專利名稱：帶有載體的極薄銅箔以及貼銅層壓板或印刷線路基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶有載體的極薄銅箔以及使用所述帶有載體的極薄銅箔的印刷線路基板，更具體地涉及適于在300°c或更高的高溫下使用的帶有載體的極薄銅箔以及使用所述極薄銅箔的線路板。
背景技術(shù)：
通常，用于印刷線路基板的銅箔與樹脂基板等熱粘合而使其粘合一側(cè)的表面粗糙，所述印刷線路基板是形成印刷線路板、多層印刷線路板、集成線路薄膜覆晶 (chip-on-film-use)線路板等的基礎(chǔ)。這種粗糙的表面具有固定基板的效果。這樣能提高基板和銅箔間的粘合強(qiáng)度來保證印刷線路基板的可靠性。近年來，為應(yīng)對各種電子元件的高度集成化，在線路板領(lǐng)域，對于用于連接圖案的更精細(xì)的線幅和線間距的需求明顯增加。例如，對于用于半導(dǎo)體組件的印刷線路板，需要提供具有高密度極精細(xì)連接的印刷線路板，其線幅和線間距分別為約30 μ m。將厚銅箔用作精細(xì)圖案印刷線路板的銅箔時(shí)，通過蝕刻形成連接線路的蝕刻時(shí)間會(huì)變長。結(jié)果是損壞連接圖案的側(cè)壁的垂直狀態(tài)。當(dāng)形成的連接圖案的連接線幅變窄時(shí)， 有時(shí)會(huì)導(dǎo)致連接斷開。相應(yīng)地，用于精細(xì)圖案的銅箔需要其厚度為9μπι或更薄。目前，經(jīng)常使用的是厚度為5 μ m或更薄的銅箔。但是，這種9μπι或更薄的銅箔(下文中有時(shí)表述為“極薄銅箔”)的機(jī)械強(qiáng)度差， 在制作印刷線路基板時(shí)容易折疊或變皺，并且有時(shí)會(huì)導(dǎo)致銅箔破損。因此，采用一種帶有載體的極薄銅箔作為用于精細(xì)圖案的極薄銅箔，所述帶有載體的極薄銅箔是通過脫離層將極薄銅箔層直接電沉積在由金屬箔組成的載體(下文中表述為“載體箔”)的一個(gè)表面上得到的。提供目前使用的上述厚度為5μπι或更薄的銅箔作為這種帶有載體的極薄銅箔。帶有載體的極薄銅箔包括載體箔，在所述載體箔的一個(gè)表面上依次形成剝離層和通過電鍍銅形成的極薄銅箔。將通過電鍍銅形成的極薄銅箔最外層的表面打磨成粗糙的表面。再將所述粗糙表面疊放在樹脂基底材料上，整體組件是熱粘合的，再將載體箔剝離從而形成貼銅層壓板。用這種方法在貼銅層壓板的表面的極薄銅箔上形成預(yù)定的連接圖案。極薄銅箔與樹脂基材熱粘合后將載體箔剝離的時(shí)候，如果極薄銅箔的厚度小于 5 μ m會(huì)出現(xiàn)極薄銅箔變形的問題。因此，在剝離載體箔和極薄銅箔(下文中有時(shí)表述為“載體剝離”)時(shí)，必須使剝離強(qiáng)度低且穩(wěn)定。在極薄銅箔與樹脂基材粘結(jié)之后，載體箔作為加固材料用來穩(wěn)定地保持維持極薄銅箔的形狀。在將極薄銅箔從載體箔上分離時(shí)，所述脫離層用來改善剝離。通過和載體箔一起除去，可以干凈地、容易地將載體箔剝離。然后依次通過穿孔和電鍍所述穿孔來有效地形成由樹脂基材和粘結(jié)其上的極薄銅箔組成的貼銅層壓板。接著，蝕刻在貼銅層壓板表面的極薄銅箔來形成具有理想線幅和理想線間距的連接圖案。最后，形成了阻焊(solder resist)并進(jìn)行其它精整工作。對于載體箔上形成的脫離層，通常是使用由苯并三唑或其它有機(jī)類、金屬氧化物或其它無機(jī)類、金屬元素單體、合金或其它金屬類化合物等制成。