專利名稱：Ⅲ族金屬氮化物單晶的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于III族金屬氮化物單晶的制造方法。
背景技術(shù)：
氮化鎵薄膜結(jié)晶作為優(yōu)異的藍(lán)色發(fā)光元件備受矚目，被實際運用于發(fā)光二極管 中，也被期待用作光學(xué)拾波器的藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光元件。日本專利特開2004-182551、特開2005-12171中，提出了以助熔劑法在基板上形
成單晶基膜時，將基膜分割為島狀，在島狀的基膜上培養(yǎng)氮化鎵單晶膜。

發(fā)明內(nèi)容
但是，以Na助熔劑法培養(yǎng)的GaN單晶中，基板的邊緣部分上，GaN成長至藍(lán)寶石基 板的背面，可發(fā)現(xiàn)藍(lán)寶石基板的邊緣部分被GaN單晶牢牢捕捉(參照圖12、圖13)。其結(jié)果 是，成長的GaN單晶與藍(lán)寶石基板界面以外，也由于熱膨脹系數(shù)差產(chǎn)生應(yīng)力，將妨礙自然剝 離，有時還會產(chǎn)生裂紋。如日本專利特開2005-12171記載般，在基板上設(shè)置多個島狀的基膜，在島狀基膜 上培養(yǎng)氮化物單晶而得到大面積的氮化物單晶膜的話，難以令單晶膜從基板自然剝離。此 外，有時單晶膜內(nèi)有應(yīng)力殘留，最終產(chǎn)生裂紋。又，本申請人在提交本申請時尚未公開的專利申請2007-78893 (日本專利特開 2008-239365)中提出，以助熔劑法在基板上形成單晶基膜時，將基膜分割為島狀的同時，在 島狀的基膜上設(shè)置細(xì)長的腕部。但是此時，自腕部前端成長處，出現(xiàn)轉(zhuǎn)移集中的合流點的成長開始時間晚于其他 點的趨勢。其結(jié)果是，成長的氮化鎵單晶易產(chǎn)生厚度不均。本發(fā)明的課題是，使用模板基板以液相法培養(yǎng)III族金屬氮化物單晶時，抑制單 晶膜厚度不均、防止源于基板主體與氮化物單晶膜的熱膨脹差的單晶膜開裂、并且達(dá)成自 然剝離。本發(fā)明是使用模板基板，其具有具備側(cè)面以及一對主面的基板主體、形成在基板 主體的至少一個主面上的III族金屬氮化物單晶的基膜，通過液相法，在基膜上培養(yǎng)III族 金屬氮化物單晶的方法，其特征是，從平面觀測，基膜呈凸圖形，未形成有基膜的未成面包圍在基膜的整個 周圍，且基膜成長的III族金屬氮化物單晶不與成長在其他基膜的III族金屬氮化物單晶 接觸。通過本發(fā)明，由于基膜從平面觀測呈凸圖形，因此可以抑制結(jié)晶轉(zhuǎn)移集中的合流 點的成長開始時間與基膜成長開始時間的差異引起的氮化物單晶的厚度不均。此外，由于未成面包圍在基膜的整個周圍，因此在基膜成長的單晶難以到達(dá)基板 主體的外圍邊緣部分，可以防止側(cè)面和背面被包覆。這樣可以防止基板主體的側(cè)面或背面 被氮化物單晶包覆引起的裂紋。
在此基礎(chǔ)上，在基膜成長的III族金屬氮化物單晶不與成長在其他基膜的III族 金屬氮化物單晶接觸。即，在該基膜成長的III族金屬氮化物單晶與成長在其他基膜的III 族金屬氮化物單晶是獨立成長的。因此，發(fā)現(xiàn)當(dāng)單晶從基板主體剝離時，可以降低單晶內(nèi)產(chǎn) 生的應(yīng)力，防止由此產(chǎn)生的裂紋，從而完成了本發(fā)明。


