專利名稱：配線基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種配線基板，尤其涉及具有被提供接地電位的接地層和通過差動(dòng)傳 送方式傳送信號(hào)的配線的配線基板。
背景技術(shù)：
使用于便攜式電腦的數(shù)據(jù)的傳送速度日漸高速化。對(duì)于傳送信號(hào)的配線基板的高 速傳送特性的要求也隨之達(dá)到高的等級(jí)。近年來，在主基板與硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的連接等 使用高速信號(hào)的部分使用的是例如撓性印制線路板(FPC)等的配線基板。例如，專利文獻(xiàn)1中提出了一種具有屏蔽平面的基板，該屏蔽平面具有用來控制 傳送時(shí)間和阻抗的各種開口圖案。該文獻(xiàn)所公開的基板中，通過在接地層空出開口圖案來 使電感值變更，從而進(jìn)行特性阻抗控制或傳播延遲控制?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)[專利文獻(xiàn)1]日本特開2000-77802號(hào)公報(bào)但是，近些年的數(shù)碼產(chǎn)品制品正高速地向輕量化、小型/薄型化發(fā)展。因此，改變 配線的形狀和面積是比較困難的。而且，被供給電路的信號(hào)非常高速化，需要進(jìn)一步改善傳 送特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述問題而作出的，其目的在于提供一種不改變配線的形狀和面 積、傳送特性良好的配線基板。本發(fā)明的配線基板，其特征在于，包括被供給接地電位的接地層；配置于所述接 地層上的絕緣層；通過所述絕緣層與所述接地層相對(duì)配置的、通過差動(dòng)傳送方式傳送信號(hào) 的第一配線和第二配線；所述接地層由電阻率比所述第一配線和所述第二配線高的材料形 成。采用本發(fā)明，可以提供一種不改變配線的形狀和面積、傳送特性良好的配線基板。


圖1是用來說明本發(fā)明的一實(shí)施形態(tài)的配線基板的一個(gè)構(gòu)成例的圖。圖2是顯示對(duì)于圖1所示的配線基板，改變接地層的電阻率并測(cè)定傳送信號(hào)的衰 減率的結(jié)果的一個(gè)例子的圖。圖3是顯示對(duì)于圖1所示的配線基板，改變接地層的 電阻率并測(cè)定傳送信號(hào)的衰 減率的結(jié)果的一個(gè)例子的圖。圖4是顯示對(duì)于圖1所示的配線基板，改變接地層的電阻率并測(cè)定傳送信號(hào)的衰 減率的結(jié)果的另一例子的圖。圖5是顯示圖1所示的配線基板的傳送配線的等價(jià)電路的圖。圖6是用來說明圖1所示的配線基板的差動(dòng)配線的磁場(chǎng)的一個(gè)例子的圖。
圖7是顯示對(duì)于圖1所示的配線基板，改變接地層的厚度并測(cè)定傳送信號(hào)的衰減 率的結(jié)果的一個(gè)例子的圖。圖8是顯示對(duì)于圖1所示的配線基板，改變接地層的電阻率以及膜厚并測(cè)定傳送 信號(hào)的衰減率的結(jié)果的一個(gè)例子的圖。
具體實(shí)施方式
以下，對(duì)本發(fā)明的第1實(shí)施形態(tài)的配線基板進(jìn)行說明。如圖1所示，本實(shí)施形態(tài)的 配線基板具有被供給接地電位的接地層GND、通過絕緣層Ll配置在接地層GND上的第一 配線WL以及第二配線WR。接地層GND呈平面狀地配置在本實(shí)施形態(tài)的配線基板的基板面 上。在圖1所示的截面中，第一配線WL以及第二配線WR在X方向上并列配置。在本實(shí)施形態(tài)中，第一配線WL以及第二配線WR例如由銅形成。接地層GND由電 阻率比第一配線WL和第二配線WR高的材料來形成。在本實(shí)施形態(tài)中，接地層GND例如由 電阻比銅高的高電阻材料來形成。電阻比銅高的高電阻材料例如是作為導(dǎo)電膏的銀膏等由導(dǎo)電材料和非導(dǎo)電性材 料混合而成的材料。