專利名稱：器件安裝結(jié)構(gòu)以及器件安裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于在具有貫通基板的貫通布線的貫通布線基板的兩面安裝器件的器件安裝結(jié)構(gòu)以及器件安裝方法。本申請(qǐng)基于2009年10月23日向日本國(guó)提出的特愿2009-244395號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援引至此。
背景技術(shù)：
以往，常使用設(shè)置貫通基板的貫通布線的方法作為電連接在基板的兩面分別安裝的器件彼此的方法。對(duì)于具備在與基板的主面垂直的方向上形成的以往的貫通布線的貫通布線基板，當(dāng)層疊配置多個(gè)基板時(shí)，有可能由于接合外力的損傷產(chǎn)生貫通布線電極的缺失、界面的剝
1 O為解決該問(wèn)題，在專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了具備相對(duì)于與基板的主面垂直的方向傾斜地形成的貫通布線的貫通布線基板。另外，當(dāng)安裝在基板的兩面的器件的種類(lèi)相互不同時(shí)，每個(gè)器件所需要的電極的配置不同。因此，有可能要使用消除該差異用的表面布線。但是，當(dāng)在基板的主面上設(shè)置表面布線時(shí)，主面上的表面布線的占有面積增大。另外，為了避免布線彼此短路或者在布線中流動(dòng)的電信號(hào)干擾，需要在布線彼此間設(shè)置規(guī)定的間隔(空間)。其結(jié)果，存在基板上的器件配置的設(shè)計(jì)自由度小的問(wèn)題。另外，若布線長(zhǎng)度長(zhǎng)，則也存在會(huì)出現(xiàn)發(fā)生信號(hào)延遲、或者高頻率特性劣化的情況等問(wèn)題。此外，當(dāng)各器件與基板相面對(duì)的面上具有的電極數(shù)多時(shí)，僅通過(guò)上述那樣的表面布線難以應(yīng)對(duì)。該情況需要采用將布線層形成為多層，用層間通孔連接各層的多層布線結(jié)構(gòu)。因此，會(huì)產(chǎn)生采用多層布線引起的布線長(zhǎng)度的增大以及隨之產(chǎn)生的高頻率特性的劣化等問(wèn)題，另外，基板制作過(guò)程也變得繁雜。專利文獻(xiàn)1 日本國(guó)專利第3896038號(hào)公報(bào)當(dāng)在貫通布線基板的兩主面上安裝的器件是具有相互不同的電極配置的器件，且電極被配置成高密度時(shí)，配置于該貫通布線基板中的貫通布線在兩主面上具有的開(kāi)口部需要以高位置精度被設(shè)置。但是，對(duì)于具備相對(duì)于與基板的主面垂直的方向傾斜地形成的貫通布線的貫通布線基板，以高位置精度設(shè)置所述開(kāi)口部存在困難。例如，如圖17所示，當(dāng)用于貫通布線基板的制造的基板的原來(lái)的厚度存在偏差時(shí)、產(chǎn)生了該基板的研磨工序中的加工精度引起的厚度的偏差時(shí)，有可能貫通布線基板的厚度不是當(dāng)初設(shè)計(jì)的厚度Tl，而成為厚度T2或者厚度T3。這時(shí)，該貫通布線的基板的寬度方向的長(zhǎng)度不是當(dāng)初設(shè)計(jì)的長(zhǎng)度Li，而會(huì)成為長(zhǎng)度L2或者長(zhǎng)度L3。在該情況下，在圖17所示的主面112上，多個(gè)貫通布線的多個(gè)開(kāi)口部115的相對(duì)的位置關(guān)系也會(huì)錯(cuò)開(kāi)。其結(jié)果，要安裝在該主面112上的器件的電極配置與要與其連接的設(shè)置在該主面112上的開(kāi)口部115的配置有可能偏離至容許范圍以上。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情況而提出，課題在于提供對(duì)電極為高密度且以不同的布局配置的器件，不采用多層布線結(jié)構(gòu)，能夠自由自在地精度良好地連接在貫通布線基板的兩面安裝的器件的電極彼此的器件安裝結(jié)構(gòu)。另外，本發(fā)明的課題在于提供當(dāng)用于該貫通布線基板的制造的基板的原來(lái)的厚度存在偏差時(shí)、產(chǎn)生了該基板的研磨工序中的加工精度引起的厚度的偏差時(shí)，也可以自由自在、精度良好且成品率良好地實(shí)施該連接的器件安裝方法。為了解決所述課題，本發(fā)明采用以下方面。即本發(fā)明的第一方式的器件安裝結(jié)構(gòu)具備貫通布線基板，其具有基板和形成在多個(gè)貫通孔的內(nèi)部的多個(gè)貫通布線，所述多個(gè)貫通孔由該基板的一主面即第一主面向另一主面即第二主面貫通所述基板；第一器件，其具有多個(gè)電極且按照與所述第一主面相面對(duì)的方式配置這些電極；和第二器件，其具有與該第一器件的各電極的配置不同配置的多個(gè)電極，并且按照與所述第二主面相面對(duì)的方式配置這些電極，其中，各所述貫通布線具有設(shè)置在所述第一主面的與所述第一器件的電極對(duì)應(yīng)的位置上的第一導(dǎo)通部和設(shè)置在所述第二主面的與所述第二器件的電極對(duì)應(yīng)的位置上的第二導(dǎo)通部，所述第一器件的各電極與所述第一導(dǎo)通部電連接，所述第二器件的各電極與所述第二導(dǎo)通部電連接，各所述貫通布線具有由所述第一主面以及所述第二主面中的至少一方垂直延伸的直線部。也可以在所述基板的內(nèi)部設(shè)置流路。