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采用跳步再蝕刻法生產(chǎn)插件鍍金有縫長短手指的方法

文檔序號(hào):8052998閱讀:301來源:國知局
專利名稱:采用跳步再蝕刻法生產(chǎn)插件鍍金有縫長短手指的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及軟性電路板及電路板的插件鍍金有縫長短手指生產(chǎn)方法,尤其涉及采用跳步再蝕刻法生產(chǎn)插件鍍金有縫長短手指的方法。
背景技術(shù)
近年來歐美地區(qū)流行用的高端阻抗插件連結(jié)板與高端阻抗插件板的手指是鍍金有縫長短手指,其要求鍍厚金,手指?jìng)?cè)面有金,金厚在0. 7UM以上;手指間有縫隙,縫隙在 0.08MM至0. 13MM之間;單個(gè)插件有縫手指的長短不一樣。由于有此幾大要求,限制了工藝流程,目前行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)工藝流程是做完外層沉鍍銅一貼膜、曝光一蝕刻線路一絲印阻焊油墨一曝光顯影、固化一貼抗電鍍干膜一正片曝光、顯影一鍍厚鎳金一脫膜一堿性蝕刻,蝕刻縫隙與手指前端的引線,這樣的一個(gè)生產(chǎn)工藝流程存在很大的困難,由于縫隙的大小限制了抗電鍍干膜的大小,在曝光顯影時(shí)容易脫落,鍍金時(shí)縫隙被鍍上;在鍍厚鎳金時(shí)有滲透在干膜下,最終堿性蝕刻縫隙參差不齊、或沒有縫隙,這也是目前行業(yè)內(nèi)鍍金有縫長短手指生產(chǎn)良率低的主要原因。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題,本發(fā)明提供了一種采用跳步再蝕刻法生產(chǎn)插件鍍金有縫長短手指的方法。本發(fā)明提供了一種采用跳步再蝕刻法生產(chǎn)插件鍍金有縫長短手指的方法,包括如下步驟
A先將沉鍍銅后的板蝕刻出縫隙,并在手指外做牽弓丨工藝引線; B貼抗電鍍干膜以正片曝光,把需要鍍金的地方顯影出來,抗電鍍干膜蓋住手指前端, 縫隙處不貼抗電鍍干膜; C鍍金;
D蝕刻工藝引線;
E貼膜把手指上的牽引工藝引線蝕刻掉; F絲印阻焊油墨;
G堿性蝕刻手指前端多余的工藝引線部分。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),在所述步驟A中,將沉鍍銅適的板以負(fù)片曝光方式蝕刻出縫隙。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),在所述步驟A中,所述牽弓丨工藝引線位于手指根部。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述鍍金為鍍厚鎳金。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),在所述步驟E中,貼膜以負(fù)片曝光方式把手指上的牽引工藝引線蝕刻掉。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),在所述步驟G中,堿性蝕刻手指前端多余的工藝引線部分。
作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述縫隙在0. 08毫米至0. 13毫米之間。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述縫隙為0. 1毫米。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn),所述厚鎳金的金厚在0. 7微米以上。本發(fā)明的有益效果是有效的解決了生產(chǎn)鍍金有縫長短手指因抗電鍍干膜脫落、 抗電鍍干膜滲鍍,而造成縫隙參差不齊、或沒有縫隙的問題,從而提高生產(chǎn)良率。


圖1是客戶基本要求鍍金有縫長短手指示意圖。圖2是現(xiàn)有技術(shù)中生產(chǎn)工藝示意圖。圖3和圖4是本發(fā)明的組成示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖3和圖4所示,本發(fā)明公開了一種采用跳步再蝕刻法生產(chǎn)插件鍍金有縫長短手指的方法,包括如下步驟,第一步驟先將沉鍍銅適的板蝕刻出縫隙,并在手指外做牽引工藝引線。第二步驟貼抗電鍍干膜以正片曝光,把需要鍍金的地方顯影出來,抗電鍍干膜蓋住手指前端,縫隙處不貼抗電鍍干膜。第三步驟鍍金。第四步驟蝕刻工藝引線。第五步驟貼膜把手指上的牽引工藝引線蝕刻掉。