專利名稱：制造硅晶鑄錠的方法
技術領域：
本發(fā)明是關于一種制造硅晶鑄錠(crystalline silicon ingot)的方法，并且特別地，本發(fā)明是關于制造具有低缺陷密度硅晶鑄錠的方法，進一步是關于減少坩堝 (crucible)等模對硅晶鑄錠污染以及回收硅晶種(silicon seed)再使用的制造硅晶鑄錠的方法。
背景技術：
大多的太陽能電池是吸收太陽光的部份，進而產(chǎn)生光伏效應(photovoltaic effect) 0目前太陽能電池的材料大部份都是以硅材為主，主要是因為硅材為目前地球上最容易取到的第二多元素，并且其具有材料成本低廉、沒有毒性、穩(wěn)定性高等優(yōu)點，并且其在半導體的應用上已有深厚的基礎。以硅材為主的太陽能電池有單晶硅、多晶硅以及非晶硅三大類。以多晶硅做為太陽能電池材料，主要是基于成本的考慮，因為其價格相較于以傳統(tǒng)的拉晶法(Czochralski method, CZ method)以及浮動區(qū)域法(floating zone method, FZ method)所制造的單晶硅，價格相對便宜許多。使用在制造太陽能電池上的多晶硅，傳統(tǒng)上是利用一般鑄造制程來生產(chǎn)。利用鑄造制程來制備多晶硅，進而應用在太陽能電池上是眾所皆知的技術。簡言之，將高純度的硅熔融在模內(nèi)(例如，石英坩堝)，在控制凝固下被冷卻以形成結晶硅。接著，該多晶硅鑄錠被切割成接近晶圓大小的晶片，進而應用在制造太陽能電池上。在鑄造的過程中，硅晶鑄錠中晶粒與晶粒間容易產(chǎn)生許多缺陷(defect)，進而會造成光電轉換效率降低。例如，差排(dislocation)與晶界(grain boundary)在多晶硅中，屬于降低光電轉換效率的有害缺陷。因為這兩者常有機會成為復合中心 (recombinationcenter)，并會降低少數(shù)載子(minority carrier)(即電子)的壽命周期。 所以，多晶硅晶體的缺陷密度將會嚴重影響光電元件的結構、特性及載子的傳輸速率。關于制造多晶硅鑄錠的先前技術也大多著重在如何制造具有低缺陷密度或具有無害的缺陷 (例如，雙晶晶界(twin boundary))的多晶硅鑄錠。然而，硅晶鑄錠與坩堝等模接觸的邊緣區(qū)域會遭受坩堝等模，須切除當作廢料。目前仍未見到減少因坩堝等模污染所造成廢料的技術被提出。此外，現(xiàn)有技術對于硅晶鑄錠的制造大多采用單晶硅晶種。單晶硅晶種占硅晶鑄錠的制造成本的比例相當高。而就太陽能電池應用，接近單晶品質的低缺陷密度多晶當作晶種，也尚未被提出。此外，目前仍未見到降低硅晶種占硅晶鑄錠的制造成本的比例的技術被提出。此外，目前制造具有低缺陷密度或具有無害的缺陷的硅晶鑄錠的制造成本仍相當
高ο
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一范疇在于提供一種制造具有低缺陷密度的硅晶鑄錠的方法，根據(jù)本發(fā)明所制造的硅晶鑄錠除了具有低缺陷密度之外，還顯著地減少了因坩堝等模污染所造成廢料。此外，本發(fā)明的另一范疇在于提供一種制造硅晶鑄錠的方法，并且用來制造硅晶鑄錠的硅晶種可以回收再行使用。此外，本發(fā)明的再一范疇在于提供一種制造硅晶鑄錠的方法，并且可以較低成本制造具有低缺陷密度或具有無害的缺陷的硅晶鑄錠。根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造硅晶鑄錠的方法，首先是提供一模 (mold)。該模適合用來經(jīng)定向凝固法(directional solidification process)熔化及冷卻硅原料(silicon feedstock) 0接著，根據(jù)本發(fā)明的方法是裝一阻障層(barrier layer) 至該模內(nèi)。接著，根據(jù)本發(fā)明的方法是裝至少一硅晶種(silicon crystal seed)至該模內(nèi)并放置在該阻障層上。接著，根據(jù)本發(fā)明的方法是裝該硅原料至該模內(nèi)并放置在該至少一硅晶種上。