專利名稱：多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及多晶硅鑄錠爐技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
多晶硅鑄錠爐是生產(chǎn)太陽能電池片中硅片原料的設(shè)備，其包括用于放置硅料的石英坩堝及設(shè)置在石英坩堝外、由底板以及放置在底板上的四塊首尾相接的側(cè)板組成的石墨坩堝。在多晶硅鑄錠爐使用過程中，多晶硅鑄錠爐坩堝內(nèi)的硅料因高溫熔化，有時會產(chǎn)生溢流情況，比如硅液會從坩堝頂部溢出，或者，在坩堝側(cè)壁產(chǎn)生裂紋時，硅液從坩堝側(cè)壁滲出，溢流的硅液從坩堝側(cè)壁與坩堝側(cè)板之間流至爐體底部，通常在爐體底部鋪設(shè)有溢流棉，用來承載溢流的硅液，以避免高溫硅液造成對爐體的損壞，影響多晶硅鑄錠爐的使用壽命。現(xiàn)有的多晶硅鑄錠爐的溢流保護措施是在坩堝底板上開溢流槽，有的甚至沒有溢流保護措施。而在坩堝底板開溢流槽的保護措施的缺點是開槽太少會導致硅液大量溢流時，溢流槽不能夠滿足溢流的需要，以至于還有硅液從坩堝底板與坩堝側(cè)板的銜接縫隙流出；開槽太多會影響坩堝底板的使用壽命。

實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的在于提供一種多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)，旨在提高硅液溢流的疏導效果。為了達到上述目的，本實用新型提出一種多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)，包括 底板及放置在所述底板四周的側(cè)板，所述側(cè)板下端與底板連接的下邊緣設(shè)有若干用于引導溢流硅液的引導槽。優(yōu)選地，所述引導槽的形狀至少為圓弧形、方形、梯形或菱形中的一種。優(yōu)選地，該多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)還包括石英坩堝，所述石英坩堝位于所述底板上；所述側(cè)板位于所述石英坩堝的側(cè)壁外。優(yōu)選地，該多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)還包括熱場箱底部保溫板，位于所述底板下方，所述底部保溫板上對應(yīng)所述引導槽的位置設(shè)有溢流孔。優(yōu)選地，所述側(cè)板間通過碳碳螺桿及螺母連接或通過石墨螺桿及螺母連接。 優(yōu)選地，所述側(cè)板的上邊緣設(shè)有若干通氣槽。優(yōu)選地，所述引導槽為一到三十個。本實用新型提出的一種多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)，通過在坩堝的側(cè)板下端與底板連接的下邊緣設(shè)置若干硅液溢流引導槽，可以更好的起到疏導硅液溢流的作用，避免了在底板上開過多的凹槽帶來的底板使用壽命短的缺陷。另外，側(cè)板上邊緣開的通氣槽加速了坩堝內(nèi)冷卻氣體的流通，減少硅料在結(jié)晶時微晶的產(chǎn)生。
圖1是本實用新型多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。為了使本實用新型的技術(shù)方案更加清楚、明了，下面將結(jié)合附圖作進一步詳述。
具體實施方式
本實用新型技術(shù)方案總體思路是通過在坩堝的側(cè)板下端與底板連接的下邊緣設(shè)置若干硅液溢流引導槽，可以更好的起到疏導硅液溢流的作用，避免了在底板上開過多的凹槽帶來的底板使用壽命短的缺陷。以下將結(jié)合附圖及實施例，對實現(xiàn)實用新型目的的技術(shù)方案作詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。如圖1所示，圖1是本實用新型多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。本實用新型一實施例提出一種多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)，包括底板1及放置在底板1四周的側(cè)板2，側(cè)板2間通過碳碳螺桿3及螺母4連接，側(cè)板2下端與底板1連接的下邊緣設(shè)有若干用于引導溢流硅液的引導槽21。在其他實施例中，側(cè)板2間還可通過石墨螺桿及螺母連接。其中，引導槽21的數(shù)量和大小可以根據(jù)實際需要設(shè)定，引導槽的數(shù)量可取一到三十個，比如可以為三個或四個，其形狀可以是圓弧形、方形、梯形或菱形等。本實施例中底板1與底板1四周的側(cè)板2構(gòu)成多晶硅鑄錠爐熱場箱內(nèi)的石墨坩堝 (圖中未示出)，石墨坩堝內(nèi)為放置硅料的石英坩堝，石英坩堝位于底板1上；側(cè)板2位于石英坩堝的側(cè)壁外。熱場箱由底部保溫板、頂部保溫板及側(cè)面保溫板構(gòu)成，各保溫板均為保溫碳氈材料，底部保溫板位于底板下方，底部保溫板上對應(yīng)側(cè)板2下邊緣的引導槽21的位置設(shè)有溢流孔(圖中未示出)。