圖1 (a)是顯示本發(fā)明一個實施方式相關(guān)的模板基板IOA的平面圖，圖1 (b)是顯 示模板基板IOA上形成了氮化物單晶3的狀態(tài)的平面圖。圖2(a)是從一個主面Ia —側(cè)觀測到的模板基板IOB的平面圖，圖2 (b)是從另一 個主面Ic 一側(cè)觀測到的模板基板IOB的平面圖。圖3(a)是本發(fā)明的模板基板IOA的截面圖，圖3 (b)是本發(fā)明的模板基板IOB的 截面圖。圖4(a)是比較例的模板基板以及單晶13的截面圖，圖4(b)是比較例的模板基板 以及單晶23的截面圖。圖5仏)、03)、(()、((1)、&)以及(f)各自是顯示本發(fā)明可使用的各基膜以及各單 晶的平面圖。圖6是顯示本發(fā)明的一個實施方式涉及的模板基板IOJ及其上的單晶的平面圖。圖7顯示的是實施例1中培養(yǎng)結(jié)束后的GaN單晶的外觀照片。圖8顯示的是令圖7的GaN單晶從基板主體剝離后的外觀照片。圖9顯示的是實施例2中培養(yǎng)結(jié)束后的GaN單晶的外觀照片。圖10顯示的是令圖9的GaN單晶從基板主面剝離后的外觀照片。圖11顯示的是比較例1中培養(yǎng)結(jié)束后的GaN單晶表面的外觀照片。圖12顯示的是圖11的GaN單晶形成后的模板基板背面的外觀照片。圖13顯示的是從側(cè)面觀測到的圖11的GaN單晶以及模板基板的外觀照片。
具體實施例方式以下適當(dāng)參照附圖對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的說明。圖1 (a)是顯示本發(fā)明一個實施方式相關(guān)的模板基板IOA的平面圖，圖1 (b)是顯 示模板基板IOA上形成了氮化物單晶3的狀態(tài)的平面圖?；逯黧w1具有一對主面和側(cè)面lb。本例中基板主體1為四邊形。在基板主體1 的一個主面Ia上形成有由III族金屬氮化物單晶構(gòu)成的基膜2。基板主體1的另一個主面 上沒有形成基膜?；?與基板主體的主面Ia的外圍邊緣部分之間形成為沒有形成基膜 的未成面4。即，基膜2的4邊與基板主體的外圍邊緣部分之間各自形成有未成面4a、4b、 4c、4d。如圖1(b)以及圖3(a)所示，基膜2上形成有液相法生成的單晶3。此時，單晶3 具有從基膜2的邊緣向外側(cè)擴展的傾向。但是，本例中，基膜2的邊緣與主面Ia的外圍邊緣 部分之間為未成面4。因此，單晶3在未成面4上橫向延伸，從而可以防止單晶向側(cè)面lb、 甚至向背面?zhèn)鹊闹髅鍵c延伸。圖2(a)是從一個主面Ia —側(cè)觀測到的模板基板IOB的平面圖，圖2 (b)是從另一
4個主面Ic 一側(cè)觀測到的模板基板IOB的平面圖。本例中基板主體1為四邊形。在基板主體1的一個主面Ia上形成有由III族金 屬氮化物單晶構(gòu)成的基膜2A?；逯黧w1的另一個主面Ic上形成有由III族金屬氮化物 單晶構(gòu)成的基膜2B。各基膜2A、2B與基板主體的主面la、Ic的外圍邊緣部分之間形成為沒 有形成基膜的基板主體的未成面4。即，基膜2A、2B的4邊與基板主體的外圍邊緣部分之間 各自形成有未成面4。如圖2(a)、圖2(b)以及圖3(b)所示，基膜2A、2B上形成有液相法生成的單晶3A、 3B。由于單晶3A、3B在未成面4上橫向延伸，因此可以防止單晶向側(cè)面lb、甚至向背面?zhèn)鹊?主面延伸。此處，如圖4(a)所示可知，如果形成基膜12覆蓋了基板主體1的整個主面la，那 么單晶13向基板主體的側(cè)面lb、甚至背面?zhèn)鹊闹髅鍵c的邊緣、如13a、13b般延伸。因此， 單晶13被基板主體的側(cè)面Ib以及主面Ic牢固地捕捉。在此狀態(tài)下基板主體與單晶間施 加了熱膨脹系數(shù)差引起的應(yīng)力的話，單晶13上容易產(chǎn)生裂紋。與此相對，本發(fā)明中，基板主體1的外圍邊緣部分與基膜之間形成有未形成基膜 的未成面4包圍在基膜的整個周圍。其結(jié)果是，可以防止單晶3、3A、3B向基板主體的側(cè)面 lb、背面?zhèn)鹊闹髅鍵c延伸包覆。