專利名稱：：電磁干擾屏蔽過濾器制法及等離子體顯示裝置用顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的方面涉及用于等離子體顯示面板的電磁干擾(EMI)屏蔽過濾器的制造方法以及用于等離子體顯示裝置的顯示面板。
背景技術(shù)：
：等離子體顯示裝置通常包括等離子體顯示面板和用于驅(qū)動該等離子體顯示面板的驅(qū)動單元，該等離子體顯示面板具有由尋址電極、掃描電極和維持電極限定的放電單元、以及施加到該放電單元的熒光粉。等離子體顯示裝置通過響應(yīng)由在氣體放電時產(chǎn)生的紫外線的作用所導(dǎo)致的熒光粉的激發(fā)而產(chǎn)生可見光線來顯示圖像。等離子體顯示裝置通常遭受在其驅(qū)動過程中在等離子體顯示面板中高水平產(chǎn)生電磁波。由于此原因，可用單獨的用于阻擋電磁波到等離子體顯示面板前面或顯示側(cè)的電磁干擾(EMI)屏蔽過濾器制造等離子體顯示裝置。或者，通過在單獨的基底如膜或玻璃基板上形成透明導(dǎo)電層來制造EMI屏蔽過濾器。然而，這樣的透明導(dǎo)電層和單獨的基底如膜或玻璃基板使等離子體顯示裝置的生產(chǎn)成本增加。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的方面提供用于等離子體顯示面板的電磁干擾(EMI)屏蔽過濾器的制造方法以及用于等離子體顯示裝置的顯示面板，其通過使用導(dǎo)電墨水借助于噴墨方法直接在等離子體顯示面板上形成包括疏水層和導(dǎo)電網(wǎng)圖案的EMI屏蔽過濾器，能夠簡化生產(chǎn)過程和降低生產(chǎn)成本以及減小包括等該離子體顯示面板的等離子體顯示裝置的尺寸。在一個實施方式中，提供用于包括具有圖像顯示面的第一面板的等離子體顯示面板的電磁波屏蔽物的制造方法，該方法包括用涂布溶液涂布所述第一面板的圖像顯示面以形成疏水層；利用噴墨敷料器將導(dǎo)電墨水施加到所述疏水層以形成導(dǎo)電墨水圖案；以及對所述導(dǎo)電墨水和所述疏水層進行加熱以在所述疏水層上形成導(dǎo)電網(wǎng)圖案。在一個實施方式中，所述疏水層包括氟烷基硅烷，其可為三氯(3，3，3-三氟丙基)硅烷和三氯(1H，1H，2H，2H-全氟辛基)硅烷的混合物。在一個實施方式中，所述氟烷基硅烷還包括3-氨基丙基三乙氧基硅烷和/或3-巰基丙基三乙氧基硅烷。在一個實施方式中，在將所述氟烷基硅烷涂布在所述圖像顯示面上之前將其在正辛烷中稀釋至約0.05M約0.3M的濃度。在一個實施方式中，所述導(dǎo)電墨水包括銀納米墨水，該銀納米墨水可為銀納米顆粒在正十四烷中的分散體。在一個實施方式中，所述銀納米顆粒的直徑為約5nm約lOOnm，和所述銀納米墨水可包括約50重量％約90重量％的銀納米顆粒。在一個實施方式中，所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案為具有約200μm約400μm間距的四邊形導(dǎo)電網(wǎng)圖案。此外，形成所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案可包括通過所述噴墨敷料器的多個噴嘴噴射所述導(dǎo)電墨水的墨水滴。在一個實施方式中，所述墨水滴各自具有約3pL約150pL的體積。在一個實施方式中，所述加熱步驟包括將所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案和所述疏水層加熱至閾溫度以從所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案除去有機物質(zhì)，并且該溫度可為約250°c約400°C。此外，在一個實施方式中，所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案包括多條所述導(dǎo)電墨水的導(dǎo)電線，其中所述多條導(dǎo)電線各自的最粗部分與最細部分的比為約1.00.6約1.00.9。在一個實施方式中，提供用于等離子體顯示裝置的顯示面板，該顯示面板包括圖像顯示面和直接在該圖像顯示面上的電磁波屏蔽物，該電磁波屏蔽物包括在該圖像顯示面上的疏水層和在該疏水層上的導(dǎo)電網(wǎng)圖案。在一個實施方式中，所述疏水層包括氟烷基硅烷且所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案包括銀納米顆粒。此外，所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案可具有約200μm約400μm的間距。