專利名稱：將磁性元件埋置基板內(nèi)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種將如磁性元件等電子元件埋置于基板內(nèi)的方法。
背景技術(shù)：
將電子元件嵌入印刷電路板內(nèi)以提高空間利用率為電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主流趨勢。然而，如何支撐印刷電路板上的嵌入的磁性元件，又比其他電子元件嵌入印刷電路板的要求來得高。圖1A至圖1C是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)所繪制的埋置磁性元件的方法截面示意圖。如圖1A所示，先在基板100中形成凹槽120。參照圖1B，將磁性元件135置入凹槽120內(nèi)，然后使用封裝膠材132填充凹槽120并覆蓋磁性元件135。接著依布線要求，在預(yù)定位置形成貫穿基板100的通孔170，而得如圖1C所示結(jié)構(gòu)。隨后，進(jìn)行通孔電鍍，以于通孔中填充導(dǎo)電材料。然而隨著元件尺寸持續(xù)微縮，現(xiàn)有技術(shù)仍有提升制作工藝效率的空間。

發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明的一態(tài)樣為提供一種將磁性元件埋置基板內(nèi)的方法。首先通過第一移除技術(shù)，在基板中形成相隔一定距離的二槽孔。二槽孔各自分別包括頂部開口、底部和側(cè)壁，其中頂部開口的面積大于底部的面積。側(cè)壁從頂部開口垂直向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至底部而于各槽孔底部形成斜面?zhèn)缺凇Ｔ偻ㄟ^第二移除技術(shù)，移除二槽孔間的部分基板材料，以形成元件容納槽。其中二槽孔各自的一部分側(cè)壁及一部分斜面?zhèn)缺诒槐Ａ粢宰鰹樵菁{槽的一部分。隨后，將磁性元件置入元件容納槽中。其中第二移除技術(shù)的移除速率大于第一移除技術(shù)的移除速率。本發(fā)明的另一態(tài)樣為提供一種將磁性元件埋置基板內(nèi)的方法。首先利用機(jī)械鉆孔技術(shù)，在基板中形成由部分重疊的二槽孔構(gòu)成的組合槽孔。組合槽孔包括頂部開口、底部開口和側(cè)壁，且頂部開口的面積大于底部開口的面積。側(cè)壁從頂部開口向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至底部開口，并于組合槽孔底部形成斜面?zhèn)缺凇６x一區(qū)域，其部分重疊于組合槽孔的頂部開口。移除該區(qū)域底下的部分基板材料，并保留組合槽孔的部分斜面?zhèn)缺诩安糠中泵鎮(zhèn)缺冢孕纬傻撞烤咄咕壍脑菁{槽。隨后將磁性元件置入元件容納槽中。本發(fā)明的又一態(tài)樣提供一種將磁性元件埋置基板內(nèi)的方法。首先通過第一移除技術(shù)，在基板中形成一槽孔，其中槽孔包括頂部開口、底部和側(cè)壁，且頂部開口面積大于底部面積。側(cè)壁從頂部開口向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至底部而于槽孔底部形成斜面?zhèn)缺凇６x一區(qū)域，其部分重疊于組合槽孔的頂部開口。再通過第二移除技術(shù)，移除該區(qū)域底下的部分基板材料，以形成元件容納槽。其中元件容納槽的底面保有槽孔的部分斜面?zhèn)缺?。隨后將磁性元件置入元件容納槽中。其中第二移除技術(shù)的移除速率大于第一移除技術(shù)的移除速率。由于所形成的元件容納槽具有斜面?zhèn)缺?，故即使不使用粘著物質(zhì)，也可將磁性元件埋設(shè)于基板的預(yù)定深度內(nèi)。另一方面，磁性元件置入后，將抵住元件容納槽的側(cè)壁，且與底面具有一定距離。因此可支撐基板內(nèi)所嵌入的磁性元件。