另外，本發(fā)明的第二方式的器件安裝方法為經(jīng)由具有基板和形成在多個(gè)貫通孔的內(nèi)部的多個(gè)貫通布線的貫通布線基板，將具有多個(gè)電極的第一器件和具有與該第一器件的各電極的配置不同配置的多個(gè)電極的第二器件電連接，所述多個(gè)貫通孔從該基板的一主面亦即第一主面向另一主面亦即第二主面貫通所述基板，該器件安裝方法具有工序Al，其形成多個(gè)改性部，該改性部具有在所述第一主面的與所述第一器件的各電極對(duì)應(yīng)的位置露出的一端和在所述第二主面的與所述第二器件的各電極對(duì)應(yīng)的位置露出的另一端；工序A2，其在形成了所述多個(gè)改性部的區(qū)域形成所述多個(gè)貫通孔；工序A3，其通過(guò)向各所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)體或者將導(dǎo)體成膜，形成具有在所述第一主面?zhèn)嚷冻龅牡谝粚?dǎo)通部與在所述第二主面?zhèn)嚷冻龅牡诙?dǎo)通部的多個(gè)貫通布線；和工序A4，其按照與所述基板的所述第一主面相面對(duì)的方式配置所述第一器件來(lái)將該第一器件的各電極與對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)通部接合，并且按照與所述基板的所述第二主面相面對(duì)的方式配置所述第二器件來(lái)將該第二器件的各電極與對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)通部接合，其中，所述工序Al包括設(shè)置由所述第一主面以及所述第二主面中的至少一方垂直延伸的直線部的步驟；和設(shè)置與該直線部連結(jié)并且相對(duì)于所述第一主面以及所述第二主面的雙方傾斜地延伸的部分的步驟。也可以進(jìn)一步具有通過(guò)使用物理的方法或者化學(xué)的方法研磨設(shè)置了所述直線部的主面來(lái)減小所述基板的厚度的工序。也可以進(jìn)一步具有在所述基板的內(nèi)部形成流路的工序A5。根據(jù)本發(fā)明的器件安裝結(jié)構(gòu)，在貫通布線基板的兩面安裝的器件的電極彼此不經(jīng)由表面布線地電連接，因此電極被配置成高密度的小型的器件也可以自由自在地被連接。另外，當(dāng)在貫通布線基板的兩面安裝的器件的被配置成高密度的電極彼此自由自在地連接之時(shí)，在用于該貫通布線基板的制造的基板的原來(lái)的厚度存在偏差的情況下、或產(chǎn)生了該基板的研磨工序中的加工精度引起的厚度的偏差的情況下，設(shè)置在該貫通布線基板的主面上的開(kāi)口部的位置也不變化。其結(jié)果可以精度良好地可靠地執(zhí)行該連接。根據(jù)本發(fā)明的器件安裝方法，在貫通布線基板的兩面上安裝的器件的電極彼此能夠不經(jīng)由表面布線地電連接，因此電極被配置成高密度的小型的器件也可以自由自在地連接。另外，當(dāng)自由自在地連接在貫通布線基板的兩面上安裝的器件的被配置成高密度的電極彼此之時(shí)，在用于該貫通布線基板的制造的基板的原來(lái)的厚度存在偏差的情況下、或產(chǎn)生了該基板的研磨工序中的加工精度引起的厚度的偏差的情況下，設(shè)置在該貫通布線基板的主面上的開(kāi)口部的位置也不變化。其結(jié)果可以精度良好且成品率良好地實(shí)施該連接。另外，對(duì)于本發(fā)明的器件安裝方法，在所述工序Al、A2或者A3之后，使用物理的方法或者化學(xué)的方法削減設(shè)置了所述直線部側(cè)的主面，減小所述基板的厚度，從而能夠適當(dāng)調(diào)整被制造的貫通布線基板的厚度。這里，當(dāng)在所述工序Al之后進(jìn)行了削減時(shí)，能夠縮短之后的所述工序A2中的蝕刻處理等的時(shí)間與所述工序A3中的導(dǎo)體的成膜或者填充等處理時(shí)間。此外，能夠減少所述工序A3中的導(dǎo)體的使用量。當(dāng)在所述工序A2之后進(jìn)行了削減時(shí)，能夠縮短之后的所述工序A3中的導(dǎo)體的成膜或者填充等處理時(shí)間。此外，能夠減少所述工序A3中的導(dǎo)體的使用量。當(dāng)在所述工序A3之后進(jìn)行了削減時(shí)，能夠與該主面一起平坦化在該主面上露出的形成貫通布線的導(dǎo)體。另外，對(duì)于本發(fā)明的器件安裝方法，還能夠通過(guò)具有所述工序A5在該貫通孔中形成流路。


圖IA是表示本發(fā)明的一方式例的器件安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖IB是沿著圖IA的A-A線的剖視圖。圖2A是圖IA以及IB所示的器件安裝結(jié)構(gòu)中使用的貫通布線基板的俯視圖。圖2B是沿著圖2A的B-B線的剖視圖。圖3是圖2A以及2B所示的貫通布線基板的立體圖。圖4A是表示在基板中形成貫通孔以及貫通布線的工序的最初階段的剖視圖。圖4B是表示繼圖4A的階段的剖視圖。圖4C是表示繼圖4B的階段的剖視圖。圖4D是表示繼圖4C的階段的剖視圖。圖5A是表示該方式例的第1變形例的器件安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖5B是沿著圖5A的A-A線的剖視圖。圖6A是表示該方式例的第2變形例的器件安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖6B是沿著圖6A的C-C線的剖視圖。圖7A是表示該方式例的第3變形例的器件安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖7B是沿著圖7A的D-D線的剖視圖。圖8A是表示該方式例的第4變形例的器件安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖8B是沿著圖8A的E-E線的剖視圖。圖9是示意地表示圖8A以及8B所示的器件安裝結(jié)構(gòu)的左下四分之一部分中的電極的連接關(guān)系的局部俯視圖。