此外，所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案具有30μπι70μπι的線寬；和/或具有0.05Ω/□0.4Ω/□的網(wǎng)表面電阻(薄層電阻)；和/或由具有重復(fù)的粗和細部分的線寬的多條導(dǎo)電線形成，其中所述多條導(dǎo)電線各自的最粗部分與最細部分的平均比為1.00.61.00.9。圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式制造用于等離子體顯示面板的電磁干擾(EMI)屏蔽過濾器的方法的流程圖；和圖2a是在將EMI屏蔽過濾器施加到本發(fā)明的面板之前該面板的實施方式的透視圖。圖2b是在將疏水層或表面處理施加到圖1的面板之后該面板的透視圖。圖2c是正在被施加到圖1的面板的導(dǎo)電墨水的透視圖。圖2d是涂布有正在被加熱的導(dǎo)電墨水的圖1的面板的透視圖。具體實施例方式在以下詳細描述中，通過圖解來顯示和描述本發(fā)明的僅一些示例性實施方式。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到的，本發(fā)明可以許多不同的形式體現(xiàn)并且不應(yīng)解釋為限于本文中所闡述的實施方式。在說明書中相同的附圖標記始終是指相同的元件。圖1是說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式制造用于等離子體顯示面板的電磁干擾(EMI)屏蔽過濾器(S卩，電磁波屏蔽物)的方法的流程圖，和圖2a2d為說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式制造用于等離子體顯示面板的電磁干擾(EMI)屏蔽過濾器的方法的透視圖。參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式制造用于等離子體顯示裝置的EMI的方法包括第一面板制備步驟(Si)、表面處理步驟(S2)、導(dǎo)電墨水施加步驟(S3)和烘烤步驟(S4)。首先，參照圖2a，第一面板制備步驟(Si)為制備第一面板110的步驟。第一面板110顯示圖像，并且包括施加等離子體顯示裝置的氣體放電所必需的電壓的顯示電極、以及在第一面板110的第一面或與圖像顯示面相反的面(即面對第二面板120的面)上形成的介電層。盡管面板100在圖1中顯示為第一面板110與第二面板120的組合形式，但第一面板110可單獨地制備，而不與第二面板120組合。第二面板120包括適于施加等離子體顯示裝置的氣體放電所必需的電壓并形成于面對第一面板110的面上的尋址電極(未示出)。第二面板120可進一步包括分隔壁、熒光粉、介電層、以及設(shè)置于其中形成尋址電極的面上的保護膜?，F(xiàn)在參照圖2b，表面處理步驟(S2)是通過將涂布溶液涂布到第一面板110的第二面(即不面對第二面板120的面)的全部上形成疏水層130的步驟。表面處理步驟(S2)可采用氟烷基硅烷(FAS)作為涂布溶液。通過常規(guī)方法例如印刷或旋涂將氟烷基硅烷涂布到第一面板110的整個第二面上。在一個實施方式中，氟烷基硅烷為三氯(3，3，3-三氟丙基)硅烷與三氯(1H，1H，2H，2H-全氟辛基)硅烷的混合物。在一個實施方式中，三氯(3，3，3-三氟丙基)硅烷與三氯(1H，1H，2H，2H-全氟辛基)硅烷的混合體積比為約1001約201，和在一個實施方式中，其可為約601。如果所述體積比大于1001，則FAS的疏水效果可不足，并且如果所述體積比小于201，則FAS的疏水效果可過大。然而，應(yīng)理解，如果如下面詳細描述的那樣將不同類型的導(dǎo)電墨水用于EMI屏蔽過濾器，則所述混合體積比可不同。在一個實施方式中，F(xiàn)AS在正辛烷中的濃度為約0.05M約0.3M，和在一個實施方式中，該濃度可為約0.1M。如果該濃度小于約0.05M，則FAS的疏水效果可不足，并且如果該濃度大于約0.3M，則可使用了過量的FAS。由FAS形成的疏水層130用于控制導(dǎo)電墨水在第一面板110表面上的流動和鋪展以防止可在隨后的導(dǎo)電墨水施加步驟(S3)中施加導(dǎo)電墨水時發(fā)生的過度的流動和鋪展。當疏水層130由僅包括三氯(3，3，3-三氟丙基)硅烷而沒有三氯(1H，1H，2H，2H-全氟辛基)硅烷的氟烷基硅烷形成時，在隨后的導(dǎo)電墨水施加步驟(S3)中施加導(dǎo)電墨水時，導(dǎo)電墨水在疏水層130上的鋪展性增加。因此，難以在疏水層130上形成具有小于100μm的精細線寬的導(dǎo)電網(wǎng)圖案。