專利名稱：制作電路板的方法和電路板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及PCB板(Printed Circuit Board,印刷電路板)制作領(lǐng)域，尤其涉及制 作電路板的方法和電路板。
背景技術(shù)：
隨著科學(xué)技術(shù)的不斷創(chuàng)新，特別是高科技產(chǎn)品得到了長足的進(jìn)步，而科技進(jìn)步的 同時必然會對組成科技產(chǎn)品的部件提出較高的要求，如在同一 PCB板上集成越來越多的用 于實現(xiàn)不同功能的電路，因此，PCB板的層數(shù)也越來越多；PCB板由多層電路板壓合而成。
為提高壓合制作的成功率，在設(shè)置各電路板時，針對每個電路板，在該電路板中設(shè) 置有銅箔的位置的相反側(cè)面板上設(shè)置封裝區(qū)域，以將該層電路板的銅箔與下一層電路板的 銅箔通過所述封裝區(qū)域隔離，如可在電路板的內(nèi)部區(qū)域或電路板的邊緣區(qū)域設(shè)置有封裝區(qū) 域，如圖1所示。
在對各電路板進(jìn)行壓合時，封裝區(qū)域中的樹脂在壓合過程中受熱融化形成流膠 體，由于封裝區(qū)域為封閉設(shè)置，導(dǎo)致流膠體流膠不均勻和抽氣不干凈等問題，使得流膠體堆 在封裝區(qū)域的邊緣，從而在封裝區(qū)域產(chǎn)生白點；當(dāng)對壓合得到的PCB板進(jìn)行貼件或鍍錫等 高溫操作時，電路板封裝區(qū)域的白點受熱膨脹，可能會導(dǎo)致PCB板發(fā)生爆板分層的問題，甚 至?xí)?dǎo)致PCB板報廢。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電路板的制作方法及電路板，以提高電路板的封裝區(qū)域的耐熱 性，從而降低PCB板發(fā)生爆板分層的幾率。
一種電路板的制作方法，包括
在電路板的封裝區(qū)域的邊緣區(qū)域的安裝區(qū)域中設(shè)置從所述封裝區(qū)域通向外部的 至少一個流膠口。
較佳地，所述流膠口設(shè)置在所述安裝區(qū)域中的金屬部分處，所述方法包括
在所述電路板表面形成干膜；
對所述電路板進(jìn)行曝光處理，在所述電路板的非安裝區(qū)域形成保護(hù)膜；
對所述電路板進(jìn)行顯影，去除所述安裝區(qū)域的干膜，露出所述安裝區(qū)域的金屬；
將所述安裝區(qū)域的金屬蝕刻掉，形成流膠口 ；
對所述電路板進(jìn)行保護(hù)膜退膜處理。
較佳地，所述電路板的安裝區(qū)域與其用于壓合制作的相鄰電路板的安裝區(qū)域錯開 設(shè)置；優(yōu)選地，用于壓合制作的任意兩個相鄰的電路板的安裝區(qū)域錯開設(shè)置，以保證電路板 中被安裝區(qū)域分割開的網(wǎng)絡(luò)通過有銅鉆孔繼續(xù)連接成一個網(wǎng)絡(luò)。
較佳地，所述干膜為感光干膜。
較佳地，所述感光干膜的厚度設(shè)置為25微米到150微米之間。
較佳地，對所述電路板進(jìn)行曝光之前，還包括
設(shè)置用于曝光處理的膠片，所述膠片中與所述安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為黑 色，所述膠片中與所述電路板中非安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為白色；
或者，
設(shè)置用于曝光處理的膠片，所述膠片中與所述安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為白 色，所述膠片中與所述非安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為黑色。
對所述電路板進(jìn)行曝光，包括采用UV機(jī)對覆蓋在電路板的非安裝區(qū)域的感光干 膜進(jìn)行曝光，使得覆蓋在安裝區(qū)域的感光干膜不發(fā)生聚合反應(yīng)，覆蓋在非安裝區(qū)域的感光 干膜發(fā)生聚合反應(yīng)并形成不溶于蝕刻液的聚合物，該聚合物構(gòu)成所述保護(hù)膜。
較佳地，對所述電路板進(jìn)行顯影，包括
采用顯影液對所述電路板進(jìn)行顯影處理，去除覆蓋在所述安裝區(qū)域的感光干膜。
優(yōu)選地，所述顯影液為酸性液體。