圖10是表示在本發(fā)明的器件安裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置了凸塊的一例的剖視圖。圖11是表示在本發(fā)明的器件安裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置了模具樹(shù)脂層的一例的剖視圖。圖12是表示在本發(fā)明的器件安裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置了帶腔體的保護(hù)部件的一例的剖視圖。圖13A是表示具有流路的貫通布線基板的第一例的俯視圖。圖1 是沿著圖13A的I-I線的剖視圖。圖13C是沿著圖13A的J-J線的剖視圖。圖14A是表示具有流路的貫通布線基板的第二例的俯視圖。圖14B是沿著圖14A的K-K線的剖視圖。圖14C是沿著圖14A的L-L線的剖視圖。圖15A是表示具有流路的貫通布線基板的第三例的俯視圖。圖15B是沿著圖15A的M-M線的剖視圖。圖15C是沿著圖15A的N-N線的剖視圖。圖16A是表示具有作為流路使用的貫通孔的貫通布線基板的制造方法的最初階段的剖視圖。圖16B是表示繼圖16A的階段的剖視圖。圖16C是表示繼圖16B的階段的剖視圖。圖16D是表示繼圖16C的階段的剖視圖。圖16E是表示繼圖16D的階段的剖視圖。圖16F是表示繼圖16E的階段的剖視圖。圖17是以往的貫通布線基板中的貫通布線的剖視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式。圖IA 3表示本發(fā)明的一方式例的器件安裝結(jié)構(gòu)。該器件安裝結(jié)構(gòu)具備貫通布線基板19，其具有基板10和形成在多個(gè)貫通孔13的內(nèi)部的貫通布線16，該多個(gè)貫通孔13從該基板10的一主面(以下稱為“第一主面”)11向另一主面(以下稱為“第二主面”)12地貫通基板10 ；第一器件1，其具有多個(gè)電極3并且按照與第一主面11相面對(duì)的方式配置這些電極3 ；和第二器件2，其具有與第一器件1的各電極3的配置不同配置的多個(gè)電極4，并且按照與第二主面相面對(duì)的方式配置這些電極4，其中，各貫通孔13具有設(shè)置在第一主面11的與第一器件1的電極3對(duì)應(yīng)的位置上的第一導(dǎo)通部214和設(shè)置在第二主面12的與第二器件2的電極4相面對(duì)的位置上的第二導(dǎo)通部215，第一器件1的各電極3與第一導(dǎo)通部214電連接，第二器件2的各電極4與第二導(dǎo)通部215電連接。另外，要形成貫通布線16的貫通孔13具有彎曲部41，并且由從開(kāi)口部15延伸至彎曲部41的直線部分41a和從彎曲部41延伸至開(kāi)口部14的相對(duì)于第一主面11以及第二主面12傾斜地延伸的部分構(gòu)成。直線部分41a向與第二主面12垂直的方向、即基板10的厚度方向延伸。另外，彎曲部41位于距第二主面12起tl’的深度。即，直線部分41a的長(zhǎng)度為tl’。通過(guò)貫通布線基板19，第一器件1的多個(gè)電極3與第二器件2的多個(gè)電極4經(jīng)由多個(gè)貫通布線16被電連接。為了通過(guò)貫通布線16盡可能短地連結(jié)這些電極3、4之間，優(yōu)選tl’盡可能地短。進(jìn)而，優(yōu)選彎曲部41與開(kāi)口部14之間(相對(duì)于第一主面11以及第二主面12傾斜地延伸的部分)具有直線形成。彎曲部41的形狀可以是沿著基板的厚度方向的剖面的形狀為具有棱角的形狀，也可以是沒(méi)有棱角的大致圓弧狀的形狀。如上所述，優(yōu)選tl’的長(zhǎng)度盡可能地短。tl’的長(zhǎng)度考慮到可以逐批產(chǎn)生的原來(lái)的基板厚度的偏差、可以在貫通布線基板19的制造工序中產(chǎn)生的基板10的厚度的加工偏差，按照必須設(shè)置直線部分41a的方式被適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)。進(jìn)而，參照?qǐng)D4A 5B來(lái)說(shuō)明。圖4A 4D是表示在基板10形成貫通布線16的方法的一例的剖視圖。首先，如圖4A所示，通過(guò)后述的激光法等，在之后要形成貫通孔13的區(qū)域形成改性部46 (工序Al)。改性部46的一端之后成為貫通孔13的開(kāi)口部14。改性部46的另一端之后成為貫通孔13的開(kāi)口部15。改性部46具有彎曲部41，并且由從該另一端延伸至彎曲部41的直線部分41a和從彎曲部41延伸至該一端的相對(duì)于第一主面11以及第二主面12傾斜地延伸的部分構(gòu)成。直線部分41a向與第二主面12垂直的方向、即基板10的厚度方向延伸。另外，彎曲部41位于距第二主面12起tl的深度。即，直線部分41a的長(zhǎng)度為tl。接下來(lái)，將形成了改性部46的基板10浸泡于蝕刻液(藥液)中，通過(guò)蝕刻(濕式蝕刻)從基板10中除去改性部46。其結(jié)果如圖4B所示，改性部46存在過(guò)的部分形成貫通孔13(工序A2)。接著，通過(guò)后述的鍍敷法等，向貫通孔13填充導(dǎo)體或者將導(dǎo)體成膜，如圖4C所示，形成具有在第一主面11側(cè)露出的第一導(dǎo)通部114和在所述2主面12側(cè)露出的第二導(dǎo)通部115的貫通布線16 (工序A3)。然后，例如通過(guò)機(jī)械的研磨法等，從形成了直線部分41a側(cè)的主面亦即第二主面12側(cè)研磨基板10，使基板10成為希望的厚度(工序A5)。這時(shí)，在開(kāi)口部15露出于第二主面12的所述導(dǎo)體通過(guò)研磨與該第二主面12 —起被平坦化。另外，直線部分41a的長(zhǎng)度tl由于研磨變短，成為tl’。其結(jié)果可得到圖4D所示的貫通布線基板19。這里，當(dāng)基板10有厚度的變化時(shí)，例如當(dāng)基板10的原來(lái)的厚度比設(shè)想的厚度薄時(shí)、或者基板10的研磨比設(shè)想的進(jìn)展過(guò)多時(shí)，有時(shí)制造出的貫通布線基板19的厚度不是設(shè)想的厚度Tl，而成為T(mén)2(參照?qǐng)D4D)。即使在該情況下，由于貫通布線基板19中存在直線部分41，因此第二主面12上的開(kāi)口部15的位置也不變化。因此，在后述的工序Α4中，能夠精度良好、可靠且成品率良好地進(jìn)行第二器件2的電極4與該導(dǎo)通部215的連接。另外，作為基板10產(chǎn)生了厚度的變化的其他的情況，例如當(dāng)基板10的原來(lái)的厚度比設(shè)想的厚度厚時(shí)、或者基板10的研磨未如設(shè)想那樣進(jìn)展時(shí)，有時(shí)制造出的貫通布線基板19的厚度不是設(shè)想的厚度Tl，而成為Τ3(參照?qǐng)D4D)。即使在該情況下，由于貫通布線基板19中存在直線部分41，因此第二主面12上的開(kāi)口部15的位置也不變化。