另一方面，當疏水層130由僅包括三氯(1H，1H，2H，2H-全氟辛基)硅烷而沒有三氯(3，3，3_三氟丙基)硅烷的氟烷基硅烷形成時，在隨后的導(dǎo)電墨水施加步驟(S3)中施加導(dǎo)電墨水時，導(dǎo)電墨水在疏水層130上的斥水性變得過強。因而，當期望通過連接多個墨水滴在疏水層130上形成線時，難以制造連接的墨水滴的完整的線。在替換實施方式中，可將FAS與另外的化合物如3-氨基丙基三乙氧基硅烷和/或3-巰基丙基三乙氧基硅烷混合以用作表面處理劑。參照圖2c，導(dǎo)電墨水施加步驟(S3)是通過將導(dǎo)電墨水施加到疏水層130上而形成導(dǎo)電網(wǎng)圖案(圖2d的140)的步驟。導(dǎo)電墨水施加步驟(S3)可采用銀納米墨水作為導(dǎo)電墨水。銀納米墨水可為具有約5nm約IOOnm粒徑的銀納米顆粒在正十四烷中的分散體。如果銀納米顆粒的粒徑小于約5nm，則這可導(dǎo)致銀納米顆粒的非均勻分散。另一方面，如果銀納米顆粒的粒徑大于約IOOnm,則這可導(dǎo)致噴墨敷料器10的多個噴嘴11中銀納米墨水的流動路徑的堵塞。應(yīng)理解，導(dǎo)電墨水并非必須為銀納米墨水，而是可為包括其它材料如銅的其它類型的導(dǎo)電墨水。在銀納米墨水中，銀納米顆粒的含量可為約50重量％約90重量％，并且銀納米墨水可進一步包括痕量的有機分散劑和無機玻璃料以改善其分散性和粘度。如果銀納米顆粒的含量小于銀納米墨水的約50重量％，則這可導(dǎo)致銀納米墨水的電性質(zhì)的惡化。另一方面，如果銀納米顆粒的含量大于銀納米墨水的約90重量％，則有機分散劑和無機玻璃料在銀納米墨水中的含量降低，由此導(dǎo)致銀納米墨水的分散性和粘度的較小改善。導(dǎo)電墨水施加步驟(S3)包括使用噴墨敷料器10以噴墨方式將銀納米墨水施加到疏水層130上，由此形成其中單獨的墨水滴140'彼此連接的導(dǎo)電網(wǎng)圖案140。導(dǎo)電網(wǎng)圖案140由于噴墨施加的內(nèi)在性質(zhì)而具有重復(fù)的粗和細部分的線寬?？赏ㄟ^改變各墨水滴之間的距離來控制由導(dǎo)電墨水滴形成的線的粗細(thickness)變化。在一個實施方式中，該線的最粗部分與該線的最細部分的平均比為約1.00.6約1.00.9，和在一個實施方式中，該比為1.00.7。如果各墨水滴之間的距離太大，則薄層電阻可增大，由此使屏蔽性能下降。如果該距離太小，則可使用太多的墨水來形成該線。將導(dǎo)電網(wǎng)圖案140與等離子體顯示裝置的地線電連接使得來自等離子體顯示面板100的電磁波被接地到該等離子體顯示裝置的地線，由此屏蔽電磁波干擾。為了進一步理解，圖2c顯示在疏水層130上完全形成導(dǎo)電網(wǎng)圖案140之前的狀態(tài)，其中為了清楚起見夸大了導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的墨水滴140'的尺寸，而圖2d則顯示導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的完全形成。在一個實施方式中，在面板100的第一面板110的外表面上形成本申請中的導(dǎo)電網(wǎng)圖案140。在一個實施方式中，期望在制造面板100之后形成導(dǎo)電網(wǎng)圖案140，因為由于第一面板110和第二面板120移動通過生產(chǎn)線，導(dǎo)電網(wǎng)圖案140如果在制造面板100之前形成可被損壞。在其它實施方式中，可在制造面板100之前在第一面板110上形成導(dǎo)電網(wǎng)圖案140。此外，導(dǎo)電墨水施加步驟S3可施加導(dǎo)電墨水以設(shè)計和形成具有約200μm約400μπι間距的四邊形導(dǎo)電網(wǎng)圖案(圖2d)。本文中所使用的“間距”是指形成導(dǎo)電網(wǎng)圖案的兩條相鄰的平行線之間的距離。如果導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的間距小于約200μπι，則導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的間距變得過密，由此使等離子體面板100的透光率降低。另一方面，如果導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的間距大于約400μm，則導(dǎo)電網(wǎng)圖案140在等離子體顯示面板100中所占據(jù)的面積下降，導(dǎo)致等離子體顯示面板100的電磁干擾屏蔽效率差。