較佳地，所述顯影液為碳酸鈉。
較佳地，將所述安裝區(qū)域的金屬蝕刻掉，包括采用蝕刻液將所述金屬蝕刻掉；優(yōu) 選地，所述蝕刻液為氯化銅。
較佳地，對所述電路板進(jìn)行保護(hù)膜退膜處理，包括采用退膜液對所述電路板進(jìn)行 保護(hù)膜退膜處理，去除覆蓋在非安裝區(qū)域的保護(hù)膜。
較佳地，所述退膜液為堿性退膜液。
較佳地，所述退膜液為氫氧化鈉或氫氧化鉀。
較佳地，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體回流到所述封裝區(qū)域的內(nèi)部；和/ 或，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體流出到所述封裝區(qū)域的外部；和/或，所述流膠口 的出口處于負(fù)壓狀態(tài)，以利于排除氣泡。
較佳地，在所述電路板表面形成干膜之前，還包括步驟
采用表面噴砂方式、超音波水洗方式、脫脂清潔方式或微蝕處理方式，對所述電路 板的板面進(jìn)行清潔處理。
較佳地，在所述電路板表面形成干膜之前，還包括在所述封裝區(qū)域的內(nèi)部設(shè)置至 少一個金屬突起物。
較佳地，所述金屬突起物為銅焊盤。
較佳地，所述銅焊盤的形狀設(shè)置為圓形。
一種電路板，包括封裝區(qū)域，所述封裝區(qū)域的邊緣區(qū)域的安裝區(qū)域中設(shè)置從所述 封裝區(qū)域通向外部的至少一個流膠口。
較佳地，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體回流到所述封裝區(qū)域的內(nèi)部；和/ 或，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體流出到所述封裝區(qū)域的外部；和/或，所述流膠口 的出口處于負(fù)壓狀態(tài)，以利于排除氣泡。
較佳地，所述封裝區(qū)域的內(nèi)部設(shè)置有至少一個金屬突起物。
較佳地，所述金屬突起物為銅焊盤。
較佳地，用于壓合制作的相鄰電路板的相應(yīng)安裝區(qū)域錯開設(shè)置；優(yōu)選地，用于壓合 制作的任意兩個相鄰電路板的相應(yīng)安裝區(qū)域錯開設(shè)置。
本發(fā)明實施例中，在電路板的封裝區(qū)域的邊緣區(qū)域的安裝區(qū)域中設(shè)置從所述封裝 區(qū)域通向外部的至少一個流膠口。采用本發(fā)明技術(shù)方案，由于在電路板的封裝區(qū)域設(shè)置有流膠口，因此，在對電路板進(jìn)行壓合操作時，能夠使得封裝區(qū)域的流膠體能夠充分的流動， 排凈封裝區(qū)域中的氣泡，提高電路板封裝區(qū)域的耐熱性，從而使得后續(xù)再對壓合的到的PCB 板進(jìn)行高溫操作時，降低PCB板發(fā)生爆板分層的幾率。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中電路板的封裝區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明實施例中制作電路板的方法流程圖3為本發(fā)明實施例中設(shè)置流膠口之間的封裝區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明實施例中設(shè)置有流膠口之后的封裝區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖5為本發(fā)明實施例中設(shè)置有流膠口和銅焊盤的封裝區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述技術(shù)問題，本發(fā)明實施例提供電路板制作方法和電路 板，以提高用于壓合制作的電路板中的封裝區(qū)域的耐熱性，降低壓合得到的PCB板在進(jìn)行 高溫操作時發(fā)生爆板分層的幾率。該方法包括在電路板的封裝區(qū)域的邊緣區(qū)域的安裝區(qū) 域中設(shè)置從所述封裝區(qū)域通向外部的至少一個流膠口。采用本發(fā)明技術(shù)方案，由于在電路 板的封裝區(qū)域設(shè)置有流膠口，從而使得電路板在壓合過程中能夠使得封裝區(qū)域的流膠體能 夠充分的流動，排凈封裝區(qū)域中的氣泡，提高電路板封裝區(qū)域的耐熱性，從而使得后續(xù)再對 壓合的到的PCB板進(jìn)行高溫操作時，降低PCB板發(fā)生爆板分層的幾率。