接著，根據(jù)本發(fā)明的方法是加熱該模直至該硅原料的全部以及該至少一硅晶種的一部份熔化，以獲得硅熔料。最后，根據(jù)本發(fā)明的方法是基于定向凝固法冷卻該模，由此造成該硅熔料凝固以形成該硅晶鑄錠。根據(jù)本發(fā)明的第二較佳具體實施例的制造一硅晶鑄錠的方法，首先是提供一模。該模適合用來經(jīng)定向凝固法熔化及冷卻硅原料。接著，根據(jù)本發(fā)明的方法是裝一復合層至該模內(nèi)，致使該復合層的一阻障層接觸該模的一底部。該復合層還包含一硅晶種層 (silicon seed layer)，并且該硅晶種層與該阻障層接合在一起。接著，根據(jù)本發(fā)明的方法是裝該硅原料至該模內(nèi)并放置在該硅晶種層上。接著，根據(jù)本發(fā)明的方法是加熱該模直至該硅原料的全部以及該硅晶種層的一部份熔化，以獲得硅熔料。最后，根據(jù)本發(fā)明的方法是基于該定向凝固法冷卻該模，由此造成該硅熔料凝固以形成該硅晶鑄錠。在一具體實施例中，該阻障層是由一其熔點高于1400°C的材料所形成，例如，硅、 高純度石墨以及氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氮化鋁等陶瓷材料。在一具體實施例中，該至少一硅晶種包含一單晶硅晶種或一多晶硅晶種。在一具體實施例中，該硅晶種層包含至少一硅晶粒。在一具體實施例中，該至少一硅晶種以及該硅晶種層皆具有低缺陷密度的特性， 可以以蝕刻孔密度低于IX 105cm_2、平均晶粒尺寸大于2cm或雜質密度小于IOppma表示。在一具體實施例中，該阻障層的雜質擴散系數(shù)(diffusivity)小于制造該模的材料的雜質擴散系數(shù)。根據(jù)本發(fā)明的第三較佳具體實施例的制造硅晶鑄錠的方法，首先是提供一模。該模是適合用來經(jīng)定向凝固法熔化及冷卻硅原料。接著，根據(jù)本發(fā)明的方法是裝至少一硅晶種至該模內(nèi)。并且特別地，每一硅晶種包含至少一硅晶粒，并且具有低缺陷密度的特性，可以以蝕刻孔密度低于lX105cm_2、平均晶粒尺寸大于2cm或雜質密度小于IOppma表示。接著，根據(jù)本發(fā)明的方法是裝該硅原料至該模內(nèi)并放置在該至少一硅晶種上。接著，根據(jù)本發(fā)明的方法是加熱該模直至該硅原料的全部以及該至少一硅晶種的一部份熔化，以獲得硅熔料。最后，根據(jù)本發(fā)明的方法是基于定向凝固法冷卻該模，由此造成該硅熔料凝固以形成該娃晶鑄錠。由此，與現(xiàn)有技術相比較，根據(jù)本發(fā)明所制造的硅晶鑄錠除了具有低缺陷密度之
5外，且制造成本低廉，并且顯著地減少因坩堝等模污染所造成廢料。并且，根據(jù)本發(fā)明，用來制造硅晶鑄錠的硅晶種可以回收再行使用。 關于本發(fā)明的優(yōu)點與精神可以由以下的發(fā)明詳述及附圖得到進一步的了解。


圖1至圖5是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造硅晶鑄錠的方法繪制的示意圖。圖6是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例所制造的硅晶鑄錠與其對照的硅晶鑄錠的缺陷面積結果。圖7是根據(jù)本發(fā)明的第圖8是根據(jù)本發(fā)明的第主要附圖標記說明10、20、30 模12、222:阻障層14b、34b 單晶硅晶種17 硅熔料18:硅晶鑄錠224 硅晶種層較佳具體實施例的制造硅晶鑄錠的方法繪制的示意圖< 較佳具體實施例的制造硅晶鑄錠的方法繪制的示意圖(
11 加熱爐 14a,34a 多晶硅晶種 16、26、36 硅原料 14’ 固/液相介面 22 復合層