因此，在后述的工序Α4中，能夠精度良好、可靠且成品率良好地進(jìn)行第二器件2的電極4與該導(dǎo)通部215的連接。在上述的例子中，在貫通布線16形成的工序A3之后，進(jìn)行了研磨基板10的第二主面12的工序A5，但也可以在形成改性部43的工序Al或者形成貫通孔13的工序A2之后進(jìn)行該工序A5。在任意一種情況下，都能夠使所制造的貫通布線基板19成為希望的厚度。在工序A3之后進(jìn)行了工序A5的情況下，在開(kāi)口部15露出于第二主面12的所述導(dǎo)體通過(guò)研磨與該第二主面12 —起被平坦化，因而優(yōu)選。另外，在工序Al之后進(jìn)行了工序A5的情況下，能夠縮短其后的工序A2中的蝕刻處理等的時(shí)間與工序A3中的導(dǎo)體的成膜或者填充等的處理時(shí)間。進(jìn)而，能夠減少工序A3中的導(dǎo)體的使用量。另外，在工序A2之后進(jìn)行了工序A5的情況下，能夠縮短其后的工序A3中的導(dǎo)體的成膜或者填充等的處理時(shí)間。進(jìn)而，能夠減少工序A3中的導(dǎo)體的使用量。另外，在上述的例子中，說(shuō)明了研磨第二主面12的情況，也可以在第一主面11側(cè)設(shè)置直線部分42a (參照?qǐng)D5B)，通過(guò)研磨該第一主面11，從而使基板10的厚度成為希望的厚度。在該情況下也可以得到與研磨上述的第二主面12的情況同樣的效果。此外，在圖5B中，直線部分42a向與第一主面11垂直的方向、即基板10的厚度方向延伸。另外，彎曲部42位于距第一主面11起t2’的深度。即，直線部分42a的長(zhǎng)度為t2，。當(dāng)發(fā)生了前述那樣的基板10的厚度的非意圖的變化時(shí)，該變化的大小通常也處于1 μ m 50 μ m的范圍內(nèi)。因此，在工序Al中形成的改性部43具有的直線部分41a或者4 的長(zhǎng)度比預(yù)料的變化的大小長(zhǎng)即可。此外，當(dāng)貫通布線16變長(zhǎng)時(shí)，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生器件間的信號(hào)延遲、高頻特性的劣化，因此所述長(zhǎng)度tl’以及t2’越短越優(yōu)選。單一的貫通布線16中的長(zhǎng)度tl’與t2’可以相同也可以不同。另外，貫通布線基板19具有的多個(gè)貫通布線16中的各個(gè)貫通布線的所述tl’彼此以及t2’彼此的長(zhǎng)度可以相同也可以不同。在上述那樣制造出的本發(fā)明的貫通布線基板19中，要形成多個(gè)貫通布線16的各個(gè)貫通孔13具有對(duì)齊第一主面11以及第二主面12中的至少單方的同一主面?zhèn)却怪钡亻_(kāi)口的直線部分41a以及/或者直線部分42a。另外，在本發(fā)明的貫通布線基板19中，優(yōu)選要形成該多個(gè)貫通布線16的各個(gè)貫通孔13具有對(duì)齊第一主面11以及第二主面12中的至少單方的同一主面?zhèn)却怪钡亻_(kāi)口的、相同長(zhǎng)度的直線部分41a以及/或者直線部分42a。該情況下，所有的貫通孔在同一主面?zhèn)染哂邢嗤L(zhǎng)度的直線部分，因此即使基板10的厚度產(chǎn)生了變化，具有該直線部分的貫通孔與沒(méi)有該直線部分的貫通孔在該貫通布線基板19中也不會(huì)混在一起。因此，可以精度良好、可靠地進(jìn)行連接。在本發(fā)明中，器件的電極配置(布局)意味在與該器件的貫通布線基板的主面相面對(duì)的面內(nèi)與貫通布線連接的電極的二維配置。即，僅使器件整體平行移動(dòng)而將所有的電極的位置向相同方向錯(cuò)開(kāi)相同距離，該器件的電極配置不變化。在2個(gè)器件間，當(dāng)對(duì)應(yīng)的2個(gè)電極間的距離、對(duì)應(yīng)的3個(gè)電極間的角度等至少在1個(gè)位置不同時(shí)，這2個(gè)器件的電極配置相互不同。例如，當(dāng)2個(gè)器件的電極配置處于僅電極間間距不同的相似的關(guān)系時(shí)，這2個(gè)器件的電極配置也相互不同。另外，即使在2個(gè)器件的電極由具有完全相同布局的多個(gè)模塊構(gòu)成時(shí)，在這些模塊的位置在2個(gè)器件間不同的情況下，2個(gè)器件的電極配置也相互不同。進(jìn)而，在該電極配置中，不與貫通布線連接的電極即使存在也被除外，僅考慮與貫通布線連接的電極。若安裝在兩面上的器件的電極配置相同，則與基板的主面垂直地形成所有的貫通布線，或者若即使傾斜也在相同方向上(平行地)形成所有的貫通布線，這樣的話，能夠經(jīng)由這些貫通布線以一對(duì)一的對(duì)應(yīng)關(guān)系連接兩器件的電極彼此。但是，在本發(fā)明中，兩器件的電極配置相互不同。因此，當(dāng)所有的貫通布線與基板的主面垂直地形成，或者形成為即使傾斜也相互平行時(shí)，至少一個(gè)器件的電極與導(dǎo)通部的位置不一致，會(huì)需要表面布線。在本發(fā)明中，為了省去用于器件間的連接的表面布線，使第一主面11上的第一導(dǎo)通部214(第一開(kāi)口部14)的配置與第一器件1的電極配置一致，并且使第二主面12上的第二導(dǎo)通部215 (第二開(kāi)口部15)的配置與第二器件2的電極配置一致。由此，能夠不在貫通布線基板19上設(shè)置表面布線地來(lái)連接器件1、2間。在圖IA 3、5A、5B所示的例子中，兩器件1、2的電極配置是電極3、4排列在器件1、2的周緣部的外圍配置。而且，兩器件1、2的尺寸(沿著基板10的主面11、12的方向上的長(zhǎng)度、面積等)相互不同。貫通布線基板19的貫通布線16從尺寸小的器件1的電極3朝向尺寸大的器件2的電極4地形成。即，第一導(dǎo)電部214位于基板10的第一主面11的中心部，第二導(dǎo)電部215靠基板10的第二主面12的外周，貫通布線16大致放射狀地延伸。這樣，在本方式例的貫通布線基板19中，要設(shè)置貫通布線16的貫通孔13都是不平行的(除了直線部分41a以及直線部分42a)。因此，貫通孔13的形成方法如后述那樣，采用可以向任意的朝向形成貫通孔13的方法。