本發(fā)明提供一種電路板的制作方法，其特征在于，包括
在電路板的封裝區(qū)域的邊緣區(qū)域的安裝區(qū)域中設(shè)置從所述封裝區(qū)域通向外部的 至少一個流膠口。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，所述流膠口設(shè)置在所述安裝區(qū)域中的金屬部分 處，所述方法包括
在所述電路板表面形成干膜；
對所述電路板進(jìn)行曝光處理，在所述電路板的非安裝區(qū)域形成保護(hù)膜；
對所述電路板進(jìn)行顯影，去除所述安裝區(qū)域的干膜，露出所述安裝區(qū)域的金屬；
將所述安裝區(qū)域的金屬蝕刻掉，形成流膠口 ；
對所述電路板進(jìn)行保護(hù)膜退膜處理。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，所述干膜為感光干膜；較優(yōu)地，所述感光干膜的 厚度設(shè)置為25微米到150微米。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，對所述電路板進(jìn)行曝光之前，還包括
設(shè)置用于曝光處理的膠片，所述膠片中與所述安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為黑 色，所述膠片中與所述非安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為白色；
或者，
設(shè)置用于曝光處理的膠片，所述膠片中與所述安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為白 色，所述膠片中與所述非安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為黑色。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，對所述電路板進(jìn)行曝光，包括采用UV機(jī)對覆蓋 在電路板的非安裝區(qū)域的感光干膜進(jìn)行曝光，使得覆蓋在安裝區(qū)域的感光干膜不發(fā)生聚合反應(yīng)，覆蓋在非安裝區(qū)域的感光干膜發(fā)生聚合反應(yīng)并形成不溶于蝕刻液的聚合物，該聚合 物構(gòu)成所述保護(hù)膜。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，對所述電路板進(jìn)行顯影，包括采用顯影液對所 述電路板進(jìn)行顯影處理，去除覆蓋在所述安裝區(qū)域的感光干膜。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，所述顯影液為酸性液體，優(yōu)選地，所述顯影液為 碳酸鈉。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，將所述安裝區(qū)域的金屬蝕刻掉，包括采用蝕刻 液將所述金屬蝕刻掉；優(yōu)選地，所述蝕刻液為氯化銅。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，對所述電路板進(jìn)行保護(hù)膜退膜處理，包括采用 退膜液對所述電路板進(jìn)行保護(hù)膜退膜處理，去除覆蓋在非安裝區(qū)域的保護(hù)膜。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，所述退膜液為堿性退膜液，優(yōu)選地，所述退膜液 為氫氧化鈉或氫氧化鉀。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，
所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體回流到所述封裝區(qū)域的內(nèi)部；和/或，
所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體流出到所述封裝區(qū)域的外部；和/或，
所述流膠口的出口處于負(fù)壓狀態(tài)，以利于排除氣泡。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，在所述電路板表面形成干膜之前，還包括