而對于使用聚酰亞胺或其它高耐熱樹脂作為樹脂基材的線路基板，在對銅箔和樹脂加壓和對樹脂固化處理時(shí)的加熱溫度會(huì)變高。這種加熱處理引起剝離強(qiáng)度變高而使剝離變得困難，這種情況不能用有機(jī)基底的脫離層來解決，因此通常使用的是金屬基底的脫離層。目前已知可以使用Cr (特許文獻(xiàn)1)，Ni (特許文獻(xiàn)1和2)，Ti (特許文獻(xiàn)3)等金屬用來形成金屬基底脫離層。這些方案的特征是根據(jù)脫離層中金屬和氧化物的比例以及在金屬表面形成的氧化物涂層膜的厚度，使形成脫離層的部分金屬變成氧化態(tài)來調(diào)節(jié)載體剝離。然而，由于氧化物含量的比例和氧化物涂層膜的厚度差異，容易在載體剝離中引起各種問題，載體剝離難以穩(wěn)定并且容易起泡(blistering)。此外，在氧化物的表面難以通過電鍍銅來沉淀，使其很難均勻地電鍍所述脫離層。 因此，有時(shí)會(huì)發(fā)生極薄銅箔厚度變化和出現(xiàn)氣孔的問題。與此相反，有人提出在多種金屬和其氧化物形成的脫離層中連續(xù)改變脫離層內(nèi)的氧濃度，從而不形成明確的界面，以此來阻止由于熱膨脹系數(shù)等不同而引起的界面起泡 (特許文獻(xiàn)4)。但是，由于引起剝離的界面不是恒定的，載體剝離強(qiáng)度變高且難以穩(wěn)定的問題仍未得到解決。圖3示出了傳統(tǒng)的帶有載體的銅箔的載體剝離，其中1是極薄銅箔，2是載體箔，8 是脫離層，9是起泡發(fā)生的位置，虛線是剝離強(qiáng)度弱的位置。圖3A示出了由于極薄銅箔和脫離層之間弱粘結(jié)部分的存在而引起的起泡狀態(tài)，圖3B示出了載體剝離變形，部分剝離困難且載體剝離強(qiáng)度變高的狀態(tài)，而圖3C示出了載體剝離變形，變得不穩(wěn)定的狀態(tài)。為解決這些問題，本申請人之前發(fā)明了一種帶有載體的極薄銅箔，它能抑制起泡的發(fā)生，不影響載體剝離，生產(chǎn)質(zhì)量穩(wěn)定，并且即使在高溫環(huán)境中也能容易地將載體箔和電解銅箔剝離(特許文獻(xiàn)5和6)。引用文獻(xiàn)列表專利文獻(xiàn)特許文獻(xiàn)1特許文獻(xiàn)2特許文獻(xiàn)3特許文獻(xiàn)4特許文獻(xiàn)5特許文獻(xiàn)
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題然而，在將載體箔從銅箔上剝離時(shí)，剝離發(fā)生的界面不恒定且載體剝離在橫向和縱向方向上難以穩(wěn)定，在這一點(diǎn)上上述帶有載體的極薄銅箔從未得到充分的改進(jìn)?？紤]到這一問題，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種帶有載體的極薄銅箔，它能抑制起泡的發(fā)生并具有穩(wěn)定的剝離強(qiáng)度。具體地，本發(fā)明的目的是提供帶有載體的極薄銅箔，即使將其置于高溫環(huán)境中，也能容易地將載體箔從極薄銅箔上剝離。日本專利公開號(hào)(A) 2001-301087 日本專利公開號(hào)(A) 2002-368365 日本專利公開號(hào)(A) 2003-11267 日本專利公開號(hào)(A) 2008-130867 日本專利公開號(hào)(A) 2007-186781 日本專利公開號(hào)(A) 2007-186782