為使讀者能通過實施方式更進(jìn)一步了解本發(fā)明，因此提供下列附圖以輔助說明之。圖1A至圖1C為現(xiàn)有技術(shù)所繪制的埋置磁性元件的方法截面示意圖；圖2A、圖3A、圖4A及圖5A為根據(jù)本發(fā)明的第一實施例所繪示的用于埋置磁性元件的方法步驟的上視圖；圖2B、圖3B、圖4B及圖5B分別為沿著圖2A、圖3A、圖4A及圖5A虛線1_1’截切的剖視圖；圖2A’、圖3A’、圖4A’及圖5A’為本發(fā)明的第二實施例所繪示的用于埋置磁性元件的方法步驟的上視圖；圖2B’、圖3B’、圖4B’及圖5B’分別為沿著圖2A’、圖3A’、圖4A’及圖5A’虛線1-1’截切的剖視圖；圖6A、圖7A、圖8A及圖9A為本發(fā)明的第三實施例所繪示的用于埋置磁性元件的方法步驟的上視圖；圖6B、圖7B、圖8B及圖9B分別為沿著圖6A、圖7A、圖8A及圖9A虛線1_1’截切的剖視圖；以及圖10A、圖11A、圖12A及圖13A為本發(fā)明的第四實施例所繪示的用于埋置磁性元件的方法步驟的上視圖；圖10B、圖11B、圖12B及圖13B分別為沿著圖10A、圖11A、圖12A及圖13A虛線1-1’截切的剖視圖。主要元件符號說明100基板 120凹槽132封裝膠材135磁性元件170通孔 200基板210、210’ 槽孔 212、212’ 開口214、214’ 側(cè)壁 216、216’ 開口217底面 218、218’ 側(cè)壁220、220’ 容納槽 224、224’ 區(qū)域226、226’凸緣 232粘著物質(zhì)235磁性元件250介電層260導(dǎo)電層 270、470 電通孔320,420 容納槽 324、424 區(qū)域326,426 凸緣 480帽蓋墊 t厚度 Θ角度
具體實施例方式為讓本發(fā)明的上述與其他目的、特征和優(yōu)點更為淺顯易懂，現(xiàn)將配合參照所附的附圖詳加說明于下。然需注意，所述的實施例僅為舉例說明，而無限定本發(fā)明精神與范圍的意圖，熟諳此技術(shù)者當(dāng)可據(jù)此進(jìn)行修改而得等效實施例。各圖中相同的元件符號代表相似的元件，且為清楚呈現(xiàn)，各元件并未按實際比例繪制。例如，槽孔一般為圓孔，但一些附圖是以橢圓孔示例。圖2A、圖3A、圖4A及圖5A是根據(jù)本發(fā)明的第一實施例所繪示的用于埋置磁性元件的方法步驟的上視圖。其中，圖2B、圖3B、圖4B及圖5B分別為沿著圖2A、圖3A、圖4A及圖5A虛線1-1’截切的剖視圖。參照圖2A及圖2B，利用機(jī)械鉆孔技術(shù)，在基板200中形成相隔一定距離的兩個槽孔210。兩個槽孔210的間距和深度視待埋設(shè)的元件尺寸與位置而定。槽孔210的頂部開口 212的面積大于底部開口 216的面積，且其側(cè)壁214從頂部開口 212垂直向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至底部開口 216而于槽孔210的底部形成斜面?zhèn)缺?18?；?00可為上、下覆蓋導(dǎo)體層的電覆絕緣基板，例如環(huán)氧樹脂玻纖板(FR4)，但不以此為限。通過選擇機(jī)械鉆孔使用的鉆頭形狀及控制鉆孔深度，可決定形成斜面?zhèn)缺?18的角度Θ和厚度t。接著參照圖3A及圖3B，區(qū)域224重疊于兩個槽孔210的頂部開口 212(圖2A)。然后移除區(qū)域224底下的基板200材料，以形成元件容納槽220。移除的區(qū)域224至少包含兩個槽孔210的中心點間的區(qū)域，使兩個槽孔210得以相連構(gòu)成部分元件容納槽220。移除的深度并無特殊限制，只要最終容納槽結(jié)構(gòu)存有未被移除的部分斜面?zhèn)缺?18以及未被移除的部分側(cè)壁214。該結(jié)構(gòu)可做為磁性元件支撐結(jié)構(gòu)。移除方法可采用撈出成型(routing)、沖孔成型(punching)或其他相較于機(jī)械鉆孔能快速移除部分基板材料的適合技術(shù)。所得元件容納槽220包括兩個槽孔210的部分頂部開口 212，以定義容納槽頂部開口外緣形狀。兩個槽孔210的部分側(cè)壁214構(gòu)成元件容納槽220的兩個相對側(cè)壁，且兩個相對側(cè)壁垂直向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至元件容納槽220的底部開口，如此元件容納槽220的底部保有兩個槽孔210的部分斜面?zhèn)缺?18而構(gòu)成凸緣226，以做為磁性元件支撐結(jié)構(gòu)。