具體實施例方式請參閱圖1至圖5，這些圖是根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造一硅晶鑄錠的方法繪示的截面示意圖。如圖1所示，首先，根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造方法是提供一模10。 該模10是適合用來經(jīng)定向凝固法熔化及冷卻硅原料。在一具體實施例中，該模10是一石英坩堝。同樣如圖1所示，接著，根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造方法是裝一阻障層12至該模10內(nèi)。接著，根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造方法是裝至少一硅晶種(14a、14b)至該模10內(nèi)，并且放置在該阻障層12上。該至少一硅晶種可以皆為單晶硅晶種(例如，圖1中標號14b)，例如，切除自硅單晶晶棒、尾料、回收的硅晶圓等。該至少一硅晶種也可以皆為多晶硅晶種(每一個硅晶種包含至少兩硅晶粒)(例如，圖1中標號 14a)，例如，切割自另一多晶硅鑄錠的一部分。該至少一硅晶種也可以是單晶硅晶種14b與多晶硅晶種Ha混雜。該至少一硅晶種(14a、14b)已鋪設完全覆蓋該阻障層12者為最佳。 例如，如圖1所示，單晶硅晶種14b與多晶硅晶種Ha混雜并鋪設完全覆蓋該阻障層12。鋪設該阻障層12的目的即在于不讓該至少一硅晶種14以及后續(xù)鋪設的硅原料與該模10的底部接觸。并且，在鑄造過程中，該阻障層12不能被熔掉，從該阻障層12回擴至硅晶鑄錠內(nèi)的雜質須大幅降低以避免該阻障層12對硅晶鑄錠污染。因此，在一具體實施例中，該阻障層12是由一其熔點高于1400°C的材料所形成，例如，硅、高純度石墨以及氧化鋁、碳化硅、氮化硅、氮化鋁等陶瓷材料。該阻障層12的雜質擴散系數(shù)(diffusivity)小于制造該模10的材料的雜質擴散系數(shù)。該阻障層12的構造以碎料為佳，除了可以隔離硅晶鑄錠與該模10，并且可以減少該阻障層12接觸硅晶鑄錠的面積，進而降低從該阻障層12 回擴至硅晶鑄錠內(nèi)的雜質。該阻障層12也可以局部鋪設在該模10的底部，以增加該至少一硅晶種14與該模10之間的空隙，更加降低從該阻障層12回擴至硅晶鑄錠內(nèi)的雜質。例如，如圖1所示，成碎料的阻障層12并沒有完全覆蓋該模10的底部，僅是將構成阻障層12 的碎料材料支撐該至少一硅晶種(14a、14b)讓其不接觸該模10的底部。并且特別地，構成阻障層12的碎料材料彼此間存有很大的空隙。此外，采用例如高純度石墨板、碳化硅板鋪設成該阻障層12，也可以有效地大幅降低從該阻障層12回擴至硅晶鑄錠內(nèi)的雜質，以避免該阻障層12對硅晶鑄錠污染。在硅晶鑄錠的鑄造過程中，成碎料的阻障層提供較小的熱傳面積，成板材的阻障層則提供較大的熱傳面積。接著，如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造方法是裝該硅原料 16至該模10內(nèi)，并且放置在該至少一硅晶種(14a、14b)以及該阻障層12的露出部分上。 須說明的是，該至少一硅晶種(14a、14b)可以僅是一個硅晶種，放置在該阻障層12上的適當位置(對應后續(xù)執(zhí)行過冷程序的位置)。如圖1所示，該至少一硅晶種(14a、14b)也可以是多個硅晶種鋪設以掩蓋該阻障層12，該硅原料16則是放置在該至少一硅晶種(Ha、14b) 上。接著，如圖3所示，根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造方法是將裝有該阻障層12、該至少一硅晶種(14a、14b)、該硅原料16的模10置入一加熱爐11中加熱，加熱過程中維持該至少一硅晶種(14a、14b)處在過冷狀態(tài)，直至該硅原料16的全部以及該至少一硅晶種(Ha、14b)的一部份熔化(也就是說，該至少一硅晶種(Ha、14b)部份回熔)，以獲得硅熔料17。接著，如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造方法是基于該定向凝固法冷卻該模10，藉此造成該硅熔料17從該模10的底部朝向模10的開口方向凝固。