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準(zhǔn)單晶鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):8052492閱讀:197來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:準(zhǔn)單晶鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光伏太陽(yáng)能電池生產(chǎn)領(lǐng)域,尤其是一種準(zhǔn)單晶鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
能源問(wèn)題是當(dāng)今世界上最大的熱點(diǎn)問(wèn)題之一。傳統(tǒng)能源的大量使用,致使世界能源存儲(chǔ)量急劇下降,而且使環(huán)境污染問(wèn)題日趨嚴(yán)重,對(duì)人類社會(huì)的發(fā)展構(gòu)成嚴(yán)重的危害,新興無(wú)污染能源就成了能源技術(shù)發(fā)展的必然趨勢(shì)。太陽(yáng)能是長(zhǎng)久性的綠色能源之一,在太陽(yáng)能利用中,光伏電池是目前最主要的一種產(chǎn)品,硅晶體是光伏電池生產(chǎn)的基礎(chǔ)材料。硅晶體包括單晶體、多晶體,單晶體與多晶體的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列不同,單晶體的原子結(jié)構(gòu)排列是晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的有序排列,而多晶體的的原子結(jié)構(gòu)排列是晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的無(wú)序排列,兩者主要是由它們的加工工藝決定的。實(shí)際應(yīng)用中,單晶硅電池光電轉(zhuǎn)換率較高可達(dá)14% 17%,而多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率僅為1 14%。因此,單晶將是今后光伏太陽(yáng)能利用的重要產(chǎn)品材料。但目前在光伏鑄造準(zhǔn)單晶,準(zhǔn)單晶得率偏低50%,目前鑄錠爐內(nèi)的坩堝底部均為平底結(jié)構(gòu),在生產(chǎn)工藝過(guò)程中坩堝底部籽晶融化控制困難,溫度控制的好壞也會(huì)直接影響長(zhǎng)晶效率,而且易造成資源浪費(fèi)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決上述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),提供一種結(jié)構(gòu)合理、長(zhǎng)晶效率高且節(jié)能環(huán)保的準(zhǔn)單晶鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),滿足市場(chǎng)需求。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案這種準(zhǔn)單晶鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),包括上下吻合匹配的上保溫爐體、下保溫爐體,下保溫爐體內(nèi)底部設(shè)有一組支撐桿,支撐桿上設(shè)有坩堝,坩堝上方設(shè)有進(jìn)氣管,坩堝外設(shè)有活動(dòng)熱場(chǎng)腔室,活動(dòng)熱搶腔室內(nèi)設(shè)有加熱組件,活動(dòng)熱場(chǎng)腔室包括上隔熱板、下隔熱板,該上隔熱板、下隔熱板外密閉活動(dòng)套接有隔熱套體,隔熱套體上連接有一組提升桿;加熱組件包括上加熱板、側(cè)加熱板,上加熱板設(shè)于上隔熱板與坩堝之間,側(cè)加熱板設(shè)于坩堝外側(cè);上隔熱板中穿設(shè)有上溫度傳感器,下隔熱板中穿設(shè)有下溫度傳感器;坩堝底部呈倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu),倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)下端設(shè)有儲(chǔ)存容器,該儲(chǔ)存容器內(nèi)設(shè)有籽晶,儲(chǔ)存容器底部設(shè)有定向長(zhǎng)晶塊。這樣,這樣,通過(guò)活動(dòng)熱場(chǎng)腔室的設(shè)置,使用時(shí)能將熱場(chǎng)分割為冷缺區(qū)、梯度區(qū)、加熱區(qū)三個(gè)區(qū)域,通過(guò)定向勻速控制隔熱套體。