該磁性元件支撐結(jié)構(gòu)已揭露于美國專利申請第13/028949號，其標(biāo)題為「Planarelectronic device having a magnetic component and method for manufacturing theelectronic device」，并將其并入?yún)⒖记鞍?。參照圖4A及圖4B，通過表面貼合技術(shù)(SMT)，將環(huán)型(ring-type)磁性元件235置于元件容納槽220內(nèi)，然后注入粘著物質(zhì)232加以固定。然表面貼合技術(shù)也可先讓磁性元件235沾附粘著物質(zhì)232后，再將磁性元件235放入元件容納槽220內(nèi)而粘固?；蛘?，先在元件容納槽220內(nèi)注入粘著物質(zhì)232，再固定隨后置入的磁性元件235。磁性元件235可由任何適合做為電磁元件的磁性材料組成,例如鐵芯。如圖4B所示，磁性元件235置入后將抵住元件容納槽220的斜面?zhèn)缺?18及/或抵住元件容納槽220的部分側(cè)壁214而相距底部開口一定距離。在另一實施方式中，由于元件容納槽220具有可支撐磁性元件235的斜面?zhèn)缺?18，故即使不使用粘著物質(zhì)232，也可將磁性元件235埋設(shè)在預(yù)定深度的基板內(nèi)。在此情況下，元件容納槽220充滿氣體。參照圖5A及圖5B,依序形成介電層250和導(dǎo)電層260于基板200的上、下側(cè)。介電層250可為聚丙烯、環(huán)氧樹脂膠片(bondply)或其他有機(jī)物質(zhì)組成的絕緣材料。導(dǎo)電層260例如為銅箔或其他適合的導(dǎo)電材料膜。在一實施方式中，使用環(huán)氧樹脂膠片做為介電層，并利用壓合技術(shù)使銅箔通過環(huán)氧樹脂膠片粘合于基板上。其次，進(jìn)行鉆孔、去鉆污、除膠渣及通孔電鍍等步驟，以于預(yù)定位置形成貫穿基板200、介電層250和導(dǎo)電層260的電通孔270。接著，利用影像移轉(zhuǎn)及蝕刻圖案化導(dǎo)電層260，以形成導(dǎo)電布線(未繪示)。圖所示電通孔的配置位置和數(shù)量僅為舉例說明，本發(fā)明不限于此。嵌入磁性元件的方法已揭露于美國專利申請第 12/592711 號，其標(biāo)題為〃Manufacture and use of planar embedded magneticsas discrete components and in integrated connectors〃，并將其并入?yún)⒖记鞍?。圖2A’、圖3A’、圖4A’及圖5A’是根據(jù)本發(fā)明的第二實施例所繪示的用于埋置磁性元件的方法步驟的上視圖。其中，圖2B’、圖3B’、圖4B’及圖5B’分別為沿著圖2A’、圖3A’、圖4A’及圖5A’虛線1-1’截切的剖視圖。參照圖2A’及圖2B’，利用機(jī)械鉆孔技術(shù)，在基板200中形成部分重疊的兩個槽孔而構(gòu)成組合槽孔210’。兩個槽孔的重疊程度和深度視待埋設(shè)的元件尺寸與位置而定。組合槽孔210’的頂部開口 212’的面積大于底部開口 216’的面積，且其側(cè)壁214’從頂部開口 212’垂直向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至底部開口 216’而于組合槽孔210’的底部形成斜面?zhèn)缺?18’?；?00可為上、下覆蓋導(dǎo)體層的電覆絕緣基板，例如環(huán)氧樹脂玻纖板(FR4)，但不以此為限。通過選擇機(jī)械鉆孔使用的鉆頭形狀及控制鉆孔深度，可決定形成斜面?zhèn)缺?18’的角度Θ和厚度t。接著參照圖3A’及圖3B’，沿著組合槽孔210’的部分邊緣定義包含槽孔210’的頂部開口 212’(圖2A’)的區(qū)域224’，及移除區(qū)域224’底下的基板200材料，以形成元件容納槽220’。