此外，本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種形成印刷線路板、多層印刷線路板、集成線路薄膜覆晶線路板等的基底材料的貼銅層壓基板或印刷線路基板，用于采用帶有載體的極薄銅箔的精細(xì)圖案。解決問題的方法本發(fā)明帶有載體的極薄銅箔由載體箔、脫離層和銅箔組成，其中所述脫離層由位于載體箔一側(cè)的第一脫離層和位于極薄銅箔一側(cè)的第二脫離層形成，所述載體箔和所述第一脫離層之間是第一界面，所述極薄銅箔和第二脫離層之間是第二界面，所述第一脫離層和第二脫離層之間是第三界面，并且界面間的剝離強(qiáng)度如下第一界面> 第三界面，且第二界面> 第三界面。上述帶有載體的極薄銅箔中，所述脫離層是由保持剝離性質(zhì)的金屬A和促進(jìn)所述極薄銅箔電鍍的金屬B形成的，并且當(dāng)所述載體箔從所述極薄銅箔上剝離時(shí)，金屬A的元素比χ和金屬B的元素比y具有以下的比例關(guān)系10 ^ {(y/ (x+y)} X 100 < 80上述帶有載體的極薄銅箔中，當(dāng)所述載體箔從所述極薄銅箔上剝離時(shí)，保持在載體箔一側(cè)和極薄銅箔一側(cè)的剝離表面的脫離層厚度記為dl和d2，成立以下關(guān)系0. 5 彡 dl/d2 彡 12所述第三界面優(yōu)選通過對所述第一脫離層表面施加氧化處理得到的氧化物層。優(yōu)選地，形成脫離層的所述金屬A選自M0、Ta、V、Mn、W和Cr，并且所述金屬B選自 Fe、Co 禾口 Ni。優(yōu)選地，所述脫離層的金屬沉積量是0. 05mg/dm2至50mg/dm2。本發(fā)明的印刷線路基板是貼銅層壓板或印刷線路基板，是由帶有載體的極薄銅箔在樹脂基材上的極薄銅箔層壓材料形成的，特別適用于高密度極精細(xì)線路連接。發(fā)明的效果本發(fā)明能提供一種帶有載體的極薄銅箔，它在載體剝離中是穩(wěn)定的，抗起泡，即使在高溫環(huán)境中也能容易地將載體箔從極薄銅箔上剝離。此外，本發(fā)明能提供一種形成印刷線路板、多層印刷線路板、集成線路薄膜覆晶線路板等的基底材料的貼銅層壓基板或印刷線路基板，用于采用帶有載體的極薄銅箔的精細(xì)圖案。附圖簡要說明[圖.1]是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的橫截面圖。[圖.2]是顯示

圖1中所示帶有載體的極薄銅箔中載體箔和極薄銅箔分離狀態(tài)的示意圖。[圖.3]是顯示傳統(tǒng)的帶有載體的銅箔中載體箔和銅箔分離狀態(tài)的示意圖。[圖.4]是顯示本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中極薄銅箔一側(cè)剝離界面的元素分布圖。實(shí)施方式說明通常用于帶有載體的極薄銅箔的金屬載體箔可用鋁箔、鋁合金箔、不銹鋼箔、鈦箔、鈦合金箔、銅箔、銅合金箔等制成。但是，對于用于極薄銅箔或極薄銅合金箔的載體箔 (下文沒有必要區(qū)分時(shí)統(tǒng)稱為“極薄銅箔”)，為了使用方便，優(yōu)選使用電解銅箔、電解銅合金箔、軋制銅箔或軋制銅合金箔。進(jìn)一步地，優(yōu)選使用具有7 μ m至200 μ m厚度的箔。