在該硅熔料17的凝固過程中，如圖4所示，該硅熔料17與已凝固的硅晶鑄錠18之間的固/ 液相介面14’朝向模10的開口方向移動。最后，根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造方法繼續(xù)基于該定向凝固法冷卻該模10，完成該硅晶鑄錠18，如圖5所示。須聲明的是，該硅晶鑄錠18依照硅晶種的晶粒數(shù)、安排與定向凝固法的控制，可以成長成單晶硅鑄錠或多晶硅鑄錠。該硅晶鑄錠18即便成長成多晶硅鑄錠，其某些部位可能因為晶粒間成長競爭到接近成單晶的結果。自該模10取出的硅晶鑄錠18，其與該模10接觸的邊緣區(qū)域會遭受模10污染，須切除當作廢料。但是因為根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造方法在模10的底部與硅晶種(Ha、14b)之間引入阻障層12，顯著地降低模10的底部對硅晶鑄錠18的污染。所以，該硅晶鑄錠18的底部僅需切除阻障層12以及少許的硅晶部份。為了獲得具有低缺陷密度的硅晶鑄錠18，該至少一硅晶種(14a、14b)須具有低缺陷密度的特性，可以以蝕刻孔密度低于lX105cnT2(以腐蝕液腐蝕表面后量測蝕刻孔結果)、平均晶粒尺寸大于2cm或雜質密度小于10ppma(例如，以感應偶合電漿質譜儀 (ICP-MS)量測的結果)等表示。在一案例中，根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造硅晶鑄錠的方法，其采用具低缺陷密度硅晶種制造出硅晶鑄錠，并擷取硅晶鑄錠不同高度的橫截面以測量其橫截面上的缺陷密度(蝕刻孔密度)，結果如圖6所示。圖6也顯示未采用硅晶種制造出硅晶鑄錠，并擷取硅晶鑄錠不同高度的橫截面以量測其橫截面上缺陷密度(蝕刻孔密度)的結果， 做為對照。從圖6所列的結果可清楚看出，根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造硅晶鑄錠的方法并采單晶硅晶種制造出的硅晶鑄錠，其缺陷密度隨著硅晶鑄錠高度增加而增加， 且遠小于未采用硅晶種所制造出硅晶鑄錠相同高度處的缺陷密度。顯然，根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例的制造硅晶鑄錠的方法可以制造出品質優(yōu)良的硅晶鑄錠。請參閱圖7，圖7是根據(jù)本發(fā)明的第二較佳具體實施例的制造硅晶鑄錠的方法繪制的截面示意圖。如圖7所示，首先，根據(jù)本發(fā)明的第二較佳具體實施例的制造方法是提供一模20。 同樣地，該模20是適合用來經(jīng)定向凝固法熔化及冷卻硅原料。實務上，該模20即沿用圖1 所示的模10。接著，同樣如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明的第二較佳具體實施例的制造方法是裝一復合層22至該模20內(nèi)，致使該復合層22的一阻障層222接觸該模20的一底部。該復合層 22還包含一硅晶種層224，并且該硅晶種層2M與該阻障層222接合在一起。實務上，該復合層22即是切自根據(jù)本發(fā)明的第一較佳具體實施例所制造的硅晶鑄錠底部而來，由此，回收硅晶種再行使用。此外，阻障層也一并回收再行使用。在一具體實施例中，該硅晶種層2M包含至少一硅晶粒。接著，同樣如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明的第二較佳具體實施例的制造方法是裝該硅原料沈至該模20內(nèi)，并且放置在該至少一硅晶種層2M上。接著，根據(jù)本發(fā)明的第二較佳具體實施例的制造方法是將裝有該阻障層222、該硅晶種層224、該硅原料沈的模20置入如圖3所示的加熱爐11中加熱，加熱過程中維持該硅晶種層2M處在過冷狀態(tài)，直至該硅原料沈的全部以及該硅晶種層224的一部份熔化(也就是說，該硅晶種層2M部份回熔)，以獲得硅熔料。最后，根據(jù)本發(fā)明的第二較佳具體實施例的制造方法是基于該定向凝固法冷卻該模20，由此造成該硅熔料凝固以形成該硅晶鑄錠。