此外，貫通孔13的朝向不是從垂直于基板10的主面11、12的方向來(lái)觀察的俯視時(shí)的朝向，而要包含基板10的厚度方向地以三維方式理解。例如圖2A中相對(duì)于基板10的中心面對(duì)的貫通孔13彼此在俯視時(shí)的朝向相同，但如圖3所示，三維上由第一主面11側(cè)向第二主面12側(cè)的朝向不同，相互是不平行的?；?0的材料可以舉出玻璃、塑料、陶瓷等絕緣體、硅(Si)等半導(dǎo)體。在半導(dǎo)體基板的情況下，優(yōu)選在貫通孔13的內(nèi)壁、主面11、12等上形成絕緣層。在絕緣性基板的情況下，不需要再在貫通孔13的內(nèi)壁上形成絕緣層。此外，當(dāng)電子器件的基材與安裝電子器件的基板之間的線膨脹系數(shù)差大時(shí)，根據(jù)安裝時(shí)的溫度，兩者的伸展量差異大，因此在電子器件的電極與連接該電極的基板上的導(dǎo)電部之間易產(chǎn)生位置偏差。其結(jié)果，存在難以實(shí)現(xiàn)兩者間的精度高的連接，或者兩者間的連接本身就很困難的情況。與此相對(duì)，根據(jù)本發(fā)明，能夠使用硅、玻璃作為基板10的材料。因此，例如當(dāng)在基板10的兩主面上安裝使用了硅基材的電子器件1、2時(shí)，能夠減小上述的線膨脹系數(shù)差。其結(jié)果能夠抑制電子器件1、2的電極與基板10上的導(dǎo)通部的位置偏差，能夠位置精度良好地連接兩者。貫通布線16通過(guò)如上述那樣，通過(guò)向貫通孔13填充導(dǎo)體或者將導(dǎo)體成膜來(lái)設(shè)置，該貫通孔13具有在基板10的第一主面11的與第一器件1的電極3相面對(duì)的位置開(kāi)口的第一開(kāi)口部14、和在基板10的第二主面12的與第二器件2的電極4相面對(duì)的位置開(kāi)口的第二開(kāi)口部15。為了貫通孔13的形成，能夠使用特別適于石英玻璃制的基板的方法亦即并用基于飛秒激光的改性和濕式蝕刻的方法、或者再并用NC鉆孔等機(jī)械的手法的方法。當(dāng)使用飛秒激光進(jìn)行改性時(shí)，照射了激光的部分的基板材質(zhì)發(fā)生變化，與未照射激光的部分相比，對(duì)蝕刻劑的耐性降低，因此能夠容易形成孔。作為用于貫通布線16的導(dǎo)體，可以舉出銅(Cu)、鎢(W)等金屬、金錫(Au-Sn)等合金、多晶硅等非金屬的導(dǎo)體。制作方法能夠適當(dāng)使用鍍敷法、濺射法、熔融金屬填充法、CVD、 超臨界成膜法、或者將它們組合而成的手法等。此外，優(yōu)選貫通布線16通過(guò)在貫通孔13內(nèi)部完全地填充導(dǎo)體而成。在本發(fā)明的器件安裝結(jié)構(gòu)中，按照與要成為貫通布線16的貫通孔13的開(kāi)口部14 以及15相面對(duì)的方式分別配置器件的電極3以及4。因此，當(dāng)貫通布線16是在貫通孔13 內(nèi)部完全地填充導(dǎo)體的實(shí)心結(jié)構(gòu)時(shí)，與僅在貫通孔13的內(nèi)壁形成導(dǎo)體層的中空結(jié)構(gòu)的情況相比，不論機(jī)械的還是電的連接的穩(wěn)定性都增大，因而優(yōu)選。這時(shí)，作為向貫通孔內(nèi)部完全地填充導(dǎo)體的方法，可以采用上述的鍍敷法、濺射法、熔融金屬填充法、CVD、超臨界成膜法等中的任意一個(gè)方法?；蛘撸部梢赃m當(dāng)組合這些方法來(lái)使用。特別是當(dāng)孔的長(zhǎng)度長(zhǎng)、形狀復(fù)雜時(shí)，通過(guò)CVD或者超臨界成膜法等能夠直至孔的深部成膜的方法形成導(dǎo)體薄膜即可。將該導(dǎo)體薄膜作為晶種層、粘接層，接著能夠通過(guò)鍍敷法、熔融金屬填充法，高效率地向貫通孔內(nèi)部完全填充導(dǎo)體。作為器件1、2，可以舉出存儲(chǔ)器(存儲(chǔ)元件)和邏輯電路(邏輯元件)等集成電路 (IC)、傳感器等MEMS器件、發(fā)光元件和受光元件等光學(xué)器件。只要器件1、2的電極配置不同，不管其功能不同還是功能相同。特別是，通過(guò)以高密度集成異質(zhì)器件，可以實(shí)現(xiàn)三維系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)。在本方式例的情況下，如圖IB所示，在第一主面11側(cè)多個(gè)器件1層疊在基板10 上。這樣根據(jù)本方式例，可以實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的高密度化。在貫通布線基板19的制造中，在基板10內(nèi)形成要成為貫通孔13的改性部43 (工序Al)；從基板10中除去該改性部43來(lái)形成貫通孔13，該貫通孔13具有與各個(gè)器件1、2 的電極配置對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部14、15(工序A2)；通過(guò)向該貫通孔13內(nèi)填充導(dǎo)體或者將導(dǎo)體成膜，形成具有在第一主面11側(cè)露出的第一導(dǎo)通部214與在所述2主面12側(cè)露出的第二導(dǎo)通部215的貫通布線16 (工序A3)；進(jìn)而將第一器件1配置成與基板10的第一主面11相面對(duì)來(lái)將其電極3與對(duì)應(yīng)的第一導(dǎo)通部214接合，并且將第二器件2配置成與基板10的第二主面12相面對(duì)來(lái)將其電極4與對(duì)應(yīng)的第二導(dǎo)通部215接合，從而將兩器件1、2安裝在貫通布線基板19的兩面(工序A4)。由此，第一器件1的多個(gè)電極3與第二器件2的多個(gè)電極4經(jīng)由多個(gè)貫通布線16被電連接。在本發(fā)明的器件安裝方法中，所述工序Al中具有對(duì)要成為形成多個(gè)貫通布線16 的各個(gè)貫通孔13的改性部43設(shè)置相對(duì)于第一主面11以及第二主面12中的至少單方的同一主面垂直延伸的直線部分41a以及/或者直線部分42a的步驟；和設(shè)置與各個(gè)直線部連結(jié)并且相對(duì)于第一主面11以及第二主面12傾斜地延伸的部分的步驟。