在一個實施方式中，導(dǎo)電墨水施加步驟(S3)以噴射通過噴墨敷料器10的多個噴嘴11的單獨的墨水滴140'具有約3pL約30pL體積的方式進行。如果單獨的墨水滴140‘的體積小于約3pL，則導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的線寬過細，使等離子體顯示面板100中的導(dǎo)電性降低。另一方面，如果單獨的墨水滴140'的體積大于約30pL，則導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的線寬過粗，使等離子體顯示面板100中的光透射率降低。在另一實施方式中，12pL是墨水滴體積的上限。在再一實施方式中，可使用不同尺寸的墨水滴。下面的表1說明各種液滴體積以及各體積所產(chǎn)生的相應(yīng)的線寬和網(wǎng)表面電阻，其中所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案的間距為約300μm。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>如表1中所示，約3pL約30pL的液滴體積產(chǎn)生約32μm約70μm的線寬和低達約0.05Ω/□的網(wǎng)表面電阻。參照圖2d，烘烤步驟(S4)是對導(dǎo)電網(wǎng)圖案140進行熱烘烤以使其固定在疏水層130上的步驟。具體而言，烘烤步驟(S4)包括通過使用約250°C約400°C的熱除去導(dǎo)電網(wǎng)圖案140中所含的有機物質(zhì)而將導(dǎo)電網(wǎng)圖案140固定在疏水層130上。在一個實施方式中，可使用熱空氣烘烤導(dǎo)電網(wǎng)圖案140。一旦導(dǎo)電網(wǎng)圖案140被加熱至適當溫度，則銀納米顆粒不再以顆粒形式存在，而是該圖案作為由銀形成的導(dǎo)電網(wǎng)圖案保留。如果導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的烘烤溫度低于約250°C，則未從導(dǎo)電網(wǎng)圖案140徹底地除去有機物質(zhì)，由此導(dǎo)致導(dǎo)電性的惡化。另一方面，如果導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的烘烤溫度高于約400°C，則這可導(dǎo)致對等離子體顯示面板100的損壞。以這種方式，包括疏水層130和導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的EMI屏蔽過濾器150可具有約40μm的導(dǎo)電網(wǎng)圖案140線寬、約77%的透光率、約0.2Ω/□的薄層電阻、以及響應(yīng)鉛筆硬度測試的約Ml的鉛筆硬度。當將EMI屏蔽過濾器150應(yīng)用于等離子體顯示裝置時，該EMI屏蔽過濾器150滿足FCCEMI等級B。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的制造用于等離子體顯示面板的EMI屏蔽過濾器的方法可使用導(dǎo)電墨水通過噴墨方法直接在等離子體顯示面板100上形成包括疏水層130和導(dǎo)電網(wǎng)圖案140的EMI屏蔽過濾器150。因此，與通過用蝕刻方法在單獨的基底上形成導(dǎo)電網(wǎng)圖案來制造EMI屏蔽過濾器相比，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的制造用于等離子體顯示面板的EMI屏蔽過濾器的方法能夠簡化生產(chǎn)過程并降低單獨的且額外的基底的生產(chǎn)成本。此外，與通過在單獨的基底上形成昂貴的透明導(dǎo)電層來制造EMI屏蔽過濾器相比，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的制造用于等離子體顯示面板的EMI屏蔽過濾器的方法能夠節(jié)約單獨的基底和昂貴的透明導(dǎo)電層的生產(chǎn)成本。此外，由于在EMI屏蔽過濾器的形成中不需要任何額外的基底材料，因此根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的制造用于等離子體顯示面板的EMI屏蔽過濾器的方法能夠減小具有該等離子體顯示面板的等離子體顯示裝置的尺寸。盡管已經(jīng)結(jié)合一些示例性實施方式描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開的實施方式，而是相反，本發(fā)明意在涵蓋包含于所附權(quán)利要求及其等價物的精神和范圍內(nèi)的各種變更和等價方案。