通過(guò)兩個(gè)加熱板和兩個(gè)溫度傳感器對(duì)坩堝進(jìn)行加熱升溫檢測(cè),使熱場(chǎng)內(nèi)的溫度得到有效控制, 有效控制熱場(chǎng)的垂直溫度梯度,保證長(zhǎng)晶過(guò)程定向勻速。由于坩堝底部呈倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu),并在倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)下端設(shè)置儲(chǔ)存容器,再在儲(chǔ)存容器內(nèi)放置籽晶,使籽晶一直處于冷卻區(qū)內(nèi),有效避免了在引晶過(guò)程中籽晶融化的狀況出現(xiàn),從而提高了鑄造準(zhǔn)單晶的準(zhǔn)單晶得率。進(jìn)一步,上溫度傳感器、下溫度傳感器為相互獨(dú)立的熱電偶。溫度傳感器相互獨(dú)立設(shè)置便于獨(dú)立控制各區(qū)域的溫度,在減少了生產(chǎn)過(guò)程中電能浪費(fèi)的同時(shí),也提高了準(zhǔn)單晶得率。
本發(fā)明有益的效果是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)合理、緊湊,通過(guò)在活動(dòng)熱場(chǎng)腔室的設(shè)置,并在坩堝底部設(shè)置倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu),可明顯提高長(zhǎng)晶效果;在倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)下端設(shè)置儲(chǔ)存容器,再在儲(chǔ)存容器內(nèi)放置籽晶,在引晶過(guò)程中,籽晶能一直處于冷卻區(qū)內(nèi),避免籽晶融化,從而提高了鑄造準(zhǔn)單晶得率。采用本發(fā)明鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行鑄造準(zhǔn)單晶,得率可達(dá) 95% 100%。本發(fā)明成本合理,準(zhǔn)單晶得率高,操作方便,使用效果好,值得推廣。


圖1為本發(fā)明剖視時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明上保溫爐體1,下保溫爐體2,支撐桿3,坩堝4,進(jìn)氣管5,活動(dòng)熱場(chǎng)腔室6,加熱組件7,上隔熱板8,下隔熱板9,隔熱套體10,提升桿11,上加熱板12,側(cè)加熱板13,上溫度傳感器14,下溫度傳感器15,倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)16,儲(chǔ)存容器17,定向長(zhǎng)晶塊 18,籽晶19。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明
參照附圖本實(shí)施例中的這種準(zhǔn)單晶鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),包括上下吻合匹配的上保溫爐體1、下保溫爐體2,下保溫爐體2內(nèi)底部設(shè)有一組支撐桿3,支撐桿3上設(shè)有坩堝4,坩堝4 上方設(shè)有進(jìn)氣管5,坩堝4外設(shè)有活動(dòng)熱場(chǎng)腔室6,活動(dòng)熱搶腔室6內(nèi)設(shè)有加熱組件7,活動(dòng)熱場(chǎng)腔室6包括上隔熱板8、下隔熱板9,該上隔熱板8、下隔熱板9外密閉活動(dòng)套接有隔熱套體10,隔熱套體10上連接有一組提升桿11 ;加熱組件7包括上加熱板12、側(cè)加熱板13, 上加熱板12設(shè)于上隔熱板8與坩堝4之間,側(cè)加熱板13設(shè)于坩堝4外側(cè);上隔熱板8中穿設(shè)有上溫度傳感器14,下隔熱板9中穿設(shè)有下溫度傳感器15 ;坩堝4底部呈倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)16,倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)16下端設(shè)有儲(chǔ)存容器17,該儲(chǔ)存容器內(nèi)設(shè)有籽晶19,儲(chǔ)存容器 17底部設(shè)有定向長(zhǎng)晶塊18。上溫度傳感器14、下溫度傳感器15為相互獨(dú)立的熱電偶。本發(fā)明使用時(shí),隔熱套體9在提升桿10提升的過(guò)程中,由于在隔熱套體9、隔熱環(huán) 12等的作用下,熱場(chǎng)被分割冷缺區(qū)、梯度區(qū)、加熱區(qū)三個(gè)區(qū)域,在上溫度傳感器15、下溫度傳感器16的傳感信號(hào)下控制上加熱板13、側(cè)加熱板14的加熱散熱,使硅能定向結(jié)晶,使結(jié)晶凝固過(guò)程得到有效控制,從而提高準(zhǔn)單晶得率。由于坩堝4底部呈倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)16, 可明顯提高長(zhǎng)晶效果。在倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)16下端設(shè)置儲(chǔ)存容器17,再在儲(chǔ)存容器17內(nèi)放置籽晶19,使籽晶19 一直處于冷卻區(qū)內(nèi),有效避免了在引晶過(guò)程中籽晶19融化的狀況出現(xiàn),從而進(jìn)一步提高了鑄造準(zhǔn)單晶的準(zhǔn)單晶得率。采用本發(fā)明鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行鑄造準(zhǔn)單晶,得率可達(dá)95% 100%。雖然本發(fā)明已通過(guò)參考優(yōu)選的實(shí)施例進(jìn)行了圖示和描述,但是,本專業(yè)普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解,在權(quán)利要求書的范圍內(nèi),可作形式和細(xì)節(jié)上的各種各樣變化。
權(quán)利要求
1.一種準(zhǔn)單晶鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),包括上下吻合匹配的上保溫爐體(1)、下保溫爐體 (2),所述下保溫爐體(2)內(nèi)底部設(shè)有一組支撐桿(3),所述支撐桿(3)上設(shè)有坩堝(4),所述坩堝(4)上方設(shè)有進(jìn)氣管(5),所述坩堝(4)外設(shè)有活動(dòng)熱場(chǎng)腔室(6),所述活動(dòng)熱場(chǎng)腔室(6)內(nèi)設(shè)有加熱組件(7),其特征是所述活動(dòng)熱場(chǎng)腔室(6)包括上隔熱板(8)、下隔熱板 (9),該上隔熱板(8)、下隔熱板(9)外密閉活動(dòng)套接有隔熱套體(10),所述隔熱套體(10)上連接有一組提升桿(11);所述加熱組件(7)包括上加熱板(12)、側(cè)加熱板(13),所述上加熱板(12)設(shè)于上隔熱板(8)與坩堝(4)之間,所述側(cè)加熱板(13)設(shè)于坩堝(4)外側(cè);所述上隔熱板(8)中穿設(shè)有上溫度傳感器(14),所述下隔熱板(9)中穿設(shè)有下溫度傳感器(15);所述坩堝(4)底部呈倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)(16),所述倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)(16)下端設(shè)有儲(chǔ)存容器 (17),該儲(chǔ)存容器內(nèi)設(shè)有籽晶(19),所述儲(chǔ)存容器(17)底部設(shè)有定向長(zhǎng)晶塊(18)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的準(zhǔn)單晶鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),其特征是所述上溫度傳感器(14)、 下溫度傳感器(15)為相互獨(dú)立的熱電偶。
全文摘要
一種準(zhǔn)單晶鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu),包括上下吻合匹配的上保溫爐體、下保溫爐體,下保溫爐體內(nèi)底部設(shè)有一組支撐桿,支撐桿上設(shè)有坩堝,坩堝上方設(shè)有進(jìn)氣管,坩堝外設(shè)有活動(dòng)熱場(chǎng)腔室,坩堝底部呈倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu),倒置棱臺(tái)腔體結(jié)構(gòu)下端設(shè)有儲(chǔ)存容器,該儲(chǔ)存容器內(nèi)設(shè)有籽晶,儲(chǔ)存容器底部設(shè)有定向長(zhǎng)晶塊,活動(dòng)熱場(chǎng)腔室內(nèi)設(shè)有加熱組件、上下溫度傳感器等。本發(fā)明通過(guò)上述結(jié)構(gòu)的設(shè)置,可明顯提高長(zhǎng)晶效果;在引晶過(guò)程中,籽晶能一直處于冷卻區(qū)內(nèi),避免籽晶融化,從而提高了鑄造準(zhǔn)單晶得率。采用本發(fā)明鑄錠爐熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)進(jìn)行鑄造準(zhǔn)單晶,得率可達(dá)95%~100%。
文檔編號(hào)C30B11/00GK102433585SQ201110404818
公開(kāi)日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月8日
發(fā)明者潘頌 申請(qǐng)人:浙江綠谷光伏科技有限公司
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