銀膏通過銀粒子彼此的接觸來確保導(dǎo)電性。因此，銀膏與單質(zhì)銀的狀 態(tài)相比，其電阻率大幅提高。又，導(dǎo)電膏能夠通過調(diào)整所混合的導(dǎo)電材料和非導(dǎo)電材料的比 例將電阻設(shè)定為所希望的大小。又，電阻比銅高的高電阻材料是硅等半導(dǎo)體材料。第一配線WL和第二配線WR例如使用于采用了差動(dòng)傳送方式的高速信號(hào)的傳送。 因此，第一配線WL和第二配線WR通過相互供給的信號(hào)來傳送規(guī)定的信號(hào)。通過差動(dòng)傳送 方式傳送信號(hào)的話，與采用單端方式的情況相比，能減輕噪音對(duì)所傳送的信號(hào)的影響，并能 高速地傳送信號(hào)。在此，在上述配線基板中，為了改善第一配線WL和第二配線WR的信號(hào)傳送特 性，改變了接地層GND的電阻率，并對(duì)第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減率 進(jìn)行了測(cè)定。另外，圖2和圖3所示的情形中，第一配線WL和第二配線WR是由電阻率為 1.724Χ10-8[Ω .m]的銅所形成。圖2和圖3將橫軸作為頻率，將縱軸作為衰減率，表示出 傳送各頻率的信號(hào)時(shí)信號(hào)的衰減率。對(duì)例如由電阻率為1.724Χ10-8[Ω ·m]、厚度(Y方向的寬度)TG為35 μ m的銅形 成接地層GND的情況(圖2所示的曲線Gl)和具有電阻率為2Χ10-7[Ω ·m]、厚度TG為 35μπι的接地層GND的情況(圖2所示的曲線G2)下由第一配線WL和第二配線WR所傳送 的信號(hào)的衰減率進(jìn)行比較所得到的結(jié)果在圖2中示出。如圖2所示，在使接地層GND的電 阻率為銅的大致10倍左右時(shí)，與使用銅的情況相比，其衰減率變大。又，對(duì)例如由電阻率為1.724Χ10-8[Ω ·m]、厚度TG為35 μ m的銅形成接地層GND 的情況(圖3所示的曲線Gl)和具有電阻率為1[Ω ·m]、厚度TG為35 μ m的接地層GND的 情況下(圖3所示的曲線G3)由第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減率進(jìn)行比 較所得到的結(jié)果在圖3中示出。如圖3所示，當(dāng)接地層GND的材料使用電阻率比銅足夠高的材料時(shí)，由第一配線WL 和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減率得到了改善。進(jìn)一步的，對(duì)形成了使用例如電阻率為銅的IXlO5以上的材料的接地層GND的情 況(圖4所示的曲線G3’)和采用銅形成了厚度TG相同的接地層GND的情況(圖4所示的曲線Gl’ )下由第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減率進(jìn)行比較所得到的結(jié)果 在圖4中示出。如圖4所示，當(dāng)接地層GND的材料使用電阻率為銅的1 X IO5以上的材料時(shí)，與使 用銅的情況相比，由第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減率得到了改善。如上所述，接地層GND采用電阻率比第一配線WL和第二配線WR的電阻率足夠高 的材料形成的情況下，第一配線WL和第二配線WR的信號(hào)傳送特性得到了改善。圖5示出第一配線WL和第二配線WR的等效電路。第一配線WL和第二配線WR的 電參數(shù)能夠由圖5所示的電阻R、電感L、電導(dǎo)G、電容C的分布常數(shù)來表示。作為表示第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減的手法之一，采用衰減 常數(shù)α。衰減常數(shù)α為((R+jcoL) (G+j C))2的實(shí)數(shù)項(xiàng)。