這里，該傾斜地延伸的部分例如是圖IB中的從彎曲部41到開(kāi)口部14的部分。在其他的例子中，該傾斜地延伸的部分是圖5B中的從彎曲部41到彎曲部42的部分。所述二個(gè)步驟可以用同一方法連續(xù)地進(jìn)行，也可以用不同的方法不連續(xù)地進(jìn)行。例如，首先使用激光法等，按順序?qū)λ鲋本€部與所述傾斜地延伸的部分進(jìn)行改性。然后，使用濕式蝕刻法，按順序除去被改性的所述直線部分與被改性的所述傾斜地延伸的部分。這樣，也可以連續(xù)地進(jìn)行這兩個(gè)步驟。另外，利用NC鉆孔等機(jī)械的方法形成所述直線部分。之后，使用激光法以及濕式蝕刻法形成所述傾斜地延伸的部分。也可以不連續(xù)地進(jìn)行這兩個(gè)步驟。在本發(fā)明的器件安裝方法中，使用圖4A 4D如前述那樣在所述工序A5中，通過(guò)使用物理的方法或者化學(xué)的方法研磨設(shè)置了所述直線部分側(cè)的主面，可以減小所述基板的厚度?？梢耘e出利用含有細(xì)小的粒徑的研磨劑的研磨液進(jìn)行機(jī)械地研磨的方法作為所述物理的方法。另外，可以舉出使用能夠腐蝕基板的溶液、氣體來(lái)進(jìn)行蝕刻的方法作為所述化學(xué)的方法。在本發(fā)明的器件安裝方法中的所述工序A4中，將第一器件1配置在基板10的第一主面11側(cè)來(lái)將第一器件1的電極3與貫通布線16接合，并且將第二器件2配置在基板 10的第二主面12側(cè)來(lái)將第二器件2的電極4與貫通布線16接合。由此，能夠?qū)⒌谝黄骷?1的多個(gè)電極3與第二器件2的多個(gè)電極4經(jīng)由多個(gè)貫通布線16電連接。只要是能夠這樣連接的方法，也可以使用其他的方法。例如，在本方式例的情況下，各器件1、2的電極3、4與貫通布線16之間通過(guò)在貫通孔13的開(kāi)口部14、15上設(shè)置的導(dǎo)電性的連接盤(pán)部17、18和在該連接盤(pán)部17、18上設(shè)置的作為導(dǎo)體(焊料、導(dǎo)電性凸塊等)的接合件5、6連接。在本發(fā)明中，也可以省略連接盤(pán)部 17、18、接合件5、6。例如，也可以直接用焊料等接合電極3、4與貫通布線16。在圖IA 3所示的器件安裝結(jié)構(gòu)中，器件1、2的電極配置是電極3、4排列在器件 1、2的周緣部的外圍配置。另外，在圖6A以及6B所示的本方式例的第2變形例的器件安裝結(jié)構(gòu)中，第一器件 1的電極配置是電極3排列成十字狀的配置，第二器件2的電極配置是電極4排列在器件2 的周緣部的外圍配置。另外，在圖7A以及7B所示的本方式例的第3變形例的器件安裝結(jié)構(gòu)中，第一器件 1的電極配置是電極3排列在周邊部以及排列成十字狀的格子型配置，第二器件2的電極配置是電極4排列在器件2的周緣部的外圍配置。另外，在圖8A以及8B所示的本方式例的第4變形例的器件安裝結(jié)構(gòu)中，第一器件 1的電極配置是電極3縱橫排列的面陣配置，第二器件2的電極配置是電極4排列在器件2 的周緣部的外圍配置。此外，圖9示意地表示圖8A以及8B所示的器件安裝結(jié)構(gòu)的左下四分之一部分中的電極的連接關(guān)系。這里，附圖標(biāo)記Al A9表示與第一器件1的電極3連接的第一主面11上的連接盤(pán)部17。另外，附圖標(biāo)記Bl B9表示與第二器件2的電極4連接的第二主面12上的連接盤(pán)部18。另外，附圖標(biāo)記Cl C9表示分別連接Al A9與Bl B9的貫通布線16。另外，本發(fā)明不僅限于以上的例示，也可以組合其他的電極配置。在圖IA 圖3以及圖5A 圖9所示的例子中，為了方便說(shuō)明，第二器件2的俯視時(shí)的尺寸比第一器件1大。另外，第二器件2的電極4被配置在外圍。但是，在本發(fā)明中， 如以上的例那樣，第二器件2的電極4也可以配置于對(duì)基板10俯視時(shí)與第一器件1重疊的位置。另外，第一器件1的俯視時(shí)的尺寸也可以與第二器件2相同。這樣，兩器件1、2的電極3、4不論欲在各個(gè)器件1、2上形成怎樣的電極配置(布局)，也能夠幾乎最短地連接電極3、4間，因此有助于器件的高速化。另外，不必如積層基板(build-up board)那樣形成多層化，在貫通布線基板19、19，、19A、19B、19C的內(nèi)部能夠變換布線間的間距，因此能夠效率良好地連接兩器件1、2的電極3、4間。在本發(fā)明的器件安裝結(jié)構(gòu)中也可以如圖10所示，設(shè)置由焊料等構(gòu)成的凸塊21。在圖10所示的例子中，貫通布線基板19在基板10的第二主面12側(cè)具有焊料凸塊等連接端子21?？梢越?jīng)由貫通布線16、電路20，將器件1、2與印刷電路板等外部基板(未圖示)電連接。另外，在第一主面11側(cè)器件1被層疊。另外，在本發(fā)明的器件安裝結(jié)構(gòu)中，可以如圖11所示用模具樹(shù)脂層22被覆器件1， 或者如圖12所示用帶腔體的保護(hù)部件23覆蓋器件1。由此，可以保護(hù)器件1。另外，在本發(fā)明的器件安裝結(jié)構(gòu)中，可以如圖13A 15C所示那樣，在基板10的內(nèi)部設(shè)置流路31。流路31作為使例如水等冷卻用流體流通的流路使用。此外，流路31也可以作為使DNA(核酸)、蛋白質(zhì)、類(lèi)脂物等生物體溶液流通的流路使用。當(dāng)將流路31作為使冷卻用流體流通的流路使用時(shí)，分別在圖13A 15C所示的帶流路的貫通布線基板30、30A、30B的第一主面11側(cè)安裝第一器件，在第二主面12側(cè)安裝第二器件，從而可以冷卻帶流路的貫通布線基板30、30A、30B。由此，在第一器件以及/或者第二器件的電極被配置為高密度的情況下，也可以有效地降低帶流路的貫通布線基板30、 30A.30B的溫度上升。以下，對(duì)將流路31作為使冷卻用流體流通的流路使用的情況進(jìn)行說(shuō)明。流路31的兩端具有使冷卻用流體進(jìn)出的出入口 32、33。例如，如圖13A 13C所示流路31也可以是多條。另外，如圖14A所示，也可以是1條流路31蜿蜒成可以冷卻基板10整體。另外，如圖15A 15C所示，流路31的出入口 32、33也可以在基板10的主面12
