 沿著所述交界線對所述整片電路板進(jìn)行第一次沖型，以在所述整片電路板上形成多個(gè)沖型開口、多個(gè)微連接及位于所述沖型開口上的多個(gè)沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元通過所述沖型開口與廢料部部分分離，所述電路板單元通過所述多個(gè)微連接與所述廢料部部分相連接，每個(gè)所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸； 沿所述交界線對沖型后的所述整片電路板進(jìn)行激光切割，從而去除所述整片電路板上的所有的所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，激光切割時(shí)的紫外激光器發(fā)出的激光功率范圍為5W至8W ;以及 對所述連片電路板進(jìn)行第二次沖型，以切斷所述多個(gè)微連接，將多個(gè)所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到多個(gè)相互分離的電路板。
6.如權(quán)利要求5所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述小能量激光切割的切割次數(shù)范圍為2至8次。
7.一種電路板的制作方法，其包括以下步驟: 提供一個(gè)整片電路板，所述整片電路板包括至少一個(gè)電路板單元以及連接所述電路板單元的廢料部，每個(gè)所述電路板單元與所述廢料部之間具有交界線，每個(gè)所述電路板單元上均形成有至少一個(gè)邊接頭區(qū)，所述邊接頭區(qū)包括至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的部分邊界線與至少一個(gè)導(dǎo)電觸墊的側(cè)面重合，所述邊接頭區(qū)的邊界線中的至少一邊與所述交界線的一段的距離小于4mm ； 沿著所述交界線中與所述邊接頭區(qū)的邊界線的距離小于4mm的一段對所述整片電路板進(jìn)行第一次沖型，以在所述整片電路板上形成多個(gè)沖型開口及位于所述沖型開口上的多個(gè)沖型毛邊，所述沖型開口自所述交界線向所述廢料部延伸，所述電路板單元通過所述沖型開口與所述廢料部部分分離，每個(gè)所述沖型毛邊均自所述交界線向所述廢料部延伸； 沿著所述交界線中與所述邊接頭區(qū)的邊界線的距離大于4mm的一段對所述整片電路板進(jìn)行大能量激光切割，以在所述整片電路板上形成多個(gè)激光切割開口及多個(gè)微連接；所述激光切割開口自所述交界線向所`述廢料部延伸，所述電路板單元通過所述沖型開口及所述激光切割開口與所述廢料部部分分離，所述電路板單元通過所述多個(gè)微連接與所述廢料部部分相連接，其中，大能量激光切割時(shí)的紫外激光器發(fā)出的激光功率范圍為8W至15W ； 沿所述交界線中與所述邊接頭區(qū)的邊界線的距離小于4_的一段對沖型及大能量激光切割后的所述整片電路板進(jìn)行小能量激光切割，從而去除所述整片電路板上的與所述邊接頭區(qū)鄰近的所述沖型毛邊，得到一連片電路板，其中，小能量激光切割時(shí)的紫外激光器發(fā)出的激光功率范圍為5W至8W;以及 對所述連片電路板進(jìn)行第二次沖型，以切斷所述多個(gè)微連接，將多個(gè)所述電路板單元與所述廢料部完全分離，從而得到多個(gè)相互分離的電路板。
8.如權(quán)利要求7所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述大能量激光切割的切割次數(shù)范圍為10至20次。
9.如權(quán)利要求7所述的電路板的制作方法，其特征在于，所述小能量激光切割的切割次數(shù)范圍為2至8次。
【文檔編號】H05K3/00GK103635023SQ201210306666
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月27日
【發(fā)明者】劉瑞武, 李育賢, 游文信 申請人:富葵精密組件(深圳)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司