采用表面噴砂方式、超音波水洗方式、脫脂清潔方式或微蝕處理方式，對所述電路 板的板面進(jìn)行清潔處理。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，在所述電路板表面形成干膜之前，還包括在所 述封裝區(qū)域的內(nèi)部設(shè)置至少一個金屬突起物，所述金屬突起物優(yōu)選為銅焊盤。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，用于壓合制作的兩個相鄰電路板的相應(yīng)安裝區(qū) 域錯開設(shè)置；優(yōu)選地，用于壓合制作的任意兩個相鄰電路板的相應(yīng)安裝區(qū)域錯開設(shè)置。
本發(fā)明提供一種電路板，其特征在于，包括封裝區(qū)域，所述封裝區(qū)域的邊緣區(qū)域 的安裝區(qū)域中設(shè)置從所述封裝區(qū)域通向外部的至少一個流膠口。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體回流到所述 封裝區(qū)域的內(nèi)部；和/或，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體流出到所述封裝區(qū)域的外 部；和/或，所述流膠口的出口處于負(fù)壓狀態(tài)，以利于排除氣泡。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，所述封裝區(qū)域的內(nèi)部設(shè)置有至少一個金屬突起 物；所述金屬突起物優(yōu)選為銅焊盤。
優(yōu)選地，在本發(fā)明的各實施例中，用于壓合制作的兩個相鄰電路板的相應(yīng)安裝區(qū) 域錯開設(shè)置；優(yōu)選地，用于壓合制作的任意兩個相鄰電路板的相應(yīng)安裝區(qū)域錯開設(shè)置。
下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述。
參見圖2，為本發(fā)明實施例中在電路板的封裝區(qū)域設(shè)置流膠口的方法流程圖，該方 法包括
步驟201、在電路板的封裝區(qū)域的邊緣區(qū)域設(shè)置至少一個用于設(shè)置流膠口的安裝 區(qū)域。
步驟202、在所述電路板表面形成干膜。
該步驟中，可采用壓膜機(jī)在所述電路板表面進(jìn)行壓膜，以在電路板表面得到干膜。
步驟203、對所述電路板進(jìn)行曝光處理，在所述電路板的非安裝區(qū)域(即，除了安 裝區(qū)域之外的區(qū)域)形成保護(hù)膜。
步驟204、對曝光后的所述電路板進(jìn)行顯影處理，去除電路板的安裝區(qū)域的干膜， 露出所述安裝區(qū)域的金屬。
該步驟中，采用顯影液對所述電路板進(jìn)行顯影處理，顯影液可采用酸性液體，如碳 酸鈉等。
步驟205、將所述安裝區(qū)域的金屬蝕刻掉，形成流膠口。
該步驟中，可采用蝕刻液對安裝區(qū)域的金屬進(jìn)行蝕刻；蝕刻液可以是氯化銅。
較佳地，為便于流膠流通，避免產(chǎn)生氣泡，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體回 流到所述封裝區(qū)域的內(nèi)部；和/或，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體流出到所述封裝區(qū) 域的外部；和/或所述流膠口的出口處于負(fù)壓狀態(tài)，以利于排除氣泡。
步驟206、對所述電路板進(jìn)行保護(hù)膜退膜處理。
該步驟中，采用退膜液對所述電路板進(jìn)行保護(hù)膜退膜處理；退膜液可采用堿性退 膜液，如氫氧化鈉、氫氧化鉀等。
較佳地，上述流程步驟202中，在電路板表面形成的干膜為感光干膜，優(yōu)選地，感 光干膜的厚度可以設(shè)置為25um 150um之間，可包括25um和150um。
較佳地，上述流程步驟203中，對電路板進(jìn)行曝光之前，還可包括步驟設(shè)置用于 曝光處理的膠片，所述膠片中與所述安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為黑色，所述膠片中與 所述電路板中非安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為白色。