移除的深度并無特殊限制，只要最終容納槽結(jié)構(gòu)存有未被移除的部分斜面?zhèn)缺?18以及未被移除的部分側(cè)壁214，該結(jié)構(gòu)可做為磁性元件支撐結(jié)構(gòu)。移除方法可采用撈出成型、沖孔成型或其他相較于機(jī)械鉆孔能快速移除部分基板材料的適合技術(shù)。所得元件容納槽220’包括槽孔210’的部分頂部開口 212’，以定義容納槽頂部開口外緣形狀，槽孔210’的部分側(cè)壁214’構(gòu)成元件容納槽220’的兩個相對側(cè)壁，且兩個相對側(cè)壁垂直向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至元件容納槽220’的底部開口，如此元件容納槽220’的底部保有槽孔210’的部分斜面?zhèn)缺?18’而構(gòu)成凸緣226’，以做為磁性元件支撐結(jié)構(gòu)。參照圖4A’及圖4B’，利用表面貼合技術(shù)(SMT)，將指環(huán)型磁性元件235置于元件容納槽220內(nèi)，然后注入粘著物質(zhì)232加以固定。然而表面貼合技術(shù)也可先讓磁性元件235沾附粘著物質(zhì)232后，再將磁性元件235放入元件容納槽220內(nèi)而粘固?；蛘撸仍谠菁{槽220內(nèi)注入粘著物質(zhì)232，再固定隨后置入的磁性元件235。磁性元件235可由任何適合做為電磁元件的磁性材料組成，例如鐵芯。如圖4B’所示，磁性元件235置入后將抵住元件容納槽220’的斜面?zhèn)缺?18’及/或抵住元件容納槽220’的部分側(cè)壁214’而相距底部開口一定距離。在另一實施方式中，由于元件容納槽220’具有可支撐磁性元件235的斜面?zhèn)缺?18’，故即使不使用粘著物質(zhì)232，也可將磁性元件235埋設(shè)在預(yù)定深度的基板內(nèi)。在此情況下，元件容納槽220’充滿氣體。參照圖5A’及圖5B’，依序形成介電層250和導(dǎo)電層260至基板200的上、下側(cè)。介電層250可為聚丙烯或環(huán)氧樹脂膠片或其他有機(jī)物質(zhì)組成的絕緣材料。導(dǎo)電層260例如為銅箔或其他適合的導(dǎo)電材料膜。在一實施方式中，使用環(huán)氧樹脂膠片做為介電層，并利用壓合技術(shù)使銅箔通過環(huán)氧樹脂膠片粘合于基板上。其次，進(jìn)行鉆孔、去鉆污、除膠渣及通孔電鍍等步驟，以于預(yù)定位置形成貫穿基板200、介電層250和導(dǎo)電層260的電通孔270。接著，利用影像移轉(zhuǎn)及蝕刻圖案化導(dǎo)電層260，以形成導(dǎo)電布線(未繪示)。圖所示電通孔的配置位置和數(shù)量僅為舉例說明，本發(fā)明不限于此。圖6A、圖7A、圖8A及圖9A是根據(jù)本發(fā)明的第三實施例所繪示的用于埋置磁性元件的方法步驟的上視圖。其中，圖6B、圖7B、圖8B及圖9B分別為沿著圖6A、圖7A、圖8A及圖9A虛線1-1’截切的剖視圖。參照圖6A及圖6B，利用機(jī)械鉆孔技術(shù)，在基板200中形成相隔一定距離的兩個槽孔210。兩個槽孔210的間距和深度視待埋設(shè)的元件尺寸與位置而定。槽孔210的頂部開口 212的面積大于底面217的面積，且其側(cè)壁214從頂部開口 212垂直向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至底面217而于槽孔210的底部形成斜面?zhèn)缺?18?；?00可為上、下覆蓋導(dǎo)體層的電覆絕緣基板，例如環(huán)氧樹脂玻纖板(FR4)，但不以此為限。通過選擇機(jī)械鉆孔使用的鉆頭形狀及控制鉆孔深度，可決定形成斜面?zhèn)缺?18的角度Θ和厚度t。接著參照圖7A及圖7B，沿著兩個槽孔210的部分邊緣定義包含兩個槽孔210的頂部開口 212 (圖7A)的指環(huán)型區(qū)域324，及移除區(qū)域324底下的基板200材料，以形成指環(huán)型元件容納槽320。移除的深度并無特殊限制，只要最終容納槽結(jié)構(gòu)存有未被移除的部分斜面?zhèn)缺?18以及未被移除的部分側(cè)壁214，該結(jié)構(gòu)可做為磁性元件支撐結(jié)構(gòu)。