當(dāng)使用厚度小于7μπι的薄銅箔作為載體箔時(shí)，載體箔的機(jī)械強(qiáng)度弱，因此在印刷線路基板等的生產(chǎn)中容易發(fā)生折疊或變皺并導(dǎo)致箔的破損。另外，當(dāng)載體的厚度大于 200 μ m時(shí)，每單位卷材的重量(卷材單位重量)增加，對生產(chǎn)效率有很大影響，同時(shí)生產(chǎn)設(shè)備還需要很大的張力，生產(chǎn)設(shè)備因此體積變得更大，這是不希望得到的。因此，載體箔的厚度優(yōu)選7 μ m至200 μ m。對于載體箔，優(yōu)選使用至少一個(gè)表面具有表面糙度Rz為0. 01 μ m至5. 0 μ m的金屬箔制成。具體地，當(dāng)需要例如集成線路薄膜覆晶線路板上的可見度時(shí)，Rz優(yōu)選0. 01 μ m至 2. Oym0因此，當(dāng)使用表面糙度Rz在2 μ m至5. 0 μ m范圍的載體箔，需要例如集成線路薄膜覆晶線路板的可見度時(shí)，可以機(jī)械打磨或電鍍打磨粗糙的表面使其變光滑，以使所述表面糙度Rz在使用中變?yōu)?. 01 μ m至2 μ m。應(yīng)注意，對表面糙度為5 μ m或更高的載體箔也能施用機(jī)械打磨/電化學(xué)溶解以使其變光滑適于使用。在本發(fā)明中，所述脫離層由金屬和非金屬或金屬氧化物或合金的混合物構(gòu)成。具體地，本發(fā)明中所述脫離層是由保持剝離性質(zhì)的金屬A和容易電鍍所述極薄銅箔的金屬B 構(gòu)成的。形成脫離層的所述金屬A選自Mo、Ta、V、Mn、W和Cr。進(jìn)一步地，所述金屬B選自 Fe、Co 禾口 Ni。如圖1所示，所述脫離層由位于所述載體箔2 —側(cè)的第一脫離層3和位于極薄銅箔1一側(cè)的第二脫離層4構(gòu)成。進(jìn)一步地，所述載體箔2和所述第一脫離層3之間是第一界面5，所述極薄銅箔1和所述第二脫離層4之間是第二界面7，以及所述第一脫離層3和所述第二脫離層4之間是第三界面6。在本發(fā)明中，如圖2所示，當(dāng)所述載體箔2從所述極薄銅箔1上剝離時(shí)，在所述極薄銅箔1的剝離表面40上金屬A的元素比記為X，金屬B的元素比記為y，保持剝離性質(zhì)的金屬A和容易電鍍所述極薄銅箔的金屬B優(yōu)選具有以下比例關(guān)系10 ^ {(y/ (x+y)} X 100 ^ 80(% )如果上述比例小于10%，所述載體剝離變得過低，容易發(fā)生起泡現(xiàn)象并且很難在所述脫離層上電鍍。另外，如果這一比例超過80 %，所述載體剝離變得過高，會(huì)發(fā)生不再能從所述極薄銅箔上剝離的問題。這一比例特別優(yōu)選20至60%。請注意，金屬A或金屬B中包含了同一元素組的二種或多種金屬時(shí)，所述元素比例是同一元素組中金屬的元素比相加得到的。進(jìn)一步地，如圖2所示，可以通過將載體箔2從所述極薄銅箔1的第三界面6上剝離而將其很容易地分離。當(dāng)分離所述載體箔2和所述極薄銅箔1時(shí)，保留在載體箔2 —側(cè)的脫離層3和保留在極薄銅箔1 一側(cè)的剝離表面上的脫離層4的厚度為dl和d2，優(yōu)選的比例為0. 5 彡 dl/d2 彡 12如果上述比例大于12，所述極薄銅箔和所述脫離層間的粘附力變得過低，容易發(fā)生起泡現(xiàn)象。另外，如果上述比例小于0.5，保留在所述極薄銅箔表面的脫離層會(huì)變厚。因此，通過極薄銅箔沉積成形貼銅層壓板上的線路時(shí)，會(huì)出現(xiàn)蝕刻性能差的問題。這一比例特別優(yōu)選2至10。
