專利名稱：用于固設(shè)一半導(dǎo)體芯片的線路基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于固設(shè)半導(dǎo)體芯片的線路基板及其制造方法，尤其涉及一種用于液晶顯示器的固設(shè)半導(dǎo)體芯片用的線路基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，電子產(chǎn)品的特性需求已往高構(gòu)裝密度及高電氣可靠度發(fā)展。為了達(dá)到這些需求，發(fā)展出如基板上芯片(chip on film, C0F)與玻璃上芯片(chip on glass, COG)的技術(shù)。而玻璃上芯片技術(shù)目前已廣泛運(yùn)用于液晶顯示器領(lǐng)域中。一般而言，玻璃上芯片制程的步驟如下。首先，覆蓋一層異向性導(dǎo)電膜于焊墊上。然后，熱壓半導(dǎo)體芯片于異向性導(dǎo)電膜上，使半導(dǎo)體芯片的凸塊與焊墊間可電性連接。然·而，隨著線路密度的提高，相同面積下要設(shè)置的焊墊數(shù)目也隨之增加。而在液晶顯示器中，外引腳接合區(qū)(outer lead bonding area)的面積是固定的,所以焊墊間的距離就必須縮小。但若焊墊間的距離變小，就容易造成短路問題。因此，仍需一種改良的線路基板及其制造方法，以期能使焊墊間距離縮小，又能避免短路現(xiàn)象發(fā)生，以便解決現(xiàn)有技術(shù)所面臨的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一實(shí)施方式是在于提供一種用于固設(shè)一半導(dǎo)體芯片的線路基板，其包含基材以及多個(gè)焊墊。焊墊位于基材上，其中每個(gè)焊墊包含一基底及多個(gè)子焊墊，子焊墊間具有空隙。子焊墊位于基底上且凸出于基底，并藉由基底彼此連接。在其中的一實(shí)施例中，這些子焊墊交錯(cuò)(staggered)排列。在其中的一實(shí)施例中，相鄰兩焊墊間的距離為兩個(gè)焊墊中的每一焊墊各自任選一子焊墊彼此間的最短距離。在其中的一實(shí)施例中，這些子焊墊的形狀相同或不同，其分別選自由圓形、橢圓形、矩形、菱形、六角形及其組合所構(gòu)成的群組。在其中的一實(shí)施例中，多個(gè)焊墊前后交錯(cuò)排列，以形成第一焊墊列與第二焊墊列。在其中的一實(shí)施例中，線路基板更包含一絕緣層，位于子焊墊之間的空隙并覆蓋于基底之上。在其中的一實(shí)施例中，絕緣層的高度小于各個(gè)子焊墊的高度。本發(fā)明的另一實(shí)施方式是在于提供一種包含上述線路基板的液晶顯示器。本發(fā)明的又一實(shí)施方式是在于提供一種制造線路基板的方法。首先，形成金屬層于基材上，然后微影蝕刻金屬層，以形成多個(gè)焊墊。各個(gè)焊墊包含一基底及多個(gè)子焊墊，子焊塾間具有空隙?；捉佑|基材。子焊塾位于基底上且凸出于基底，并藉由基底彼此連接。在其中的一實(shí)施例中，該制造方法更包含形成絕緣層于子焊墊之間的空隙并覆蓋于基底之上。采用本發(fā)明，可有效地縮短相鄰兩焊墊間的距離，使面積的利用率提高。因此，與一般的焊墊設(shè)計(jì)相較之下，在相同面積中，本實(shí)施方式可設(shè)置更多的焊墊。此外，由于子焊墊間具有空隙，因此當(dāng)熱壓制程時(shí)，異向性導(dǎo)電膜中因受壓而變形的導(dǎo)電粒子不容易流動(dòng)到兩焊墊間的空間，故可避免短路現(xiàn)象發(fā)生。綜上所述，本案除了能夠縮短兩焊墊距離外，還可避免短路現(xiàn)象，而能夠有效地解決習(xí)知技術(shù)問題。


讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
以后，將會(huì)更清楚地了解本發(fā)明的各個(gè)方面。其中，圖I示出依照本發(fā)明一實(shí)施方式的線路基板的上視圖。圖2示出依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的線路基板的上視圖。圖3示出依照本發(fā)明一實(shí)施方式的具有絕緣層的線路基板的上視圖。