另外，本發(fā)明中，基膜2、2A、2B從平面觀測呈凸圖形。這表示基膜外側(cè)輪廓線的任 意兩點的連接線位于基膜外側(cè)輪廓線的內(nèi)側(cè)。作為此種圖形，可例舉出有圖5所示的圓形、 橢圓形、跑道形狀、三角形、正方形、長方形、六邊形、八邊形等的多邊形?；ど洗嬖谄矫嬗^測呈腕部、凹部的話，其周邊容易出現(xiàn)單晶厚度不均。但是，本 發(fā)明中，由于形成的是上述沒有腕部或凹部的凸圖形基膜，因此可以防止單晶厚度不均。并且，根據(jù)本發(fā)明，在基膜生長的III族金屬氮化物單晶不與在其他晶種成長的 III族金屬氮化物單晶接觸，獨立成長。例如，日本專利特開2005-12171記載的方法中，在基本主體上設(shè)置多個圓形基 膜，令單晶自各基膜成長，形成大塊的單晶膜。g卩，如圖4(b)模式所示，基板主體1的主面 Ia上形成有多個圓形的基膜22。基膜22之間設(shè)置有縫隙24。在此狀態(tài)下令單晶在基膜 22上成長，形成塊狀的單晶膜23。單晶膜在縫隙24上相互連接，形成連接部分23a。圖4(b)的情況下，單晶23中，基膜間的部分23a對于基板主體1的附著力應(yīng)該較 低。另一方面，圖3 (a)的情況下，單晶膜23幾乎整個與基膜2接觸。因此，如圖3(a)般獨 立成長的情況下，較之于圖4(b)的情況，單晶膜應(yīng)該容易剝離。但是，實際試作、試驗后，意外發(fā)現(xiàn)圖4(b)的情況下，連接部分23a的附近由于應(yīng) 力容易出現(xiàn)裂紋，反而難以使單晶從基板主體剝離。與此相對，本發(fā)明的情況下，整個基膜 外圍邊緣部分的應(yīng)力幾乎均等，單晶容易自然剝離，此時不易產(chǎn)生裂紋。圖5(a) (f)各自是顯示基膜以及在其之上形成的單晶的平面圖案例子的平面 圖。圖5(a)的例子中，基膜8C為圓形，在其之上成長有單晶膜9C。圖5 (b)的例子中， 基膜8D為橢圓形或跑道形狀，在其之上成長有單晶膜9D。圖5 (c)的例子中，基膜8E為三 角形，在其之上成長有單晶膜9E。圖5(d)的例子中，基膜8F為正方形，在其之上成長有單 晶膜9F。圖5(e)的例子中，基膜8G為長方形，在其之上成長有單晶膜9G。圖5 (f)的例子中，基膜8H為六角形，在其之上成長有單晶膜9H。本發(fā)明中優(yōu)選的是，例如圖1 3所示，一個基板主體形成一個基膜，基膜與基板 主體的邊緣部分之間設(shè)置有未成面。但是，一個基板主體上也可以形成多個基膜。但在此 時，在各基膜成長的各單晶必須不互相接觸。即，在各基膜成長的各單晶互相之間必須不物 理干涉，與在不同基板上的基膜成長相同地成長。例如，圖6的模板基板IOJ上，基板主體1的主面Ia上形成有多個基膜8J。各基 膜上，各自形成有單晶9J。相鄰的基膜之間形成有未成面14。相鄰的基膜的寬度必須為各 基膜成長的單晶不會互相接觸的程度。基于防止單晶覆蓋至側(cè)面的觀點，基膜與基板主體的邊緣部分的間隔d(參照圖 1 (a))優(yōu)選在Imm以上，更優(yōu)選在2mm以上。d并無上限，但由于d大的話單晶的生產(chǎn)率下 降，因此基于生產(chǎn)率的觀點，d優(yōu)選在IOmm以下。例如圖6所示，基板主體上形成有多個基膜時，基于防止單晶覆蓋至基板主體側(cè) 面的觀點，相鄰的基膜的間隔(最小值)D優(yōu)選在2mm以上，更優(yōu)選在4mm以上。D并無上 限，但由于D大的話單晶的生產(chǎn)率下降，因此基于生產(chǎn)率的觀點，D優(yōu)選在IOmm以下?；局黧w設(shè)置有基膜的主面Ia的面積為100%時，基板主體的未成面的面積優(yōu)選 為10 90%，更優(yōu)選30 50%。基膜的位置可以設(shè)置在基板主體的中央，但更優(yōu)選基膜偏向基板主體的上部。