移除方法可采用撈出成型、沖孔成型或其他相較于機(jī)械鉆孔能快速移除部分基板材料的適合技術(shù)。所得元件容納槽320包括兩個槽孔210的部分頂部開口 212，以定義容納槽頂部開口外緣形狀，兩個槽孔210的部分側(cè)壁214構(gòu)成元件容納槽320的部分環(huán)型側(cè)壁且垂直向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至元件容納槽320的底部，如此元件容納槽320的底部保有兩個槽孔210的部分斜面?zhèn)缺?18而構(gòu)成凸緣326，以做為磁性元件支撐結(jié)構(gòu)。參照圖8A及圖SB，利用表面貼合技術(shù)，將指環(huán)型磁性元件235置于元件容納槽320內(nèi)，然后注入粘著物質(zhì)232加以固定。然表面貼合技術(shù)也可先讓磁性元件235沾附粘著物質(zhì)232后，再將磁性元件235放入元件容納槽320內(nèi)而粘固，或者，先在元件容納槽320內(nèi)注入粘著物質(zhì)232，再固定隨后置入的磁性元件235。磁性元件235可由任何適合做為電磁元件的磁性材料組成,例如鐵芯。如圖SB所示，指環(huán)型磁性元件235置入后將抵住元件容納槽320的斜面?zhèn)缺?18及/或抵住元件容納槽320的部分側(cè)壁214而相距底面217 —定距離。在另一實施方式中，由于元件容納槽320具有可支撐磁性元件235的斜面?zhèn)缺?18，故即使不使用粘著物質(zhì)232，也可將磁性元件235埋設(shè)在預(yù)定深度的基板內(nèi)。在此情況下，元件容納槽320充滿氣體。參照圖9A及圖9B，依序形成介電層250和導(dǎo)電層260至基板200的上、下側(cè)。介電層250可為聚丙烯或環(huán)氧樹脂膠片或其他有機(jī)物質(zhì)組成的絕緣材料。導(dǎo)電層260例如為銅箔或其他適合的導(dǎo)電材料膜。在一實施方式中，使用環(huán)氧樹脂膠片做為介電層，并利用壓合技術(shù)使銅箔通過環(huán)氧樹脂膠片粘合于基板上。其次，進(jìn)行鉆孔、去鉆污、除膠渣及通孔電鍍等步驟，以于預(yù)定位置形成貫穿基板200、介電層250和導(dǎo)電層260的電通孔270。接著，利用影像移轉(zhuǎn)及蝕刻圖案化導(dǎo)電層260，以形成導(dǎo)電布線(未繪示)。圖所示電通孔的配置位置和數(shù)量僅為舉例說明，本發(fā)明不限于此。圖10A、圖11A、圖12A及圖13A是根據(jù)本發(fā)明的第四實施例所繪示的用于埋置磁性元件的方法步驟的上視圖。其中，圖10B、圖11B、圖12B及圖13B分別為沿著圖10A、圖11A、圖12A及圖13A虛線1_1’截切的剖視圖。參照圖1OA及圖10B，提供上、下覆蓋導(dǎo)體層的電覆絕緣基板200，例如環(huán)氧樹脂玻纖板(FR4)。在基板200上定義待埋設(shè)磁性元件的區(qū)域，在此是以環(huán)型區(qū)域424 (介于兩條虛線之間)為例說明。接著，進(jìn)行鉆孔、去鉆污、除膠渣及通孔電鍍等步驟，以于預(yù)定位置形成貫穿基板200的電通孔470。其次，利用影像移轉(zhuǎn)及蝕刻圖案化基板200的上、下導(dǎo)體層而形成覆蓋各電通孔470的帽蓋墊480。參照圖1lA及圖11B，利用機(jī)械鉆孔技術(shù)，在區(qū)域424內(nèi)的相對位置形成兩個槽孔210。兩個槽孔210的深度視待埋設(shè)的元件尺寸與位置而定。槽孔210的頂部開口 212的面積大于底面217的面積，且其側(cè)壁214從頂部開口 212垂直向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至底面217而于槽孔210的底部形成斜面?zhèn)缺?18。通過選擇機(jī)械鉆孔使用的鉆頭形狀及控制鉆孔深度，可決定形成斜面?zhèn)缺?18的角度Θ和厚度t。接著參照圖12A及圖12B，移除區(qū)域424底下的基板200材料，以形成指環(huán)型元件容納槽420。