上述步驟203，包括
采用UV機(jī)對所述電路板進(jìn)行曝光處理，使得覆蓋在安裝區(qū)域的感光干膜不發(fā)生 聚合反應(yīng)，覆蓋在非安裝區(qū)域的感光干膜發(fā)生聚合反應(yīng)并形成不溶于蝕刻液的聚合物，該 聚合物構(gòu)成所述保護(hù)膜。
較佳地，上述步驟202，在所述電路板表面形成干膜之前，還可包括步驟
采用表面噴砂方式、超音波水洗方式、脫脂清潔方式或微蝕處理方式，對所述電路 板的板面進(jìn)行清潔處理，以增加電路板版面的粗糙度，提高干膜與電路板板面的吸附程度。
較佳地，為避免電路板由于流膠過多而導(dǎo)致電路板厚度偏薄的問題，上述步驟201 中，還可包括在所述封裝區(qū)域的內(nèi)部設(shè)置至少一個金屬突起物。
較佳地，所述金屬突起物為銅焊盤。
較佳地，所述銅焊盤的形狀設(shè)置為圓形。
較佳地，上述流程步驟201中，在設(shè)置所述電路板的安裝區(qū)域時，將所述電路板的 安裝區(qū)域與其他電路板的安裝區(qū)域錯開設(shè)置，該其他電路板為與所述電路板一起用于壓合 制作且與該電路板相鄰的電路板；優(yōu)選地，用于壓合制作的任意兩個相鄰的電路板的安裝 區(qū)域錯開設(shè)置，以保證電路板中被安裝區(qū)域分割開的網(wǎng)絡(luò)通過有銅鉆孔繼續(xù)連接成一個網(wǎng)
本發(fā)明實施例中，在電路板的封閉區(qū)域形成流膠口，還可以采用以下方式得到對 電路板進(jìn)行曝光之前，設(shè)置用于曝光處理的膠片，所述膠片中與所述安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片 區(qū)域設(shè)置為白色，所述膠片中與所述非安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為黑色；對電路板進(jìn) 行曝光時，覆蓋在安裝區(qū)域的感光干膜發(fā)生聚合反應(yīng)，并形成不溶于蝕刻液的聚合物，覆蓋在非安裝區(qū)域的感光干膜不發(fā)生聚合反應(yīng)；采用顯影液對電路板進(jìn)行顯影，將非安裝區(qū) 域的干膜去除；再對電路板進(jìn)行鍍錫，在所述非安裝區(qū)域形成錫膜(該錫膜即為所述保護(hù) 膜)，由于安裝區(qū)域形成有聚合物因此在鍍錫時不能形成錫膜；采用退膜液對所述電路板 進(jìn)行退膜處理，去除覆蓋在所述安裝區(qū)域的聚合物，并露出安裝區(qū)域的金屬；采用蝕刻液將 安裝區(qū)域露出的金屬蝕刻掉形成流膠口 ；對電路板進(jìn)行退錫處理，去除覆蓋在所述非安裝 區(qū)域的錫膜。
參見圖3，為本發(fā)明實施例中未設(shè)置流膠口的封裝區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖，在封裝區(qū)域 1的邊緣區(qū)域中設(shè)置有至少一個用于設(shè)置流膠口的安裝區(qū)域2 ；該安裝區(qū)域2的尺寸可根據(jù) 流膠口的尺寸設(shè)置，如流膠口的尺寸為150mi 1，則將安裝區(qū)域2的尺寸設(shè)置為150mi 1左右。
參見圖4，為本發(fā)明實施例中設(shè)置流膠口之后的封裝區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖，封裝區(qū)域 1中的安裝區(qū)域設(shè)置相應(yīng)的流膠口 3 ；流膠口 3的尺寸可以設(shè)置為150mil。
較佳地，為避免電路板由于流膠過多而導(dǎo)致電路板厚度偏薄的問題，本發(fā)明實施 例中，還可在電路板的封裝區(qū)域內(nèi)部設(shè)置至少一個金屬突起物；如金屬突起物為銅焊盤4， 可如圖5所示。
較佳地，銅焊盤4的形狀可設(shè)置為圓形，尺寸可設(shè)置為20mil IOOmil之間，且相 鄰銅焊盤之間的間距可以設(shè)置為20mil 200mil之間，銅焊盤與封裝區(qū)域中的線路等其他 元件的距離可設(shè)置為50mil 500mil之間。
本發(fā)明實施例還提供一種電路板，該電路板包括封裝區(qū)域，所述封裝區(qū)域的邊緣 區(qū)域的安裝區(qū)域中設(shè)置從所述封裝區(qū)域通向外部的至少一個流膠口。