權(quán)利要求用于等離子體顯示面板的電磁波屏蔽物的制造方法，該等離子體顯示面板包括具有圖像顯示面的第一面板，該方法包括用涂布溶液涂布所述第一面板的圖像顯示面以形成疏水層，利用噴墨敷料器將導(dǎo)電墨水施加到所述疏水層以形成導(dǎo)電墨水圖案；和對所述導(dǎo)電墨水和所述疏水層進行加熱以在所述疏水層上形成導(dǎo)電網(wǎng)圖案。2.權(quán)利要求1的方法，其中所述涂布溶液包括氟烷基硅烷。3.權(quán)利要求2的方法，其中所述氟烷基硅烷包括三氯(3，3，3-三氟丙基)硅烷和三氯(1H，1H，2H，2H-全氟辛基)硅烷的混合物。4.權(quán)利要求3的方法，其中所述氟烷基硅烷還包括3-氨基丙基三乙氧基硅烷和/或3-巰基丙基三乙氧基硅烷。5.權(quán)利要求2的方法，其中在將所述氟烷基硅烷涂布在所述圖像顯示面上之前，將其在正辛烷中稀釋至0.05M0.3M的濃度。6.權(quán)利要求1的方法，其中所述導(dǎo)電墨水包括銀納米墨水。7.權(quán)利要求6的方法，其中所述銀納米墨水包括分散在正十四烷中的銀納米顆粒。8.權(quán)利要求7的方法，其中所述銀納米顆粒的直徑為5nmlOOnm。9.權(quán)利要求7的方法，其中所述銀納米墨水包括50重量％90重量％的銀納米顆粒。10.權(quán)利要求1的方法，其中所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案為具有200μm400μm間距的四邊形導(dǎo)電網(wǎng)圖案。11.權(quán)利要求1的方法，其中形成所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案包括通過所述噴墨敷料器的多個噴嘴噴射所述導(dǎo)電墨水的墨水滴。12.權(quán)利要求11的方法，其中所述墨水滴各自具有3pL30pL的體積。13.權(quán)利要求1的方法，其中對所述導(dǎo)電墨水和所述疏水層進行加熱包括將所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案和所述疏水層加熱至閾溫度以從所述導(dǎo)電墨水除去有機物質(zhì)。14.權(quán)利要求1的方法，其中對所述導(dǎo)電墨水和所述疏水層進行加熱包括將所述導(dǎo)電墨水和所述疏水層加熱至250°C400°C。15.權(quán)利要求1的方法，其中所述導(dǎo)電墨水圖案包括多條所述導(dǎo)電墨水的導(dǎo)電線，和其中所述多條導(dǎo)電線各自的最粗部分與最細部分的比為1.00.61.00.9。16.用于等離子體顯示裝置的顯示面板，該顯示面板包括圖像顯示面；和直接在所述圖像顯示面上的電磁波屏蔽物，該電磁波屏蔽物包括在所述圖像顯示面上的疏水層；和在所述疏水層上的導(dǎo)電網(wǎng)圖案。17.權(quán)利要求16的顯示面板，其中所述疏水層包括氟烷基硅烷。18.權(quán)利要求16的顯示面板，其中所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案包括銀納米顆粒。19.權(quán)利要求16的顯示面板，其中所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案具有200μm400μm的間距。20.權(quán)利要求16的顯示面板，其中所述導(dǎo)電網(wǎng)圖案具有30μm70μm的線寬；和/或具有0.05Ω/□0.4Ω/□的網(wǎng)表面電阻；和/或由具有重復(fù)的粗和細部分的線寬的多條導(dǎo)電線形成，其中所述多條導(dǎo)電線各自的最粗部分與最細部分的平均比為1.00.61.00.9.全文摘要本發(fā)明涉及電磁干擾屏蔽過濾器制法及等離子體顯示裝置用顯示面板，該等離子體顯示面板包括具有圖像顯示面的第一面板，該方法包括用涂布溶液涂布該第一面板的圖像顯示面以形成疏水層；利用噴墨敷料器將導(dǎo)電墨水施加到該疏水層以形成導(dǎo)電墨水圖案；和對該導(dǎo)電墨水和該疏水層進行加熱以在該疏水層上形成導(dǎo)電網(wǎng)圖案。文檔編號H05K9/00GK101820739SQ20091025999公開日2010年9月1日申請日期2009年12月24日優(yōu)先權(quán)日2008年12月31日發(fā)明者尹熙烈,徐尚鐵,朱利亞,林載錫,白承赫,秦尚暎,表永學(xué),金玟衡申請人:三星Sdi株式會社