圖4示出依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有絕緣層的線路基板的上視圖。圖5示出依照本發(fā)明一實(shí)施方式的制造線路基板的方法的流程圖。圖6A至圖6C示出依照本發(fā)明一實(shí)施方式的制造線路基板的方法中各制程階段的示意圖。主要組件符號(hào)說明100,200,300,400 :線路基板110:基材120 :焊墊120a :子焊墊120b :基底130 :絕緣層130a:空隙1201 :第一焊墊列1202 :第二焊墊列500 :制造線路基板的方法510、520、530 :步驟D :相鄰兩焊墊間的距離D’ 相鄰兩子焊墊間的距離Hl :子焊墊的高度H2 :絕緣層的高度P:間距W :子焊墊的寬度X :基底的寬度Y1、Y2 :第一焊墊列與第二焊墊列的距離
具體實(shí)施例方式以下將以圖式揭露本發(fā)明之復(fù)數(shù)個(gè)實(shí)施方式，為明確說明起見，許多實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本發(fā)明。也就是說，在本發(fā)明部分實(shí)施方式中，這些實(shí)務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡(jiǎn)化圖式起見，一些習(xí)知慣用的結(jié)構(gòu)與組件在圖式中將以簡(jiǎn)單示意的方式繪示之。本發(fā)明的一實(shí)施方式是在于提供一種用于固設(shè)一半導(dǎo)體芯片的線路基板。圖I示出線路基板100的上視圖。圖2示出線路基板200的上視圖。線路基板100、200分別包含有基材110以及多個(gè)焊塾120。線路基板100、200可為液晶顯不器中的薄I吳晶體管基板的一部分。詳細(xì)而言，線路基板100、200可為欲封裝柵驅(qū)動(dòng)芯片(gate IC)或欲封裝掃描驅(qū)動(dòng)芯片(scan IC)的部分?；?10的材質(zhì)可例如為玻璃。焊墊120位于基材110上，而每個(gè)焊墊120包含一基底120b及多個(gè)子焊墊120a。在一實(shí)施方式中，基底120b及子焊墊120a為一體成型，請(qǐng)參考圖6B。在一實(shí)施例中，焊墊120前后交錯(cuò)排列，以形成第一焊墊列1201與第二焊墊列1202，如圖I與圖2所示。本線路基板可應(yīng)用于不同領(lǐng)域，而各組件尺寸(高度、寬度、長(zhǎng)度等)、形狀或組件 間尺寸(兩組件間相鄰的距離等)將依據(jù)該領(lǐng)域的考慮要點(diǎn)來加以設(shè)計(jì)。在一實(shí)施例中，上述尺寸需考慮到芯片的面積以及芯片與線路基板間的接觸區(qū)域來加以設(shè)計(jì)。因此，下述數(shù)值或數(shù)值范圍僅為若干具體實(shí)施例，并非用以限制本發(fā)明。在此不限第一焊墊列1201與第二焊墊列1202間的距離Yl以及第一焊墊列1201與第二焊墊列1202的間距P。間距P是指水平方向上，第一焊墊列1201中任一焊墊120與第二焊墊列1202中任一焊墊120之間最短的距離。在一實(shí)施例中，第一焊墊列1201與第二焊墊列1202間的垂直方向的距離Yl為36微米，如圖I所示。第一焊墊列1201與第二焊墊列1202的間距P為O微米。在另一實(shí)施例中，第一焊墊列1201與第二焊墊列1202間的距離Y2為36微米，如圖2所示。第一焊墊列1201與第二焊墊列1202的間距P為I. 36微米?；?20b的下表面接觸基材110。舉例來說，基底120b可連接液晶顯示器的薄膜晶體管基板中的端子部導(dǎo)線(未繪示)。在此不限基底120b的寬度X。在一實(shí)施例中，如圖I及圖2所示，基底120b的寬度X皆為25微米。在此不限基底120b的形狀。在一實(shí)施例中，基底120b的形狀為沿著子焊墊120a外圍的連續(xù)形狀，如圖I及圖2所示。這是為了讓相鄰兩焊墊120的基底120b間的距離增力口。在一實(shí)施例中，如圖I所示，兩相鄰的基底120b的形狀相互對(duì)應(yīng)，且呈寬窄交錯(cuò)排列。也就是說，其中一基底120b的寬部對(duì)應(yīng)到相鄰基底120b的窄部。因此，能夠有效縮短兩焊墊間的水平方向的距離。在另一實(shí)施例中，如圖2所示，兩相鄰的基底120b的形狀相同，并呈曲折排列。子焊墊120a位于基底120b上且凸出于基底120b，并藉由基底120b彼此連接。多個(gè)子焊墊120a間為間隔排列。因此，在一實(shí)施例中，子焊墊120a之間具有空隙130a，請(qǐng)參考圖6B。