下文中將描述可以通過電鍍形成上述脫離層。所述脫離層的金屬組成可以通過改變電鍍條件來改變而不改變電解浴的組成，例如改變電流密度。進(jìn)一步地，通過改變電解浴的組成當(dāng)然也可以改變所述脫離層的金屬組成。在本發(fā)明中，所述第一脫離層和第二脫離層間的第三界面上的剝離強(qiáng)度與所述第一界面和第二界面上的剝離強(qiáng)度相比都低。所述第三界面上剝離強(qiáng)度低，而所述第一界面和第二界面上剝離強(qiáng)度高是為了將極薄銅箔從載體箔的第三界面上剝離，阻止第一界面和第二界面上發(fā)生起泡現(xiàn)象，并在載體剝離時(shí)使剝離穩(wěn)定。作為形成所述第一脫離層和所述第二脫離層間第三界面的方法，例如，優(yōu)選分兩步形成所述脫離層的方法。另外，在電鍍時(shí)使用例如兩個(gè)電鍍浴、間歇電鍍、改變電流密度等技術(shù)也是優(yōu)選的方法。進(jìn)一步地，形成所述第一脫離層后，通過對所述第一脫離層的表面施加氧化處理來形成氧化物層，然后在氧化物層上適當(dāng)?shù)匦纬傻诙撾x層，第一脫離層和第二脫離層之間的第三界面上的粘附力降低，可能得到載體剝離時(shí)更穩(wěn)定的剝離強(qiáng)度，因此本發(fā)明能得到更好的效果?？梢允褂美缭诤羞^氧化氫或另一種氧化試劑的處理溶液中浸漬、陽極電解處理和電鍍中升高電流密度的技術(shù)作為在所述第一脫離層的表面形成氧化物層的方法。在本發(fā)明中，要沉積的所述脫離層的量優(yōu)選為0. 05mg/dm2 至 50mg/dm2如果沉積量小于0. 05mg/dm2，得到的結(jié)果不足以用作脫離層，因此是不合適的。另外，即使沉積量大于50mg/dm2也可以剝離，但形成這種脫離層的這類金屬難以電鍍。因此， 當(dāng)厚度增加時(shí)，損失了光滑度并且改變了剝離力，穩(wěn)定性喪失并可能引起起泡現(xiàn)象。因此， 所述沉積量優(yōu)選不超過50mg/dm2。同時(shí)考慮到所述極薄銅箔的表面光滑度，所述上限優(yōu)選 20mg/dm2或更低。所述極薄銅箔通過使用硫酸銅浴、焦磷酸銅浴、氨基磺酸銅浴、氰化銅浴等在所述脫離層上電鍍形成。應(yīng)注意，在形成所述極薄銅箔過程中，根據(jù)所述脫離層的組成元素，電鍍?nèi)芤褐薪n時(shí)間/電流值、排出電鍍完成的電鍍液/用水清洗、金屬電鍍后電鍍液的即時(shí)PH等決定了所述脫離層的保持狀態(tài)，因此有必要根據(jù)構(gòu)成所述脫離層的元素選擇電鍍浴的種類。此外，在所述脫離層上極薄銅箔的形成中，由于所述脫離層的剝離性質(zhì)很難進(jìn)行均勻的電鍍，在所述極薄銅箔中有大量孔洞，或容易發(fā)生起泡現(xiàn)象。在這種電鍍條件下，首先進(jìn)行觸擊(strike)銅電鍍，形成具有良好粘附力的高密度基礎(chǔ)電鍍，同時(shí)還原金屬A的氧化物。通過在其上部施用常規(guī)銅電鍍，可以在所述脫離層上部施加均勻的電鍍，極薄銅箔中形成的孔洞數(shù)明顯減少，并能阻止起泡現(xiàn)象的發(fā)生。通過上述觸擊電鍍沉積的電鍍銅厚度優(yōu)選0. 01 μ m至0. 5 μ m。根據(jù)電鍍浴種類有不同的電鍍條件。但優(yōu)選的電流密度是0. ΙΑ/dm2至20A/dm2，電鍍時(shí)間為0. 