將 模板基板縱向放置于坩堝培養(yǎng)GaN單晶時，越接近坩堝底部，GaN單晶成長越厚，促進(jìn)了覆 蓋成長。通過在將晶種面積設(shè)定為固定的情況下，在基板下部取較大的未成面面積，使晶種 區(qū)域偏于藍(lán)寶石基板的上部，可以有效防止覆蓋以及確保取向附生的成長面積。在基板主體設(shè)置基膜以及未成面的方法并無特別限定，可例示如下。(1)遮蔽基板主體的邊緣部分，形成基膜。(2)在基板主體的整個主面形成基膜，接著通過蝕刻或研削除去基膜?；逯黧w的材質(zhì)并無特別限定，可例示藍(lán)寶石、硅單晶、SiC單晶、MgO單晶、尖晶 石(MgAl2O4)、LiAlO2, LiGaO2, LaA103、LaGa03、NdGaO3等的鈣鈦礦型復(fù)合氧化物?；蛘咭部?以使用化學(xué)式[Ah(SivxBax)y] [(AlhGaz) PZDJO3 (A為稀土類元素；D為選自鈮以及鉭群中 一種以上的元素；y = 0. 3 0. 98 ;x = 0 1 ;z = 0 1 ;u = 0. 15 0. 49 ；x+z = 0. 1 2)的立方晶系的鈣鈦礦構(gòu)造復(fù)合氧化物。此外，也可以使用SCAM(ScAlMgO4)。構(gòu)成基膜的III族金屬氮化物單晶，是選自Ga、Al、In中的一種以上的金屬的氮化 物,為 GaN、A1N、GaAlN, GaAlInN 等。優(yōu)選 GaN, A1N、GaAlN,特別優(yōu)選 A1N?；さ暮穸炔o特別限定?；谝种苹さ闹蹌┗厝鄣挠^點，優(yōu)選在Iym以 上。此外，基膜厚的話，基膜形成需要時間，基于此觀點，基膜的厚度可以在50μπι以下。本發(fā)明也適用于液相法。作為此種液相法，可例示助熔劑法、高壓溶液法、氨熱法。本發(fā)明中，助熔劑的種類，只要可以生成III族金屬氮化物單晶，則沒有特別限 定。合適的實施方式中，使用含有堿金屬和堿土類金屬中至少一個的助熔劑，特別優(yōu)選含有 鈉金屬的助熔劑。助熔劑中混合使用目標(biāo)III族金屬氮化物單晶的原料。該III族金屬氮化物單晶 是選自Ga、Al、Ιη、Β —種以上的金屬的氮化物，是GaN、AlN、GaAlN、GaAlInN、BN等。構(gòu)成助熔劑的原料根據(jù)目標(biāo)III族金屬氮化物單晶選擇。
作為鎵原料物質(zhì)，可適用鎵單質(zhì)金屬、鎵合金、鎵化合物，但鎵單質(zhì)金屬在操作上 也適合。作為鋁原料物質(zhì)，可適用鋁單質(zhì)金屬、鋁合金、鋁化合物，但鋁單質(zhì)金屬在操作上也 適合。作為銦原料物質(zhì)，可適用銦單質(zhì)金屬、銦合金、銦化合物，但銦單質(zhì)金屬在操作上也適
I=I O本發(fā)明中，III族金屬氮化物單晶的培養(yǎng)溫度、培養(yǎng)時的保持時間并無特別限定， 根據(jù)目標(biāo)單晶的種類、助熔劑的組成適當(dāng)變更。舉一例，使用含有鈉或鋰的助熔劑培養(yǎng)氮化 鎵單晶時，培養(yǎng)溫度可以為800 1000°C。合適的實施方式中，在含氮氣的混和氣體所構(gòu)成的氛圍氣下培養(yǎng)III族金屬氮化 物單晶。氛圍氣的全壓并無特別限定，但基于防止助熔劑蒸發(fā)的觀點，優(yōu)選在10個大氣壓 以上，更優(yōu)選30個大氣壓以上。但是，壓力高的話裝置變大，因此氛圍氣的全壓優(yōu)選在2000 個大氣壓以下，更優(yōu)選1000個大氣壓以下。此外，氛圍氣中的氮分壓也無特別限定，培養(yǎng)氮化鎵單晶時優(yōu)選10 2000個大氣 壓，更優(yōu)選100 1000個大氣壓。培養(yǎng)氮化鋁單晶時優(yōu)選0. 1 50個大氣壓，更優(yōu)選1 10個大氣壓。