上開(kāi)口。另外，流路31的圖案(路徑)、剖面形狀不僅限于以上的例示，可以適當(dāng)設(shè)計(jì)。優(yōu)選流路31在三維的面方向或者厚度方向上與貫通孔13具有規(guī)定的間隔，以使其不與具有貫通布線16的貫通孔13連通。在本方式例中，如圖13A等所示那樣，即使與基板10的主面11、12平行的流路31 在俯視時(shí)看上去與貫通孔13重合，貫通孔13與流路31也不連通。S卩，若基板10的厚度方向上的位置相互錯(cuò)開(kāi)，則貫通孔13與流路31不會(huì)彼此相連。另外，在本發(fā)明中，設(shè)想基板10的厚度可以變化，因此優(yōu)選作為流路31使用的貫通孔，從主面11以及12起離開(kāi)各個(gè)直線部42a以及直線部41a的長(zhǎng)度，形成于基板10的厚度的中央部。流路31是在形成貫通布線16的貫通孔13之外，在形成作為冷卻用流體的流路31 使用的貫通孔的工序A5中被形成的。這里，當(dāng)所述工序A5與所述工序Al以及A2并行進(jìn)行時(shí)，可以提高該貫通布線基板的制造效率。圖16A 16F表示該情況下的貫通布線基板30的制造方法的一例。首先，如圖16A以及16B所示，向基板10照射激光34在基板10內(nèi)形成基板10的材料被改性而成的改性部35、36。改性部35設(shè)置在要形成貫通孔13的區(qū)域中，改性部36 設(shè)置在要形成作為流路31使用的貫通孔的區(qū)域中。
對(duì)于本方式例，使用飛秒激光作為激光34的光源，按照在基板10內(nèi)部連結(jié)焦點(diǎn)的方式照射激光束，得到例如直徑為數(shù)μ m 數(shù)十μ m的改性部35、36。通過(guò)控制基板10內(nèi)部的激光34的焦點(diǎn)位置，可以形成具有希望的形狀的改性部35、36。此外，通常在改性部 35,36中與基板10的材料相比折射率發(fā)生變化。如圖16A 16F所示，要成為流路31的改性部36也可以與基板10的主面11、12 平行地形成。這時(shí)，當(dāng)激光34的照射范圍(特別是由激光光源到基板10內(nèi)部的焦點(diǎn)的范圍)與要成為貫通孔13的改性部35重合時(shí)，由于改性部35的折射率變化，在激光34與改性部35重合的范圍內(nèi)有可能激光34的焦點(diǎn)位置發(fā)生偏差。這樣，為了避免與已經(jīng)形成的其他的改性部35的重合，不僅由第一主面11側(cè)照射激光34，也可以根據(jù)位置由第二主面 12側(cè)照射激光34。接下來(lái)，將形成了改性部35、36的基板10浸泡在蝕刻液(藥液)中，通過(guò)蝕刻(濕式蝕刻)從基板10中除去改性部35、36。其結(jié)果，如圖16C所示，在改性部35、36存在過(guò)的部分形成貫通孔13以及作為流路31使用的貫通孔。本方式例使用石英作為基板10的材料，使用以氫氟酸(HF)為主成分的溶液作為蝕刻液。該蝕刻利用了改性部35、36與基板 10的未被改性的部分相比非?？斓乇晃g刻的原理，作為結(jié)果，可以形成依照改性部35、36 的形狀的貫通孔13以及作為流路31使用的貫通孔。在本方式例中，貫通孔13的孔徑為50 μ m。貫通孔13的孔徑可以根據(jù)貫通布線 16的用途，從10 μ m左右到300 μ m左右適當(dāng)設(shè)定。作為流路31使用的貫通孔的孔徑可以與貫通孔13的孔徑為相同程度，也可以比其小(細(xì))，或者比其大(粗)。作為流路31使用的貫通孔的孔徑未特別被限定，例如可以是從10 μ m左右到500 μ m左右。另外，作為流路31使用的貫通孔的孔徑也可以具有局部細(xì)的部分、局部粗的部分。此外，蝕刻液不限于氫氟酸，例如也可以使用向氫氟酸中適量添加了硝酸等而成的氟硝酸系的混酸、氫氧化鉀等堿性水溶液。另外，根據(jù)基板10的材料也可以使用其他的藥液?；?0的材料不限于石英玻璃(硅玻璃)，例如可以使用藍(lán)寶石等絕緣基板、含有堿成分等其他的其他成分玻璃基板，其厚度也可以適當(dāng)設(shè)定為150μπι Imm左右。然后，如圖16D所示，向貫通孔13填充導(dǎo)體或者將導(dǎo)體成膜來(lái)形成貫通布線16。 為了該導(dǎo)體的填充或者成膜，可以適當(dāng)使用鍍敷法、濺射法、熔融金屬填充法、CVD、超臨界成膜法等。這時(shí)，優(yōu)選在要成為流路31的出入口 32、33的位置預(yù)先設(shè)置抗蝕劑等保護(hù)層， 以使導(dǎo)體不侵入到作為流路31使用的貫通孔內(nèi)?？刮g劑可以使用樹(shù)脂抗蝕劑、無(wú)機(jī)系材料的薄膜等。之后，通過(guò)機(jī)械的研磨法等，從形成了直線部分41a的第二主面12側(cè)研磨基板10 來(lái)使基板10為希望的厚度(圖16E)。此外根據(jù)需要，如圖16F所示，在貫通布線16的上下形成連接盤(pán)部17、18。連接盤(pán)部17、18的形成方法可以適當(dāng)使用鍍敷法、濺射法等。這樣，若同時(shí)地形成貫通孔13與流路31，則制造工序能夠簡(jiǎn)略化，能夠降低成本。 另外，容易控制貫通孔13與流路31的位置關(guān)系，因此能夠防止貫通孔13與流路31錯(cuò)誤地連結(jié)。此外，在形成多個(gè)改性部35、36后，不需要蝕刻所有的改性部35、36來(lái)形成貫通孔13、作為流路31使用的貫通孔。例如，也可以在一部分的改性部35、36兩端設(shè)置抗蝕劑等保護(hù)層等以不對(duì)其進(jìn)行蝕刻地保護(hù)這一部分的改性部35、36，選擇要蝕刻的改性部35、36。 由此，可以僅在需要的位置形成貫通孔13、作為流路31使用的貫通孔。例如，當(dāng)預(yù)先按照與器件1、2的所有的電極3、4對(duì)應(yīng)的方式形成改性部35后，根據(jù)器件1、2的使用方式等不需要對(duì)電極3、4的一部分設(shè)置貫通布線16時(shí)，也可以按照不蝕刻與不需要該貫通布線16的位置對(duì)應(yīng)的改性部35的方式來(lái)進(jìn)行保護(hù)，不對(duì)貫通孔13進(jìn)行開(kāi)口。這樣，在形成改性部35的階段一律形成改性部35后，在蝕刻的階段能夠選擇形成貫通布線16的位置，因此容易控制形成改性部35的激光的照射位置。