1秒或更長。如果電流密度小于0. lA/dm2，很難均勻地電鍍所述脫離層。另外，如果電流密度大于20A/dm2， 在觸擊電鍍中發(fā)生電鍍過燒，使得電鍍液中金屬濃度降低，不能得到均勻的電鍍銅層，因此不是優(yōu)選的。而少于0. 1秒的電鍍時(shí)間太短不能得到足夠的電鍍層，因此也不是優(yōu)選的。通過觸擊電鍍在所述脫離層上形成的銅電鍍層的厚度必須不能損壞所述脫離層的剝離性質(zhì)。優(yōu)選的厚度為0.01至0.5 μ m。形成這一觸擊電鍍層后，將電鍍銅到理想的厚度得到極薄銅箔。此外，在形成所述第二脫離層，接著形成極薄銅箔時(shí)，通過蝕刻將所述第二脫離層薄薄地溶解除去，然后進(jìn)行銅電鍍能有效地防止孔洞和起泡。不蝕刻所述第二脫離層時(shí)，將具有第二脫離層的載體箔浸漬在電鍍浴中來形成所述極薄銅箔，溶解除去第二脫離層表面存在的氧化物，這樣第二脫離層和極薄銅箔之間的第二界面上容易形成空隙，阻礙所述極薄銅箔的電鍍，并且使所述第二界面的粘附力降低。 這種情況下，容易產(chǎn)生孔洞和起泡現(xiàn)象。另一方面，如果采用蝕刻溶解去除所述第二脫離層表面上存在的金屬A和金屬B 的氧化物，那么在刻蝕后表面上能進(jìn)行正常電鍍，同時(shí)所述第二界面的粘附力變好，從而阻止孔洞和起泡。本發(fā)明中，為了穩(wěn)定與所述脫離層剝離性質(zhì)有關(guān)的耐熱性，在所述第一脫離層和載體箔之間或所述第二脫離層和極薄銅箔之間設(shè)置防止擴(kuò)散層是有效的。所述防止擴(kuò)散層優(yōu)選由Ni或Co或其合金形成。用Cr或Cr合金形成也同樣有效。為得到所述極薄銅箔表面與絕緣表面較強(qiáng)的粘附力，可以使所述極薄銅箔的表面粗糙化，其表面糙度Rz為0. 2至3. 0 μ m。這是因?yàn)榇植诨诙刃∮?. 2 μ m對粘附力影響不大，這種程度的粗糙化沒有意義，而糙度為3 μ m即能得到足夠的粘附力，因此也不需要過度粗糙。此外，在粗糙的表面上沉積Ni、Zn、Cr或其它能有效地抑制生銹并耐熱的金屬。進(jìn)一步地，可以涂覆硅烷來改善剝離強(qiáng)度。
實(shí)施例將采用以下實(shí)施例來具體解釋本發(fā)明。電鍍條件的實(shí)施例如表1所示。[表 1]電鍍條件
權(quán)利要求
1.一種帶有載體的極薄銅箔，它由載體箔、脫離層和極薄銅箔組成，所述脫離層由位于所述載體箔一側(cè)的第一脫離層和位于所述極薄銅箔一側(cè)的第二脫離層形成，所述載體箔和所述第一脫離層之間是第一界面，所述極薄銅箔和所述第二脫離層之間是第二界面，所述第一脫離層和第二脫離層之間是第三界面，并且所述界面上剝離強(qiáng)度如下第一界面> 第三界面，且第二界面> 第三界面。
2.如權(quán)利要求1所述的帶有載體的極薄銅箔，其特征在于，在所述帶有載體的極薄銅箔中，所述脫離層由保持剝離性質(zhì)的金屬A和容易電鍍所述極薄銅箔的金屬B形成，并且當(dāng)所述載體箔從所述極薄銅箔上剝離時(shí)所述極薄銅箔一側(cè)剝離表面上金屬A的元素比χ和金屬B的元素比y具有以下比例關(guān)系10 彡{(y/ (x+y)} X 100 彡 80 )。
3.如權(quán)利要求1所述的帶有載體的極薄銅箔，其特征在于，在所述帶有載體的極薄銅箔中，當(dāng)所述載體箔從所述極薄銅箔上剝離時(shí)殘留在所述載體箔一側(cè)和所述極薄銅箔一側(cè)的剝離表面上的脫離層厚度為dl和d2，成立以下關(guān)系0. 5 彡 dl/d2 彡 12。
