專利名稱：Des的加工工藝的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及高端電子產(chǎn)品，特別是電路板制生產(chǎn)技術領域。
背景技術：
目前業(yè)內(nèi)在DES生產(chǎn)線中采用體積百分比濃度為3-5%的硫酸溶液進行酸洗，其缺陷是單一中和去膜后，在PCB板上殘余有氫氧化鈉，在氫氧化鈉的作用下，無法進一步保證銅面清潔度和粗糙度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提出一種能克服以上缺陷的DES的加工工藝。本發(fā)明包括以下工藝步驟
1)將顯影蝕刻去模經(jīng)兩道顯影后，沖去污水；
2)采用溢流方式水洗后，吹干水分；
3)蝕刻處理；
4)以體積百分比濃度為3 5%的鹽酸清洗；
5)洗滌；
6)退膜;
7)沖洗去除污水；
8)水洗;
9)以體積百分比濃度為5 7%的硫酸和過硫酸鈉40 60g/l組成的混合酸液進行洗
滌；
10)清洗。上述顯影蝕刻去模可以為干?；驖衲?。DES線原來采用的濃度為3-5%的硫酸溶液進行酸洗目的是為了中和去膜后PCB板上殘余的氫氧化鈉。本發(fā)明以硫酸和過硫酸鈉形成混合酸液進行酸洗，可以達到既中和氫氧化鈉，又可將銅面進行進一步的清洗保證銅面清潔度。
具體實施例方式1)將顯影蝕刻去模(干膜或濕膜)經(jīng)兩道顯影后，沖去污水；
2)采用溢流方式水洗后，吹干水分；
3)經(jīng)三次蝕刻處理；
4)補償蝕刻；
5)以體積百分比濃度為3 5%的鹽酸洗；
6)采用溢流方式水洗；
7)清水洗滌；
8)三次退膜；
39)沖洗去除污水；
10)采用溢流方式水洗；
11)以體積百分比濃度為5 7%的硫酸和過硫酸鈉40 60g/l組成的混合酸液進行洗滌；
12)采用溢流方式水洗；
13)干板組合；
14)出板。
權(quán)利要求
1.DES的加工工藝，其特征在于包括以下步驟1)將顯影蝕刻去模經(jīng)兩道顯影后，沖去污水；2)采用溢流方式水洗后，吹干水分；3)蝕刻處理；4)以體積百分比濃度為3 5%的鹽酸清洗；5)洗滌；6)退膜;7)沖洗去除污水；8)水洗;9)以體積百分比濃度為5 7%的硫酸和過硫酸鈉40 60g/l組成的混合酸液進行洗10)清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述DES的加工工藝，其特征在于所述顯影蝕刻去模為干?；驖衲！?br> 全文摘要
DES的加工工藝，涉及高端電子產(chǎn)品，特別是電路板制生產(chǎn)技術領域。本發(fā)明將顯影蝕刻去模經(jīng)兩道顯影，沖去污水、水洗吹干水分、蝕刻處理、鹽酸清洗、洗滌、退膜、去除污水、再水洗，然后以體積百分比濃度為5～7%的硫酸和過硫酸鈉40～60g/l組成的混合酸液進行洗滌；再經(jīng)清洗制成。本發(fā)明以硫酸和過硫酸鈉形成混合酸液進行酸洗，可以達到既中和氫氧化鈉，又可將銅面進行進一步的清洗保證銅面清潔度。
文檔編號H05K3/26GK102365003SQ20111032134
公開日2012年2月29日 申請日期2011年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月21日
發(fā)明者張俊 申請人:江蘇同昌電路科技有限公司