另外，上述說(shuō)明了在貫通孔(微細(xì)孔)13以及/或者流路31的形成過(guò)程中，通過(guò)控制來(lái)自飛秒激光的激光的焦點(diǎn)位置，在基板10的內(nèi)部形成具有希望的形狀的改性部35、 36的方法，但本發(fā)明不僅限于此。例如，在飛秒激光與基板之間配置記錄了與改性部35、36的希望的形狀對(duì)應(yīng)的圖案的全息圖，通過(guò)透過(guò)全息圖向基板照射激光，可以在基板的內(nèi)部統(tǒng)一形成具有希望的形狀的改性部。之后，通過(guò)蝕刻該改性部，可以形成希望的貫通孔(微細(xì)孔)以及/或者流路。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明使用具有貫通基板的貫通布線的貫通布線基板在其兩面安裝器件，因此可以廣泛地被利用。附圖標(biāo)記的說(shuō)明1第一器件；2第二器件；3、4電極；10基板；11第一主面(一主面)；12第二主面(另一主面)；13貫通孔；14第一開(kāi)口部；15第二開(kāi)口部；16貫通布線；19、19’、 19A、19B、19C貫通布線基板；30、30A、30B帶流路貫通布線基板；31流路；35、36改性部； 41,42彎曲部；41a,42a直線部；43,46改性部
權(quán)利要求
1.一種器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，具備貫通布線基板，其具有基板和形成在多個(gè)貫通孔的內(nèi)部的多個(gè)貫通布線，所述多個(gè)貫通孔從該基板的一主面亦即第一主面向另一主面亦即第二主面貫通所述基板；第一器件，其具有多個(gè)電極并且按照與所述第一主面相面對(duì)的方式配置這些電極；以及第二器件，其具有與該第一器件的各電極的配置不同配置的多個(gè)電極，并且按照與所述第二主面相面對(duì)的方式配置這些電極，各所述貫通布線具有設(shè)置在所述第一主面的與所述第一器件的電極對(duì)應(yīng)的位置上的第一導(dǎo)通部和設(shè)置在所述第二主面的與所述第二器件的電極對(duì)應(yīng)的位置上的第二導(dǎo)通部，所述第一器件的各電極與所述第一導(dǎo)通部電連接，所述第二器件的各電極與所述第二導(dǎo)通部電連接，各所述貫通布線具有從所述第一主面以及所述第二主面中的至少一方垂直延伸的直線部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件安裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述基板的內(nèi)部設(shè)置有流路。
3.一種器件安裝方法，其特征在于，經(jīng)由具有基板和形成在多個(gè)貫通孔的內(nèi)部的多個(gè)貫通布線的貫通布線基板，將具有多個(gè)電極的第一器件和具有與該第一器件的各電極的配置不同配置的多個(gè)電極的第二器件電連接，所述多個(gè)貫通孔從該基板的一主面亦即第一主面向另一主面亦即第二主面貫通所述基板，該器件安裝方法具有工序Al，形成多個(gè)改性部，該改性部具有在所述第一主面的與所述第一器件的各電極對(duì)應(yīng)的位置露出的一端和在所述第二主面的與所述第二器件的各電極對(duì)應(yīng)的位置露出的另一端；工序A2，在形成了所述多個(gè)改性部的區(qū)域形成所述多個(gè)貫通孔；工序A3，通過(guò)向各所述貫通孔內(nèi)填充導(dǎo)體或者將導(dǎo)體成膜，形成具有在所述第一主面?zhèn)嚷冻龅牡谝粚?dǎo)通部與在所述第二主面?zhèn)嚷冻龅牡诙?dǎo)通部的多個(gè)貫通布線；和工序A4，將所述第一器件配置成與所述基板的所述第一主面相面對(duì)來(lái)將該第一器件的各電極與對(duì)應(yīng)的所述第一導(dǎo)通部接合，并且將所述第二器件配置成與所述基板的所述第二主面相面對(duì)來(lái)將該第二器件的各電極與對(duì)應(yīng)的所述第二導(dǎo)通部接合，其中，所述工序Al中包括設(shè)置從所述第一主面以及所述第二主面中的至少一方垂直延伸的直線部的步驟；和設(shè)置與該直線部連結(jié)并且相對(duì)于所述第一主面以及所述第二主面的雙方傾斜地延伸的部分的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件安裝方法，其特征在于，該器件安裝方法還具有通過(guò)使用物理的方法或者化學(xué)的方法研磨設(shè)置了所述直線部的主面來(lái)減小所述基板的厚度的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的器件安裝方法，其特征在于，該器件安裝方法還具有在所述基板的內(nèi)部形成流路的工序A5。
全文摘要
一種器件安裝結(jié)構(gòu)，其具備貫通布線基板，其具有基板和從該基板的一主面即第一主面向另一主面即第二主面貫通所述基板的多個(gè)貫通孔的內(nèi)部所形成的多個(gè)貫通布線；第一器件，其具有多個(gè)電極并且按照與所述第一主面相面對(duì)的方式配置這些電極；和第二器件，其具有配置與該第一器件的各電極的配置不同的多個(gè)電極并且按照與所述第二主面相面對(duì)的方式配置這些電極，其中，各所述貫通布線具有在所述第一主面的與所述第一器件的電極對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置的第一導(dǎo)通部和在所述第二主面的與所述第二器件的電極對(duì)應(yīng)的位置設(shè)置的第二導(dǎo)通部，所述第一器件的各電極與所述第一導(dǎo)通部電連接，所述第二器件的各電極與所述第二導(dǎo)通部電連接，各所述貫通布線具有由所述第一主面以及所述第二主面中的至少一方垂直延伸的直線部。
文檔編號(hào)H05K3/40GK102577637SQ201080047778
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月23日
發(fā)明者山本敏, 平野裕之, 鈴木孝直 申請(qǐng)人:株式會(huì)社藤倉(cāng)