根據(jù)該衰減常數(shù)α的公式，對(duì) 上述那樣的接地層GND的電阻率與第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減率的關(guān) 系進(jìn)行研究。圖5所示的電阻R的大小是第一配線WL(或第二配線WR)以及成為信號(hào)的返回通 道的接地層GND的電阻成分。電導(dǎo)G是第一配線WL(或第二配線WR)和接地層GND之間的 絕緣體的漏電流所產(chǎn)生的成分。又，電容C和電感L是隨著第一配線WL(或第二配線WR)和接地層GND之間的結(jié) 合關(guān)系或絕緣層的材質(zhì)而變化的成分。電導(dǎo)G與電容C成比例。也就是說，電容C越大，電 導(dǎo)G越大。鑒于上述關(guān)系，衰減常數(shù)α中，電感L的值是衰減常數(shù)α的值變動(dòng)的主要原因， 但僅有它與衰減常數(shù)α的值沒有比例關(guān)系。也就是說，即使電感L變大，衰減常數(shù)α也不 會(huì)變大。相反，電阻R、電導(dǎo)G以及電容C的值與衰減常數(shù)α具有比例關(guān)系，它們的值越大， 衰減常數(shù)α也相應(yīng)變大。在安裝上，由于配線基板的體積是有限的，因此電阻R、電導(dǎo)G以 及電容C變大容易，但是變小就困難了。因此，在本實(shí)施形態(tài)中，不改變電阻R、電導(dǎo)G以及電容C，使電感L上升來降低信 號(hào)的衰減率。從算出衰減常數(shù)α的公式可知，電感L達(dá)到一定大小以上的話，衰減率反而 會(huì)變大，但本發(fā)明的發(fā)明者確認(rèn)了以下情況通常的撓性印制線路板(FPC)或配線基板所 使用的參數(shù)大多可以通過僅使電感L上升來降低衰減率。為此，在本實(shí)施形態(tài)的配線基板中，減弱了第一配線WL以及第二配線WR和 接地層 GND之間的結(jié)合關(guān)系。圖6示出在本實(shí)施形態(tài)的配線基板中利用第一配線WL和第二配線 WR傳送差動(dòng)信號(hào)時(shí)的磁場(chǎng)分布。如圖6所示，在第一配線WL和第二配線WR周圍產(chǎn)生的磁場(chǎng)，如箭頭所示那樣貫通 接地層GND而生成。也就是說，在第一配線WL和第二配線WR周圍產(chǎn)成的磁場(chǎng)的狀態(tài)與無 接地層GND的狀態(tài)下的磁場(chǎng)的狀態(tài)大致相同。這是因?yàn)榻拥貙覩ND中使用了電阻率足夠高 的材料(例如硅等半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電膏)。例如，當(dāng)接地層GND的材料中采用了電阻率與第一配線WL和第二配線WR大致相 同程度的材料時(shí)，第一配線WL和第二配線WR周圍所產(chǎn)生的磁場(chǎng)不貫通接地層GND，磁場(chǎng)只 產(chǎn)生在第一配線WL和第二配線WR側(cè)，而不產(chǎn)生在接地層側(cè)。另外，電阻率足夠高的材料是指，相對(duì)于第一配線WL和第二配線WR所使用的材料的電阻率具有IXio5倍以上的電阻率的材料，例如如圖3以及圖4所示的測(cè)定所使用的材 料， 在利用電阻率為1.724Χ10_8[Ω .m]的銅來形成第一配線WL和第二配線WR的情況下， 電阻率足夠高的材料是電阻率為1[Ω ·πι]的材料。 如上所述，在利用電阻率比第一配線WL和第二配線WR足夠高的材料來形成接地 層GND的情況下，與接地層GND中使用了銅等的導(dǎo)體的情況相比，接地層GND與差動(dòng)信號(hào)配 線(第一配線WL和第二配線WR)之間的結(jié)合變?nèi)?，因此電感L的值變高。