4.如權(quán)利要求1所述的帶有載體的極薄銅箔，其特征在于，所述第三界面是通過對所述第一脫離層表面施加氧化處理得到的氧化物層。
5.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的帶有載體的極薄銅箔，其特征在于，形成脫離層的所述金屬A是選自Mo、Ta、V、Mn、W和Cr的至少一種金屬，所述金屬B是選自Fe、Co和Ni 的至少一種金屬。
6.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的帶有載體的極薄銅箔，其特征在于，所述脫離層的金屬沉積量為0. 05mg/dm2至50mg/dm2。
7.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的帶有載體的極薄銅箔，其特征在于，300°C加熱處理后所述載體箔和所述極薄銅箔之間的剝離強(qiáng)度為0. 005至0. lkN/m。
8.如權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的帶有載體的極薄銅箔，其特征在于，在所述載體箔和所述脫離層之間和/或在所述脫離層和所述極薄銅箔之間設(shè)置防止擴(kuò)散層。
9.如權(quán)利要求8中所述的帶有載體的極薄銅箔，其特征在于，所述防止擴(kuò)散層由Fe、 Ni、Co、Cr或含有這些元素的合金形成。
10.如權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的帶有載體的極薄銅箔，其特征在于，所述載體箔是 Cu或Cu合金。
11.一種貼銅層壓板，它是在樹脂基材上堆疊如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的帶有載體的極薄銅箔形成的。
12.—種銅印刷線路基板，它是在樹脂基材上堆疊如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的帶有載體的極薄銅箔形成的。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種帶有載體的極薄銅箔，它能抑制起泡的發(fā)生并且剝離強(qiáng)度穩(wěn)定，具體地提供一種帶有載體的極薄銅箔，即使在高溫環(huán)境下也能容易地將載體箔從極薄銅箔上剝離。為此，本發(fā)明提供一種由載體箔、脫離層和銅箔組成的帶有載體的極薄銅箔，其中脫離層由位于載體箔一側(cè)的第一脫離層和位于極薄銅箔一側(cè)的第二脫離層形成，所述載體箔和所述第一脫離層之間是第一界面，所述極薄銅箔和第二脫離層之間是第二界面，所述第一脫離層和第二脫離層之間是第三界面，并且界面間的剝離強(qiáng)度為第一界面＞第三界面，且第二界面＞第三界面。
文檔編號(hào)H05K3/00GK102203326SQ20098014463
公開日2011年9月28日 申請日期2009年9月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月5日
發(fā)明者宇野岳夫, 川上昭, 鈴木裕二 申請人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社