氛圍氣中的氮以外的氣體并無限定，但優(yōu)選惰性氣體，特別優(yōu)選氬、氦、氖。氮以外 的氣體的分壓為全壓減去氮氣分壓的值。本發(fā)明中的實際培養(yǎng)方法并無特別限定。例如可以在坩堝內(nèi)將模板基板浸漬在助 熔劑中，將坩堝放入耐壓容器，一邊向耐壓容器內(nèi)供應(yīng)含氮氛圍氣，一邊加熱。此外，通過將 模板基板固定在規(guī)定位置、將裝有助熔劑的坩堝向上上升，可以令基膜表面接觸助熔劑。本發(fā)明中，確認(rèn)使用了具備有m面GaN、a面GaN等無極性面晶種膜、以及r面GaN 等半極性面晶種膜的模板基板時，也可以有效防止育成單晶開裂。實施例(實施例1)參照圖1、圖3(a)，根據(jù)說明的上述方法，在模板基板IOA上形成氮化鎵膜。具體 的，基板主體1的平面尺寸為13X 18mm的長方形。以HVPE法在基板主體的主面Ia的整個 面上形成厚30 μ m的GaN膜，形成基膜。將該基膜研磨加工，留下縱9 X橫13mm的基膜2。 d 為 2mm。將作為原料的金屬鎵(Ga) 3g、作為助熔劑的金屬鈉(Na)4g以及上述模板基板稱 量、裝入培養(yǎng)容器內(nèi)。培養(yǎng)條件為氮氣壓力4MPa、溫度875°C，培養(yǎng)200小時。圖7所示為培養(yǎng)結(jié)束后的GaN單晶的外觀照片。此外，圖8所示為GaN單晶自基 板主體剝離后的外觀照片(GaN單晶的背面)。邊緣部分的1處，GaN單晶成長至藍(lán)寶石基 板主體的背面，周邊區(qū)域產(chǎn)生了裂紋，但沒有觀測到GaN單晶覆蓋的約80%的區(qū)域內(nèi)，背面 的藍(lán)寶石基板在培養(yǎng)結(jié)束后自然剝離。此外，除去覆蓋的GaN單晶處，剩余的藍(lán)寶石基板也 剝離了。(實施例2)參照圖2、圖3(b)，根據(jù)說明的上述方法，在模板基板IOB的各主面上形成氮化鎵 膜。具體的，基板主體1是平面尺寸為13X 18mm的長方形。以MOCVD法分別在基板主體的 主面la、Ic的整個面上形成厚5 μ m的GaN膜，形成基膜。將該基膜研磨加工，留下縱9mmX 橫13mm的基膜2。d為2mm。
將作為原料的金屬鎵(Ga) 3g、作為助熔劑的金屬鈉(Na) 4g以及上述模板基板稱 量、裝入培養(yǎng)容器內(nèi)。培養(yǎng)條件為氮氣壓力4MPa、溫度875°C，培養(yǎng)200小時。圖9所示為培養(yǎng)結(jié)束后的GaN單晶的外觀照片。此外，圖10所示為GaN單晶自基 板主體剝離后的外觀照片(GaN單晶的背面)。模板基板的背面和表面成長的GaN單晶完全 沒有在邊緣部分連接。培養(yǎng)結(jié)束后，兩面的GaN單晶都從藍(lán)寶石基板自然剝離，一側(cè)GaN沒 有發(fā)現(xiàn)裂紋。另一側(cè)的GaN單晶僅發(fā)現(xiàn)1處裂紋。(實施例3)參照圖1、圖3(a)，根據(jù)說明的上述方法，在模板基板IOA上形成氮化鎵膜。具體 的，在2英寸大小的藍(lán)寶石構(gòu)成的基板主體的邊緣部分，用SiO2膜遮蔽，在遮蔽部分以外的 縱橫各1. 5英寸的區(qū)域形成GaN晶種構(gòu)成的基膜2。d = 6. 3mm。將作為原料的金屬鎵(Ga) 30g、作為助熔劑的金屬鈉(Na)40g以及上述模板基板 稱量、裝入培養(yǎng)容器內(nèi)。培養(yǎng)條件為氮氣壓力4MPa、溫度875°C，培養(yǎng)200小時。培養(yǎng)結(jié)束 后，GaN單晶都從藍(lán)寶石基板自然剝離，另外也沒有發(fā)現(xiàn)裂紋。由于GaN晶種的端部與藍(lán)寶 石基板端部之間有間隔，成長的GaN單晶不會覆蓋到藍(lán)寶石基板背面，提高了 GaN單晶與藍(lán) 寶石基板的剝離性。另外可推測，由于剝離性提高可以防止裂紋。