專利名稱：一種多通道均勻上排氣熱場(chǎng)機(jī)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種多通道均勻上排氣熱場(chǎng)機(jī)構(gòu)，用于直拉硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程中的均勻上排氣。
背景技術(shù)：
直拉法是目前是單晶硅生長(zhǎng)的主要方法，隨著熱場(chǎng)設(shè)計(jì)的發(fā)展，現(xiàn)在的直拉單晶爐普遍采用上排氣機(jī)構(gòu)。這種上排氣方式可以有效的節(jié)省石墨件，尤其是加熱器等重要熱場(chǎng)部件的消耗，降低硅單晶的生產(chǎn)成本。但是，公知的上排氣裝置由于缺乏對(duì)氣流的合理引導(dǎo)，特別是上排氣孔的不均勻分布和排氣量不合理，容易在熔硅液面上方產(chǎn)生氣體亂流，從而影響單晶生長(zhǎng)氣氛，對(duì)晶體生長(zhǎng)帶來(lái)很大的不確定性。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種排氣均勻、對(duì)氣流合理引導(dǎo)的多通道均勻上排氣熱場(chǎng)機(jī)構(gòu)。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是一種多通道均勻上排氣熱場(chǎng)機(jī)構(gòu)，包括排氣箱和與排氣箱的底端連通的主排氣管；其關(guān)鍵在于所述排氣箱由圓環(huán)形上蓋、圓環(huán)形下蓋、內(nèi)隔離筒和外隔離筒圍成；所述內(nèi)隔離筒的筒壁上設(shè)有多個(gè)上排氣孔。作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述內(nèi)隔離筒與外隔離筒之間設(shè)有中隔離筒；在中隔離筒的筒壁上且與內(nèi)隔離筒的筒壁上的上排氣孔相對(duì)應(yīng)的位置也設(shè)有上排氣孔，上排氣管的兩端分別套裝在所述兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的上排氣孔內(nèi)；在所述圓環(huán)形下蓋上且位于中隔離桶和外隔離桶之間的底面上設(shè)有主排氣孔，所述主排氣管的上端套裝在主排氣孔內(nèi)。上述的圓環(huán)形上蓋的底面上和圓環(huán)形下蓋的頂面上各設(shè)置有三個(gè)分別與內(nèi)隔離筒、中隔離筒和外隔離筒的頂端和底端固定的定位槽。上述的主排氣管的數(shù)目為12個(gè)，上排氣孔的數(shù)目為12個(gè)。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于本實(shí)用新型的整個(gè)排氣管路設(shè)置在保溫層外部，氣體經(jīng)由排氣箱內(nèi)側(cè)壁上均勻分布的多個(gè)上排氣孔進(jìn)入排氣箱，再?gòu)呐艢庀涞撞烤鶆蚍植嫉亩鄠€(gè)主排氣管流向單晶爐的下排氣管道，這種獨(dú)特的均勻排氣管路和流量控制，使上排氣過(guò)程均勻，可以改善氣體排放的方式和流量，從而有效抑制熔硅液面上方產(chǎn)生的氣體亂流，使整個(gè)拉晶氣氛平穩(wěn)。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖2是圓環(huán)形上蓋的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是圓環(huán)形下蓋的結(jié)構(gòu)示意圖；[0013]圖4是內(nèi)隔離筒的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是中隔離筒的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是外隔離筒的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中，1、圓環(huán)形上蓋、2、圓環(huán)形下蓋、3、內(nèi)隔離筒，4、中隔離筒，5、外隔離筒，6、上排氣管，7、主排氣管。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。如圖1-6所示，本實(shí)用新型包括排氣箱和與排氣箱的底端連通的主排氣管；其關(guān)鍵在于所述排氣箱由圓環(huán)形上蓋、圓環(huán)形下蓋、內(nèi)隔離筒和外隔離筒圍成；所述內(nèi)隔離筒的筒壁上設(shè)有多個(gè)上排氣孔。上排氣孔為主要排氣孔道，與單晶爐的上端排氣口相連。