該硅晶種層224的晶體結構、缺陷密度與上述硅晶種(14a、14b)的晶體結構、缺陷密度相同，在此不再贅述。該阻障層222的材料、結構也與上述阻障層12的材料、結構相同， 在此也不再贅述。請參閱圖8，圖8是根據(jù)本發(fā)明的第三較佳具體實施例的制造硅晶鑄錠的方法繪制的截面示意圖。如圖8所示，首先，根據(jù)本發(fā)明的第三較佳具體實施例的制造方法是提供一模30。 同樣地，該模30是適合用來經(jīng)定向凝固法熔化及冷卻硅原料。接著，同樣如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明的第三較佳具體實施例的制造方法是裝至少一硅晶種(34a、34b)至該模30內(nèi)。同樣地，該至少一硅晶種可以皆為單晶硅晶種(例如， 圖8中標號34b)，例如，切除自硅單晶晶棒、尾料、回收的硅晶圓等。該至少一硅晶種也可以皆為多晶硅晶種(每一個硅晶種包含至少兩硅晶粒)(例如，圖8中標號34a)，例如，切割自另一多晶硅鑄錠的一部分。該至少一硅晶種也可以是單晶硅晶種34b與多晶硅晶種3 混雜。該至少一硅晶種(3^、34b)已鋪設完全覆蓋該模30內(nèi)的底部者為最佳。例如，如圖8
8所示，單晶硅晶種34b與多晶硅晶種3 混雜并鋪設完全覆蓋該模30內(nèi)的底部。特別地，每一晶種(34a、34b)包含至少一硅晶粒，并且具有低缺陷密度的特性，可以以蝕刻孔密度低于IX IO5CnT2 (以腐蝕液腐蝕表面后測量結果)、平均晶粒尺寸大于2cm 或雜質密度小于IOppma(例如，以感應偶合電漿質譜儀(ICP-MS)測量的結果)等表示。接著，同樣如圖8所示，根據(jù)本發(fā)明的第三較佳具體實施例的制造方法是裝該硅原料36至該模30內(nèi)，并且放置在該至少一硅晶種CMa、;Mb)上。接著，根據(jù)本發(fā)明的第三較佳具體實施例的制造方法是將裝有該至少一硅晶種 (34a,34b)、該硅原料36的模30置入如圖3所示的加熱爐11中加熱，加熱過程中維持該至少一硅晶種(34a、34b)處在過冷狀態(tài)，直至該硅原料36的全部以及該至少一硅晶種(Ma、 34b)的一部份熔化(也就是說，該至少一硅晶種(34a、34b)部份回熔)，以獲得硅熔料。最后，根據(jù)本發(fā)明的第三較佳具體實施例的制造方法是基于該定向凝固法冷卻該模30，由此造成該硅熔料凝固以形成該硅晶鑄錠。綜上所述，顯然的，根據(jù)本發(fā)明所制造的硅晶鑄錠除了具有低缺陷密度之外，且制造成本低廉，并且顯著地減少因坩堝等模污染所造成廢料。根據(jù)本發(fā)明，用來制造硅晶鑄錠的硅晶種可以回收再行使用，并且本發(fā)明所采用的阻障層也可以一并回收再行使用。藉由以上較佳具體實施例的詳述，是希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神， 而并非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發(fā)明的范疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請的專利范圍的范疇內(nèi)。因此，本發(fā)明所申請的專利范圍的范疇應該根據(jù)上述的說明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及具相等性的安排。
權利要求