(比較例1)參照圖4 (a)，根據(jù)說明的方法，培養(yǎng)GaN單晶。具體的，在13 X 18mm邊長的藍(lán)寶 石構(gòu)成的基板主體1的主面Ia上，以HVPE法形成厚30 μ m的GaN構(gòu)成的基膜12?；?2 覆蓋了主面Ia的整面。在該模板基板上，以與實施例1相同的稱量方法、培養(yǎng)條件培養(yǎng)GaN培養(yǎng)結(jié)束后的GaN單晶的表面外觀照片如圖11所示。此外，形成有GaN單晶的模 板基板的背面一側(cè)的外觀照片如圖12所示。此外，從側(cè)面觀測的GaN單晶以及模板基板的 外觀照片如圖13所示。單晶覆蓋成長至藍(lán)寶石基板的背面一側(cè)，沒有剝離。另外，GaN單 晶表面產(chǎn)生了許多裂紋。(比較例2)準(zhǔn)備IOX IOmm邊長的藍(lán)寶石構(gòu)成的基板主體1。在基板主體的主面Ia上，將厚 IOym的晶種構(gòu)成的細(xì)長基膜作成條紋狀的圖案?；さ闹芷跒? μ m，各基膜的寬度為 3μπι，相鄰的基膜的間隔為6μπι。以與實施例1相同的稱量方法、培養(yǎng)條件培養(yǎng)GaN單晶。 培養(yǎng)結(jié)束后，確認(rèn)GaN單晶沒有從藍(lán)寶石基板剝離，有裂紋。(比較例3)參照圖4 (b)，根據(jù)說明的方法，培養(yǎng)GaN單晶。具體的，準(zhǔn)備縱10 X橫IOmm的藍(lán) 寶石構(gòu)成的基板主體1。在基板主體的主面Ia上，形成多個由直徑3 μ m、厚IOymWGaN 晶種形成的圓形基膜22。相鄰的基膜22的間隔D為6 μ m。以與實施例1相同的稱量方法、培養(yǎng)條件培養(yǎng)GaN單晶。培養(yǎng)結(jié)束后，GaN單晶一 體化為一張膜。確認(rèn)GaN單晶沒有從藍(lán)寶石基板剝離，有裂紋。本發(fā)明雖然說明了特定的實施方式，但本發(fā)明并不限定于這些特定的實施方式， 在不脫離權(quán)利要求書的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種變更和改變地實施。
8
權(quán)利要求
一種III族金屬氮化物單晶的制造方法，該方法使用模板基板，其具有具備側(cè)面以及一對主面的基板主體、形成在基板主體的至少一個所述主面上的III族金屬氮化物單晶的基膜，通過液相法，在所述基膜上培養(yǎng)III族金屬氮化物單晶，其特征是，從平面觀測，所述基膜呈凸圖形，未形成有所述基膜的未成面包圍在基膜的整個周圍，且在所述基膜成長的所述III族金屬氮化物單晶不與成長在其他基膜的III族金屬氮化物單晶接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征是，一個所述基板主體上形成有一個所述基膜，所 述未成面設(shè)置于所述基膜與所述基板主體的邊緣部分之間。
全文摘要
一種III族金屬氮化物單晶的制造方法，使用模板基板(10A)，其具有具備側(cè)面(1b)以及一對主面(1a)的基板主體(1)、形成在主面(1a)上的III族金屬氮化物單晶的基膜(2)。通過液相法，在基板主體1的至少一個主面(1a)上培養(yǎng)III族金屬氮化物單晶(3)。從平面觀測，基膜(2)呈凸圖形。未設(shè)置基膜的未成面(4)包圍在基膜(2)的整個周圍。在基膜(2)成長的III族金屬氮化物單晶(3)不與成長在其他基膜的III族金屬氮化物單晶接觸。
文檔編號C30B19/12GK101925696SQ20098010315
公開日2010年12月22日 申請日期2009年1月22日 優(yōu)先權(quán)日2008年1月24日
發(fā)明者今井克宏, 市村干也, 平尾崇行 申請人:日本礙子株式會社