若子焊墊120a之間沒有設(shè)置空隙130a，則可能在進(jìn)行固設(shè)芯片制程時(shí)，異方性導(dǎo)電膠的流動(dòng)性變差。在此不限子焊墊120a的排列方式。在一實(shí)施例中，子焊墊120a交錯(cuò)(staggered)排列。交錯(cuò)排列的目的是為了讓相鄰兩焊墊120間的距離增加。在一實(shí)施例中，相鄰兩焊墊120間的距離D即為在同一焊墊列1201/1202的兩個(gè)相鄰焊墊120中，各任選一子焊墊120a，此兩子焊墊120a彼此間的最短距離。所以，兩焊墊120間的最短距離D并非一定是水平方向的距離。換言之，此兩焊墊120間的最短距離D可是傾斜方向的距離，因此，本實(shí)施例能夠在相同寬度(在水平方向)下排列更多的焊墊。故與一般的焊墊設(shè)計(jì)相較之下，本實(shí)施例的焊墊設(shè)計(jì)的面積利用率更高。在一實(shí)施例中，如圖I及圖2所示，相鄰兩焊墊120a間的距離D皆為29微米。在此不限子焊墊120a交錯(cuò)排列的行數(shù)及子焊墊120a的數(shù)目。舉例來說，在一實(shí)施例中，如圖I所示，子焊墊120a為三列式的交錯(cuò)(staggered)排列，且一焊墊120中具有10個(gè)子焊墊。在另一實(shí)施例中，子焊墊120a為單列式的交錯(cuò)排列，且一焊墊120中具有3個(gè)子焊墊，如圖2所示。在此不限子焊墊120a的形狀。在一實(shí)施例中，子焊墊120a的形狀相同或不同，其分別選自由圓形、橢圓形、矩形、菱形、六角形及其組合所構(gòu)成的群組。圖I與圖2分別例示為圓形和矩形的子焊墊。若在相同維度之下，又以圓形的子焊墊的面積利用率較高。但仍應(yīng)視實(shí)際應(yīng)用情況來選擇適當(dāng)?shù)淖雍笁|形狀?！ぴ诖瞬幌拮雍笁|120a的尺寸。在一實(shí)施例中，如圖I所示，子焊墊120a的寬度W為10微米。在一實(shí)施例中，如圖2圖所示，子焊墊120a的寬度W為24微米。在此不限相鄰兩子焊墊120a間的距離D’。在一實(shí)施例中，如圖I所示，相鄰兩子焊墊120a間的距離D’為5微米。在一實(shí)施例中，如圖2所示，相鄰兩子焊墊120a間的距離D’為4微米。由上述可知，本發(fā)明的實(shí)施方式是在一定焊墊數(shù)量的情況下，藉由子焊墊的交錯(cuò)設(shè)計(jì)來擴(kuò)大兩焊墊間的有效距離(相較于一般設(shè)計(jì))，從而降低了短路的可能性。在一實(shí)施例中，該線路基板300和400更包含一絕緣層130，位于子焊墊120a之間的空隙130a并覆蓋于基底120b之上。如圖3及圖4所示，絕緣層130填充于子焊墊120a間的空隙130a。在一實(shí)施例中，絕緣層130的高度H2小于各個(gè)子焊墊120a的高度H1，如圖6C所示。當(dāng)進(jìn)行熱壓制程時(shí)，由于芯片的凸塊下壓，異方性導(dǎo)電膜中的導(dǎo)電粒子的外殼破裂，而使凸塊與子焊墊120a間電性連接。因此，絕緣層130的高度H2需小于各個(gè)子焊墊120a的高度H1。本發(fā)明的另一實(shí)施方式是在提供一種包含上述線路基板的液晶顯示器。液晶顯示器中包含有薄膜晶體管基板、彩色濾光片基板以及液晶。此線路基板可為薄膜晶體管基板的一部分。本發(fā)明的另一實(shí)施方式是在提供一種制造線路基板的方法，請(qǐng)參照?qǐng)D5的方法500。在步驟510中，形成金屬層115于基材110上，如圖6A所示。金屬層115的材料可為鉻(Chromium)、鎳(Nickel)、· (Molybdenum)或釹(Neodymium)。例如可使用派鍍制程來制作金屬層115。在步驟520中，微影蝕刻金屬層115，以形成多個(gè)焊墊120，如圖6B及圖I所示。例如，可先形成一光阻材料(未繪示)于金屬層115上，然后進(jìn)行微影制程而形成光阻圖案。隨后，藉由控制如蝕刻時(shí)間的蝕刻制程條件，來形成具有立體結(jié)構(gòu)的焊墊120。形成的焊墊120包含一基底120b及多個(gè)子焊墊120a?；?20b接觸基材110。子焊墊120a位于基底120b上且凸出于基底120b，并藉由基底120b彼此連接。在一實(shí)施例中，該制造方法更包含形成絕緣層130于子焊墊120a之間的空隙130a并覆蓋于基底120b之上(步驟530)。舉例來說，可利用微影蝕刻制程來形成填充于空隙130a中的絕緣層130。