1.一種制造硅晶鑄錠的方法，包含下列步驟提供一模，所述模適用于經(jīng)定向凝固法熔化及冷卻硅原料；裝一阻障層至所述模內(nèi)；裝至少一硅晶種至所述模內(nèi)并放置在所述阻障層上；裝所述硅原料至所述模內(nèi)并放置在所述至少一硅晶種上；加熱所述模直至所述硅原料的全部以及所述至少一硅晶種的一部份熔化以獲得硅熔料；以及基于定向凝固法冷卻所述模，藉此造成所述硅熔料凝固以形成所述硅晶鑄錠。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻障層是由一其熔點高于1400°C的材料所形成。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一硅晶種包含一單晶硅晶種或一多晶娃晶禾中。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少一硅晶種具有選自由低于 1 X IO5CnT2的蝕刻孔密度、大于2cm的平均晶粒尺寸以及小于IOppma的雜質密度所組成的群組中的一個特性。
5.如權利要求1所述的方法，其中所述阻障層的雜質擴散系數(shù)小于制造所述模的材料的雜質擴散系數(shù)。
6.一種制造硅晶鑄錠的方法，包含下列步驟提供一模，所述模適用于經(jīng)定向凝固法熔化及冷卻硅原料；裝一復合層至所述模內(nèi)致使所述復合層的一阻障層接觸所述模的一底部，所述復合層還包含一硅晶種層，所述硅晶種層與所述阻障層接合在一起；裝所述硅原料至所述模內(nèi)并放置在所述至少一硅晶種層上；加熱所述模直至所述硅原料的全部以及所述硅晶種層的一部份熔化以獲得硅熔料；以及基于定向凝固法冷卻所述模，由此造成所述硅熔料凝固以形成所述硅晶鑄錠。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述阻障層是由一其熔點高于1400°C的材料所形成。
8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅晶種層包含至少一硅晶粒。
9.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述硅晶種層具有選自由低于IXIO3CnT2的蝕刻孔密度、大于2cm的平均晶粒尺寸以及小于IOppma的雜質密度所組成的群組中的一個特性。
10.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述阻障層的雜質擴散系數(shù)小于制造所述模的材料的雜質擴散系數(shù)。
11.一種制造硅晶鑄錠的方法，包含下列步驟提供一模，所述模適用于經(jīng)定向凝固法熔化及冷卻硅原料；裝至少一硅晶種至所述模內(nèi)，每一晶種包含至少一硅晶粒并且具有選自由低于 1 X IO5CnT2的蝕刻孔密度、大于2cm的平均晶粒尺寸以及小于IOppma的雜質密度所組成的群組中的一個特性；裝所述硅原料至所述模內(nèi)并放置在所述至少一硅晶種上；加熱所述模直至所述硅原料的全部以及所述至少一硅晶種的一部份熔化以獲得硅熔料；以及基于定向凝固法冷卻所述模，由此造成所述硅熔料凝固以形成所述硅晶鑄錠。
12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，進一步還包含下列步驟 于所述模內(nèi)的底部與所述至少一硅晶種之間，引入一阻障層。
13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述阻障層是由一其熔點高于1400°C的材料所形成。
14.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述阻障層的雜質擴散系數(shù)小于制造所述模的材料的雜質擴散系數(shù)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造硅晶鑄錠的方法。特別地，根據(jù)本發(fā)明的一較佳具體實施例的方法是在模的底部與硅晶種之間引入阻障層，由此，顯著地降低模的底部對硅晶鑄錠的污染。此外，切除根據(jù)本發(fā)明所制造的硅晶鑄錠底部而得到與阻障層相鄰的硅晶種層可以回收用來制造另一硅晶鑄錠。
文檔編號C30B11/00GK102337582SQ20101023579
公開日2012年2月1日 申請日期2010年7月14日 優(yōu)先權日2010年7月14日
發(fā)明者徐文慶, 藍崇文, 藍文杰, 蔡亞陸, 許松林, 謝兆坤 申請人:中美硅晶制品股份有限公司