關(guān)于電阻R，無視接地層GND，電流基本只在被供給差動(dòng)信號(hào)的第一配線WL和第二 配線WR中流動(dòng)，因此與接地層GND中具有銅等的導(dǎo)體的情形沒有什么大的變化。又，關(guān)于電容C和電導(dǎo)G，它們是由電場(chǎng)定義的項(xiàng)目，而不是由磁場(chǎng)定義的。無論是 銅等的導(dǎo)體，還是硅等的電阻率足夠高的材料，在接地層GND的表面能儲(chǔ)蓄電荷這一點(diǎn)上 是沒有差異的，在第一配線WL和第二配線WR的周圍產(chǎn)生的電場(chǎng)沒有發(fā)生變動(dòng)。因此，電容 C和電導(dǎo)G的值不變動(dòng)。由此，在本實(shí)施形態(tài)的配線基板中，通過將接地層GND的電阻率設(shè)置得足夠高來 僅使第一配線WL和第二配線WR的電感L的值發(fā)生改變，從而提供與將銅等導(dǎo)體使用于接 地層GND的情形相比衰減率少的差動(dòng)傳送通路。也就是說，如上所述，采用本實(shí)施形態(tài)的配線基板，可以提供一種不改變配線的形 狀和面積、且傳送特性良好的配線基板。接著，下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施形態(tài)的配線基板進(jìn)行說明。另外，在以下 的說明中，對(duì)于與上述第一實(shí)施形態(tài)的配線基板相同的構(gòu)成標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略其說 明。本實(shí)施形態(tài)的配線基板，與上述第一實(shí)施形態(tài)的配線基板相同地具有被供給接 地電位的接地層GND、通過絕緣層Ll配置在接地層GND上的第一配線WL以及第二配線WR。 接地層GND呈平面狀地配置在本實(shí)施形態(tài)的配線基板的基板面上。第一配線WL以及第二 配線WR例如使用于采用了差動(dòng)傳送方式的高速信號(hào)的傳送。在本實(shí)施形態(tài)中，第一配線WL以及第二配線WR例如由銅形成。接地層GND由電 阻率比第一配線WL和第二配線WR高的材料來形成。在本實(shí)施形態(tài)中，接地層GND例如由 電阻比銅高的高電阻材料形成，并形成得足夠薄。電阻比銅高的高電阻材料例如是硅等半導(dǎo)體材料或銀膏等導(dǎo)電膏，是電阻率比例 如銅的電阻率的大致10倍還大的材料。例如，銀膏這樣材料其在涂敷之前的狀態(tài)是具有流 動(dòng)性的液體，且在涂敷后通過使銀粒子以外的溶劑干燥來進(jìn)行粘合?？紤]到干燥工程的話， 難以增加膜厚，與一般的銅箔相比，其膜厚變薄。又，電阻比銅高的高電阻材料是硅等半導(dǎo)體材料。在利用半導(dǎo)體材料形成足夠薄 的層的時(shí)候，例如可以通過旋轉(zhuǎn)涂覆法涂覆半導(dǎo)體材料來形成薄膜。在此，在上述配線基板中，為了改善第一配線WL和第二配線WR的信號(hào)傳送特 性，改變接地層GND的厚度TG，并對(duì)第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減 率進(jìn)行了測(cè)定。另外，圖7所示的情形中，第一配線WL和第二配線WR是由電阻率為 1.724Χ10_8[Ω .m]的銅所形成。圖7將橫軸作為頻率，將縱軸作為衰減率，表示出傳送各 頻率的信號(hào)時(shí)信號(hào)的衰減率。對(duì)例如由電阻率為1. 724 X IO"8 [ Ω · m]、厚度TG為35 μ m的銅形成接地層GND的情況(圖7所示的曲線Gl)和具有電阻率為2Χ10_7[Ω · m]、厚度TG為0.01 μ m的接地層 GND的情況(圖7所示的曲線G4)下由第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減率進(jìn) 行比較所得到的結(jié)果在圖7中示出。如圖7所示，使接地層GND的電阻率為銅的大致10倍左右、且使接地層GND的厚 度TG變薄的情況，與圖2所示的情況相比，其衰減率降低得到改善，有時(shí)其衰減率比銅高。如上所述，在接地層GND的電阻率比第一配線WL和第二配線WR的電阻率高，且充 分薄的情況下，第一配線WL和第二配線WR的信號(hào)傳輸特性得到改善。