第六步驟絲印阻焊油墨。第七步驟堿性蝕刻手指前端多余的工藝引線部分。在所述第一步驟中,將沉鍍銅后的板以負(fù)片曝光方式蝕刻出縫隙。在所述第一步驟中,所述牽引工藝引線位于手指根部。所述鍍金為鍍厚鎳金。在所述第五步驟中,貼膜以負(fù)片曝光方式把手指上的牽引工藝引線蝕刻掉。在第七步驟中,堿性蝕刻手指前端多余的工藝引線部分。所述縫隙在0. 08毫米至0. 13毫米之間,當(dāng)然該縫隙為0. 1毫米為最佳效果。所述厚鎳金的金厚在0. 7微米以上。如圖1至圖4所示,包括長短金手指1、縫隙2、導(dǎo)通孔3、焊盤4、工藝引線5、牽引工藝引線7、抗電鍍干膜6。先在做曝光一蝕刻線路時(shí)將縫隙蝕刻出來并在手指外牽引工藝引線,再鍍厚鎳金,再蝕刻工藝引線,改善鍍金有縫長短手指的縫隙參差不齊、或沒有縫隙問題,從而提高生產(chǎn)良率。本發(fā)明的工藝流程很好的利用到將手指尾部加電鍍工藝引線,先負(fù)片蝕刻縫隙。 避免抗電鍍干膜在正片曝光的條件下,在極小的線長寬劣勢(shì)下,去保護(hù)手指上的縫隙。解決了鍍厚鎳金、堿性蝕刻后的縫隙參差不齊、或沒有縫隙。從而提高良率。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明,不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對(duì)于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡單推演或替換,都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種采用跳步再蝕刻法生產(chǎn)插件鍍金有縫長短手指的方法,其特征在于,包括如下步驟A.先將沉鍍銅后的板蝕刻出縫隙,并在手指外做牽引工藝引線;B.貼抗電鍍干膜以正片曝光,把需要鍍金的地方顯影出來,抗電鍍干膜蓋住手指前端,縫隙處不貼抗電鍍干膜;C.鍍金;D.蝕刻工藝引線;E.貼膜把手指上的牽引工藝引線蝕刻掉;F.絲印阻焊油墨;G.堿性蝕刻手指前端多余的工藝引線部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于在所述步驟A中,將沉鍍銅后的板以負(fù)片曝光方式蝕刻出縫隙。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于在所述步驟A中,所述牽引工藝引線位于手指根部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于所述鍍金為鍍厚鎳金。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于在所述步驟E中,貼膜以負(fù)片曝光方式把手指上的牽引工藝引線蝕刻掉。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其特征在于在所述步驟G中,堿性蝕刻手指前端多余的工藝引線部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于所述縫隙在0.08毫米至0. 13 毫米之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于所述縫隙為0.1毫米。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于所述厚鎳金的金厚在0.7微米以上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種采用跳步再蝕刻法生產(chǎn)插件鍍金有縫長短手指的方法,包括如下步驟A先將沉鍍銅后的板蝕刻出縫隙,并在手指外做牽引工藝引線;B貼抗電鍍干膜以正片曝光,把需要鍍金的地方顯影出來,抗電鍍干膜蓋住手指前端,縫隙處不貼抗電鍍干膜;C鍍金;D蝕刻工藝引線;E貼膜把手指上的牽引工藝引線蝕刻掉;F絲印阻焊油墨;G堿性蝕刻手指前端多余的工藝引線部分。本發(fā)明的有益效果是有效的解決了生產(chǎn)鍍金有縫長短手指因抗電鍍干膜脫落、抗電鍍干膜滲鍍,而造成縫隙參差不齊、或沒有縫隙的問題,從而提高生產(chǎn)良率。
文檔編號(hào)H05K3/40GK102510682SQ20111043204
公開日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月21日
發(fā)明者葉夕楓 申請(qǐng)人:博羅縣精匯電子科技有限公司
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