專利名稱：?jiǎn)尉t加熱系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熔融單晶硅爐裝置的領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
單晶爐加熱系統(tǒng)是將多晶硅熔化生長(zhǎng)成單晶硅的設(shè)備，現(xiàn)有的單晶爐加熱系統(tǒng)在結(jié)晶過(guò)程中，由于結(jié)構(gòu)的不合理存在溫度難以均衡，保溫效果差等缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種結(jié)構(gòu)合理、溫度均衡、保溫效果好的單晶爐加熱系統(tǒng)。本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的單晶爐加熱系統(tǒng)，包括爐底、爐室和爐蓋，爐室包括下爐室和主爐室，下爐室連接在爐底的上方，主爐室連接在下爐室的上方，爐蓋連接在主爐室的上方，爐蓋的上端設(shè)置爐口，所述爐室內(nèi)設(shè)置環(huán)形保溫桶、下保溫層和上保溫層，保溫桶包括下保溫桶、中保溫桶和上保溫桶，中保溫桶設(shè)置在下保溫桶的上方，上保溫桶設(shè)置在中保溫桶的上方，下保溫層設(shè)置在上保溫桶的上方，上保溫層設(shè)置下保溫層的上方；所述爐底上穿置坩堝托桿，坩堝托桿的上端設(shè)置在保溫桶內(nèi)，坩堝托桿的上端設(shè)置三瓣堝底座，三瓣堝底座的上方設(shè)置三瓣堝，三瓣堝內(nèi)設(shè)置石英坩堝，石英坩堝的上方設(shè)置外導(dǎo)流筒，外導(dǎo)流筒的上端擱置在下保溫層的內(nèi)周，外導(dǎo)流筒內(nèi)設(shè)置內(nèi)導(dǎo)流筒，內(nèi)導(dǎo)流筒的上端擱置在外導(dǎo)流筒的上端；所述保溫桶與三瓣堝之間設(shè)置加熱器，加熱器的下端連接兩個(gè)石墨電極，兩個(gè)石墨電極的下端分別設(shè)置在所述爐底的下方，所述下保溫桶上連接排氣管。本發(fā)明通過(guò)以上設(shè)計(jì)，將多晶硅放入石英坩堝內(nèi)，通過(guò)加熱器對(duì)石英坩堝內(nèi)的多晶硅進(jìn)行加熱溶化，將籽晶經(jīng)導(dǎo)流筒插入熔融多晶硅液中，使多晶硅液按籽晶的硅原子排列順序結(jié)晶凝固成單晶硅棒。由于加熱器的外周有下保溫桶、中保溫桶和上保溫桶，外導(dǎo)流筒和內(nèi)導(dǎo)流筒的上端有上保溫層和下保溫層，從而使得保溫效果好，且溫度均衡、結(jié)晶均勻、結(jié)構(gòu)合理。


圖1為本發(fā)明的一種結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，1坩堝托桿，2石墨電極，3下爐室，4下保溫桶，5主爐室，6三瓣堝，7加熱器， 8中保溫桶，9上保溫桶，10爐蓋，11爐口，12上保溫層，13下保溫層，14內(nèi)導(dǎo)流筒，15外導(dǎo)流筒，16石英坩堝，17三瓣堝底座，18石墨螺釘，19排氣管，20爐底。