較佳地，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體回流到所述封裝區(qū)域的內(nèi)部；和/ 或，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體流出到所述封裝區(qū)域的外部；和/或，所述流膠口 的出口處于負(fù)壓狀態(tài)，以利于排除氣泡。。
較佳地，所述封裝區(qū)域的內(nèi)部設(shè)置有至少一個金屬突起物。
較佳地，所述金屬突起物為銅焊盤。
較佳地，所述銅焊盤的形狀設(shè)置為圓形。
較佳地，用于壓合制作的相鄰電路板的相應(yīng)安裝區(qū)域錯開設(shè)置；優(yōu)選地，用于壓合 制作的任意兩個相鄰電路板的相應(yīng)安裝區(qū)域錯開設(shè)置。
采用本發(fā)明技術(shù)方案，一方面，由于在電路板的封裝區(qū)域設(shè)置有流膠口，從而使得 電路板在壓合過程中，封裝區(qū)域的樹脂受熱形成的流膠體能夠充分的流動，排凈封裝區(qū)域 中的氣泡，提高電路板封裝區(qū)域的耐熱性，從而使得后續(xù)再對壓合的到的PCB板進(jìn)行高溫 操作時，降低PCB板發(fā)生爆板分層的幾率；另一方面，還可以在電路板的封裝區(qū)域的內(nèi)部設(shè) 置有至少一個銅焊盤，從而提高了殘銅率，防止電路板由于流膠過多而導(dǎo)致電路板偏薄的 問題；再一方面，在對電路板設(shè)置安裝區(qū)域時，將該電路板的安裝區(qū)域與其它電路板(該其 他電路板為與所述電路板一起用于壓合制作且與該電路板相鄰的電路板)的安裝區(qū)域錯 開設(shè)置，以保證電路板中被安裝區(qū)域分割開的網(wǎng)絡(luò)通過有銅鉆孔繼續(xù)連接成一個網(wǎng)絡(luò)。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電路板的制作方法，其特征在于，包括在電路板的封裝區(qū)域的邊緣區(qū)域的安裝區(qū)域中設(shè)置從所述封裝區(qū)域通向外部的至少 一個流膠口。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述流膠口設(shè)置在所述安裝區(qū)域中的金屬 部分處，所述方法包括在所述電路板表面形成干膜；對所述電路板進(jìn)行曝光處理，在所述電路板的非安裝區(qū)域形成保護(hù)膜；對所述電路板進(jìn)行顯影，去除所述安裝區(qū)域的干膜，露出所述安裝區(qū)域的金屬；將所述安裝區(qū)域的金屬蝕刻掉，形成流膠口 ；對所述電路板進(jìn)行保護(hù)膜退膜處理。
3.如權(quán)利要求1或2的方法，其特征在于，所述干膜為感光干膜；較優(yōu)地，所述感光干 膜的厚度設(shè)置為25微米到150微米。
4.如權(quán)利要求1 3任一項所述的方法，其特征在于，對所述電路板進(jìn)行曝光之前，還 包括設(shè)置用于曝光處理的膠片，所述膠片中與所述安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為黑色， 所述膠片中與所述非安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為白色；或者，設(shè)置用于曝光處理的膠片，所述膠片中與所述安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為白色， 所述膠片中與所述非安裝區(qū)域?qū)?yīng)的膠片區(qū)域設(shè)置為黑色。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，對所述電路板進(jìn)行曝光，包括采用UV機(jī)對 覆蓋在電路板的非安裝區(qū)域的感光干膜進(jìn)行曝光，使得覆蓋在安裝區(qū)域的感光干膜不發(fā)生 聚合反應(yīng)，覆蓋在非安裝區(qū)域的感光干膜發(fā)生聚合反應(yīng)并形成不溶于蝕刻液的聚合物，該 聚合物構(gòu)成所述保護(hù)膜。