所述內(nèi)隔離筒3與外隔離筒5之間設(shè)有中隔離筒4;在中隔離筒4的筒壁上且與內(nèi)隔離筒3筒壁上的上排氣孔相對(duì)應(yīng)的位置也設(shè)有上排氣孔，上排氣管6的兩端分別套裝在所述兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的上排氣孔內(nèi)；在所述圓環(huán)形下蓋2上且位于中隔離桶4和外隔離桶5之間的底面上設(shè)有主排氣孔，所述主排氣管7的上端套裝在主排氣孔內(nèi)，主排氣管7的下端與整個(gè)爐體的下提供排氣系統(tǒng)相連。中隔離筒4將排氣箱的內(nèi)腔分為兩部分內(nèi)隔離筒3與中隔離筒4之間為保溫腔，中隔離筒4與外隔離筒5為排氣腔。上排氣管6套裝在保溫腔的上部空間，用于將單晶爐的上端排氣口反的氣體導(dǎo)入排氣腔。多個(gè)上排氣管6處于同一水平面上，并且沿圓周均勻分布，多個(gè)主排氣管7均勻設(shè)置在所述底面上，這樣的設(shè)置，使得排氣過(guò)程均勻，氣流量合適，有效抑制熔硅液面上方產(chǎn)生的氣體亂流，使整個(gè)拉晶氣氛平穩(wěn)。如圖2、3所示，所述圓環(huán)形上蓋1的底面上和圓環(huán)形下蓋2的頂面上各設(shè)置有三個(gè)分別與所述內(nèi)隔離筒3、中隔離筒4和外隔離筒5的頂端和底端固定的定位槽。圓環(huán)形上蓋1、圓環(huán)形下蓋2、內(nèi)隔離筒3、中隔離筒4和外隔離筒5均為高純石墨材質(zhì)。定位槽為圓形，其圓心與上下蓋的圓環(huán)圓心重合，不僅有定位功能，還可使得上述各個(gè)部件之間的連接為密封狀態(tài)。所述主排氣管7的數(shù)目為12個(gè)，所述上排氣孔的數(shù)目為12個(gè)。
權(quán)利要求1.一種多通道均勻上排氣熱場(chǎng)機(jī)構(gòu)，包括排氣箱和與排氣箱的底端連通的主排氣管 (7);其特征在于所述排氣箱由圓環(huán)形上蓋(1)、圓環(huán)形下蓋(2)、內(nèi)隔離筒(3)和外隔離筒 (5)圍成；所述內(nèi)隔離筒(3)的筒壁上設(shè)有多個(gè)上排氣孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多通道均勻上排氣熱場(chǎng)機(jī)構(gòu)，其特征在于所述內(nèi)隔離筒(3)與外隔離筒(5)之間設(shè)有中隔離筒(4);在中隔離筒(4)的筒壁上且與內(nèi)隔離筒(3) 筒壁上的上排氣孔相對(duì)應(yīng)的位置也設(shè)有上排氣孔，上排氣管(6)的兩端分別套裝在所述兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的上排氣孔內(nèi)；在所述圓環(huán)形下蓋(2)上且位于中隔離桶(4)和外隔離桶(5)之間的底面上設(shè)有主排氣孔，所述主排氣管(7 )的上端套裝在主排氣孔內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種多通道均勻上排氣熱場(chǎng)機(jī)構(gòu)，其特征在于所述圓環(huán)形上蓋(1)的底面上和圓環(huán)形下蓋(2)的頂面上各設(shè)置有三個(gè)分別與所述內(nèi)隔離筒(3)、中隔離筒(4)和外隔離筒(5)的頂端和底端固定的定位槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多通道均勻上排氣熱場(chǎng)機(jī)構(gòu)，其特征在于所述主排氣管(7)的數(shù)目為12個(gè)，所述上排氣孔的數(shù)目為12個(gè)。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多通道均勻上排氣熱場(chǎng)機(jī)構(gòu)，包括排氣箱和與排氣箱的底端連通的主排氣管；排氣箱由圓環(huán)形上蓋、圓環(huán)形下蓋、內(nèi)隔離筒和外隔離筒圍成；內(nèi)隔離筒的筒壁上設(shè)有多個(gè)上排氣孔。內(nèi)隔離筒與外隔離筒之間設(shè)有中隔離筒；在中隔離筒的筒壁上且與內(nèi)隔離筒筒壁上的上排氣孔相對(duì)應(yīng)的位置也設(shè)有上排氣孔，上排氣管的兩端分別套裝在兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的上排氣孔內(nèi)；在圓環(huán)形下蓋上且位于中隔離桶和外隔離桶之間的底面上設(shè)有主排氣孔，主排氣管的上端套裝在主排氣孔內(nèi)。本實(shí)用新型具有獨(dú)特的均勻排氣管路和流量控制，使上排氣過(guò)程均勻，有效的控制了熔硅液面上方產(chǎn)生的氣體亂流，使整個(gè)拉晶氣氛平穩(wěn)。
文檔編號(hào)C30B15/00GK202214445SQ20112031504
公開(kāi)日2012年5月9日 申請(qǐng)日期2011年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月26日
發(fā)明者張衛(wèi)中, 曹中謙, 李雷, 楊運(yùn)忠, 王漢召, 金瑩 申請(qǐng)人:河北宇晶電子科技有限公司