具體實(shí)施例方式如圖1所示，為單晶爐加熱系統(tǒng)，包括爐底20、爐室和爐蓋10，爐室包括下爐室3 和主爐室5，下爐室3連接在爐底20的上方，主爐室5連接在下爐室3的上方，爐蓋10連接在主爐室5的上方，爐蓋10的上端設(shè)置爐口 11。爐室內(nèi)設(shè)置環(huán)形保溫桶、下保溫層13和上保溫層12，保溫桶包括下保溫桶4、中保溫桶8和上保溫桶9，中保溫桶8設(shè)置在下保溫桶 4的上方，上保溫桶9設(shè)置在中保溫桶8的上方，下保溫層13設(shè)置在上保溫桶9的上方，上保溫層12設(shè)置下保溫層13的上方。爐底20上穿置坩堝托桿1，坩堝托桿1的上端設(shè)置在下保溫桶4內(nèi)，坩堝托桿1的上端設(shè)置三瓣堝底座17，三瓣堝底座17的上方設(shè)置三瓣堝6， 三瓣堝6內(nèi)設(shè)置石英坩堝16，石英坩堝16的上方設(shè)置外導(dǎo)流筒15，外導(dǎo)流筒15的上端擱置在下保溫層13的內(nèi)周，外導(dǎo)流筒15內(nèi)設(shè)置內(nèi)導(dǎo)流筒14，內(nèi)導(dǎo)流筒14的上端擱置在外導(dǎo)流筒15的上端。中保溫桶8與三瓣堝6之間設(shè)置加熱器7，加熱器7的下端通過(guò)石墨螺釘 18連接兩個(gè)石墨電極2，兩個(gè)石墨電極2的下端分別設(shè)置在爐底20的下方，下保溫桶4上連接排氣管19。
權(quán)利要求
1.單晶爐加熱系統(tǒng)，其特征在于包括爐底、爐室和爐蓋，爐室包括下爐室和主爐室， 下爐室連接在爐底的上方，主爐室連接在下爐室的上方，爐蓋連接在主爐室的上方，爐蓋的上端設(shè)置爐口，所述爐室內(nèi)設(shè)置環(huán)形保溫桶、下保溫層和上保溫層，保溫桶包括下保溫桶、 中保溫桶和上保溫桶，中保溫桶設(shè)置在下保溫桶的上方，上保溫桶設(shè)置在中保溫桶的上方， 下保溫層設(shè)置在上保溫桶的上方，上保溫層設(shè)置下保溫層的上方；所述爐底上穿置坩堝托桿，坩堝托桿的上端設(shè)置在保溫桶內(nèi)，坩堝托桿的上端設(shè)置三瓣堝底座，三瓣堝底座的上方設(shè)置三瓣堝，三瓣堝內(nèi)設(shè)置石英坩堝，石英坩堝的上方設(shè)置外導(dǎo)流筒，外導(dǎo)流筒的上端擱置在下保溫層的內(nèi)周，外導(dǎo)流筒內(nèi)設(shè)置內(nèi)導(dǎo)流筒，內(nèi)導(dǎo)流筒的上端擱置在外導(dǎo)流筒的上端；所述保溫桶與三瓣堝之間設(shè)置加熱器，加熱器的下端連接兩個(gè)石墨電極，兩個(gè)石墨電極的下端分別設(shè)置在所述爐底的下方，所述下保溫桶上連接排氣管。
全文摘要
單晶爐加熱系統(tǒng)，涉及熔融單晶硅爐裝置的領(lǐng)域，包括爐底、爐室和爐蓋，爐室包括下爐室和主爐室，爐蓋的上端設(shè)置爐口，爐室內(nèi)設(shè)置環(huán)形保溫桶、下保溫層和上保溫層，保溫桶包括下保溫桶、中保溫桶和上保溫桶；爐底上穿置坩堝托桿，坩堝托桿的上端設(shè)置三瓣堝底座，三瓣堝底座的上方設(shè)置三瓣堝，三瓣堝內(nèi)設(shè)置石英坩堝，石英坩堝的上方設(shè)置外導(dǎo)流筒，外導(dǎo)流筒內(nèi)設(shè)置內(nèi)導(dǎo)流筒；保溫桶與三瓣堝之間設(shè)置加熱器，加熱器的下端連接兩個(gè)石墨電極，下保溫桶上連接排氣管。本發(fā)明加熱器的外周有下保溫桶、中保溫桶和上保溫桶，外導(dǎo)流筒和內(nèi)導(dǎo)流筒的上端有上保溫層和下保溫層，從而使得保溫效果好，且溫度均衡、結(jié)晶均勻。
文檔編號(hào)C30B11/00GK102212887SQ20111013025
公開日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2011年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月19日
發(fā)明者倪寶達(dá) 申請(qǐng)人:儀征市榮昌炭素材料有限公司