在多晶硅鑄錠爐使用過程中，多晶硅鑄錠爐坩堝內(nèi)的硅料因高溫熔化產(chǎn)生溢流情況時，比如硅液會從坩堝頂部溢出，或者，在坩堝側(cè)壁產(chǎn)生裂紋，硅液從坩堝側(cè)壁滲出時，溢流的硅液可以從側(cè)板2的下邊緣的引導槽21快速流出石墨坩堝，并經(jīng)過熱場箱底部保溫板上的溢流孔流至爐體底部的溢流棉上或爐體底部設(shè)置溢流承接機構(gòu)上。從而避免了在底板 1上開溢流槽太少導致硅液大量溢流時，溢流槽不能夠滿足溢流的需要，以至于還有硅液從底板1與側(cè)板2的銜接縫隙流出，以及開溢流槽太多影響底板1的使用壽命的缺陷。此外，為了提高石英坩堝內(nèi)硅料的結(jié)晶質(zhì)量，可以在側(cè)板2的上邊緣設(shè)置若干通氣槽22，通氣槽22的作用是可以加速石英坩堝內(nèi)冷卻氣體的流通，減少微晶的產(chǎn)生，提高良品率。相比現(xiàn)有技術(shù)僅僅在底板1上開溢流槽，所帶來的開槽太少導致硅液大量溢流時，溢流槽不能夠滿足溢流的需要，以至于還有硅液從底板1與側(cè)板2的銜接縫隙流出，以及開槽太多影響底板1的使用壽命的缺陷，本實用新型在側(cè)板2下邊緣設(shè)置若干個引導溢流硅液的引導槽21，該引導槽21的位置與熱場箱底部保溫板上的溢流孔相對應(yīng)，以便當石英坩堝出現(xiàn)裂紋或硅液因高溫從石英坩堝頂部溢流時，可在引導槽21的引導之下，將溢流硅液及時從引導槽21流出，流出的硅液可經(jīng)引導槽21下方的熱場箱底部保溫板上的溢流孔流至爐體的底部的溢流棉上或爐體底部設(shè)置溢流承接機構(gòu)上，更好的起到疏導硅液溢流的作用。 以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例，并非因此限制本實用新型的專利范圍， 凡是利用本實用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實用新型的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)，包括底板及放置在所述底板四周的側(cè)板， 其特征在于，所述側(cè)板下端與底板連接的下邊緣設(shè)有若干用于引導溢流硅液的引導槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溢流結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引導槽的形狀至少為圓弧形、方形、梯形或菱形中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溢流結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括石英坩堝，所述石英坩堝位于所述底板上；所述側(cè)板位于所述石英坩堝的側(cè)壁外。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溢流結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括熱場箱底部保溫板，位于所述底板下方，所述底部保溫板上對應(yīng)所述引導槽的位置設(shè)有溢流孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溢流結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)板間通過碳碳螺桿及螺母連接或通過石墨螺桿及螺母連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的溢流結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述側(cè)板的上邊緣設(shè)有若干通氣槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的溢流結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引導槽為一到三十個。
專利摘要本實用新型涉及一種多晶硅鑄錠爐坩堝側(cè)板溢流結(jié)構(gòu)，包括底板及放置在底板四周的側(cè)板，側(cè)板下端與底板連接的下邊緣設(shè)有若干用于引導溢流硅液的引導槽。本實用新型通過在坩堝的側(cè)板下端與底板連接的下邊緣設(shè)置若干硅液溢流引導槽，可以更好的起到疏導硅液溢流的作用，避免了在底板上開過多的凹槽帶來的底板使用壽命短的缺陷。另外，側(cè)板上邊緣開的通氣槽加速了坩堝內(nèi)冷卻氣體的流通，減少硅料在結(jié)晶時微晶的產(chǎn)生。
文檔編號C30B29/06GK202072800SQ201120150358
公開日2011年12月14日 申請日期2011年5月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月12日
發(fā)明者龍禮妹 申請人:石金精密科技(深圳)有限公司