移除的深度并無特殊限制，只要最終容納槽結(jié)構(gòu)存有未被移除的部分斜面?zhèn)缺?18以及未被移除的部分側(cè)壁214，該結(jié)構(gòu)可做為磁性元件支撐結(jié)構(gòu)。移除方法可采用撈出成型、沖孔成型或其他相較于機(jī)械鉆孔能快速移除部分基板材料的適合技術(shù)。所得元件容納槽420包括兩個槽孔210的部分頂部開口 212，以定義容納槽頂部開口外緣形狀，兩個槽孔210的部分側(cè)壁214構(gòu)成元件容納槽420的部分環(huán)型側(cè)壁且垂直向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至元件容納槽420的底部，如此元件容納槽420的底部保有兩個槽孔210的部分斜面?zhèn)缺?18而構(gòu)成凸緣426，以做為磁性元件支撐結(jié)構(gòu)。參照圖13A及圖13B，將指環(huán)型磁性元件235置于元件容納槽420內(nèi)。磁性元件235可由任何適合做為電磁元件的磁性材料組成，例如鐵芯。由于元件容納槽420具有可支撐磁性元件235的斜面?zhèn)缺?18與側(cè)壁214，故指環(huán)型磁性元件235置入后將抵住元件容納槽420的斜面?zhèn)缺?18及/或抵住元件容納槽320的部分側(cè)壁214而相距底面217 —定距離。如圖13B所示，此時元件容納槽420充滿氣體。在另一實施方式中，也可利用表面貼合技術(shù)，將指環(huán)型磁性元件235置于元件容納槽420內(nèi)，然后注入粘著物質(zhì)加以固定，或者，先讓磁性元件235沾附粘著物質(zhì)后，再將磁性元件235放入元件容納槽420內(nèi)而粘固，又或者，先在元件容納槽420內(nèi)注入粘著物質(zhì)，再固定隨后置入的磁性元件235。繼續(xù)參照圖13A及圖13B，依序形成介電層250和導(dǎo)電層260至基板200的上、下偵U。介電層250可為聚丙烯或環(huán)氧樹脂膠片或其他有機(jī)物質(zhì)組成的絕緣材料。導(dǎo)電層260例如為銅箔或其他適合的導(dǎo)電材料膜。在一實施方式中，使用環(huán)氧樹脂膠片做為介電層，并利用壓合技術(shù)使銅箔通過環(huán)氧樹脂膠片粘合于基板上。接著，于預(yù)定位置形成通過帽蓋墊480耦接電通孔470的通孔(未繪示)，然后利用影像移轉(zhuǎn)及蝕刻圖案化導(dǎo)電層260，以形成導(dǎo)電布線(未繪示)。圖所示電通孔的配置位置和數(shù)量僅為舉例說明，本發(fā)明不限于此。嵌入磁性元件的方法已揭露于美國專利申請第12/699777號,其標(biāo)題為"Packaged structurehaving magnetic component and method thereof"，并將其并入?yún)⒖记鞍?。本文所述「環(huán)型」構(gòu)造不限于圓形環(huán)或橢圓形環(huán)，其也可指稱四方形環(huán)、多角形環(huán)或其他適合形狀的環(huán)。除非本文另行指明，否則說明書和所附的權(quán)利要求所用的單數(shù)形「一」和「該」包括有多數(shù)的涵義。 以上實施例以埋置環(huán)型磁性元件為例說明，然而應(yīng)理解本發(fā)明的方法當(dāng)可應(yīng)用于埋置具其他形狀(如工形、長條形)或其他類型的電子元件，是以元件容納槽的區(qū)域形狀和深度可依此定義。另外，本發(fā)明不限于上述特定制作工藝和步驟順序，采行其他制作工藝或步驟順序也不脫離本發(fā)明的精神和范圍。雖然結(jié)合以上較佳實施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟諳此技術(shù)者在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種將磁性元件埋置基板內(nèi)的方法，該方法包含: 通過一第一移除技術(shù)，在一基板中形成相隔一預(yù)定距離的兩個槽孔，各該兩個槽孔分別包括頂部開口、底部和側(cè)壁，且各該兩個槽孔的該頂部開口的面積大于該底部的面積，該側(cè)壁從該頂部開口向下延伸一預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至該底部而于各該兩槽孔的該底部形成一斜面?zhèn)缺冢? 通過一第二移除技術(shù)，移除各該兩個槽孔間的該基板的一部分材料，以形成包含該兩個槽孔的一元件容納槽，各該兩個槽孔的一部分該側(cè)壁及一部分該斜面?zhèn)缺诒槐Ａ粢宰鰹樵撛菁{槽的一部分；以及 將一磁性元件置入該元件容納槽中， 其中該第二移除技術(shù)的移除速率大于該第一移除技術(shù)的移除速率。