在本實(shí)施形態(tài)中，并沒有改變電阻R、電導(dǎo)G以及電容C，而是使得電感L上升，降 低信號(hào)的衰減率。也就是說，在本實(shí)施形態(tài)中，由于在接地層GND中使用了電阻率高且足夠薄的材 料，因此降低了信號(hào)的衰減率。另外，電阻率高且足夠薄的材料是使接地層GND的電阻率相 對(duì)于第一配線WL和第二配線WR所使用的材料的電阻率為大致10倍以上的材料，例如如圖 7所示，在利用電阻率為1.724Χ10_8[Ω .m]的銅來形成第一配線WL和第二配線WR的情 況下，采用的是電阻率為2χ10_7[Ω · m]、厚度TG為0.01 μ m的材料。此時(shí)，接地層GND的 厚度TG最好為至少3 μ m以下。如上所述，在采用電阻率比第一配線WL和第二配線WR高且薄的材料來形成接地 層GND的情況下，與接地層GND中使用了銅等導(dǎo)體時(shí)相比，接地層GND與差動(dòng)信號(hào)配線(第 一配線WL和第二配線WR)之間的結(jié)合變?nèi)酰虼穗姼蠰的值變高。關(guān)于電阻R，無視接地層GND，電流基本只在被供給差動(dòng)信號(hào)的第一配線WL和第二 配線WR中流動(dòng)，因此與接地層GND中具有銅等的導(dǎo)體的情形沒有什么變化。又，關(guān)于電容C和電導(dǎo)G，它們是由電場(chǎng)定義的項(xiàng)目，而不是由磁場(chǎng)定義的。無論是 銅等的導(dǎo)體，還是電阻率比銅高的材料，在接地層GND的表面能儲(chǔ)蓄電荷這一點(diǎn)上是沒有 差異的，在第一配線WL和第二配線WR的周圍產(chǎn)生的電場(chǎng)沒有發(fā)生變動(dòng)。因此，電容C和電 導(dǎo)G的值不會(huì)變動(dòng)。由此，在本實(shí)施形態(tài)的配線基板中，通過利用電阻率高的材料來形成接地層GND， 并使得其足夠薄，來僅使第一配線WL和第二配線WR的電感L的值發(fā)生改變，從而提供與將 銅等導(dǎo)體使用于接地層GND的情形相比衰減率少的差動(dòng)傳送通路。也就是說，如上所述，采用本實(shí)施形態(tài)的配線基板，可以提供一種不改變配線的形 狀和面積、且傳送特性良好的配線基板。接著，下面參照附圖對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施形態(tài)的配線基板進(jìn)行說明。本實(shí)施形態(tài) 的配線基板，與上述第一實(shí)施形態(tài)的配線基板相同地具有被供給接地電位的接地層GND、 通過絕緣層Ll配置在接地層GND上的第一配線WL以及第二配線WR。接地層GND呈平面狀 地配置在本實(shí)施形態(tài)的配線基板的基板面上。第一配線WL以及第二配線WR例如使用于采 用了差動(dòng)傳送方式的高速信號(hào)的傳送。在本實(shí)施形態(tài)中，第一配線WL以及第二配線WR例如由銅形成。接地層GND由電 阻率比第一配線WL和第二配線WR高的材料來形成。在本實(shí)施形態(tài)中，接地層GND例如由 電阻比銅足夠高的高電阻材料形成。 電阻比銅足夠高的高電阻材料例如是硅等半導(dǎo)體材料或銀膏等導(dǎo)電膏。例如，銀膏這樣材料其在涂敷之前的狀態(tài)是具有流動(dòng)性的液體，且在涂敷后通過使銀粒子以外的溶 劑干燥來進(jìn)行粘合?？紤]到干燥工程的話，難以增加膜厚，與一般的銅箔相比，其膜厚變薄。 在利用半導(dǎo)體材料形成足夠薄的層的時(shí)候，例如可以通過例如旋轉(zhuǎn)涂覆法涂覆半導(dǎo)體材料 來形成薄膜。在此，在上述配線基板中，為了改善第一配線WL和第二配線WR的信號(hào)傳送特性， 改變了接地層GND的電阻率和厚度TG，并對(duì)第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的 衰減率進(jìn)行了測(cè)定。另外，圖8所示的情形中，第一配線WL和第二配線WR是由電阻率為 1.724Χ10_8[Ω .m]的銅所形成。