由此可知，本發(fā)明的實(shí)施方式可有效地縮短相鄰兩焊墊間的距離，使面積的利用率提高。因此，與一般的焊墊設(shè)計(jì)相較之下，在相同面積中，本實(shí)施方式可設(shè)置更多的焊墊。此外，由于子焊墊間具有空隙，因此當(dāng)熱壓制程時(shí)，異向性導(dǎo)電膜中因受壓而變形的導(dǎo)電粒子不容易流動(dòng)到兩焊墊間的空間，故可避免短路現(xiàn)象發(fā)生。綜上所述，本案除了能夠縮短兩焊墊距離外，還可避免短路現(xiàn)象，而能夠有效地解決習(xí)知技術(shù)問題 上文中，參照附圖描述了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。但是，本領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員能夠理解，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作各種變更和替換。這些變更和替換都落在本發(fā)明權(quán)利要求書所限定的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于固設(shè)一半導(dǎo)體芯片的線路基板，其特征在于，所述線路基板包含 一基材；以及 多個(gè)焊墊，所述多個(gè)焊墊位于所述基材上，其中所述多個(gè)焊墊中的每一焊墊包含一基底及多個(gè)子焊墊，所述多個(gè)子焊墊間具有空隙，且所述多個(gè)子焊墊位于所述基底上且凸出于所述基底，并藉由所述基底彼此連接。
2.如權(quán)利要求I所述的線路基板，其特征在于，所述多個(gè)子焊墊為交錯(cuò)(staggered)排列。
3.如權(quán)利要求I所述的線路基板，其特征在于，相鄰兩焊墊間的距離為所述兩焊墊中的每一焊墊各自任選一子焊墊彼此間的最短距離。
4.如權(quán)利要求I所述的線路基板，其特征在于，所述多個(gè)子焊墊的形狀相同或不同，其分別選自由圓形、橢圓形、矩形、菱形、六角形及其組合所構(gòu)成的群組。
5.如權(quán)利要求I所述的線路基板，其特征在于，所述多個(gè)焊墊前后交錯(cuò)排列，以形成一第一焊墊列與一第二焊墊列。
6.如權(quán)利要求I所述的線路基板，其特征在于，所述線路基板更包含一絕緣層，位于所述多個(gè)子焊墊之間的空隙并覆蓋所述基底之上。
7.如權(quán)利要求6所述的線路基板，其特征在于，所述絕緣層的高度小于所述多個(gè)子焊墊中每一子焊墊的高度。
8.一種液晶顯示器，包含如權(quán)利要求I所述的線路基板。
9.一種用于固設(shè)一半導(dǎo)體芯片的線路基板的制造方法，其特征在于，該制造方法包含 形成一金屬層于一基材上；以及 微影蝕刻所述金屬層，以形成多個(gè)焊墊，其中所述多個(gè)焊墊中的每一焊墊包含一基底及多個(gè)子焊墊，所述多個(gè)子焊墊間具有空隙，所述基底接觸所述基材，所述多個(gè)子焊墊位于所述基底上且凸出于所述基底，并藉由所述基底彼此連接。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，該制造方法更包含形成一絕緣層于所述多個(gè)子焊墊之間的空隙并覆蓋所述基底之上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于固設(shè)一半導(dǎo)體芯片的線路基板及其制造方法。該線路基板包含基材以及多個(gè)焊墊。焊墊位于基材上，其中每個(gè)焊墊包含一基底及多個(gè)子焊墊，且子焊墊間具有空隙。子焊墊位于基底上且凸出于基底，并藉由基底彼此連接。采用本發(fā)明，可有效地縮短相鄰兩焊墊間的距離，使面積的利用率提高。因此，與一般的焊墊設(shè)計(jì)相較之下，在相同面積中，本實(shí)施方式可設(shè)置更多的焊墊。此外，由于子焊墊間具有空隙，因此當(dāng)熱壓制程時(shí)，異向性導(dǎo)電膜中因受壓而變形的導(dǎo)電粒子不容易流動(dòng)到兩焊墊間的空間，故可避免短路現(xiàn)象發(fā)生。
文檔編號(hào)H05K3/40GK102843858SQ20121026990
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月30日
發(fā)明者賈賠 申請(qǐng)人:友達(dá)光電(廈門)有限公司, 友達(dá)光電股份有限公司