6.如權(quán)利要求1 5任一項所述的方法，其特征在于，對所述電路板進(jìn)行顯影，包括 采用顯影液對所述電路板進(jìn)行顯影處理，去除覆蓋在所述安裝區(qū)域的感光干膜。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述顯影液為酸性液體，優(yōu)選地，所述顯影 液為碳酸鈉。
8.如權(quán)利要求1 7任一項所述的方法，其特征在于，將所述安裝區(qū)域的金屬蝕刻掉， 包括采用蝕刻液將所述金屬蝕刻掉；優(yōu)選地，所述蝕刻液為氯化銅。
9.如權(quán)利要求1 8任一項所述的方法，其特征在于，對所述電路板進(jìn)行保護(hù)膜退膜 處理，包括采用退膜液對所述電路板進(jìn)行保護(hù)膜退膜處理，去除覆蓋在非安裝區(qū)域的保護(hù)膜。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述退膜液為堿性退膜液，優(yōu)選地，所述退 膜液為氫氧化鈉或氫氧化鉀。
11.如權(quán)利要求1 10任一項所述的方法，其特征在于，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體回流到所述封裝區(qū)域的內(nèi)部；和/或，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體流出到所述封裝區(qū)域的外部；和/或，所述流膠口的出口處于負(fù)壓狀態(tài)，以利于排除氣泡。
12.如權(quán)利要求1 11任一項所述的方法，其特征在于，在所述電路板表面形成干膜之前,還包括采用表面噴砂方式、超音波水洗方式、脫脂清潔方式或微蝕處理方式，對所述電路板的 板面進(jìn)行清潔處理。
13.如權(quán)利要求1 12任一項所述的方法，其特征在于，在所述電路板表面形成干膜之 前，還包括在所述封裝區(qū)域的內(nèi)部設(shè)置至少一個金屬突起物，所述金屬突起物優(yōu)選為銅焊ο
14.如權(quán)利要求1 13任一項所述的方法，其特征在于，用于壓合制作的兩個相鄰電路 板的相應(yīng)安裝區(qū)域錯開設(shè)置；優(yōu)選地，用于壓合制作的任意兩個相鄰電路板的相應(yīng)安裝區(qū) 域錯開設(shè)置。
15.一種電路板，其特征在于，包括封裝區(qū)域，所述封裝區(qū)域的邊緣區(qū)域的安裝區(qū)域 中設(shè)置從所述封裝區(qū)域通向外部的至少一個流膠口。
16.如權(quán)利要求15所述的電路板，其特征在于，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體回 流到所述封裝區(qū)域的內(nèi)部；和/或，所述流膠口設(shè)置有坡度，以使流膠體流出到所述封裝區(qū) 域的外部；和/或，所述流膠口的出口處于負(fù)壓狀態(tài)，以利于排除氣泡。
17.如權(quán)利要求15或16所述的電路板，其特征在于，所述封裝區(qū)域的內(nèi)部設(shè)置有至少 一個金屬突起物；所述金屬突起物優(yōu)選為銅焊盤。
18.如權(quán)利要求15 17任一項所述的電路板，其特征在于，用于壓合制作的兩個相鄰 電路板的相應(yīng)安裝區(qū)域錯開設(shè)置；優(yōu)選地，用于壓合制作的任意兩個相鄰電路板的相應(yīng)安 裝區(qū)域錯開設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明公開了電路板的制作方法和電路板，以提高電路板的封裝區(qū)域的耐熱性，降低PCB板發(fā)生爆板分層的幾率。方法包括在電路板的封裝區(qū)域的邊緣區(qū)域的安裝區(qū)域中設(shè)置從所述封裝區(qū)域通向外部的至少一個流膠口。采用本發(fā)明技術(shù)方案，在對電路板進(jìn)行壓合操作時，能夠使得封裝區(qū)域的流膠充分流動，排凈封裝區(qū)域中的氣泡，提高電路板封裝區(qū)域的耐熱性，從而使得后續(xù)再對壓合得到的PCB板進(jìn)行高溫操作時，降低PCB板發(fā)生爆板分層的幾率。
文檔編號H05K1/02GK102036512SQ201010622828
公開日2011年4月27日 申請日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者李勇, 雷紅慧 申請人:北大方正集團(tuán)有限公司, 珠海方正科技多層電路板有限公司富山分公司