圖8將橫軸作為頻率，將縱軸作為衰減率，表示出傳送各 頻率的信號(hào)時(shí)信號(hào)的衰減率。對(duì)例如由電阻率為1. 724 X IO"8 [ Ω · m]、厚度TG為35 μ m的銅形成接地層GND的 情況(圖8所示的曲線Gl)和具有電阻率為1[Ω ·πι]、厚度TG為0. Ιμπι的接地層GND的 情況(圖8所示的曲線G5)下由第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減率進(jìn)行比 較所得到的結(jié)果在圖8中示出。如圖8所示，在接地層GND的材料使用電阻率比銅足夠高的材料、且使接地層GND 的厚度TG變薄的情況下，與圖7所示的情況相比，其衰減率得到進(jìn)一步的改善，即便在傳送 高頻信號(hào)的情況下，其傳送特性也是良好的。如上所述，在接地層GND的電阻率比第一配線WL和第二配線WR的電阻率足夠高 且足夠薄的情況下，第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的傳送特性得到了改善。在本實(shí)施形態(tài)中，并沒有改變電阻R、電導(dǎo)G以及電容C，僅使得電感L上升，就降 低了信號(hào)的衰減率。也就是說，在本實(shí)施形態(tài)中，由于在接地層GND中使用了電阻率足夠高且足夠薄 的材料，因此降低了信號(hào)的衰減率。另外，電阻率足夠高且足夠薄的材料是使接地層GND的 電阻率相對(duì)于第一配線WL和第二配線WR所使用的材料的電阻率為大致IxlO5倍以上的材 料，例如如圖8所示，在利用電阻率為1.724Χ10_8[Ω -m]的銅來形成第一配線WL和第二 配線WR的情況下，采用的是電阻率為1[Ω ·πι]、厚度TG為Ο. μπι的材料。此時(shí)，接地層 GND的厚度TG最好為至少3 μ m以下。如上所述，在采用電阻率比第一配線WL和第二配線WR足夠高且足夠薄的材料來 形成接地層GND的情況下，與接地層GND中使用了銅等導(dǎo)體時(shí)相比，接地層GND與差動(dòng)信號(hào) 配線(第一配線WL和第二配線WR)之間的結(jié)合變?nèi)?，因此電感L的值變高。關(guān)于電阻R，無視接地層GND，電流基本只在被供給差動(dòng)信號(hào)的第一配線WL和第二 配線WR中流動(dòng)，因此與接地層GND中具有銅等的導(dǎo)體的情形沒有什么變化。又，關(guān)于電容C和電導(dǎo)G，它們是由電場(chǎng)定義的項(xiàng)目，而不是由磁場(chǎng)定義的。無論是 銅等的導(dǎo)體，還是電阻率比銅高的材料，在接地層GND的表面能儲(chǔ)蓄能電荷這一點(diǎn)上是沒 有差異的，在第一配線WL和第二配線WR的周圍產(chǎn)生的電場(chǎng)沒有發(fā)生變動(dòng)。因此，電容C和 電導(dǎo)G的值不會(huì)變動(dòng)。由此，在本實(shí)施形態(tài)的配線基板中，通過利用電阻率足夠 高的材料來形成接地層 GND,并使得其足夠薄，來僅使第一配線WL和第二配線WR的電感L的值發(fā)生改變，從而提供 與將銅等導(dǎo)體使用于接地層GND的情形相比衰減率少的差動(dòng)傳送通路。也就是說，如上所述，采用本實(shí)施形態(tài)的配線基板，可以提供一種不改變配線的形狀和面積、且傳送特性良好的配線基板。如果要提高配線的衰減率的話，已提出增粗信號(hào)配線或者改變絕緣層的材料這樣 的改善方法。但是，如果采用上述第一乃至第三是實(shí)施形態(tài)的配線基板，可以通過改變接地 層GND的導(dǎo)體材料來改善特性，并增加傳送特性的改善的幅度。以往，雖然意識(shí)到使用高電 阻時(shí)衰減變大，但是通過使接地層GND足夠薄或者使得電阻率足夠高，可以通過與以往完 全不同的方法來改善特性。也就是說，如上所述，通過采用電阻率比第一配線WL和第二配線WR的材料足夠高 的材料、電阻率高且足夠薄的材料、或者電阻率足夠高且足夠薄的材料來形成接地層GND， 可以改善第一配線WL和第二配線WR所傳送的信號(hào)的衰減率。