2.按權(quán)利要求1的方法，其中該第一移除技術(shù)為一機(jī)械鉆孔技術(shù)。
3.按權(quán)利要求1的方法，其中該第二移除技術(shù)為一沖孔成型技術(shù)或一撈出成型技術(shù)。
4.按權(quán)利要求1的方法，還包含注入一粘著物質(zhì)至該元件容納槽中。
5.按權(quán)利要求1的方法，還包含: 形成一介電層于該基板上； 形成一金屬層于該介電層上；以及 形成一通孔以貫穿該基板。
6.一種將磁性兀件埋置基板內(nèi)的方法,該方法包含: 利用一機(jī)械鉆孔技術(shù)，在一基板中形成一槽孔，該槽孔包括頂部開口、底部開口和側(cè)壁，且該頂部開口的面積大于該底部開口的面積，該側(cè)壁從該頂部開口向下延伸一預(yù)定深度后，并往內(nèi)收斂至該底部開口而于該槽孔底部形成一斜面?zhèn)缺冢? 沿著該頂部開口的一部分邊緣定義一區(qū)域； 移除該區(qū)域底下的該基板的一部分材料，并保留該槽孔的一部分該斜面?zhèn)缺诩耙徊糠衷搨?cè)壁，以形成該底部具一凸緣的一元件容納槽；以及將一磁性元件置入該元件容納槽中。
7.按權(quán)利要求6的方法，其中移除該區(qū)域底下的該基板的一部分材料利用一沖孔成型技術(shù)或一撈出成型技術(shù)。
8.按權(quán)利要求6的方法，其中該槽孔由部分重疊的兩個槽孔所構(gòu)成。
9.按權(quán)利要求6的方法，還包含注入一粘著物質(zhì)至該元件容納槽中。
10.一種將磁性元件埋置基板內(nèi)的方法，該方法包含: 通過一第一移除技術(shù)，在一基板中形成一槽孔，其中該槽孔包括頂部開口、底部和側(cè)壁，且該頂部開口的面積大于該底部的面積，該側(cè)壁從該頂部開口向下延伸一預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至該底部而于該槽孔的該底部形成一斜面?zhèn)缺冢? 定義一區(qū)域，其部分重疊于該槽孔的該頂部開口 ； 通過一第二移除技術(shù)，移除該區(qū)域底下的該基板的一部分材料，以形成一元件容納槽，其中該元件容納槽的該底部保有該槽孔的一部分該斜面?zhèn)缺?；以及將一磁性元件置入該元件容納槽中； 其中該第二移除技術(shù)的移除速率大于該第一移除技術(shù)的移除速率。
11.按權(quán)利要求10的方法，其中該第一移除技術(shù)為一機(jī)械鉆孔技術(shù)。
12.按權(quán)利要求10的方法，其中該第二移除技術(shù)為一沖孔成型技術(shù)或一撈出成型技術(shù) 。
全文摘要
本發(fā)明公開一種將磁性元件埋置基板內(nèi)的方法，其包含利用機(jī)械鉆孔，在基板中形成一或多個槽孔。各槽孔包括頂部開口、底部和側(cè)壁，且頂部開口面積大于底部面積。側(cè)壁從頂部開口垂直向下延伸預(yù)定深度后，往內(nèi)收斂至底部，而于槽孔底部形成斜面?zhèn)缺?。其方法更包含沿著頂部開口的部分外緣定義預(yù)定區(qū)域，及利用撈出成型技術(shù)移除預(yù)定區(qū)域下的部分基板材料，以形成底部具有部分斜面?zhèn)缺诘脑菁{槽。隨后，將磁性元件置入元件容納槽中。
文檔編號H05K3/30GK103096635SQ20121022395
公開日2013年5月8日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者黃柏雄, 石漢青, 范字遠(yuǎn), 楊偉雄, 陳凱翔 申請人:健鼎(無錫)電子有限公司