因此，如果采用上述第一乃至第三是實(shí)施形態(tài)的配線基板，可以提供一種不改變 配線的形狀和面積、且傳送特性良好的配線基板。另外，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施形態(tài)所限定的特征，在其實(shí)施階段可以在不脫離 其主旨的范圍內(nèi)對(duì)構(gòu)成要素進(jìn)行變形并具體化。即使在適用于例如作成與上述實(shí)施形態(tài) 的配線基板相同的構(gòu)造的撓性印制線路板(FPC)、柔性扁平排線(FFC)、雙面印刷線路板 (PWB)等的情況下，也可以得到同樣的效果。尤其是在接地層GND采用電阻率高且薄的材料 的情況下，可以容易地使撓性印制線路板、柔性扁平排線彎曲，并實(shí)現(xiàn)輕量化。
又，即便是在通過例如差動(dòng)傳送方式傳送信號(hào)的電纜的外皮配置接地層GND的情 況下，在接地層GND使用電阻率足夠高的材料、電阻率高且薄的材料、或者電阻率足夠高且 薄的材料時(shí)，可以得到與上述實(shí)施形態(tài)的配線基板相同的效果。又，即便是在具有與上述實(shí)施形態(tài)相同的結(jié)構(gòu)、接地電位被供給第一配線WL和第 二配線WR中的一個(gè)的情況下，在接地層GND使用電阻率足夠高的材料、電阻率高且薄的材 料、或者電阻率足夠高且薄的材料時(shí)，可以得到與上述實(shí)施形態(tài)的配線基板相同的效果。又，通過對(duì)上述實(shí)施形態(tài)所公開的多個(gè)構(gòu)成要素進(jìn)行適當(dāng)?shù)亟M合，可以形成各種 發(fā)明。例如，可以從實(shí)施形態(tài)所揭示的所有構(gòu)成要素中刪除幾個(gè)構(gòu)成要素。進(jìn)一步的，也可 以將不同的實(shí)施形態(tài)的構(gòu)成要素進(jìn)行適當(dāng)?shù)慕M合。
權(quán)利要求
一種配線基板，其特征在于，包括被供給接地電位的接地層；配置于所述接地層上的絕緣層；通過所述絕緣層與所述接地層相對(duì)配置的、通過差動(dòng)傳送方式傳送信號(hào)的第一配線和第二配線；所述接地層由電阻率比所述第一配線和所述第二配線高的材料形成。
2.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，所述接地層的材料是半導(dǎo)體材料。
3.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，所述接地層的材料是銀膏。
4.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，所述配線基板是撓性配線基板。
5.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，所述接地層的材料的電阻率為所述第 一配線和所述第二配線的電阻率的IxlO5倍以上。
6.如權(quán)利要求1所述的配線基板，其特征在于，所述接地層的厚度為3μπι以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種不改變配線的形狀和面積、且傳送特性良好的配線基板。該配線基板包括被供給接地電位的接地層GND；配置于接地層GND上的絕緣層L1；通過絕緣層L1與接地層相對(duì)配置的、通過差動(dòng)傳送方式傳送信號(hào)的第一配線WL和第二配線WR，接地層GND由電阻率比第一配線WL和第二配線WR高的材料形成。
文檔編號(hào)H05K1/00GK101990356SQ200910252870
公開日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月5日
發(fā)明者鳥越保輝 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